BS83B04C

触控型 Flash 单片机 BS83B04C 版本 : V1.10 日期 : 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 目录 特性 .................................................................................................................................6 CPU 特性 ............................................................................................................................... 6 周边特性 ................................................................................................................................ 6 概述 .................................................................................................................................7 方框图 .............................................................................................................................7 引脚图 .............................................................................................................................8 引脚说明 .........................................................................................................................8 极限参数 .......................................................................................................................10 直流电气特性 ...............................................................................................................10 工作电压特性 ...................................................................................................................... 10 待机电流特性 ...................................................................................................................... 11 工作电流特性 ...................................................................................................................... 11 交流电气特性 ...............................................................................................................12 内部高速振荡器 – HIRC – 频率精度................................................................................. 12 内部低速振荡器电气特性 – LIRC ..................................................................................... 12 系统上电时间电气特性 ..................................................................................................... 13 输入 / 输出口电气特性 ................................................................................................13 存储器特性 ...................................................................................................................14 LVR 电气特性 ..............................................................................................................14 上电复位特性 ...............................................................................................................15 系统结构 .......................................................................................................................15 时序和流水线结构 .............................................................................................................. 15 程序计数器 .......................................................................................................................... 16 堆栈 ...................................................................................................................................... 16 算术逻辑单元 – ALU .......................................................................................................... 17 Flash 程序存储器 .........................................................................................................18 结构 ...................................................................................................................................... 18 特殊向量 .............................................................................................................................. 18 查表 ...................................................................................................................................... 18 查表范例 .............................................................................................................................. 19 在线烧录 – ICP .................................................................................................................... 19 片上调试 – OCDS................................................................................................................ 20 数据存储器 ...................................................................................................................21 结构 ...................................................................................................................................... 21 通用数据存储器 .................................................................................................................. 21 特殊功能数据存储器 .......................................................................................................... 21 特殊功能寄存器 ...........................................................................................................23 间接寻址寄存器 – IAR0, IAR1 .......................................................................................... 23 存储器指针 – MP0, MP1..................................................................................................... 23 存储区指针 – BP ................................................................................................................. 24 Rev.1.10 2 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 累加器 – ACC ...................................................................................................................... 24 程序计数器低字节寄存器 – PCL ....................................................................................... 24 表格寄存器 – TBLP, TBHP, TBLH ..................................................................................... 24 状态寄存器 – STATUS ........................................................................................................ 25 EEPROM 数据存储器 .................................................................................................27 EEPROM 数据存储器结构 ................................................................................................. 27 EEPROM 寄存器 ................................................................................................................. 27 从 EEPROM 中读取数据 .................................................................................................... 28 写数据到 EEPROM ............................................................................................................. 28 写保护 .................................................................................................................................. 29 EEPROM 写中断 ................................................................................................................. 29 编程注意事项 ...................................................................................................................... 29 振荡器 ...........................................................................................................................30 振荡器概述 .......................................................................................................................... 30 系统时钟配置 ...................................................................................................................... 30 内部高速 RC 振荡器 – HIRC ............................................................................................. 31 内部 32kHz 振荡器 – LIRC ................................................................................................ 31 工作模式和系统时钟 ...................................................................................................31 系统时钟 .............................................................................................................................. 31 系统工作模式 ...................................................................................................................... 32 控制寄存器 .......................................................................................................................... 33 工作模式切换 ...................................................................................................................... 34 待机电流的注意事项 .......................................................................................................... 37 唤醒 ...................................................................................................................................... 37 看门狗定时器 ...............................................................................................................38 看门狗定时器时钟源 .......................................................................................................... 