HM5118165ALJ-7

物料型号：HM5118165A/AL

器件简介：HM5118165A/AL 是由Hitachi生产的CMOS动态随机存取存储器（DRAM），组织为1,048,576字×16位。

它采用了先进的CMOS技术，以实现高性能和低功耗。

该器件支持扩展数据输出（EDO）页面模式，作为一种高速访问模式。

引脚分配：HM5118165A/AL的引脚包括地址输入（A0到A9）、数据输入/输出（I/O0到I/O15）、电源供电（Vcc）和地（Vss）等。

具体如下： - A0到A9：地址输入/刷新地址输入 - I/O0到I/O15：数据输入/数据输出 - Vcc：电源供电（+5.0V） - Vss：地 - NC：无连接

参数特性： - 工作电压：单5.0V（±10%） - 访问时间：70ns和80ns两种型号 - 低功耗：活动模式825mW/715mW（最大值）- 待机模式11mW（最大值）/ 0.83mW（最大值）（L版本） - EDO页面模式能力 - 刷新周期：1024刷新周期，16ms到128ms（L版本）

功能详解： - 提供EDO页面模式，以提高数据访问速度。

- 支持长刷新周期和4种刷新模式。

- 支持2CAS字节控制。

- 支持电池备份操作（L版本）。

应用信息：该系列产品适用于需要高速数据访问和低功耗的计算机内存、图形处理、网络设备等领域。

封装信息：400-mil, 42-pin塑料SOJ（CP-42D）。