GMC2412K

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC2412K ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Ic PC Tj Tstg Rating 額定值 60 50 7 150 225 150 -55〜150 Unit 單位 V V V mA mW ℃ ℃ Characteristic 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 ■DEVICE MARKING 打標 GMC2412K MARK HFE Q BQ 120~270 R BR 180~390 S BS 270~560 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC2412K CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃) ■ELECTRICAL Characteristic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage Symbol Test Condition Min Typ Max Unit 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位 ICBO IEBO V(BR)CBO VCB=60V, IE=0 VEB=7V, IC=0 IC=50μA — — 60 — — — 0.1 0.1 — μA μA V 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Votlage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Transition Frequency 特徵頻率 Collector Output Capacitance 輸出電容 V(BR)CEO IC=1.0mA IE=50μA VCE=6V, IC=1mA IC=50mA, IB=5mA VCE=12V, IC=2mA, f=100MHz VCB=12V, IE=0A, f=1MHz 50 — — V V(BR)EBO 7 — — V HFE 120 — 560 — VCE(sat) — — 0.4 V fT — 180 — MHz Cob — 2.0 3.5 pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC2412K ■DIMENSION 外形封裝尺寸