SBYV26E

SBYV26E

  • 厂商:

    GULFSEMI

  • 封装:

  • 描述:

    SBYV26E - SINTERED GLASS JUNCTION SURFACE MOUNTED RECTIFIER VOLTAGE: 200 to 1400V CURRENT: 1.0A - Gu...

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SBYV26E 数据手册
SBYV26A THRU SBYV26G SINTERED GLASS JUNCTION SURFACE MOUNTED RECTIFIER VOLTAGE: 200 to 1400V CURRENT: 1.0A FEATURE Ideal for surface mount automotive applications High temperature metallurgically bonded construction Sintered glass cavity free junction Capability of meeting environmental standard of MIL-S-19500 High temperature soldering guaranteed 350°C /10sec/0.375”lead length at 5 lbs tension Operate at Ta =55°C with no thermal run away Typical Ir
SBYV26E
1. 物料型号: - SBYV26A THRU SBYV26G

2. 器件简介: - 这些器件是烧结玻璃结点表面贴装整流器,适用于表面贴装汽车应用,具有高温冶金结合结构,烧结玻璃无腔结点,能够满足MIL-S-19500环境标准,保证在350°C/10秒/0.375”引脚长度下5磅张力的高温焊接。

3. 引脚分配: - 极性:色带表示阴极。

4. 参数特性: - 工作温度:Ta=55°C,无热失控。 - 典型反向电流:$Ir<0.1\mu A$。 - 最大重复峰值反向电压(VRRM):200至1400V。 - 最大有效值电压(VRMS):140至980V。 - 最大直流阻断电压(VDc):200至1400V。 - 反向雪崩击穿电压在IR=0.1 mA时(VBR)R):300至1500V最小值。 - 最大平均正向整流电流TL=120°C时(IFAV):1.0A。 - 非重复峰值正向电流在t=10ms半正弦波时(IFSM):30A。 - 最大正向电压在额定正向电流时(VF):2.5V至2.15V。 - 非重复峰值反向雪崩能量(ERSM):10mJ。 - 在额定直流阻断电压下,Ta=25°C时最大直流反向电流Ta=165°C时(IR):5.0至150.0A。 - 最大反向恢复时间(Trr):30至150ns。 - 二极管电容(Cj):15.0pF。 - 典型热阻(Rth(ja)):100°C/W。

5. 功能详解: - 这些器件能够在高温下操作,并且具有高温焊接保证。它们还具有低反向电流和低正向电压降,适合高效率电源转换应用。

6. 应用信息: - 适用于汽车应用和其他需要高温操作和高可靠性的场合。

7. 封装信息: - GF1/DO-214BA封装,允许在小尺寸封装中实现高功率性能。
SBYV26E 价格&库存

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