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ご注意 安全設計に関するお願い 1. 弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があり ます。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、人身事故、火災事故、社会的損害などを 生じさせないような安全性を考慮した冗長設計、 延焼対策設計、 誤動作防止設計などの安全設計に十分ご 留意ください。 本資料ご利用に際しての留意事項 1. 本資料は、お客様が用途に応じた適切なルネサス テクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であ り、 本資料中に記載の技術情報についてルネサス テクノロジが所有する知的財産権その他の権利の実施、 使用を許諾するものではありません。 2. 本資料に記載の製品データ、 図、 表、 プログラム、 アルゴリズムその他応用回路例の使用に起因する損害、 第三者所有の権利に対する侵害に関し、ルネサス テクノロジは責任を負いません。 3. 本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のも のであり、ルネサス テクノロジは、予告なしに、本資料に記載した製品または仕様を変更することがあ ります。ルネサス テクノロジ半導体製品のご購入に当たりましては、事前にルネサス テクノロジ、ルネ サス販売または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに、ルネサス テクノロジホームページ (http://www.renesas.com)などを通じて公開される情報に常にご注意ください。 4. 本資料に記載した情報は、 正確を期すため、 慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに起因する 損害がお客様に生じた場合には、ルネサス テクノロジはその責任を負いません。 5. 本資料に記載の製品データ、 表に示す技術的な内容、 図、 プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は、 技術内容、プログラム、アルゴリズム単位で評価するだけでなく、システム全体で十分に評価し、お客様 の責任において適用可否を判断してください。ルネサス テクノロジは、適用可否に対する責任は負いま せん。 6. 本資料に記載された製品は、 人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるいはシステムに用いら れることを目的として設計、製造されたものではありません。本資料に記載の製品を運輸、移動体用、医 療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底中継用機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討 の際には、ルネサス テクノロジ、ルネサス販売または特約店へご照会ください。 7. 本資料の転載、複製については、文書によるルネサス テクノロジの事前の承諾が必要です。 8. 本資料に関し詳細についてのお問い合わせ、 その他お気付きの点がございましたらルネサス テクノロジ、 ルネサス販売または特約店までご照会ください。 H5N2509P シリコン N チャネル MOSFET 高速度電力スイッチング ADJ-208-1535B (Z) 第3版 2002.06 特長 • 低オン抵抗：RDS(on) = 0.053 Ω typ. • ドレイン遮断電流が低い：IDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V, VGS = 0 V) • スイッチング速度が速い：tf = 110 ns typ (at ID = 15 A, RL = 8.3 Ω, VGS = 10 V) • 入力ダイナミック容量(Qg)が低い：Qg = 110 nC typ (at VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 30 A) • アバランシェ保証 外観図 TO–3P D G 1 S 1. 2. 2 3 ( 3. ) H5N2509P 絶対最大定格 (Ta = 25°C) 項目 ドレイン · ソース電圧 ゲート · ソース電圧 ドレイン電流 せん頭ドレイン電流 逆ドレイン電流 せん頭逆ドレイン電流 アバランシェ電流 許容チャネル損失 チャネル・ケース間熱抵抗 記号 VDSS VGSS ID ID (pulse)注 1 IDR IDR (pulse)注 1 IAP 注 3 Pch 注 2 θ ch-c 定格値 250 ±30 30 120 30 120 30 150 0.833 150 –55 to +150 単位 V V A A A A A W °C/W °C °C Tch チャネル温度 Tstg 保存温度 注） 1. PW≦10µs, duty cycle≦1%での許容値 2. Tc = 