38 看门狗定时器控制寄存器 .................................................................................................. 38 看门狗定时器操作 .............................................................................................................. 39 复位和初始化 ...............................................................................................................40 复位功能 .............................................................................................................................. 40 复位初始状态 ...................................................................................................................... 43 输入 / 输出端口 ............................................................................................................46 上拉电阻 .............................................................................................................................. 46 PA 口唤醒 ............................................................................................................................ 47 输入 / 输出端口控制寄存器 ............................................................................................... 47 引脚共用功能 ...................................................................................................................... 47 输入 / 输出引脚结构 ........................................................................................................... 49 编程注意事项 ...................................................................................................................... 50 定时器模块 – TM .........................................................................................................51 简介 ...................................................................................................................................... 51 TM 操作 ............................................................................................................................... 51 TM 时钟源 ........................................................................................................................... 51 TM 中断 ............................................................................................................................... 51 Rev.1.10 3 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 TM 外部引脚 ....................................................................................................................... 51 编程注意事项 ...................................................................................................................... 52 简易型 TM – CTM.......................................................................................................53 简易型 TM 操作 .................................................................................................................. 53 简易型 TM 寄存器介绍 ...................................................................................................... 53 简易型 TM 工作模式 .......................................................................................................... 57 触控按键功能 ...............................................................................................................63 触控按键结构 ...................................................................................................................... 63 触控按键寄存器定义 .......................................................................................................... 64 触控按键操作 ...................................................................................................................... 72 触控按键中断 ...................................................................................................................... 82 编程注意事项 ...................................................................................................................... 82 I2C 接口 .........................................................................................................................82 I2C 接口操作 ........................................................................................................................ 82 I2C 寄存器 ............................................................................................................................ 84 I2C 总线通信 ........................................................................................................................ 86 I2C 总线起始信号 ................................................................................................................ 87 I2C 从机地址 ........................................................................................................................ 87 I2C 总线读 / 写信号 ............................................................................................................. 87 I2C 总线从机地址应答信号 ................................................................................................ 88 I2C 总线数据和应答信号 .................................................................................................... 88 I2C 超时控制 ........................................................................................................................ 89 中断 ...............................................................................................................................91 中断寄存器 .......................................................................................................................... 91 中断操作 .............................................................................................................................. 94 外部中断 .............................................................................................................................. 95 I2C 中断 ................................................................................................................................ 95 时基中断 .............................................................................................................................. 95 EEPROM 中断 ..................................................................................................................... 96 多功能中断 .......................................................................................................................... 97 触控按键 TKRCOV 中断 .................................................................................................... 97 触控按键模块 TKTH 中断.................................................................................................. 97 TM 中断 ............................................................................................................................... 97 中断唤醒功能 ...................................................................................................................... 97 编程注意事项 ...................................................................................................................... 98 配置选项 .......................................................................................................................98 应用电路 .......................................................................................................................99 指令集 .........................................................................................................................100 简介 .................................................................................................................................... 100 指令周期 ............................................................................................................................ 100 数据的传送 ........................................................................................................................ 100 算术运算 ............................................................................................................................ 100 逻辑和移位运算 ................................................................................................................ 100 分支和控制转换 ................................................................................................................ 101 Rev.1.10 4 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 位运算 ................................................................................................................................ 101 查表运算 ............................................................................................................................ 