HM5118160J-7

物料型号： - HM5116160J-5（50ns, 400-mil 42-pin塑料SOJ） - HM5116160J-6（60ns） - HM5116160J-7（70ns） - HM5116160LJ-5（50ns） - HM5116160LJ-6（60ns） - HM5116160LJ-7（70ns） - HM5118160J-5（50ns） - HM5118160J-6（60ns） - HM5118160J-7（70ns） - HM5118160LJ-5（50ns） - HM5118160LJ-6（60ns） - HM5118160LJ-7（70ns） - HM5116160TT-5（50ns, 400-mil 50-pin塑料TSOP II） - HM5116160TT-6（60ns） - HM5116160TT-7（70ns） - HM5116160LTT-5（50ns） - HM5116160LTT-6（60ns） - HM5116160LTT-7（70ns） - HM5118160TT-5（50ns） - HM5118160TT-6（60ns） - HM5118160TT-7（70ns） - HM5118160LTT-5（50ns） - HM5118160LTT-6（60ns） - HM5118160LTT-7（70ns）

器件简介： - Hitachi HM5116160系列和HM5118160系列是使用最先进的CMOS技术制造的动态RAM，组织为1,048,576字 x 16位。它们提供快速页面模式作为高速访问模式，并有42引脚塑料SOJ和50引脚塑料TSOP II的封装变化。

引脚分配： - AO至A11：地址输入 - I/O0至I/O15：数据输入/数据输出 - RAS：行地址选通 - UCAS、LCAS：列地址选通 - WE：读/写使能 - OE：输出使能 - Vcc：电源 - Vss：地 - NC：无连接

参数特性： - 单5V供电，访问时间有50ns、60ns、70ns不同规格。 - 活动模式下的功耗分别为HM5116160系列605mW/550mW/495mW和HM5118160系列1100mW/935mW/825mW。 - 待机模式下的功耗为11mW（最大值）。

功能详解： - 支持4096次刷新周期和1024次刷新周期。 - 提供RAS-only刷新、CAS-before-RAS刷新、隐藏刷新和自刷新。 - 支持2CAS字节控制和电池备份操作（L版本）。

应用信息： - 这些系列的DRAM通常用于需要高速访问和低功耗的电子系统中，如计算机内存、图形处理单元和高速缓冲存储器。

封装信息： - 提供42引脚塑料SOJ和50引脚塑料TSOP II封装选项。