25℃における許容値 3. Tch≦150℃ 電気的特性 (Ta = 25°C) 項目 ドレイン · ソース破壊電圧 ドレイン遮断電流 ゲート遮断電流 ゲート · ソース遮断電圧 ドレイン · ソースオン抵抗 順伝達アドミタンス 入力容量 出力容量 帰還容量 ターン · オン遅延時間 上昇時間 ターン · オフ遅延時間 下降時間 ゲートチャージ量 ゲート・ソースチャージ量 ゲート・ドレインチャージ量 ダイオード順電圧 逆回復時間 逆回復電荷量 注） 4. パルス測定 記号 V(BR)DSS IGSS IDSS VGS(off) RDS(on) |yfs| Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VDF trr Qrr Min 250 — — 3.0 — 17 — — — — — — — — — — — — — Typ — — — — 0.053 28 3600 450 115 48 120 190 110 110 19 53 0.9 210 1.8 Max — ±0.1 1 4.0 0.069 — — — — — — — — — — — 1.35 — — 単位 V µA µA V Ω S pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC V ns µC 測定条件 ID = 10 mA, VGS = 0 VGS = ±30 V, VDS = 0 VDS = 250 V, VGS = 0 VDS = 10 V, ID = 1 mA ID = 15 A, VGS = 10 V 注 4 ID = 15 A, VDS = 10 V 注 4 VDS = 25 V VGS = 0 f = 1 MHz ID = 1 5 A VGS = 10 V RL = 8.3 Ω Rg = 10 Ω VDD = 200 V VGS = 10 V ID = 3 0 A IF = 30 A, VGS = 0 IF = 30 A, VGS = 0 diF/dt = 100 A/µs 2 H5N2509P 主特性 200 Pch (W) (A) 1000 300 10 PW DC Op er at 150 100 1 = 10 m 10 ms s( ID 0µ µs s 30 100 10 3 50 ion (T 1s c= ho t) 1R DS(on) 0.3 0.1 Ta = 25°C 1 3 10 30 25 °C ) 0 50 100 150 Tc (°C) 200 100 300 1000 VDS (V) 100 10 V (A) 100 V DS = 10 V 7V (A) 80 8V 80 ID 60 6V 40 5.5 V 20 5V VGS = 4.5 V 0 4 8 12 16 20 VDS (V) ID 60 40 Tc = 75°C 25°C −25°C 2 4 6 8 VGS (V) 10 20 0 3 H5N2509P RDS(on) (mΩ) VDS(on) (V) 5 200 VGS = 10 V, 15 V 4 100 3 50 2 I D = 30 A 15 A 5A 0 10 4 8 12 16 VGS (V) 20 1 2 5 10 20 50 ID (A) 100 20 1 RDS(on) (mΩ) 200 V GS = 10 V I D = 30 A 100 |yfs| (S) 50 20 10 5 25°C 75°C Tc = −25°C 160 120 80 5A 40 0 −40 15 A 2 1 0.5 0.2 0.2 0.5 1 2 5 V DS = 10 V 10 20 ID (A) 50 100 0 40 80 120 Tc (°C) 160 4 H5N2509P 1000 500 50000 20000 10000 VGS = 0 f = 1 MHz trr (ns) C (pF) 200 100 50 5000 2000 1000 500 Ciss Coss Crss 0 20 40 60 80 V DS (V) 100 20 10 0.1 di / dt = 100 A / µs V GS = 0, Ta = 25°C 0.3 1 3 10 30 I DR (A) 100 200 100 50 500 20 10000 V DS (V) V GS (V) I D = 30 A 400 V DD = 50 V 100 V 200 V VDS VGS 16 t (ns) V GS = 10 V, V DD = 125 V PW = 10 µs, duty ≤ 1 % R G =10 Ω 1000 t d(off) 300 12 200 8 100 tf t d(on) tr 160 0 200 10 0.1 0.3 1 3 10 30 I D (A) 100 100 V DD = 200 V 100 V 50 V 40 80 120 4 0 Qg (nC) 5 H5N2509P I DR (A) VGS(off) (V) 100 5 V DS = 10 V 80 V GS = 0 V 60 4 I D = 10mA 3 1mA 0.1mA 40 10 V 2 20 5V 1 0 -50 0 0.4 0.8 1.2 