物料型号：
- HM5116160J-5（50ns）
- HM5116160J-6（60ns）
- HM5116160J-7（70ns）
- HM5116160LJ-5（50ns）
- HM5116160LJ-6（60ns）
- HM5116160LJ-7（70ns）
- HM5118160J-5（50ns）
- HM5118160J-6（60ns）
- HM5118160J-7（70ns）
- HM5118160LJ-5（50ns）
- HM5118160LJ-6（60ns）
- HM5118160LJ-7（70ns）
- HM5116160TT-5（50ns）
- HM5116160TT-6（60ns）
- HM5116160TT-7（70ns）
- HM5116160LTT-5（50ns）
- HM5116160LTT-6（60ns）
- HM5116160LTT-7（70ns）
- HM5118160TT-5（50ns）
- HM5118160TT-6（60ns）
- HM5118160TT-7（70ns）
- HM5118160LTT-5（50ns）
- HM5118160LTT-6（60ns）
- HM5118160LTT-7（70ns）
器件简介：
Hitachi HM5116160系列和HM5118160系列是CMOS动态RAM，组织为1,048,576字 x 16位。它们采用最先进的CMOS技术，具有高性能和低功耗。HM5116160系列和HM5118160系列提供快速页面模式作为高速访问模式。它们有42引脚塑料SOJ和50引脚塑料TSOP II的封装变化。
引脚分配：
- AO至A11：地址输入
- I/O0至I/O15：数据输入/数据输出
- RAS：行地址选通
- UCAS、LCAS：列地址选通
- WE：读/写使能
- OE：输出使能
- Vcc：电源
- Vss：地
- NC：无连接
参数特性：
- 工作电压：单5V(±10%)
- 访问时间：50ns/60ns/70ns（最大值）
- 功耗：活动模式605mW/550mW/495mW（最大值），待机模式11mW（最大值）
- 刷新周期：4096次刷新周期6ms（L版128ms），1024次刷新周期16ms（L版128ms）
功能详解：
- 支持快速页面模式
- 4种刷新方式：RAS-only刷新、CAS-before-RAS刷新、隐藏刷新、自刷新（L版）
- 2CAS字节控制：电池备份操作（L版）
应用信息：
- 这些系列的DRAM通常用于需要大容量存储和快速访问的电子系统中，如计算机内存、工业控制系统等。
封装信息：
- 42引脚塑料SOJ（CP-42D）
- 50引脚塑料TSOP II（TTP-50/44DC）