101 其它运算 ............................................................................................................................ 101 指令集概要 .................................................................................................................102 惯例 .................................................................................................................................... 102 指令定义 .....................................................................................................................105 封装信息 ..................................................................................................................... 117 8-pin SOP (150mil) 外形尺寸............................................................................................ 118 10-pin DFN (3mm×3mm×0.75mm) 外形尺寸 .................................................................. 119 10-pin MSOP 外形尺寸 ..................................................................................................... 120 16-pin NSOP (150mil) 外形尺寸 ....................................................................................... 121 Rev.1.10 5 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 特性 CPU 特性 ● 工作电压 ♦ fSYS=2/4/8MHz：1.8V~5.5V ● VDD=5V，系统时钟为 8MHz 时，指令周期为 0.5μs ● 提供暂停和唤醒功能，以降低功耗 ● 振荡器类型： ♦ 内部高速 2/4/8MHz RC – HIRC ♦ 内部低速 32kHz RC – LIRC ● 多种工作模式：快速、低速、空闲和休眠 ● 内部集成振荡器，无需外部元件 ● 所有指令都可在 1~2 个指令周期内完成 ● 查表指令 ● 63 条功能强大的指令系统 ● 4 层堆栈 ● 位操作指令 周边特性 ● Flash 程序存储器：2K×16 ● RAM 数据存储器：128×8 ● 触控按键数据存储器：16×8 ● True EEPROM 存储器：32×8 ● 看门狗定时器功能 ● 8 个双向 I/O 口 ● 1 个引脚与外部中断口共用 ● 1 个 10-bit 简易型定时器模块用于时间测量、比较匹配输出及 PWM 输出 ● 1 个时基功能，可提供固定时间的中断信号 ● I2C 接口 ● 低电压复位功能 ● 4 个触控按键功能 ● 封装类型：8-pin SOP、10-pin DFN/MSOP Rev.1.10 6 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 概述 该单片机是一款具有 8 位高性能精简指令集的 Flash 单片机，具有完全集成的 触控按键功能。其内置的触控按键功能以及 Flash 存储器可多次编程的特性给 用户提供了可靠并易于实现的方式用于带触摸按键功能的应用产品的开发。 触摸按键功能完全集成于单片机内部，无需外部元件。存储器方面，除了 Flash 程序存储器，还包含了一个 RAM 数据存储器和一个可用于存储序列号、校准 数据等非易失性数据的 True EEPROM 存储器。保护功能方面，包含内部看门 狗定时器、低电压复位等特性，外加优秀的抗干扰和 ESD 保护性能，确保单片 机在恶劣的电磁干扰环境下可靠地运行。 该单片机提供了内部低速和高速振荡器功能选项，且内建完整的系统振荡器， 无需外接元件。其在不同工作模式之间动态切换的能力，为用户提供了一个优 化单片机操作和减少功耗的手段。内建完整的 I2C 接口为设计者提供了一个易 与外部硬件通信的接口。外加 I/O 使用灵活、时基功能和定时器模块等其它特 性，进一步增强了设备的功能性和灵活性。 该触控按键单片机可以广泛应用于现代触控产品中，例如电子测量仪器、家用 电器、电子控制工具等。 方框图 Reset Circuit ROM 2K × 16 RAM 128 × 8 I2C Interrupt Controller EEPROM 32 × 8 Stack 4-Level Timer Watchdog Timer LVR I/O INT Port A Driver PA0~PA7 Digital Peripherals HT8 MCU Core Bus Pin-Shared With Port A Pin-Shared Function Time Base LIRC 32kHz Touch Key MUX HIRC 2/4/8MHz Touch Key Clock System Rev.1.10 7 KEY1~KEY4 Pin-Shared With Port A 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 引脚图 PA5/KEY1 PA1/KEY2 PA3/KEY3 PA4/KEY4 1 8 2 7 3 6 4 5 VDD VSS PA2/CTPB/SDA/ICPCK PA0/CTCK/INT/SCL/ICPDA VDD 1 10 PA5/KEY1 2 9 PA2/CTPB/SDA/ICPCK PA1/KEY2 3 8 PA0/CTCK/INT/SCL/ICPDA PA3/KEY3 4 7 PA6/CTCK/INT PA4/KEY4 5 6 PA7/CTP BS83B04C 8 NSOP-A VSS BS83B04C 10 DFN-A VDD 1 10 PA5/KEY1 2 9 PA2/CTPB/SDA/ICPCK PA1/KEY2 3 8 PA0/CTCK/INT/SCL/ICPDA PA3/KEY3 PA4/KEY4 4 7 5 6 PA6/CTCK/INT PA7/CTP VSS NC 1 16 NC VDD 2 15 VSS PA5/KEY1 3 14 PA2/CTPB/SDA/ICPCK PA1/KEY2 4 13 PA0/CTCK/INT/SCL/ICPDA PA3/KEY3 5 12 PA6/CTCK/INT PA4/KEY4 6 11 PA7/CTP NC 7 10 NC OCDSCK 8 9 BS83B04C 10 MSOP-A OCDSDA BS83BV04C 16 NSOP-A 注：1. 若共用脚有多种输出，所需引脚共用功能通过引脚共用寄存器中相应的软件控制位控制。 2. 16-pin NSOP 封装仅用于 OCDS EV 芯片，OCDSCK 和 OCDSDA 引脚为 OCDS 专用引脚。 3. 在较小封装中可能含有未引出的引脚，需合理设置其状态以避免输入浮空造成额外耗电，详见“待 机电流的注意事项”和“输入 / 输出端口”章节。 引脚说明 除了电源引脚和一些发送器控制相关引脚外，该单片机的所有引脚都以它们的 端口名称进行标注，例如 PA0、PA1 等，用于描述这些引脚的数字输入 / 输出 功能。然而，这些引脚也与其它功能共用，如触控按键功能，定时器模块引脚 等。每个引脚的功能如下表所述，而引脚配置的详细内容见规格书其它章节。 该章节的引脚描述是针对最大封装的单片机，这些引脚并非都存在于小封装的 单片机内。 引脚名称 功能 PA0 CTCK PA0/CTCK/INT/ SCL/ICPDA INT SCL ICPDA Rev.1.10 OPT PAPU PAWU PAS0 PAS0 IFS PAS0 IFS INTEG INTC0 PAS0 — I/T O/T 说明 ST CMOS 通用 I/O 口，可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 ST — CTM 时钟输入 ST — 外部中断输入 ST ST NMOS I2C 时钟线 CMOS ICP 地址 / 数据 8 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 引脚名称 PA1/KEY2 PA2/CTPB/SDA/ ICPCK PA3/KEY3 PA4/KEY4 PA5/KEY1 PA6/CTCK/INT PA7/CTP OCDSDA OCDSCK VDD VSS OPT PAPU PA1 PAWU PAS0 PAS0 KEY2 TKMC1 PAPU PA2 PAWU PAS0 CTPB PAS0 SDA PAS0 ICPCK — PAPU PA3 PAWU PAS0 PAS0 KEY3 TKMC1 PAPU PA4 PAWU PAS1 PAS1 KEY4 TKMC1 PAPU PA5 PAWU PAS1 PAS1 KEY1 TKMC1 PAPU PA6 PAWU CTCK IFS IFS INT INTEG INTC0 PAPU PA7 PAWU PAS1 CTP PAS1 OCDSDA — OCDSCK — VDD — VSS — 功能 注：I/T：输入类型； OPT：通过寄存器选项来配置； ST：施密特触发输入； NMOS：NMOS 输出； Rev.1.10 I/T O/T 说明 ST CMOS 通用 I/O 口，可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 NSI — ST CMOS — ST ST CMOS CTM 反相输出 NMOS I2C 数据线 — ICP 时钟 ST CMOS NSI — ST CMOS NSI — ST CMOS NSI — ST CMOS ST — 通用 I/O 口，可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 CTM 时钟输入 ST — 外部中断输入 ST CMOS 触控按键输入 通用 I/O 口，可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 通用 I/O 口，可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 触控按键输入 通用 I/O 口，可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 触控按键输入 通用 I/O 口，可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 触控按键输入 通用 I/O 口，可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 — CMOS CTM 输出 ST CMOS OCDS 地址 / 数据，仅用于 EV 芯片 ST — OCDS 时钟引脚，仅用于 EV 芯片 PWR — 正电源 PWR — 接地 O/T：输出类型； PWR：电源； CMOS：CMOS 输出； NSI：非标准输入。 9 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 极限参数 电源供应电压 ................................................................................VSS-0.3V~VSS+6.0V 输入电压 .......................................................................................VSS-0.3V~VDD+0.3V 储存温度 ...................................................................................................-50˚C~125˚C 工作温度 .....................................................................................................-40˚C~85˚C IOH 总电流 ........................................................................................................... -80mA IOL 总电流............................................................................................................. 80mA 总功耗 ............................................................................................................... 500mW 注：这里只强调额定功率，超过极限参数所规定的范围将对芯片造成损害，无法预期芯片在 上述标示范围外的工作状态，而且若长期在标示范围外的条件下工作，可能影响芯片的 可靠性。 直流电气特性 以下表格中参数测量结果可能受多个因素影响，如振荡器类型、工作温度、工 作频率、引脚负载状况、温度和程序指令等等。 工作电压特性 Ta=-40˚C~85˚C 符号 VDD 参数 工作电压 – HIRC 工作电压 – LIRC Rev.1.10 测试条件 fSYS=fHIRC=2MHz fSYS=fHIRC=4MHz fSYS=fHIRC=8MHz fSYS=fLIRC=32kHz 10 最小 典型 最大 单位 1.8 — 5.5 1.8 — 5.5 V 1.8 — 5.5 1.8 — 5.5 V 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 待机电流特性 Ta=25˚C 符号 待机模式 休眠模式 空闲模式 0 – LIRC ISTB 空闲模式 1 – HIRC VDD 1.8V 3V 5V 1.8V 3V 5V 1.8V 3V 5V 1.8V 3V 5V 1.8V 3V 5V 测试条件 条件 WDT on fSUB on fSUB on, fSYS=2MHz fSUB on, fSYS=4MHz fSUB on, fSYS=8MHz 最小 典型 最大 — — — — — — — — — — — — — — — 1.2 1.5 3 2.4 3 5 72 90 200 144 180 400 288 360 600 2.4 3 5 4 5 10 100 125 300 200 250 600 400 500 800 最大 单位 85˚C 2.9 μA 3.6 6 4.8 μA 6 12 120 150 μA 360 240 300 μA 720 480 600 μA 960 注：当使用该电气特性表格数据时，以下几点需注意： 1. 任何数字输入都设置为非浮空的状态。 2. 所有测量都在无负载且所有外围功能关闭的条件下进行。 3. 无直流电流路径。 4. 所有待机电流数值都是在 HALT 指令执行后即所有指令执行停止时测得。 工作电流特性 Ta=25˚C 符号 工作模式 低速模式 – LIRC IDD 快速模式 – HIRC VDD 1.8V 3V 5V 1.8V 3V 5V 1.8V 3V 5V 1.8V 3V 5V 测试条件 条件 fSYS=32kHz fSYS=2MHz fSYS=4MHz fSYS=8MHz 最小 典型 最大 单位 — — — — — — — — — — — — 8 10 30 0.15 0.2 0.4 0.3 0.4 0.8 0.6 0.8 1.6 16 20 50 0.25 0.3 0.6 0.5 0.6 1.2 1.0 1.2 2.4 μA mA mA mA 注：当使用该电气特性表格数据时，以下几点需注意： 1. 任何数字输入都设置为非浮空的状态。 Rev.1.10 11 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 2. 所有测量都在无负载且所有外围功能关闭的条件下进行。 3. 无直流电流路径。 4. 所有工作电流数据都是通过执行连续 NOP 指令程序回路进行测量。 交流电气特性 以下表格中参数测量结果可能受多个因素影响，如振荡器类型、工作电压、工 作频率和温度等等。 内部高速振荡器 – HIRC – 频率精度 程序烧录时，烧录器可调整 HIRC 振荡器使其工作在用户选择的 HIRC 频率和 工作电压 (3V 或 5V) 条件下。 符号 参数 通过烧录器调整后的 2MHz HIRC 频率 fHIRC 通过烧录器调整后的 4MHz HIRC 频率 通过烧录器调整后的 8MHz HIRC 频率 测试条件 VDD 温度 25˚C 3V/5V -40˚C~85˚C 25˚C 2.2V~5.5V -40˚C~85˚C 25˚C 3V/5V -40˚C~85˚C 25˚C 2.2V~5.5V -40˚C~85˚C 25˚C 3V/5V -40˚C~85˚C 25˚C 2.2V~5.5V -40˚C~85˚C 最小 典型 最大 单位 -1% -4% -6% -8% -1% -2% -2.5% -3% -1% -2% -2.5% -3% 2 2 2 2 4 4 4 4 8 8 8 8 +1% +4% MHz +6% +8% +1% +2% MHz +2.5% +3% +1% +2% MHz +2.5% +3% 注：1. 烧录器可在 3V/5V 这两个可选的固定电压下对 HIRC 频率进行调整，在此提供 VDD=3V/5V 时的参 数值。 2. 3V/5V 表格列下面提供的是全压条件下的参数值。当应用电压范围是 2.2V~3.6V 时，建议烧录器电 压固定在 3V， 而应用电压范围是 3.3V~5.5V 时，建议烧录器电压固定在 5V. 3. 表格中提供的最小和最大误差值仅在对应的烧录器调整频率下有效。当烧录器已将 HIRC 调整为 某一固定频率，此后再通过程序中振荡器控制位将其频率改为其它值时，频率误差范围将增加到 ±20%。 