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GSIB25100-E

GSIB25100-E

  • 厂商:

    GULFSEMI

  • 封装:

  • 描述:

    GSIB25100-E - SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 600V to 1000V Current: 25.0A -...

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GSIB25100-E 数据手册
GSIB2560-E THRU GSIB25100-E SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 600V to 1000V Current: 25.0A Features Glass passivated chip junction Ideal for printed circuit board High surge current capability High case dielectric strength This series is UL listed under Recognized Component Index, file number E185029 Halogen Free GSIB-5S Mechanical Data Terminal: Plated leads solderable per MIL-STD 202E, Method 208C Case: UL-94 Class V-0 recognized Halogen Free Epoxy Polarity: Polarity symbol marked on body Mounting position: any Dimensions in millimeters MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (single-phase, half -wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated, for capacitive load, derate current by 20%) Symbol Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward Tc = 98℃(Note 1) Rectified output current at Ta = 25℃(Note 2) Peak forward surge current single sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage drop per leg at 12.5A Rating for fusing (t < 8.3ms) Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per leg Maximum thermal resistance per leg Ta = 25° C Ta = 125° C (Note2) (Note1) Vrrm Vrms Vdc If(av) Ifsm Vf I2t Ir Rth(ja) Rth(jc) Tj, Tstg GSIB2560-E 600 420 600 GSIB2580-E 800 560 800 25.0 3.5 350 1.0 500 10.0 350 22.0 1.0 -55 to +150 GSIB25100-E 1000 700 1000 units V V V A A V A2Sec µA ℃/W ℃ Operating junction and storage temperature range Note: 1. Unit case mounted onAl plate heatsink 2. Unit case mounted on P.C.B. with heatsink 3. Recommended mounting position is to bolt down on heatsink with silicone thermal compound for maximum heat transfer with #6 screw Rev.A1 www.gulfsemi.com RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES GSIB2560-E THRU GSIB25100-E Rev.A1 www.gulfsemi.com
GSIB25100-E
1. 物料型号: - GSIB2560-E - GSIB2580-E - GSIB25100-E

2. 器件简介: - 这些器件是单相玻封桥式整流器,具有玻璃钝化芯片结,适合用于印刷电路板,具有高浪涌电流能力和高外壳抗电强度。

3. 引脚分配: - 引脚为镀锡引线,可焊性符合MIL-STD 202E标准,方法208C。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压:GSIB2560-E为600V,GSIB2580-E为800V,GSIB25100-E为1000V。 - 最大RMS电压:GSIB2560-E为420V,GSIB2580-E为560V,GSIB25100-E为700V。 - 最大直流阻断电压:与最大重复峰值反向电压相同。 - 最大平均正向Tc = 98°C时的电流(仅GSIB2580-E和GSIB25100-E):25.0A。 - 25°C时的整流输出电流(仅GSIB2580-E):3.5A。 - 峰值正向浪涌电流(单正弦波叠加在额定负载上,JEDEC方法):GSIB2580-E为350A,GSIB25100-E为350A。 - 最大瞬时正向电压降每腿在12.5A时:GSIB2580-E为1.0V,GSIB25100-E为1.0V。 - 额定熔断电流(t < 8.3ms):GSIB2580-E为500A2Sec,GSIB25100-E为500A2Sec。 - 25°C时每腿的最大直流反向电流在额定直流阻断电压下:GSIB2580-E为10.0A,GSIB25100-E为350A。 - 最大热阻每腿(注2和注1):GSIB2560-E为22.0°C/W(结到环境),1.0°C/W(结到外壳)。

5. 功能详解: - 这些器件是用于整流应用的桥式整流器,能够处理高达25A的电流和高达1000V的电压。它们具有高热阻和高浪涌电流能力,适合高要求的整流应用。

6. 应用信息: - 这些整流器适用于需要高电流和高电压处理能力的应用,如电源、电机控制和工业自动化。

7. 封装信息: - 封装材料为UL-94 V-0级认可的无卤素环氧树脂,外壳标记有极性符号。推荐的安装位置是使用#6螺丝固定在散热器上,使用硅胶热传导膏以获得最大的热传递。
GSIB25100-E 价格&库存

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