1. 物料型号:
- 型号为HMS51232.J4,这是一个静态随机存取存储器(SRAM)模块,包含524,288个存储单元,配置为512K x 32位。
2. 器件简介:
- HMS51232.J4是一个包含524,288个存储单元的SRAM模块,这些存储单元被组织成32位配置。模块由四个512K x 8的SRAM组成,安装在一个68引脚的单面、FR4印刷电路板上。模块有四个芯片使能输入(CE1、CE2、CE3和CE4),可以独立启用模块的4个字节。输出使能(OE)和写入使能(WE)可以设置存储器的输入和输出。
3. 引脚分配:
- 数据引脚(DQ0-DQ31):数据输入/输出。
- 地址引脚(A0-A18):地址输入。
- /WE:写使能。
- /CE1-4:芯片选择。
- /OE:输出使能。
- Vcc:电源。
- Vss:地。
4. 参数特性:
- 访问时间有10ns、12ns和15ns三种规格。
- 高密度2MByte设计。
- 高可靠性、低功耗设计。
- 单+5V+0.5V电源供电。
- 三态输出,与TTL兼容。
- FR4-PCB设计。
- 低轮廓68引脚JLCC封装。
5. 功能详解:
- 数据在写使能(WE)和芯片使能(CE)输入都为低电平时写入SRAM存储器。
- 当/WE保持高电平,/CE和输出使能/OE为低电平时完成读取。
- 为提高可靠性,该SRAM模块设计为多个电源和地引脚。所有模块组件都可以通过单个+5V电源供电。
6. 应用信息:
- 该SRAM模块适用于需要高可靠性和低功耗存储解决方案的应用场合。
7. 封装信息:
- 封装类型为68引脚JLCC(J-Lead Chip Carrier)。