内部低速振荡器电气特性 – LIRC 符号 参数 fLIRC LIRC 频率 tSTART LIRC 启动时间 Rev.1.10 Ta=25˚C, 除非另外规定 测试条件 VDD 温度 25˚C -40˚C~85˚C — 2.2V~5.5V — 12 最小 典型 最大 -10% -50% — 32 32 — +10% +60% 100 单位 kHz μs 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 系统上电时间电气特性 Ta=-40˚C~85˚C 符号 参数 系统启动时间 ( 从 fSYS off 的状态下唤醒 ) tSST tRSTD tSRESET 系统启动时间 ( 从 fSYS on 的状态下唤醒 ) 系统速度切换时间 ( 快速模式 → 低速模式或 低速模式 → 快速模式 ) 系统复位延迟时间 ( 上电复位或 LVR 硬件复位 ) 系统复位延迟时间 ( LVRC/WDTC/RSTC 软件复位 ) 系统复位延迟时间 ( WDT 溢出 ) 最小软件复位时间 VDD — — — — 测试条件 条件 fSYS=fH~fH/64, fH=fHIRC fSYS=fSUB=fLIRC fSYS=fH~fH/64, fH=fHIRC fSYS=fSUB=fLIRC — fHIRC off → on — RRPOR=5V/ms 最小 典型 最大 单位 — — — — 16 2 2 2 — — — — tHIRC tLIRC tH tSUB — 16 — tHIRC 42 48 54 ms — — — — 14 16 18 ms — — 45 90 120 μs 注：1. 系统启动时间里提到的 fSYS on/off 状态取决于工作模式类型以及所选的系统时钟振荡器。更多相关 细节请参考系统工作模式章节。 2. tHIRC 等时间单位，是对应频率值的倒数，相关频率值在前面表格有说明。例如，tHIRC=1/fHIRC， tSYS=1/fSYS 等等。 3. 若 LIRC 被选择作为系统时钟源且在休眠模式下 LIRC 关闭，则上面表格中对应 tSST 数值还需加上 LIRC 频率表格里提供的 LIRC 启动时间 tSTART。 4. 系统速度切换时间实际上是指新使能的振荡器的启动时间。 输入 / 输出口电气特性 符号 参数 VIL I/O 口低电平输入电压 VIH I/O 口高电平输入电压 IOL I/O 口灌电流 IOH I/O 口源电流 Rev.1.10 Ta=25˚C 测试条件 条件 VDD 5V — — 5V — — 1.8V 3V VOL=0.1VDD 5V 1.8V 3V VOH=0.9VDD 5V 13 最小 典型 最大 单位 0 — 1.5 V 0 — 0.2VDD 3.5 — 5.0 V 0.8VDD — VDD 8 16 — 16 32 — mA 32 65 — -2 -4 — -4 -8 — mA -8 -16 — 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 符号 参数 RPH I/O 口上拉电阻 ( 注 ) ILEAK tTCK tINT 输入漏电流 TM TCK 时钟输入最小脉宽 中断引脚最小输入脉宽 测试条件 条件 VDD 3V LVPU=0 5V 3V LVPU=1 5V 5V VIN=VDD or VIN=VSS — — — — 最小 典型 最大 单位 20 10 6.67 3.5 — 0.3 10 60 30 15 7.5 — — — 100 50 23 12 ±1 — — kΩ μA μs μs 注：RPH 内部上拉电阻值的计算方法是：将其接地并使能输入引脚的上拉电阻选项，然后在特定电源电压 下测量输入灌电流，用此电压值除此测得的电流值得到此上拉电阻阻值。 存储器特性 Ta=-40˚C~85˚C 测试条件 VDD 条件 VRW 读 / 写工作电压 — — Flash 程序存储器 / 数据 EEPROM 存储器 擦除 / 写周期时间 – Flash 程序 — — 存储器 tDEW 写周期时间 – 数据 EEPROM — — 存储器 IDDPGM VDD 电压下烧录 / 擦除电流 — — 电容耐久性 – Flash 程序存储器 — — EP 电容耐久性 – 数据 EEPROM — — 存储器 tRETD ROM 数据保存时间 — Ta=25˚C RAM 数据存储器 VDR RAM 数据保存电压 — 单片机处于休眠模式 符号 参数 最小 典型 最大 单位 VDDmin — VDDmax V — 2 3 ms — 4 6 ms — 10K — — 5.0 — mA 100K — — — 40 — Year 1.0 — — V LVR 电气特性 符号 VLVR ILVR tLVR Rev.1.10 E/W Ta=25˚C 测试条件 VDD 条件 LVR 使能，电压选择 1.7V LVR 使能，电压选择 1.9V 低电压复位电压 — LVR 使能，电压选择 2.55V LVR 使能，电压选择 3.15V LVR 使能，电压选择 3.8V 使用 LVR 的额外电流 5V — 复位最小低电压保持时间 — — 参数 14 最小 典型 最大 单位 -5% -5% -3% -3% -3% — 120 1.7 1.9 2.55 3.15 3.8 — 240 +5% +5% +3% +3% +3% 8 480 V μA μs 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 上电复位特性 Ta=25˚C 符号 VPOR RRPOR tPOR 参数 上电复位电压 上电复位电压速率 VDD 保持为 VPOR 的最小时间 测试条件 条件 — — — VDD — — — 最小 典型 最大 单位 — 0.035 1 — — — 100 — — mV V/ms ms VDD tPOR RRPOR VPOR Time 系统结构 内部系统结构是 Holtek 单片机具有良好性能的主要因素。由于采用 RISC 结构， 此单片机具有高运算速度和高性能的特点。通过流水线的方式，指令的取得和 执行同时进行，此举使得除了跳转和调用指令外，其它指令都能在一个指令周 期内完成。8 位 ALU 参与指令集中所有的运算，它可完成算术运算、逻辑运算、 移位、递增、递减和分支等功能，而内部的数据路径则是以通过累加器和 ALU 的方式加以简化。有些寄存器在数据存储器中被实现，且可以直接或间接寻址。 简单的寄存器寻址方式和结构特性，确保了在提供具有较大可靠度和灵活性的 I/O 控制系统时，仅需要少数的外部器件。使得这些单片机适用于低成本和批 量生产的控制应用。 时序和流水线结构 主系统时钟由 HIRC 或 LIRC 振荡器提供，它被细分为 T1~T4 四个内部产生的 非重叠时序。在 T1 时间，程序计数器自动加一并抓取一条新的指令。剩下的 时间 T2~T4 完成译码和执行功能，因此，一个 T1~T4 时钟周期构成一个指令周 期。虽然指令的抓取和执行发生在连续的指令周期，但单片机流水线结构会保 证指令在一个指令周期内被有效执行。除非程序计数器的内容被改变，如子程 序的调用或跳转，在这种情况下指令将需要多一个指令周期的时间去执行。 如果指令牵涉到分支，例如跳转或调用等指令，则需要两个指令周期才能完成 指令执行。需要一个额外周期的原因是程序先用一个周期取出实际要跳转或调 用的地址，再用另一个周期去实际执行分支动作，因此用户需要特别考虑额外 周期的问题，尤其是在执行时间要求较严格的时候。 Rev.1.10 15 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 fSYS (System Clock) Phase Clock T1 Phase Clock T2 Phase Clock T3 Phase Clock T4 Program Counter Pipelining PC PC+1 PC+2 Fetch Inst. (PC) Execute Inst. (PC-1) Fetch Inst. (PC+1) Execute Inst. (PC) Fetch Inst. (PC+2) Execute Inst. (PC+1) 系统时序和流水线 1 MOV A,[12H] 2 CALL DELAY 3 CPL [12H] 4 : 5 : 6 DELAY: NOP Fetch Inst. 1 Execute Inst. 1 Fetch Inst. 2 Execute Inst. 2 Fetch Inst. 3 Flush Pipeline Fetch Inst. 6 Execute Inst. 6 Fetch Inst. 7 指令捕捉 程序计数器 在程序执行期间，程序计数器用来指向下一个要执行的指令地址。除了“JMP” 和“CALL”指令需要跳转到一个非连续的程序存储器地址之外，它会在每条 指令执行完成以后自动加一。只有较低的 8 位，即所谓的程序计数器低字节寄 存器 PCL，可以被用户直接读写。 当执行的指令要求跳转到不连续的地址时，如跳转指令、子程序调用、中断或 复位等，单片机通过加载所需要的位址到程序寄存器来控制程序，对于条件跳 转指令，一旦条件符合，在当前指令执行时取得的下一条指令将会被舍弃，而 由一个空指令周期来取代。 程序计数器 程序计数器高字节 PCL 寄存器 PC10~PC8 PCL7~PCL0 程序计数器 程序计数器的低字节，即程序计数器的低字节寄存器 PCL，可以通过程序控制， 且它是可以读取和写入的寄存器。通过直接写入数据到这个寄存器，一个程序 短跳转可直接执行，然而只有低字节的操作是有效的，跳转被限制在存储器的 当前页中，即 256 个存储器地址范围内，当这样一个程序跳转要执行时，会插 入一个空指令周期。PCL 的使用可能引起程序跳转，因此需要额外的指令周期。 堆栈 堆栈是一个特殊的存储空间，用来存储程序计数器中的内容。该单片机有 4 层 堆栈，堆栈既不是数据部分也不是程序空间部分，而且它既不是可读取也不是 可写入的。当前层由堆栈指针 (SP) 加以指示，同样也是不可读写的。在子程序 调用或中断响应服务时，程序计数器的内容被压入到堆栈中。当子程序或中断 响应结束时，返回指令 (RET 或 RETI) 使程序计数器从堆栈中重新得到它以前 Rev.1.10 16 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 的值。当一个芯片复位后，堆栈指针将指向堆栈顶部。 如果堆栈已满，且有非屏蔽的中断发生，中断请求标志会被置位，但中断响应 将被禁止。当堆栈指针减少 ( 执行 RET 或 RETI )，中断将被响应。这个特性提 供程序设计者简单的方法来预防堆栈溢出。然而即使堆栈已满，CALL 指令仍 然可以被执行，而造成堆栈溢出。使用时应避免堆栈溢出的情况发生，因为这 可能导致不可预期的程序分支指令执行错误。 若堆栈溢出，则首个存入堆栈的程序计数器数据将会丢失。 Program Counter Top of Stack Stack Pointer Stack Level 1 Stack Level 2 Stack Level 3 Bottom of Stack Program Memory Stack Level 4 算术逻辑单元 – ALU 算术逻辑单元是单片机中很重要的部分，执行指令集中的算术和逻辑运算。 ALU 连接到单片机的数据总线，在接收相关的指令码后执行需要的算术与逻辑 操作，并将结果存储在指定的寄存器，当 ALU 计算或操作时，可能导致进位、 借位或其它状态的改变，而相关的状态寄存器会因此更新内容以显示这些改变， ALU 所提供的功能如下： ● 算术运算： ADD，ADDM，ADC，ADCM，SUB，SUBM，SBC，SBCM，DAA ● 逻辑运算： AND，OR，XOR，ANDM，ORM，XORM，CPL，CPLA ● 移位运算： RRA，RR，RRCA，RRC，RLA，RL，RLCA，RLC ● 递增和递减： INCA，INC，DECA，DEC ● 分支判断： JMP，SZ，SZA，SNZ，SIZ，SDZ，SIZA，SDZA，CALL，RET，RETI Rev.1.10 17 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Flash 程序存储器 程序存储器用来存放用户代码即储存程序。程序存储器为 Flash 类型意味着可 以多次重复编程，方便用户使用同一芯片进行程序的修改。使用适当的单片机 编程工具，此单片机提供用户灵活便利的调试方法和项目开发规划及更新。 结构 程序存储器的容量为 2K×16 位，程序存储器用程序计数器来寻址，其中也包含 数据、表格和中断入口。数据表格可以设定在程序存储器的任何地址，由表格 指针来寻址。 0000H Reset 0004H 0018H Interrupt Vectors 16 bits 07FFH 程序存储器结构 特殊向量 程序存储器内部某些地址保留用做诸如复位和中断入口等特殊用途。地址 0000H 是芯片复位后的程序起始地址。在芯片复位之后，程序将跳到这个地址 并开始执行。 查表 程序存储器中的任何地址都可以定义成一个表格，以便储存固定的数据。使用 表格时，表格指针必须先行设定，其方式是将表格的地址放在表格指针寄存器 TBLP 和 TBHP 中。这些寄存器定义表格总的地址。 在设定完表格指针后，表格数据可以使用“TABRD [m]”或“TABRDL [m]” 指令分别从程序存储器查表读取。当这些指令执行时，程序存储器中表格数据 低字节，将被传送到使用者所指定的数据存储器 [m]，程序存储器中表格数据 的高字节，则被传送到 TBLH 特殊寄存器，而高字节中未使用的位将被读取为 “0”。 下图是查表中寻址 / 数据流程： Program Memory Address Last Page or TBHP Register TBLP Register Rev.1.10 Data 16 bits Register TBLH User Selected Register High Byte Low Byte 18 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 查表范例 以下范例说明表格指针和表格数据如何被定义和执行。这个例子使用的表格数 据用 ORG 伪指令储存在存储器中。ORG 指令的值“0700H”指向的地址是单片 机 2K 程序存储器中最后一页的起始地址。表格指针低字节寄存器的初始值设 为 06H，这可保证从数据表格读取的第一笔数据位于程序存储器地址 0706H， 即最后一页起始地址后的第六个地址。值得注意的是，假如“TABRD [m]” 指令被使用，则表格指针指向 TBHP 和 TBLP 指定的地址。在这个例子中，表 格数据的高字节等于零，而当“TABRD [m]”指令被执行时，此值将会自动的 被传送到 TBLH 寄存器。 TBLH 寄存器为只读寄存器，不能重新储存，若主程序和中断服务程序都使用 表格读取指令，应该注意它的保护。使用表格读取指令，中断服务程序可能会 改变 TBLH 的值，若随后在主程序中再次使用这个值，则会发生错误，因此建 议避免同时使用表格读取指令。然而在某些情况下，如果同时使用表格读取指 令是不可避免的，则在执行任何主程序的表格读取指令前，中断应该先除能， 另外要注意的是所有与表格相关的指令，都需要两个指令周期去完成操作。 表格读取程序范例 tempreg1 db ? ; temporary register #1 tempreg2 db ? ; temporary register #2 : : mov a,06h ; initialise low table pointer - note that this address ; is referenced mov tblp,a ; to the last page or the page that tbhp pointed mov a,07h ; initialise high table pointer mov tbhp,a : : tabrd tempreg1 ; transfers value in table referenced by table pointer ; data at program memory address “0706H” transferred to ; tempreg1 and TBLH dec tblp ; reduce value of table pointer by one tabrd tempreg2 ; transfers value in table referenced by table pointer ; data at program memory address “0705H” transferred to ; tempreg2 and TBLH in this example the data “1AH” is ; transferred to tempreg1 and data “0FH” to register ; tempreg2 : : org 0700h ; sets initial address of program memory dc 00Ah, 00Bh, 00Ch, 00Dh, 00Eh, 00Fh, 01Ah, 01Bh 在线烧录 – ICP Flash 型程序存储器提供用户便利地对同一芯片进行程序的更新和修改。 另外，Holtek 单片机提供 4 线接口的在线烧录方式。用户可将进行过烧录或未 经过烧录的单片机芯片连同电路板一起制成，最后阶段进行程序的更新和程序 的烧写，在无需去除或重新插入芯片的情况下方便地保持程序为最新版。 Holtek 烧录器引脚名称 MCU 在线烧录引脚名称 ICPDA PA0 ICPCK PA2 VDD VDD VSS VSS Rev.1.10 19 引脚说明 串行数据 / 地址烧录 串行时钟 电源 地 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 芯片内部程序存储器和 EEPROM 数据存储器都可以通过 4 线的接口在线进行烧 录。其中一条用于数据串行下载或上传，一条用于串行时钟，两条用于提供电 源。芯片在线烧写的详细使用说明超出此文档的描述范围，将由专门的参考文 献提供。 在烧录过程中，烧录器会控制 ICPDA 和 ICPCK 脚进行数据和时钟烧录，用户 必须确保这两个引脚没有连接至其它输出脚。 Writer Connector Signals MCU Programming Pins Writer_VDD VDD ICPDA PA0 ICPCK PA2 Writer_VSS VSS * * To other Circuit 注：* 可能为电阻或电容。若为电阻则其值必须大于 1kΩ，若为电容则其必须小于 1nF。 片上调试 – OCDS EV 芯片 BS83BV04C 用于 BS83B04C 单片机仿真。此 EV 芯片提供片上调试功 能 (OCDS—On-Chip Debug Support) 用于开发过程中的单片机调试。除了片上 调试功能和封装类型方面，EV 芯片和实际单片机在功能上几乎是兼容的。用 户可将 OCDSDA 和 OCDSCK 引脚连接至 Holtek HT-IDE 开发工具，从而实现 EV 芯片对实际单片机的仿真。OCDSDA 引脚为 OCDS 数据 / 地址输入 / 输出 脚，OCDSCK 引脚为 OCDS 时钟输入脚。关于 OCDS 功能的详细描述，请参 考“Holtek e-Link for 8-bit MCU OCDS 使用手册”文件。 