1.6 V SD (V) 2.0 0 50 100 150 200 Tc (°C) Vin Monitor D.U.T. RL 10 Ω Vin 10 V Vout Monitor 90% Vin 10% 10% 90% td(on) tr 90% td(off) tf 10% V DD = 125 V Vout 6 H5N2509P 3 Tc = 25°C 1 γs (t) D=1 0.5 0.3 0.2 0.1 0.1 0.05 θ ch − c(t) = γ s (t) • θch − c θ ch − c = 0.833°C/W, Tc = 25°C PDM D= PW T 0.03 0.02 1 0.0 1s PW T t ho pu lse 0.01 10 µ 100 µ 1m 10 m PW (s) 100 m 1 10 7 H5N2509P 外形寸法図 As of January, 2002 5.0 ± 0.3 15.6 ± 0.3 4.8 ± 0.2 1.5 Unit: mm 0.5 1.0 φ3.2 ± 0.2 14.9 ± 0.2 19.9 ± 0.2 1.6 1.4 Max 2.0 2.8 2.0 1.0 ± 0.2 18.0 ± 0.5 0.6 ± 0.2 3.6 0.9 1.0 5.45 ± 0.5 5.45 ± 0.5 Hitachi Code JEDEC JEITA Mass (reference value) TO-3P — Conforms 5.0 g 8 0.3 H5N2509P ご注意 1. 本書に記載の製品及び技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に基づき安全保障貿易管理関連貨物・技 術に該当するものを輸出する場合，または国外に持ち出す場合は日本国政府の許可が必要です。 2. 本書に記載された情報の使用に際して，弊社もしくは第三者の特許権，著作権，商標権，その他の知的 所有権等の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。また本書に記載された情 報を使用した事により第三者の知的所有権等の権利に関わる問題が生じた場合，弊社はその責を負いま せんので予めご了承ください。 3. 製品及び製品仕様は予告無く変更する場合がありますので，最終的な設計，ご購入，ご使用に際しまし ては，事前に最新の製品規格または仕様書をお求めになりご確認ください。 4. 弊社は品質・信頼性の向上に努めておりますが，宇宙，航空，原子力，燃焼制御，運輸，交通，各種安 全装置， ライフサポート関連の医療機器等のように，特別な品質・信頼性が要求され，その故障や誤動 作が直接人命を脅かしたり，人体に危害を及ぼす恐れのある用途にご使用をお考えのお客様は，事前に 弊社営業担当迄ご相談をお願い致します。 5. 設計に際しては，特に最大定格，動作電源電圧範囲，放熱特性，実装条件及びその他諸条件につきまし ては，弊社保証範囲内でご使用いただきますようお願い致します。 保証値を越えてご使用された場合の故障及び事故につきましては，弊社はその責を負いません。 また保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率，故障モードをご考慮 の上，弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故，火災事故，その他の拡大損害を生じないように フェールセーフ等のシステム上の対策を講じて頂きますようお願い致します。 6. 本製品は耐放射線設計をしておりません。 7. 本書の一部または全部を弊社の文書による承認なしに転載または複製することを堅くお断り致します。 8. 本書をはじめ弊社半導体についてのお問い合わせ，ご相談は弊社営業担当迄お願い致します。 お問い合わせ先 100-0004 (011) 261-3131 ( (022) 223-0121 ( (03) 3212-1111 ( (0263) 36-6632 (045) 451-5000 ( (076) 433-8511 ( (076)263-2351 ( (052) 243-3111 ( ) ) ) ) ) ) ) 62 (03) 3270-2111 (053) 454-6281 ( (06) 6616-1111 ( (075) 223-5611 ( (078) 261-9677 ( (082) 223-4111 ( (0857) 22-4270 ( (087) 831-2111 ( (092) 852-1111 ( ) ) ) ) ) ) ) ) http://www.hitachisemiconductor.com/sic/jsp/japan/jpn/Sicd/Japanese/map/frame.html 100-0004 6 2 E-Mail:csc@sic.hitachi.co.jp E-Mail:document@sic.hitachi.co.jp (03) 5201-5220 (03) 5201-5189 Copyright © Hitachi, Ltd., 2002. 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