HM5116160TT-6

物料型号： - HM5116160J-5（50ns, 42-pin塑料SOJ封装） - HM5116160J-6（60ns） - HM5116160J-7（70ns） - HM5116160LJ-5（50ns） - HM5116160LJ-6（60ns） - HM5116160LJ-7（70ns） - HM5118160J-5（50ns） - HM5118160J-6（60ns） - HM5118160J-7（70ns） - HM5118160LJ-5（50ns） - HM5118160LJ-6（60ns） - HM5118160LJ-7（70ns）

器件简介： - 这两款DRAM由Hitachi生产，采用CMOS技术，分别为1,048,576 word x 16-bit的组织方式。HM5116160系列和HM5118160系列提供快速页面模式作为高速访问模式，有42-pin塑料SOJ和50-pin塑料TSOP II的封装变体。

引脚分配： - AO至A11：地址输入（行/刷新地址A0至A11，列地址A0至A7） - I/O0至I/O15：数据输入/数据输出 - RAS：行地址选通 - UCAS、LCAS：列地址选通 - WE：读/写使能 - OE：输出使能 - Vcc：电源供应 - Vss：地 - NC：无连接

参数特性： - 单个5V电源下访问时间：50ns/60ns/70ns - 活动模式下的功耗：分别为605mW/550mW/495mW（HM5116160系列）和1100mW/935mW/825mW（HM5118160系列） - 待机模式下的功耗：11mW（最大值） - 刷新周期：4096次刷新周期为6ms（L版）和1024次刷新周期为16ms。

功能详解： - 包括RAS-only刷新、CAS-before-RAS刷新、隐藏刷新和自刷新（L版）。 - 支持2CAS字节控制和电池备份操作（L版）。

应用信息： - 适用于需要高速访问和低功耗的应用场合，如计算机内存扩展等。

封装信息： - HM5116160J/LJ系列和HM5118160J/LJ系列提供42-pin塑料SOJ（CP-42D）封装。 - HM5116160TT/LTT系列提供50-pin塑料TSOP II（TTP-50/44DC）封装。