Holtek e-Link 引脚名称 EV 芯片引脚名称 OCDSDA OCDSDA OCDSCK OCDSCK VDD VDD VSS VSS Rev.1.10 20 功能 片上调试串行数据 / 地址输入 / 输出 片上调试时钟输入 电源 地 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 数据存储器 数据存储器是内容可更改的 8 位 RAM 内部存储器，用来储存临时数据。 结构 数据存储器分为两个部分，第一部分是特殊功能数据存储器，其中包括。这些 寄存器有固定的地址且与单片机的正确操作密切相关。大多特殊功能寄存器都 可在程序控制下直接读取和写入，但有些被加以保护而不对用户开放。第二部 分数据存储器是做一般用途使用，都可在程序控制下进行读取和写入。 另一部分是为触控按键数据存储器预留的。 总的数据存储器被分为多个 Bank。特殊功能数据存储器寄存器均可在 Bank 0 被访问，处于“40H”地址的 EEC 寄存器却只能在 Bank 1 中被访问到。触控按 键数据存储器位于 Bank 5 和 Bank 6 中。切换不同区域可通过设置区域指针 (BP) 实现。单片机数据存储器的起始地址是“00H”。 特殊功能数据存储器 有效 Banks 0, 1 通用数据存储器 容量 Banks 128×8 Bank 0: 80H~FFH 触控按键数据存储器 容量 Banks Bank 5: 00H~07H 16×8 Bank 6: 00H~07H 数据存储器概要 00H Touch Key Data Memory (Bank 5 ~ Bank 6) 07H Special Purpose Data Memory (Bank 0 ~ Bank 1) 40H Bank 1 7FH 80H General Purpose Data Memory (Bank 0) Bank 0 FFH 数据存储器结构 通用数据存储器 所有的单片机程序需要一个读 / 写的存储区，让临时数据可以被储存和再使用， 该 RAM 区域就是通用数据存储器。这个数据存储区可让使用者进行读取和写 入的操作。使用位操作指令可对个别的位做置位或复位的操作，较大地方便了 用户在数据存储器内进行位操作。 特殊功能数据存储器 这个区域的数据存储器是存放特殊寄存器的，这些寄存器与单片机的正确操作 密切相关，大多数的寄存器可进行读取和写入，只有一些是被写保护而只能读 取的，相关细节的介绍请参看有关特殊功能寄存器的部分。要注意的是，任何 读取指令对存储器中未定义的地址进行读取将返回“00H”。 Rev.1.10 21 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 00H 01H 02H 03H 04H 05H 06H 07H 08H 09H 0AH 0BH 0CH 0DH 0EH 0FH 10H 11H 12H 13H 14H 15H 16H 17H 18H 19H 1AH 1BH 1CH 1DH 1EH 1FH 20H 21H 22H 23H 24H 25H 26H 27H 28H 29H 2AH 2BH 2CH 2DH 2EH 2FH 30H 31H 32H 33H 34H 35H 36H 37H 38H 39H 3AH 3BH 3CH 3DH 3EH 3FH Bank 0 IAR0 MP0 IAR1 MP1 BP ACC PCL TBLP TBLH TBHP STATUS SCC HIRCC INTEG INTC0 RSTFC IFS INTC1 LVPUC LVRC PA PAC PAPU PAWU MFI0 MFI1 WDTC TBC PSCR PAS0 PAS1 Bank 0 Bank 1 40H 41H 42H 43H 44H 45H 46H 47H 48H 49H 4AH 4BH 4CH 4DH 4EH 4FH 50H 51H 52H 53H 54H 55H 56H 57H 58H 59H 5AH 5BH 5CH 5DH 5EH 5FH 60H 61H 62H 63H 64H 65H 66H 67H 68H 69H 6AH 6BH 6CH 6DH 6EH 6FH 70H 71H 72H 73H 74H 75H 76H 77H 78H 79H 7AH 7BH 7CH 7DH 7EH 7FH CTMC0 CTMC1 CTMDL CTMDH CTMAL CTMAH IICC0 IICC1 IICD IICA IICTOC RSTC Bank 1 EEC EEA EED TKTMR TKC0 TK16DL TK16DH TKC1 TKM16DL TKM16DH TKMROL TKMROH TKMC0 TKMC1 TKMC2 TKC2 TK1MTH16L TK1MTH16H TK2MTH16L TK2MTH16H TK3MTH16L TK3MTH16H TK4MTH16L TK4MTH16H TKMTHS : Unused, read as 00H. 特殊功能数据存储器结构 Rev.1.10 22 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 特殊功能寄存器 大部分特殊功能寄存器的细节将在相关功能章节描述，但有几个寄存器需在此 章节单独描述。 间接寻址寄存器 – IAR0, IAR1 间接寻址寄存器 IAR0 和 IAR1 的地址虽位于数据存储区，但其并没有实际的物 理地址。间接寻址的方法准许使用存储器指针做数据操作，以取代定义实际存 储器地址的直接存储器寻址方法。在间接寻址寄存器 IAR0 和 IAR1 上的任何 动作，将对存储器指针 MP0 和 MP1 所指定的存储器地址产生对应的读 / 写操 作。它们总是成对出现，IAR0 和 MP0 只可以访问 Bank 0，而 IAR1 和 MP1 可 以访问所有 Bank。因为这些间接寻址寄存器不是实际存在的，直接读取将返回 “00H”的结果，而直接写入此寄存器则不做任何操作。 存储器指针 – MP0, MP1 该单片机提供两个存储器指针，即 MP0 和 MP1。由于这些指针在数据存储器 中能像普通的寄存器一般被操作，因此提供了一个寻址和数据追踪的有效方法。 当对间接寻址寄存器进行任何操作时，单片机指向的实际地址是由存储器指针 所指定的地址。MP0、IAR0 用于访问 Bank 0，而 MP1 和 IAR1 可通过 BP 寄存 器访问所有的 Bank。直接寻址仅可以用在 Bank 0 中，所有 Bank 都可使用 MP1 和 IAR1 进行间接寻址。 以下例子说明如何清除一个具有 4 RAM 地址的区块，它们已事先定义成地址 adres1 到 adres4。 间接寻址程序范例 data .section ‘data’ adres1 db ? adres2 db ? adres3 db ? adres4 db ? block db ? code .section at 0 ‘code’ org 00h start: mov a,04h mov block,a mov a,offset adres1 mov mp0,a loop: clr IAR0 inc mp0 sdz block jmp loop continue: ; setup size of block ; Accumulator loaded with first RAM address ; setup memory pointer with first RAM address ; clear the data at address defined by MP0 ; increment memory pointer ; check if last memory location has been cleared 在上面的例子中有一点值得注意，即并没有确定 RAM 地址。 Rev.1.10 23 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 存储区指针 – BP 该单片机数据存储器被分为多个 Bank。可以通过设置存储区指针 (Bank Pointer) 值来访问不同的数据存储区。 复位后，数据存储器会初始化到 Bank 0，但是在休眠模式或空闲模式下的 WDT 溢出复位，选择的数据存储器 Bank 不会改变。数据存储器的直接寻址总 是访问 Bank 0，不影响存储区指针的值。要访问 Bank 0 之外的存储区，则必须 要使用间接寻址方式。 ● BP 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 — — — Bit 7~3 未定义，读为“0” Bit 2~0 DMBP2~DMBP0：数据存储器 Bank 选择位 000：Bank 0 001：Bank 1 010：未定义 011：未定义 100：未定义 101：Bank 5 110：Bank 6 111：未定义 2 1 0 DMBP2 DMBP1 DMBP0 R/W R/W R/W 0 0 0 累加器 – ACC 对任何单片机来说，累加器是相当重要的，且与 ALU 所完成的运算有密切关 系，所有 ALU 得到的运算结果都会暂时存在 ACC 累加器里。若没有累加器， ALU 必须在每次进行如加法、减法和移位的运算时，将结果写入到数据存储器， 这样会造成程序编写和时间的负担。另外数据传送也常常牵涉到累加器的临时 储存功能，例如在使用者定义的一个寄存器和另一个寄存器之间传送数据时， 由于两寄存器之间不能直接传送数据，因此必须通过累加器来传送数据。 程序计数器低字节寄存器 – PCL 为了提供额外的程序控制功能，程序计数器低字节设置在数据存储器的特殊功 能区域内，程序员可对此寄存器进行操作，很容易的直接跳转到其它程序地址。 直接给 PCL 寄存器赋值将导致程序直接跳转到程序存储器的某一地址，然而由 于寄存器只有 8 位长度，因此只允许在本页的程序存储器范围内进行跳转，而 当使用这种运算时，要注意会插入一个空指令周期。 表格寄存器 – TBLP, TBHP, TBLH 这三个特殊功能寄存器对存储在程序存储器中的表格进行操作。TBLP 和 TBHP 为表格指针，指向表格数据存储的地址。它们的值必须在任何表格读取指令执 行前加以设定，由于它们的值可以被如“INC”或“DEC”的指令所改变，这 就提供了一种简单的方法对表格数据进行读取。表格读取数据指令执行之后， 表格数据高字节存储在 TBLH 中。其中要注意的是，表格数据低字节会被传送 到使用者指定的地址。 Rev.1.10 24 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 状态寄存器 – STATUS 这 8 位的状态寄存器由零标志位 (Z)、进位标志位 (C)、辅助进位标志位 (AC)、 溢出标志位 (OV)、暂停标志位 (PDF) 和看门狗定时器溢出标志位 (TO) 组成。 这些算术 / 逻辑操作和系统运行标志位是用来记录单片机的运行状态。 除了 PDF 和 TO 标志外，状态寄存器中的位像其它大部分寄存器一样可以被改 变。任何数据写入到状态寄存器将不会改变 TO 或 PDF 标志位。另外，执行不 同的指令后，与状态寄存器有关的运算可能会得到不同的结果。TO 标志位只会 受系统上电、看门狗溢出或执行“CLR WDT”或“HALT”指令影响。PDF 标 志位只会受执行“HALT”或“CLR WDT”指令或系统上电影响。 Z、OV、AC 和 C 标志位通常反映最近运算的状态。 ● C：当加法运算的结果产生进位，或减法运算的结果没有产生借位时，则 C 被置位，否则 C 被清零，同时 C 也会被带进位的移位指令所影响。 ● AC：当低半字节加法运算的结果产生进位，或低半字节减法运算的结果没有 产生借位时，AC 被置位，否则 AC 被清零。 ● Z：当算术或逻辑运算结果是零时，Z 被置位，否则 Z 被清零。 ● OV：当运算结果高两位的进位状态异或结果为 1 时，OV 被置位，否则 OV 被清零。 ● PDF：系统上电或执行“CLR WDT”指令会清零 PDF，而执行“HALT”指 令则会置位 PDF。 ● TO：系统上电或执行“CLR WDT”或“HALT”指令会清零 TO，而当 WDT 溢出则会置位 TO。 另外，当进入一个中断程序或执行子程序调用时，状态寄存器不会自动压入到 堆栈保存。假如状态寄存器的内容是重要的且子程序可能改变状态寄存器的话， 则需谨慎的去做正确的储存。 Rev.1.10 25 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● STATUS 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 TO R 0 4 PDF R 0 3 OV R/W x 2 Z R/W x 1 AC R/W x 0 C R/W x “x”：未知 Rev.1.10 Bit 7~6 未定义，读为“0” Bit 5 TO：看门狗溢出标志位 0：系统上电或执行“CLR WDT”或“HALT”指令后 1：看门狗溢出发生 Bit 4 PDF：暂停标志位 0：系统上电或执行“CLR WDT”指令后 1：执行“HALT” 指令 Bit 3 OV：溢出标志位 0：无溢出 1：运算结果高两位的进位状态异或结果为 1 Bit 2 Z：零标志位 0：算术或逻辑运算结果不为 0 1：算术或逻辑运算结果为 0 Bit 1 AC：辅助进位标志位 0：无辅助进位 1：在加法运算中低四位产生了向高四位进位，或减法运算中低四位不发生从 高四位借位 Bit 0 C：进位标志位 0：无进位 1：如果在加法运算中结果产生了进位，或在减法运算中结果不发生借位 “C”位也受循环移位指令的影响。 26 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 EEPROM 数据存储器 此单片机的一个特性是内建 EEPROM 数据存储器。由于其非易失的存储结构， 即使在电源掉电的情况下存储器内的数据仍然保存完好。这种存储区扩展了数 据存储器空间，对设计者来说增加了许多新的应用机会。EEPROM 可以用来 存储产品编号、校准值、用户特定数据、系统配置参数或其它产品信息等。 EEPROM 的数据读取和写入过程也会变的更简单。 EEPROM 数据存储器结构 该单片机的 EEPROM 数据存储器容量为 32×8 位。由于映射方式与程序存储器 和数据存储器不同，因此不能像其它类型的存储器一样寻址。使用 Bank 0 中的 一个地址和数据寄存器以及 Bank 1 中的一个控制寄存器，可以实现对 EEPROM 的单字节读写操作。 EEPROM 寄存器 有三个寄存器控制内部 EEPROM 数据存储器总的操作，地址寄存器 EEA、数 据寄存器 EED 及控制寄存器 EEC。EEA 和 EED 位于 Bank 0 中，它们能像其它 特殊功能寄存器一样直接被访问。EEC 位于 Bank 1 中，不能被直接访问，仅能 通过 MP1 和 IAR1 进行间接读取或写入。由于 EEC 控制寄存器位于 Bank 1 中 的“40H”，在 EEC 寄存器上的任何操作被执行前，MP1 必须先设为“40H”， BP 设为“01”。 位 寄存器 名称 7 — D7 — EEA EED EEC 6 — D6 — 5 — D5 — 4 EEA4 D4 — 3 EEA3 D3 WREN 2 EEA2 D2 WR 1 EEA1 D1 RDEN 0 EEA0 D0 RD 2 EEA2 R/W 0 1 EEA1 R/W 0 0 EEA0 R/W 0 2 D2 R/W 0 1 D1 R/W 0 0 D0 R/W 0 EEPROM 寄存器列表 ● EEA 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 EEA4 R/W 0 3 EEA3 R/W 0 Bit 7~5 未定义，读为“0” Bit 4~0 EEA4~EEA0：数据 EEPROM 地址 Bit 4~Bit 0 ● EED 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 Rev.1.10 7 D7 R/W 0 6 D6 R/W 0 5 D5 R/W 0 4 D4 R/W 0 3 D3 R/W 0 D7~D0：数据 EEPROM 数据 Bit 7~Bit 0 27 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● EEC 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 WREN R/W 0 2 WR R/W 0 1 RDEN R/W 0 0 RD R/W 0 Bit 7~4 未定义，读为“0” Bit 3 WREN：数据 EEPROM 写使能位 0：除能 1：使能 此位为数据 EEPROM 写使能位，向数据 EEPROM 写操作之前需将此位置高。 将此位清零时，则禁止向数据 EEPROM 写操作。 Bit 2 WR：EEPROM 写控制位 0：写周期结束 1：写周期有效 此位为数据 EEPROM 写控制位，由应用程序将此位置高将激活写周期。写周期 结束后，硬件自动将此位清零。当 WREN 未先置高时，此位置高无效。 Bit 1 RDEN：数据 EEPROM 读使能位 0：除能 1：使能 此位为数据 EEPROM 读使能位，向数据 EEPROM 读操作之前需将此位置高。 将此位清零时，则禁止向数据 EEPROM 读操作。 Bit 0 RD：EEPROM 读控制位 0：读周期结束 1：读周期有效 此位为数据 EEPROM 读控制位，由应用程序将此位置高将激活读周期。读周期 结束后，硬件自动将此位清零。当 RDEN 未首先置高时，此位置高无效。 注：在同一条指令中 WREN、WR、RDEN 和 RD 不能同时置为“1”。WR 和 RD 不能同时 置为“1”。 从 EEPROM 中读取数据 从 EEPROM 中读取数据，EEC 寄存器中的读使能位 RDEN 先置为高以使能读 功能，EEPROM 中读取数据的地址要先放入 EEA 寄存器中。若 EEC 寄存器中 的 RD 位被置高，一个读周期将开始。若 RD 位已置为高而 RDEN 位还未被设 置则不能开始读操作。若读周期结束，RD 位将自动清除为“0”，数据可以从 EED 寄存器中读取。数据在其它读或写操作执行前将一直保留在 EED 寄存器 中。应用程序将轮询 RD 位以确定数据可以有效地被读取。 写数据到 EEPROM 写数据至 EEPROM，EEPROM 中写入数据的地址要先放入 EEA 寄存器中，写 入的数据需存入 EED 寄存器中。EEC 寄存器中的写使能位 WREN 先置为高以 使能写功能，然后 EEC 寄存器中的 WR 位需立即置高以开始写操作，这两条指 令必须连续执行。总中断位 EMI 在写周期开始前应当被清零，写周期开始后再 将其使能。若 WR 位已置为高而 WREN 位还未被设置则不能开始写操作。由于 控制 EEPROM 写周期是一个内部时钟，与单片机的系统时钟异步，所以数据 写入 EEPROM 的时间将有所延迟。可通过轮询 EEC 寄存器中的 WR 位或判断 EEPROM 写中断以侦测写周期是否完成。若写周期完成，WR 位将自动清除为 “0”，通知用户数据已写入 EEPROM。因此，应用程序将轮询 WR 位以确定 写周期是否结束。 Rev.1.10 28 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 写保护 防止误写入的写保护有以下几种。单片机上电后控制寄存器中的写使能位将被 清除以杜绝任何写入操作。