0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
GMDTA114E

GMDTA114E

  • 厂商:

    GSME

  • 封装:

  • 描述:

    GMDTA114E - PNP DIGITAL TRANSISTOR(BUILT-IN RESISTORS) - Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

  • 数据手册
  • 价格&库存
GMDTA114E 数据手册
桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMDTA114E ■DESCRIPTION&EQUIVALENT CIRCUIT 功能和等效電路 PNP DIGITAL TRANSISTOR(BUILT-IN RESISTORS)數字晶體管(内置電阻) ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Symbol 符號 VCC VIN IO(MAX) PD Tj Tstg Rating 額定值 -50 -40 ~ 10 -100 200 125 -55 ~ +125 Unit 單位 V V mA mW ℃ ℃ Characteristic 特性參數 Supply Voltage 供给電壓 Input Voltage 輸入電壓 Output Current 輸出電流 Power Dissipation 耗散功率 Junction Temperature 结溫 Storage Temperature 儲存溫度 ■DEVICE MARKING 打標 DTA114E=14 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMDTA114E ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 VI(OFF) Input Voltage 輸入電壓 VI(ON) Test Condition 測試條件 VCC=-5V, IO=-100uA VO=-0.3V, IO=-10mA IO=-10mA, II=-0.5mA Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 — — -0.5 V -3 — — Output Voltage 輸出電壓 VO(ON) — — -0.3 V Input Current 輸入電流 II VI=-5V — — -0.88 mA Output Current 輸出電流 IO(OFF) VCC=-50V, VI=0V — — -0.5 uA DC Current Gain 直流電流增益 GI VO=-5V, IO=-5mA 30 — — — Input Resistance 輸入電阻 R1 — 7 10 13 KΩ Resistance Ratio 電阻比率 R2/R1 — 0.8 1 1.2 — 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMDTA114E ■DIMENSION 外形封裝尺寸
GMDTA114E 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“GMDTA114E”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货