GMC945

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Ic PC Tj Tstg Rating 額定值 60 50 5.0 100 225 150 -55〜150 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mA mW ℃ ℃ CHARACTERISTIC 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 ■DEVICE MARKING 打標 GMC945(C945LT1)=CR HFE:120-220 200-400 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collector-Base Breakdown Voltage Symbol Test Condition Min Typ Max Unit 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位 ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO HFE VCE(sat) VBE fT VCB=60V, IE=0 VEB=5V, IC=0 IC=100μA IC=1.0mA IE=100μA VCE=6V, IC=1mA IC=100mA, IB=10mA VCE=5.0V, IC=10mA VCE=6.0V, IC=1mA — — 60 50 5 120 — — — — — — — — — — — 250 0.1 0.1 — — — 400 0.3 0.8 — μA μA V 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Votlage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 V V — V V MHz 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 ■DIMENSION 外形封裝尺寸