上电后存储区指针 BP 将重置为 0，这意味着数据存 储区 Bank 0 被选中。由于 EEPROM 控制寄存器位于 Bank 1 中，这增加了对写 操作的保护措施。在正常程序操作中确保控制寄存器中的写使能位被清除将能 防止不正确的写操作。 EEPROM 写中断 EEPROM 写周期结束后将产生 EEPROM 写中断，需先通过设置相关中断寄 存 器 的 DEE 位 使 能 EEPROM 中 断。 当 EEPROM 写 周 期 结 束，DEF 请 求 标 志位将被置位。若 EEPROM 中断使能且堆栈未满的情况下将跳转到相应的 EEPROM 中断向量中执行。当中断被响应，EEPROM 中断请求标志位 DEF 会 自动清零。EMI 位也会被清零以除能其它中断。更多细节将在中断章节讲述。 编程注意事项 必须注意的是数据不会无意写入 EEPROM。在没有写动作时写使能位被正常清 零可以增强保护功能。存储器指针 BP 也可以正常清零以阻止进入 EEPROM 控 制寄存器存在的 Bank 1。尽管没有必要，写一个简单的读回程序以检查新写入 的数据是否正确还是应该考虑的。 WREN 位置位后，EEC 寄存器中的 WR 位需立即置位，以确保写周期正确地执 行。写周期执行前总中断位 EMI 应先清零，写周期开始执行后再将此位重新使 能。注意，在 EEPROM 读或写操作完全完成之前单片机不能进入空闲或休眠模 式，否则会导致 EEPROM 读或写操作失败。 程序范例 从 EEPROM 中读取数据 — 轮询法 MOV A, EEPROM_ADRES MOV EEA, A MOV A, 040H MOV MP1, A MOV A, 01H MOV BP, A SET IAR1.1 SET IAR1.0 BACK: SZ IAR1.0 JMP BACK CLR IAR1 CLR BP MOV A, EED MOV READ_DATA, A ; user defined address ; setup memory pointer MP1 ; MP1 points to EEC register ; setup Bank Pointer ; set RDEN bit, enable read operations ; start Read Cycle - set RD bit ; check for read cycle end ; disable EEPROM read/write ; move read data to register 写数据到 EEPROM — 轮询法 MOV A, EEPROM_ADRES MOV EEA, A MOV A, EEPROM_DATA MOV EED, A MOV A, 040H MOV MP1, A MOV A, 01H MOV BP, A CLR EMI Rev.1.10 ; user defined address ; user defined data ; setup memory pointer MP1 ; MP1 points to EEC register ; setup Bank Pointer 29 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 SET IAR1.3 SET IAR1.2 SET EMI BACK: SZ IAR1.2 JMP BACK CLR IAR1 CLR BP ; set WREN bit, enable write operations ; start Write Cycle - set WR bit — executed ; immediately after set WREN bit ; check for write cycle end ; disable EEPROM read/write 振荡器 不同的振荡器选择可以让使用者在不同的应用需求中实现更大范围的功能。振 荡器的灵活性使得在速度和功耗方面可以达到较佳的优化。振荡器选择和操作 是通过配置选项和寄存器共同完成的。 振荡器概述 振荡器除了作为系统时钟源，还作为看门狗定时器和时基功能的时钟源。集成 的两个内部振荡器不需要任何外围器件。它们提供的高速和低速系统振荡器具 有较宽的频率范围。较高频率的振荡器提供更高的性能，但要求有更高的功率， 反之亦然。动态切换快慢系统时钟的能力使单片机具有灵活而优化的性能 / 功 耗比，此特性对功耗敏感的应用领域尤为重要。 类型 内部高速 RC 内部低速 RC 名称 HIRC LIRC 频率 2/4/8MHz 32kHz 振荡器类型 系统时钟配置 该单片机有两个系统振荡器，包括一个高速振荡器和一个低速振荡器。高速振 荡器为内部 2/4/8MHz RC 振荡器，HIRC。低速振荡器为内部 32kHz 振荡器， LIRC。 低速或高速系统时钟频率由 SCC 寄存器中的 CKS2~CKS0 位决定的。 fH/2 High Speed Oscillator HIRC HIRCEN fH/4 fH IDLE0 SLEEP fH/8 Prescaler fSYS fH/16 fH/32 fH/64 fSUB Low Speed Oscillator LIRC CKS2~CKS0 fSUB IDLE2 SLEEP fLIRC 系统时钟配置 Rev.1.10 30 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 内部高速 RC 振荡器 – HIRC 内部 RC 振荡器是一个集成的系统振荡器，不需其它外部器件。内部 RC 振 荡器具有三种固定的频率：2MHz、4MHz 和 8MHz, 可通过配置选项选择。 HIRCC 寄存器的 HIRCS1~HIRCS0 位必须先设置来匹配配置选项所选择的频 率。设置 HIRCS1~HIRCS0 位是有必要的，以确保交流特性中指定的 HIRC 频 率精确度。芯片在制造时进行调整且内部含有频率补偿电路，使得振荡频率因 电源电压、温度以及芯片制成工艺不同的影响较大程度地降低。 内部 32kHz 振荡器 – LIRC 内部 32kHz 系统振荡器是一个低频振荡器。它是一个完全集成 RC 振荡器，典 型频率值为 32kHz 且无需外部元件。芯片在制造时进行调整且内部含有频率补 偿电路，使得振荡器因电源电压、温度及芯片制成工艺不同的影响较大程度地 降低。 工作模式和系统时钟 现今的应用要求单片机具有较高的性能及尽可能低的功耗，这种矛盾的要求在 便携式电池供电的应用领域尤为明显。高性能所需要的高速时钟将增加功耗， 反之亦然。此单片机提供高、低速两种时钟源，它们之间可以动态切换，用户 可通过优化单片机操作来获得较佳性能 / 功耗比。 系统时钟 单片机为 CPU 和外围功能操作提供了两种不同的时钟源。用户使用寄存器编程 可获取多种时钟，进而使系统时钟获取较大的应用性能。 主系统时钟可来自高频时钟源 fH 或低频时钟源 fSUB，通过 SCC 寄存器中的 CKS2~CKS0 位进行选择。高频时钟来自 HIRC 振荡器。低频系统时钟源来自 fSUB，若 fSUB 被选择，低频时钟来自 LIRC 振荡器。其它系统时钟还有高速系统 振荡器的分频 fH/2~fH/64。 fH/2 High Speed Oscillator HIRCEN HIRC fH/4 fH IDLE0 SLEEP fH/8 Prescaler fSYS fH/16 fH/32 fH/64 fSUB Low Speed Oscillator LIRC CKS2~CKS0 fSUB IDLE2 SLEEP TB0[2:0] TB0ON fSUB fLIRC fSYS/4 WDT fPSC fSYS CLKSEL[1:0] Rev.1.10 31 Time Base 0 Prescaler TB1ON Time Base 1 TB1[2:0] 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 单片机时钟配置 注：当系统时钟源 fSYS 由 fH 到 fSUB 转换时，可以通过设置相应的高速振荡器使能控制位，选 择停止以节省耗电，或者继续振荡，为外围电路提供 fH~fH/64 频率的时钟源。 系统工作模式 单片机有 6 种不同的工作模式，每种有它自身的特性，根据应用中不同的性能 和功耗要求可选择不同的工作模式。单片机正常工作有两种模式：快速模式和 低速模式。剩余的 4 种工作模式：休眠模式、空闲模式 0、空闲模式 1 和空闲 模式 2 用于单片机 CPU 关闭时以节省耗电。 寄存器设置 fSYS fH FHIDEN FSIDEN CKS2~CKS0 On x x 000~110 fH~fH/64 On (1) On x x 111 fSUB On/Off 000~110 Off Off 0 1 Off 111 On Off 1 1 xxx On On 000~110 On Off 1 0 On 111 Off Off 0 0 xxx Off Off 工作模式 CPU 快速模式 低速模式 空闲模式 0 空闲模式 1 空闲模式 2 休眠模式 fSUB fLIRC On On On On On On On On Off On Off On (2) “x”：无关 注：1. 在低速模式中，fH 开启或关闭由相应的振荡器使能位控制。 2. 在休眠模式中，由于 WDT 功能始终使能，fLIRC 将保持开启。 快速模式 顾名思义，这是主要的工作模式之一，单片机的所有功能均可在此模式中实现 且系统时钟由一个高速振荡器提供。该模式下单片机正常工作的时钟源来自 HIRC 振荡器。高速振荡器频率可被分为 1~64 的不等比率，实际的比率由 SCC 寄存器中的 CKS2~CKS0 位选择。单片机使用高速振荡器分频作为系统时钟可 减少工作电流。 低速模式 此模式的系统时钟虽为较低速时钟源，但单片机仍能正常工作。该低速时钟源 可来自 fSUB，而 fSUB 来自于 LIRC 振荡器。单片机在此模式中运行所耗工作电流 较低。 休眠模式 执行 HALT 指令后且 SCC 寄存器中的 FHIDEN 和 FSIDEN 位都为低时，系统 进入休眠模式。在休眠模式中，CPU 停止运行，fSUB 停止为外围功能提供时钟。 然而因看门狗定时器功能始终使能，fLIRC 继续运行。 空闲模式 0 执行 HALT 指令后且 SCC 寄存器中的 FHIDEN 位为低、FSIDEN 位为高时，系 统进入空闲模式 0。在空闲模式 0 中，CPU 停止，但低速振荡器会开启以驱动 一些外围功能。 Rev.1.10 32 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 空闲模式 1 执行 HALT 指令后且 SCC 寄存器中的 FHIDEN 和 FSIDEN 位都为高时，系统 进入空闲模式 1。在空闲模式 1 中，CPU 停止，但高速和低速振荡器都会开启 以确保一些外围功能继续工作。 空闲模式 2 执行 HALT 指令后且 SCC 寄存器中的 FHIDEN 位为高、FSIDEN 位为低时，系 统进入空闲模式 2。在空闲模式 2 中，CPU 停止，但高速振荡器会开启以确保 一些外围功能继续工作。 控制寄存器 寄存器 SCC 和 HIRCC 用于控制系统时钟和相应的振荡器配置。 寄存器 名称 SCC HIRCC 位 7 CKS2 — 6 CKS1 — 5 CKS0 — 4 — — 3 2 1 0 — — FHIDEN FSIDEN HIRCS1 HIRCS0 HIRCF HIRCEN 系统工作模式控制寄存器列表 ● SCC 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~5 Rev.1.10 7 CKS2 R/W 0 6 CKS1 R/W 0 5 CKS0 R/W 0 4 — — — 3 — — — 2 — — — 1 0 FHIDEN FSIDEN R/W R/W 0 0 CKS2~CKS0：系统时钟选择位 000：fH 001：fH/2 010：fH/4 011：fH/8 100：fH/16 101：fH/32 110：fH/64 111：fSUB 这三位用于选择系统时钟源。除了 fH 或 fSUB 提供的系统时钟源外，也可使用高 频振荡器的分频作为系统时钟。 Bit 4~2 未定义，读为“0” Bit 1 FHIDEN：CPU 关闭时高频振荡器控制位 0：除能 1：使能 此位用来控制在 CPU 执行 HALT 指令关闭后高速振荡器是被激活还是停止。 Bit 0 FSIDEN：CPU 关闭时低频振荡器控制位 0：除能 1：使能 此位用来控制在 CPU 执行 HALT 指令关闭后低速振荡器是被激活还是停止。 33 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● HIRCC 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 2 1 0 HIRCS1 HIRCS0 HIRCF HIRCEN R/W R/W R R/W 0 0 0 1 Bit 7~4 未定义，读为“0” Bit 3~2 HIRCS1~HIRCS0：HIRC 频率选择位 00：2MHz 01：4MHz 10：8MHz 11：2MHz 当 HIRC 振荡器使能或通过应用程序改变 HIRC 频率选择位时，在 HIRCF 标志 位置高后时钟频率会自动改变。建议由这两个位选择的 HIRC 频率应该与配置 选项所选择的频率相同，以确保交流特性中指定的 HIRC 频率精确度。 Bit 1 HIRCF：HIRC 振荡器稳定标志位 0：HIRC 未稳定 1：HIRC 稳定 此位用于表明 HIRC 振荡器是否稳定。HIRCEN 位置高使能 HIRC 振荡器或通过 应用程序改变 HIRC 频率选择位，HIRCF 位会先被清零，在 HIRC 稳定后会被 置高。 Bit 0 HIRCEN：HIRC 振荡器使能控制位 0：除能 1：使能 工作模式切换 单片机可在各个工作模式间自由切换，使得用户可根据所需选择较佳的性能 / 功耗比。用此方式，对单片机工作的性能要求不高的情况下，可使用较低频时 钟以减少工作电流，在便携式应用上延长电池的使用寿命。 简单来说，快速模式和低速模式间的切换仅需设置 SCC 寄存器中的 CKS2~ CKS0 位即可实现，而快速模式 / 低速模式与休眠模式 / 空闲模式间的切换经由 HALT 指令实现。当 HALT 指令执行后，单片机是否进入空闲模式或休眠模式 由 SCC 寄存器中的 FHIDEN 和 FSIDEN 位决定的。 Rev.1.10 34 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 FAST fSYS=fH~fH/64 fH on CPU run fSYS on fSUB on SLOW fSYS=fSUB fSUB on CPU run fSYS on fH on/off SLEEP HALT instruction executed CPU stop FHIDEN=0 FSIDEN=0 fH off fSUB off IDLE0 HALT instruction executed CPU stop FHIDEN=0 FSIDEN=1 fH off fSUB on IDLE2 HALT instruction executed CPU stop FHIDEN=1 FSIDEN=0 fH on fSUB off IDLE1 HALT instruction executed CPU stop FHIDEN=1 FSIDEN=1 fH on fSUB on 快速模式切换到低速模式 系统运行在快速模式时使用高速系统振荡器，因此较为耗电。可通过设置 SCC 寄存器中的 CKS2~CKS0 位为“111”使系统时钟切换至运行在低速模式下。此 时将使用低速系统振荡器以节省耗电。用户可在对性能要求不高的操作中使用 此方法以减少耗电。 低速模式的时钟源来自 LIRC 振荡器，因此要求这些振荡器在所有模式切换动 作发生前稳定下来。 FAST Mode CKS2~CKS0 = 111 SLOW Mode FHIDEN=0, FSIDEN=0 HALT instruction is executed SLEEP Mode FHIDEN=0, FSIDEN=1 HALT instruction is executed IDLE0 Mode FHIDEN=1, FSIDEN=1 HALT instruction is executed IDLE1 Mode FHIDEN=1, FSIDEN=0 HALT instruction is executed IDLE2 Mode Rev.1.10 35 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 低速模式切换到快速模式 在低速模式时系统时钟来自 fSUB。切换回快速模式时，需设置 CKS2~CKS0 位 为“000”~“110”使系统时钟从 fSUB 切换到 fH~fH/64。 然而，如果在低速模式下 fH 因未使用而关闭，那么从低速模式切换到快速模 式时，它需要一定的时间来重新起振和稳定，可通过检测 HIRCC 寄存器中的 HIRCF 位进行判断，所需的高速系统振荡器稳定时间在系统上电时间电气特性 中有说明。 SLOW Mode CKS2~CKS0 = 000~110 FAST Mode FHIDEN=0, FSIDEN=0 HALT instruction is executed SLEEP Mode FHIDEN=0, FSIDEN=1 HALT instruction is executed IDLE0 Mode FHIDEN=1, FSIDEN=1 HALT instruction is executed IDLE1 Mode FHIDEN=1, FSIDEN=0 HALT instruction is executed IDLE2 Mode 进入休眠模式 进入休眠模式的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置 SCC 寄存器中的 FHIDEN 和 FSIDEN 位都为“0”。在这种模式下，除了 WDT 以外的所有时钟和功能都将关闭。在上述条件下执行该指令后，将发生的情况 如下： ● 系统时钟停止运行，应用程序停止在“HALT”指令处。 ● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。 ● 输入 / 输出口将保持当前值。 ● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起，看门狗溢出标志 TO 将被清除。 ● 因 WDT 功能始终使能，WDT 将被清零并重新开始计数。 进入空闲模式 0 进入空闲模式 0 的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置 SCC 寄存器中的 FHIDEN 位为“0”且 FSIDEN 位为“1”。在上述条件下执行 该指令后，将发生的情况如下： ● fH 时钟停止运行，应用程序停止在“HALT”指令处，但 fSUB 时钟将继续运行。 ● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。 ● 输入 / 输出口将保持当前值。 