1. 物料型号:
- 型号为HMS51232M4G,这是一个2Mbit(512Kx32位)的SRAM存储模块,采用72引脚SIMM封装。
2. 器件简介:
- HMS51232M4G是一个高速静态随机存取存储器(SRAM)模块,包含1,048,576个存储字,以32位配置排列。该模块由四个512Kx8 SRAM芯片组成,安装在72引脚的单面FR4印刷电路板上。
3. 引脚分配:
- 模块包含72个引脚,其中包括多个数据引脚(DQ0到DQ31)、地址引脚(A1到A18)、控制引脚(如写使能WE、输出使能OE和芯片使能CE1、CE2、CE3、CE4)等。
4. 参数特性:
- 访问时间有10ns、12ns、15ns、17ns和20ns等不同规格。
- 工作电压为单+5V供电,电压范围在4.5V至5.5V之间。
- 最大功耗为4W。
- 存储温度范围为-65°C至+150°C,工作温度范围为0°C至+70°C。
5. 功能详解:
- 该SRAM模块设计为多电源和地引脚,以提高可靠性。
- 数据在写使能(WE)和芯片使能(CE)输入都为低电平时被写入SRAM。
- 读取操作在WE保持高电平,CE和OE为低电平时完成。
6. 应用信息:
- 由于其高速和高可靠性,适用于需要快速数据访问和高稳定性的应用场合。
7. 封装信息:
- 封装类型为72引脚SIMM设计,具体封装视图和尺寸信息可在PDF文档中的相关图表找到。