GMM28S

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMM28S ■FEATURES 特點 High hFE 高放大倍數 NPN silicon ■MAXIMUM NPN 矽管 RATINGS 最大定額值(Ta=25℃) Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Rating 額定值 40 20 5 1000 300 150 Unit 單位 V V V mA mW ℃ CHARACTERISTIC 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Pulse 集電極電流-脉冲 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 ■DEVICE Ic PC Tj Tstg -55〜150 ℃ MARKING 打標 600~1200 M28S=28S. 300~600 500~700 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMM28S CHARACTERISTICS 電特性 （TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃ ） ■ELECTRICAL Characteristic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collector-Base Breakdown Voltage Symbol 符號 ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO Test Condition 測試條件 VCB=25V,IE=0 VEB=5V,I C=0 IC=100μA IC=1mA IE=100μA VCE=1V, IC=100mA VCE=5V,IC=10mA IC=600mA, IB=20mA Min. Typ. Max. 最小值 典型值 最大值 — — 100 Unit 單位 nA nA V — — 100 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 40 — — 集電極-射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 20 — — V 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Transition Frequency 特徵頻率 Collector-Emitter Saturation Voltage V(BR)EBO hFE fT 5 — — V 300 — 1200 — — 120 — MHz 集電極-發射極飽和壓降 VCE(sat) — — 0.55 V 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMM28S ■DIMENSION 外形封裝尺寸