Rev.1.10 36 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起，看门狗溢出标志 TO 将被清除。 ● 因 WDT 功能始终使能，WDT 将被清零并重新开始计数。 进入空闲模式 1 进入空闲模式 1 的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置 SCC 寄存器中的 FHIDEN 和 FSIDEN 位都为“1”。在上述条件下执行该指令后， 将发生的情况如下： ● fH 和 fSUB 时钟开启，应用程序停止在“HALT”指令处。 ● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。 ● 输入 / 输出口将保持当前值。 ● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起，看门狗溢出标志 TO 将被清除。 ● 因 WDT 功能始终使能，WDT 将被清零并重新开始计数。 进入空闲模式 2 进入空闲模式 2 的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置 SCC 寄存器中的 FHIDEN 位为“1”且 FSIDEN 位为“0”。在上述条件下执行 该指令后，将发生的情况如下： ● fH 时钟开启，fSUB 时钟关闭，应用程序停止在“HALT”指令处。 ● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。 ● 输入 / 输出口将保持当前值。 ● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起，看门狗溢出标志 TO 将被清除。 ● 因 WDT 功能始终使能，WDT 将被清零并重新开始计数。 待机电流的注意事项 由于单片机进入休眠或空闲模式的主要原因是将单片机的电流降低到尽可能 低，可能到只有几个微安的级别 ( 空闲模式 1 和空闲模式 2 除外 )，所以如果要 将电路的电流进一步降低，电路设计者还应有其它的考虑。应该特别注意的是 单片机的输入 / 输出引脚。所有高阻抗输入脚都必须连接到固定的高或低电平， 因为引脚浮空会造成内部振荡并导致耗电增加。这也应用于有不同封装的单片 机，因为它们可能含有未引出的引脚，这些引脚也必须设为输出或带有上拉电 阻的输入。 另外还需注意单片机设为输出的 I/O 引脚上的负载。应将它们设置在有最小拉 电流的状态或将它们和其它的 CMOS 输入一样接到没有拉电流的外部电路上。 还应注意的是，如果选择 LIRC 振荡器，会导致耗电增加。 在空闲模式 1 和空闲模式 2 中，高速振荡器开启。若外围功能时钟源来自高速 振荡器，额外的静态电流也可能会有几百微安。 唤醒 单片机进入休眠模式或空闲模式后，系统时钟将停止以降低功耗。然而单片机 再次唤醒，原来的系统时钟重新起振、稳定且恢复正常工作需要一定的时间。 系统进入休眠或空闲模式之后，可以通过以下几种方式唤醒： ● PA 口下降沿 ● 系统中断 ● WDT 溢出 Rev.1.10 37 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 单片机执行 HALT 指令，系统进入休眠或空闲模式，PDF 将被置位。系统上电 或执行清除看门狗的指令，PDF 将被清零。若系统由看门狗定时器溢出唤醒， 会发生看门狗定时器复位，TO 将被置位。看门狗定时器溢出将会置位 TO 标志 并唤醒系统，这种复位会重置程序计数器和堆栈指针，其它标志保持原有状态。 PA 口中的每个引脚都可以通过 PAWU 寄存器使能下降沿唤醒功能。PA 端口唤 醒后，程序将在“HALT”指令后继续执行。如果系统是通过中断唤醒，则有两 种可能发生。第一种情况是：相关中断除能或是中断使能且堆栈已满，则程序 会在“HALT”指令之后继续执行。这种情况下，唤醒系统的中断会等到相关中 断使能或有堆栈层可以使用之后才执行。第二种情况是：相关中断使能且堆栈 未满，则中断可以马上执行。如果在进入休眠或空闲模式之前中断标志位已经 被设置为“1”，则相关中断的唤醒功能将无效。 看门狗定时器 看门狗定时器的功能在于防止如电磁的干扰等外部不可控制事件，所造成的程 序不正常动作或跳转到未知的地址。 看门狗定时器时钟源 WDT 定时器时钟源 fLIRC 由内部低速振荡器 LIRC 提供。内部振荡器 LIRC 的频 率大约为 32kHz，这个特殊的内部时钟周期会随 VDD、温度和制成的不同而变 化。看门狗定时器的时钟源可分频为 28~218 以提供更大的溢出周期，分频比由 WDTC 寄存器中的 WS2~WS0 位来决定。 看门狗定时器控制寄存器 WDTC 寄存器用于控制 WDT 功能的使能、选择溢出周期以及软件复位单片机。 ● WDTC 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 WE4 R/W 0 6 WE3 R/W 1 5 WE2 R/W 0 4 WE1 R/W 1 3 WE0 R/W 0 2 WS2 R/W 0 1 WS1 R/W 1 0 WS0 R/W 1 Bit 7~3 WE4~WE0：WDT 软件控制位 01010/10101：使能 其它值：单片机复位 如果因外部环境干扰使这些位发生改变，则单片机将在一段延迟时间 tSRESET 后 复位，且在复位后 RSTFC 寄存器中的 WRF 标志位会被置位。 Bit 2~0 WS2~WS0：WDT 溢出周期选择位 000：28/fLIRC 001：210/fLIRC 010：212/fLIRC 011：214/fLIRC 100：215/fLIRC 101：216/fLIRC 110：217/fLIRC 111：218/fLIRC 这三位控制 WDT 时钟源的分频比，从而实现对 WDT 溢出周期的控制。 38 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● RSTFC 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 RSTF R/W 0 2 LVRF R/W x 1 LRF R/W 0 0 WRF R/W 0 “x”：未知 Bit 7~4 未定义，读为“0” Bit 3 RSTF：复位控制寄存器软件复位标志位 详见别处的描述。 Bit 2 LVRF：LVR 复位标志位 详见别处的描述。 Bit 1 LRF：LVR 控制寄存器软件复位标志位 详见别处的描述。 Bit 0 WRF：WDT 控制寄存器软件复位标志位 0：未发生 1：发生 当 WDT 控制寄存器软件复位发生时，此位被置为“1”，且只能通过应用程序 清零。 看门狗定时器操作 当 WDT 溢出时，它产生一个单片机复位的动作。这也就意味着正常工作期 间，用户需在应用程序中看门狗溢出前有策略地清看门狗定时器以防止其产生 复位，可使用清除看门狗指令实现。无论什么原因，程序失常跳转到一个未知 的地址或进入一个死循环，这些清除指令都不能被正确执行，此种情况下，看 门狗将溢出以使单片机复位。看门狗定时器控制寄存器 WDTC 中的 WE4~WE0 位可提供使能控制以及控制看门狗定时器复位操作。当设置为“01010B”或 “10101B”时使能 WDT 功能。如果 WE4~WE0 设置为除“01010B”和“10101B” 以外的值时，单片机将在一段延迟时间 tSRESET 后复位。上电后这些位初始化为 “01010B”。 WE4~WE0 位 01010B/10101B 其它值 WDT 功能 使能 单片机复位 看门狗定时器功能控制 程序正常运行时，WDT 溢出将导致芯片复位，并置位状态标志位 TO。若系统 处于休眠或空闲模式，当 WDT 发生溢出时，状态寄存器中的 TO 应置位，仅 PC 和堆栈指针复位。有三种方法可以用来清除 WDT 的内容。第一种是 WDT 复位，即写入除 01010B 和 10101B 外任何值到 WE4~WE0 位，第二种是通过软 件清除指令，而第三种是通过“HALT”指令。 只有一种软件指令用于清除看门狗寄存器。因此只要执行“CLR WDT”便清除 WDT。 当设置分频比为 218 时，溢出周期最大。例如，时钟源为 32kHz LIRC 振荡器， 分频比为 218 时最大溢出周期约 8s，分频比为 28 时最小溢出周期约 8ms。 Rev.1.10 39 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 WDTC Register WE4~WE0 bits Reset MCU CLR “CLR WDT” Instruction “HALT” Instruction LIRC fLIRC 8-stage Divider fLIRC/28 WDT Prescaler WS2~WS0 8-to-1 MUX WDT Time-out 看门狗定时器 复位和初始化 复位功能是任何单片机中基本的部分，使得单片机可以设定一些与外部参数无 关的先置条件。最重要的复位条件是在单片机首次上电以后，经过短暂的延迟， 内部硬件电路使得单片机处于预期的稳定状态并开始执行第一条程序指令。上 电复位以后，在程序执行之前，部分重要的内部寄存器将会被设定为预先设定 的状态。程序计数器就是其中之一，它会被清除为零，使得单片机从最低的程 序存储器地址开始执行程序。 除了上电复位外，另一种复位为低电压复位即 LVR 复位，在电源供应电压低于 LVR 设定值时，系统会产生 LVR 复位。还有一种复位为看门狗溢出单片机复位， 不同方式的复位操作会对寄存器产生不同的影响。 复位功能 单片机的几种内部复位方式将在此处做具体介绍。 上电复位 这是最基本且不可避免的复位，发生在单片机上电后。除了保证程序存储器从 开始地址执行，上电复位也使得其它寄存器被设定在预设条件。所有的输入 / 输出端口控制寄存器在上电复位时会保持高电平，以确保上电后所有引脚被设 定为输入状态。 VDD Power-on Reset tRSTD SST Time-out 上电复位时序图 内部复位控制 内部复位控制寄存器 RSTC 用于为单片机在受到环境噪声干扰而异常工作时提 供复位。如果 RSTC 寄存器的内容被设置为除 01010101B 或 10101010B 以外 的任何值，单片机会在一段延迟时间 tSRESET 后发生复位。上电后寄存器的值为 01010101B。 Rev.1.10 40 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 RSTC7~RSTC0 位 01010101B 10101010B 其它值 复位功能 无操作 无操作 单片机复位 内部复位功能控制 ● RSTC 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 RSTC7 R/W 0 6 RSTC6 R/W 1 5 RSTC5 R/W 0 4 RSTC4 R/W 1 3 RSTC3 R/W 0 2 RSTC2 R/W 1 1 RSTC1 R/W 0 0 RSTC0 R/W 1 RSTC7~RSTC0：复位功能控制位 01010101：无操作 10101010：无操作 其它值：单片机复位 如果由于不利的环境因素使这些位发生改变，单片机将复位。复位动作发生在 一段延迟时间 tSRESET 后，且 RSTFC 寄存器的 RSTF 位将置为“1”。 ● RSTFC 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 RSTF R/W 0 2 LVRF R/W x 1 LRF R/W 0 0 WRF R/W 0 “x”：未知 Bit 7~4 未定义，读为“0” Bit 3 RSTF：复位控制寄存器软件复位标志位 0：未发生 1：发生 当 RSTC 控制寄存器软件复位发生时，此位被置为“1”，且只能通过应用程序 清零。 Bit 2 LVRF：LVR 复位标志位 详见别处的描述。 Bit 1 LRF：LVR 控制寄存器软件复位标志位 详见别处的描述。 Bit 0 WRF：WDT 控制寄存器软件复位标志位 详见别处的描述。 低电压复位 – LVR 单片机具有低电压复位电路，用来监测它的电源电压。当电源电压低于预设值 时产生单片机复位。 通过 LVRC 控制寄存器可使能或除能 LVR 功能。若 LVRC 控制寄存器被配置为 使能 LVR 功能，除了单片机进入休眠 / 空闲模式，其它情况 LVR 功能始终使 能。例如在更换电池的情况下，单片机供应的电压可能会在 0.9V~VLVR 之间， 这时 LVR 将会自动复位单片机且 RSTFC 寄存器中的 LVRF 标志位置位。LVR 包含以下的规格：有效的 LVR 信号，即在 0.9V~VLVR 的低电压状态的时间，必 须超过 LVR 电气特性中 tLVR 参数的值。如果低电压存在不超过 tLVR 参数的值， 则 LVR 将会忽略它且不会执行复位功能。VLVR 参数值可通过 LVRC 寄存器中 Rev.1.10 41 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 的 LVS7~LVS0 位设置。若由于受到干扰 LVS7~LVS0 变为其它值时，需经过一 段延迟时间 tSRESET 响应复位。此时 RSTFC 寄存器的 LRF 位被置位。上电后寄 存器的值为 01100110B。LVR 会于休眠或空闲模式时自动除能关闭。 LVR tRSTD + tSST Internal Reset 低电压复位时序图 ● LVRC 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 LVS7 R/W 0 6 LVS6 R/W 1 5 LVS5 R/W 1 4 LVS4 R/W 0 3 LVS3 R/W 0 2 LVS2 R/W 1 1 LVS1 R/W 1 0 LVS0 R/W 0 LVS7~LVS0：LVR 电压选择 01100110：1.7V 01010101：1.9V 00110011：2.55V 10011001：3.15V 10101010：3.8V 11110000：LVR 除能 其它值：单片机复位 – 寄存器复位为 POR 值 若低电压情况发生且满足以上定义的低电压复位值，则单片机复位。保持低电 压状态的时间需超过 tLVR 才能响应复位。此时复位后的寄存器内容保持不变。 除了以上定义的低电压复位值外，其它值也能导致单片机复位。需要经过一段 延迟时间 tSRESET 响应复位。但此时寄存器内容将复位为 POR 值。 ● RSTFC 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 RSTF R/W 0 2 LVRF R/W x 1 LRF R/W 0 0 WRF R/W 0 “x”：未知 Rev.1.10 Bit 7~4 未定义，读为“0” Bit 3 RSTF：复位控制寄存器软件复位标志位 详见别处的描述。 Bit 2 LVRF：LVR 复位标志位 0：未发生 1：发生 当特定的低电压复位条件发生时，此位被置为“1”，且只能通过应用程序清零。 Bit 1 LRF：LVR 控制寄存器软件复位标志位 0：未发生 1：发生 如果 LVRC 寄存器包含任何非定义的 LVR 电压值，此位被置为“1”，这类似 于软件复位功能，且只能通过应用程序清零。 Bit 0 WRF：WDT 控制寄存器软件复位标志位 详见别处的描述。 42 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 正常运行时看门狗溢出复位 除了看门狗溢出标志位 TO 将被设为“1”之外，在快速模式或低速模式时看门 狗溢出复位和 LVR 复位相同。 WDT Time-out tRSTD + tSST Internal Reset 正常运行时看门狗溢出复位时序图 休眠或空闲时看门狗溢出复位 休眠或空闲时看门狗溢出复位和其它种类的复位有些不同，除了程序计数器与 堆栈指针将被清 0 及 TO 位被设为 1 外，绝大部份的条件保持不变。图中 tSST 的详细说明请参考系统上电时间电气特性。 WDT Time-out tSST Internal Reset 休眠或空闲时看门狗溢出复位时序图 复位初始状态 不同的复位形式以不同的途径影响复位标志位。这些标志位，即 PDF 和 TO 位 存放在状态寄存器中，由休眠或空闲模式功能或看门狗计数器等几种控制器操 作控制。复位标志位如下所示： TO 0 u 1 1 PDF 0 u u 1 复位条件 上电复位 快速模式或低速模式时的 LVR 复位 快速模式或低速模式时的 WDT 溢出复位 空闲或休眠模式时的 WDT 溢出复位 “u”代表不改变 在单片机上电复位之后，各功能单元初始化的情形，列于下表。 项目 程序计数器 中断 看门狗定时器，时基 定时器模块 输入 / 输出口 堆栈指针 复位后情况 清除为零 所有中断被除能 都清除，且 WDT 重新计数 定时器模块停止 I/O 口设为输入模式 堆栈指针指向堆栈顶端 不同的复位形式对单片机内部寄存器的影响是不同的。为保证复位后程序能正 常执行，了解寄存器在特定条件复位后的设置是非常重要的。下表即为不同方 式复位后内部寄存器的状况。 Rev.1.10 43 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 寄存器 IAR0 MP0 IAR1 MP1 BP ACC PCL TBLP TBLH TBHP STATUS SCC HIRC INTEG INTC0 RSTFC IFS INTC1 LVPUC LVRC PA PAC PAPU PAWU MFI0 MFI1 WDTC TBC PSCR PAS0 PAS1 CTMC0 CTMC1 CTMDL CTMDH CTMAL CTMAH IICC0 IICC1 IICD Rev.1.10 上电复位 xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx ---- -000 xxxx xxxx 0000 0000 xxxx xxxx xxxx xxxx ---- -xxx --00 xxxx 000- --00 ---- 0001 ---- --00 -000 0000 ---- 0x00 ---- --00 -000 -000 ---- ---0 0110 0110 1111 1111 1111 1111 0000 0000 0000 0000 --00 --00 --00 --00 0101 0011 0--- -000 ---- --00 0000 0000 00-- 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 ---- --00 0000 0000 ---- --00 ---- 0001000 0001 xxxx xxxx LVR 复位 ( 正常操作 ) xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx ---- -000 xxxx xxxx 0000 0000 xxxx xxxx xxxx xxxx ---- -xxx --00 xxxx 000- --00 ---- 0001 ---- --00 -000 0000 ---- u1uu ---- --00 -000 -000 ---- ---0 0110 0110 1111 1111 1111 1111 0000 0000 0000 0000 --00 --00 --00 --00 0101 0011 0--- -000 ---- --00 0000 0000 00-- 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 ---- --00 0000 0000 ---- --00 ---- 0001000 0001 xxxx xxxx 44 WDT 溢出 ( 正常操作 ) xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx ---- -000 uuuu uuuu 0000 0000 uuuu uuuu uuuu uuuu ---- -uuu --1u uuuu 000- --00 ---- 0001 ---- --00 -000 0000 ---- uuuu ---- --00 -000 -000 ---- ---0 0110 0110 1111 1111 1111 1111 0000 0000 0000 0000 --00 --00 --00 --00 0101 0011 0--- -000 ---- --00 0000 0000 00-- 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 ---- --00 0000 0000 ---- --00 ---- 0001000 0001 xxxx xxxx WDT 溢出 ( 空闲 / 休眠 ) uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu ---- -uuu uuuu uuuu 0000 0000 uuuu uuuu uuuu uuuu ---- -uuu - - 11 u u u u uuu- --uu ---- uuuu ---- --uu -uuu uuuu ---- uuuu ---- --uu -uuu -uuu ---- ---u uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu --uu --uu --uu --uu uuuu uuuu u--- -uuu ---- --uu uuuu uuuu uu-- uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu ---- --uu uuuu uuuu ---- --uu ---- uuuuuuu uuuu uuuu uuuu 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 寄存器 IICA IICTOC RSTC EEA EED TKTMR TKC0 TK16DL TK16DH TKC1 TKM16DL TKM16DH TKMROL TKMROH TKMC0 TKMC1 TKMC2 TKC2 TK1MTH16L TK1MTH16H TK2MTH16L TK2MTH16H TK3MTH16L TK3MTH16H TK4MTH16L TK4MTH16H TKMTHS EEC 上电复位 0000 0000000 0000 0101 0101 ---0 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0010 0000 0000 0000 0000 0000 0011 0000 0000 0000 0000 0000 0000 ---- --00 --00 0000 0-00 0000 1110 0100 ---- --01 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 ---- 0000 LVR 复位 ( 正常操作 ) 0000 0000000 0000 0101 0101 ---0 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0010 0000 0000 0000 0000 0000 0011 0000 0000 0000 0000 0000 0000 ---- --00 --00 0000 0-00 0000 1110 0100 ---- --01 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 ---- 0000 WDT 溢出 ( 正常操作 ) 0000 0000000 0000 0101 0101 ---0 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0010 0000 0000 0000 0000 0000 0011 0000 0000 0000 0000 0000 0000 ---- --00 --00 0000 0-00 0000 1110 0100 ---- --01 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 ---- 0000 WDT 溢出 ( 空闲 / 休眠 ) uuuu uuuuuuu uuuu uuuu uuuu ---u uuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu ---- --uu --uu uuuu u-uu uuuu uuuu uuuu ---- --uu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu ---- uuuu 注：“u”表示不改变 “x”表示未知 “-”表示未定义 Rev.1.10 45 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 输入 / 输出端口 Holtek 单片机的输入 / 输出口控制具有很大的灵活性。大部分引脚可在用户程 序控制下被设定为输入或输出。所有引脚的上拉电阻设置以及指定引脚的唤醒 设置也都由软件控制，这些特性也使得此类单片机在广泛应用上都能符合开发 的需求。 此单片机提供 PA 双向输入 / 输出口。这些寄存器在数据存储器有特定的地址。 所有 I/O 口用于输入输出操作。作为输入操作，输入引脚无锁存功能，也就是 说输入数据必须在执行“MOV A, [m]”，T2 的上升沿准备好，m 为端口地址。 对于输出操作，所有数据都是被锁存的，且保持不变直到输出锁存被重写。 寄存器 名称 PA PAC PAPU PAWU 位 7 6 5 4 3 2 1 0 PA7 PA6 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0 PAC7 PAC6 PAC5 PAC4 PAC3 PAC2 PAC1 PAC0 PAPU7 PAPU6 PAPU5 PAPU4 PAPU3 PAPU2 PAPU1 PAPU0 PAWU7 PAWU6 PAWU5 PAWU4 PAWU3 PAWU2 PAWU1 PAWU0 I/O 逻辑功能寄存器列表 上拉电阻 许多产品应用在端口处于输入状态时需要外加一个上拉电阻来实现上拉的功 能。为了免去外部上拉电阻，当引脚规划为输入时，可由内部连接到一个上拉 电阻。这些上拉电阻可通过相应的上拉控制寄存器 PAPU 和 LVPUC 来设置， 它用一个 PMOS 晶体管来实现上拉电阻功能。寄存器 PAPU 用来决定上拉功能 是否使能，而寄存器 LVPUC 则用来选择低电源电压应用所需的上拉电阻值。 需注意的是，当 I/O 引脚设为逻辑输入或 NMOS 输出时，上拉功能才会受相应 的上拉电阻控制寄存器控制开启，其它状态下上拉功能不可用。 ● PAPU 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 PAPU7 R/W 0 6 PAPU6 R/W 0 5 PAPU5 R/W 0 4 PAPU4 R/W 0 3 PAPU3 R/W 0 2 PAPU2 R/W 0 1 PAPU1 R/W 0 0 PAPU0 R/W 0 2 — — — 1 — — — 0 LVPU R/W 0 PAPU7~PAPU0：PA7~PA0 上拉电阻控制位 0：除能 1：使能 ● LVPUC 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 — — — Bit 7~1 未定义，读为“0” Bit 0 LVPU：低电压上拉电阻控制位 0：所有引脚上拉电阻为 30kΩ @ 5V 1：所有引脚上拉电阻为 7.5kΩ @ 5V 该位用来选择低电源电压应用的上拉电阻值，当通过设置相应的上拉电阻控制 46 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 位为高来使能相应的引脚上拉功能时，LVPU 才有效，当上拉功能除能时，该位 不受影响。 PA 口唤醒 当使用暂停指令“HALT”迫使单片机进入休眠或空闲模式，单片机的系统时 钟将会停止以降低功耗，此功能对于电池及低功耗应用很重要。唤醒单片机有 很多种方法，其中之一就是使 PA 口的其中一个引脚从高电平转为低电平。这 个功能特别适合于通过外部开关来唤醒的应用。PA 口的每个引脚可以通过设置 PAWU 寄存器来单独选择是否具有唤醒功能。 需注意的是，只有当引脚功能为通用 I/O 功能且单片机处于休眠或空闲模式时， 此功能可由唤醒控制寄存器控制。 ● PAWU 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 6 5 4 3 2 1 0 PAWU7 PAWU6 PAWU5 PAWU4 PAWU3 PAWU2 PAWU1 PAWU0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 0 0 PAWU7~PAWU0：PA7~PA0 唤醒功能控制位 0：除能 1：使能 输入 / 输出端口控制寄存器 每一个输入 / 输出口都具有各自的控制寄存器，即 PAC，用来控制输入 / 输出 状态。从而每个 I/O 引脚都可以通过软件控制，动态的设置为 CMOS 输出或输 入。所有的 I/O 端口的引脚都各自对应于 I/O 端口控制的某一位。若 I/O 引脚要 实现输入功能，则对应的控制寄存器的位需要设置为“1”。这时程序指令可以 直接读取输入脚的逻辑状态。若控制寄存器相应的位被设定为“0”，则此引脚 被设置为 CMOS 输出。当引脚设置为输出状态时，程序指令读取的是输出端口 寄存器的内容。注意，如果对输出口做读取动作时，程序读取到的是内部输出 数据锁存器中的状态，而不是输出引脚上实际的逻辑状态。 ● PAC 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 PAC7 R/W 1 6 PAC6 R/W 1 5 PAC5 R/W 1 4 PAC4 R/W 1 3 PAC3 R/W 1 2 PAC2 R/W 1 1 PAC1 R/W 1 0 PAC0 R/W 1 PAC7~PAC0：PA7~PA0 引脚类型选择位 0：输出 1：输入 引脚共用功能 引脚的多功能可以增加单片机应用的灵活性。有限的引脚个数将会限制设计者， 而引脚的多功能将会解决很多此类问题。此外，这些引脚功能可以通过一系列 寄存器进行设定。 引脚共用功能选择寄存器 封装中有限的引脚个数会对某些单片机功能造成影响。然而，引脚功能共用和 引脚功能选择，使得小封装单片机具有更多不同的功能。单片机包含端口“A” Rev.1.10 47 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 输出功能选择寄存器“n”，记为 PASn，和输入功能选择寄存器，记为 IFS， 这些寄存器可以用来选择多功能共用引脚上的特定功能。 当要使用引脚上的输入功能，对应的输入和输出功能要进行合理设定。例如， 若要使用 I2C SDA 引脚，对应的输出引脚共用功能要通过寄存器 PASn 设置为 SDI/SDA 功能且需 SDA 输入源需通过 IFS 寄存器合理选择。如果要选择外部 中断功能，相关的输出引脚共用功能应选择作为 I/O 功能，且也要选择。 要注意的最重要一点是，确保所需的引脚共用功能被正确地选择和取消。对于 大部分引脚共用功能，要选择所需的引脚共用功能，首先应通过相应的引脚共 用控制寄存器正确地选择该功能，然后再配置相应的外围功能设置以使能外围 功能。但是，在设置相关引脚控制字段时，一些数字输入引脚如 INT、CTCK 等， 与对应的通用 I/O 口共用同一个引脚共用设置选项。要选择这些引脚功能，除 了上述的必要的引脚共用控制和外围功能设置外，还必须将其对应的端口控制 寄存器位设置为输入。要正确地取消引脚共用功能，首先应除能外围功能，然 后再修改相应的引脚共用控制寄存器以选择其它的共用功能。 寄存器 名称 PAS0 PAS1 IFS 位 7 PAS07 PAS17 — 6 PAS06 PAS16 — 5 PAS05 — — 4 PAS04 — — 3 PAS03 PAS13 — 2 PAS02 PAS12 — 1 PAS01 PAS11 IFS1 0 PAS00 PAS10 IFS0 1 PAS01 R/W 0 0 PAS00 R/W 0 引脚共用功能选择寄存器列表 ● PAS0 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 PAS07 R/W 0 6 PAS06 R/W 0 5 PAS05 R/W 0 4 PAS04 R/W 0 Bit 7~6 PAS07~PAS06：PA3 引脚共用功能选择 00/01/10：PA3 11：KEY3 Bit 5~4 PAS05~PAS04：PA2 引脚共用功能选择 00/01：PA2 10：CTPB 11：SDA Bit 3~2 PAS03~PAS02：PA1 引脚共用功能选择 00/01/10：PA1 11：KEY2 Bit 1~0 PAS01~PAS00：PA0 引脚共用功能选择 00/01/10：PA0/CTCK/INT 11：SCL 48 3 PAS03 R/W 0 2 PAS02 R/W 0 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● PAS1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PAS17 R/W 0 Bit 7~6 6 PAS16 R/W 0 5 — — — 4 — — — 3 PAS13 R/W 0 2 PAS12 R/W 0 1 PAS11 R/W 0 0 PAS10 R/W 0 3 — — — 2 — — — 1 IFS1 R/W 0 0 IFS0 R/W 0 PAS17~PAS16：PA7 引脚共用功能选择 00/01/10：PA7 11：CTP Bit 5~4 未定义，读为“0” Bit 3~2 PAS13~PAS12：PA5 引脚共用功能选择 00/01/10：PA5 11：KEY1 Bit 1~0 PAS11~PAS10：PA4 引脚共用功能选择 00/01/10：PA4 11：KEY4 ● IFS 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — Bit 7~2 未定义，读为“0” Bit 1 IFS1：CTCK 输入源引脚选择 0：PA6 1：PA0 Bit 0 IFS0：INT 输入源引脚选择 0：PA0 1：PA6 输入 / 输出引脚结构 下图为输入 / 输出引脚逻辑功能的内部结构图。输入 / 输出引脚的准确逻辑结构 图可能与此图不同，这里只是为了方便对 I/O 引脚逻辑功能的理解提供一个参 考。由于存在诸多的引脚共用结构，在此不方便提供所有类型引脚功能结构图。 Rev.1.10 49 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 VDD Control Bit Data Bus Write Control Register Chip Reset Read Control Register D Weak Pull-up CK Q S I/O pin Data Bit D Write Data Register Q Pull-high Register Select Q CK Q S Read Data Register System Wake-up M U X wake-up Select PA only 逻辑功能输入 / 输出端口结构 编程注意事项 在编程中，最先要考虑的是端口的初始化。复位之后，所有的输入 / 输出数据 及端口控制寄存器都将被设为逻辑高。所有输入 / 输出引脚默认为输入状态， 而其电平则取决于其它相连接电路以及是否选择了上拉电阻。如果端口控制寄 存器某些引脚位被设定输出状态，这些输出引脚会有初始高电平输出，除非 数据寄存器在程序中被预先设定。设置哪些引脚是输入及哪些引脚是输出， 可通过设置正确的值到适当的端口控制寄存器，或使用指令“SET [m].i”及 “CLR [m].i”来设定端口控制寄存器中个别的位。注意，当使用这些位控制指 令时，系统即将产生一个读 - 修改 - 写的操作。单片机需要先读入整个端口上 的数据，修改个别的位，然后重新把这些数据写入到输出端口。 PA 口的每个引脚都带唤醒功能。单片机处于休眠或空闲模式时，有很多方法可 以唤醒单片机，其中之一就是通过 PA 任一引脚电平从高到低转换的方式，可 以设置 PA 口一个或多个引脚具有唤醒功能。 Rev.1.10 50 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 定时器模块 – TM 控制和测量时间在任何单片机中都是一个很重要的部分。该单片机提供单个定 时器模块 ( 简称 TM )，来实现和时间有关的功能。该定时器模块是包括多种操 作的定时单元，提供的操作有：定时 / 事件计数器，比较匹配输出以及 PWM 输出等功能。该定时器模块有两个独立中断。其外加的输入输出引脚，扩大了 定时器的灵活性，便于用户使用。 这里只简单介绍简易型 TM 的基本特性，更多详细资料请参考简易型 TM 章节。 简介 该单片机包含一个简易型 TM 单元，即 CTM，其主要特性见下表。 功能 定时 / 计数器 比较匹配输出 PWM 通道数 PWM 对齐方式 PWM 调节周期 & 占空比 CTM √ √ 1 边沿对齐 占空比或周期 CTM 功能概要 TM 操作 简易型 TM 提供从简单的定时操作到 PWM 信号产生等多种功能。理解 TM 操 作的关键是比较 TM 内独立运行的计数器的值与内部比较器的预置值。当计数 器的值与比较器的预置值相同时，则比较匹配，TM 中断信号产生，清零计数 器并改变 TM 输出引脚的状态。用户选择内部时钟或外部引脚来驱动内部 TM 计数器。 TM 时钟源 驱动 TM 计数器的时钟源很多。通过设置 CTM 控制寄存器的 CTCK2~CTCK0 位可选择所需的时钟源。该时钟源来自系统时钟 fSYS 或内部高速时钟 fH 或 fSUB 时钟源或外部 CTCK 引脚的分频比。CTCK 引脚时钟源用于允许外部信号作为 TM 时钟源或用于事件计数。 TM 中断 简易型 TM 有两个内部中断，即内部比较器 A 和比较器 P，当发生比较匹配时 比较器将产生一个 TM 中断。中断产生时将清除计数器，并改变 TM 输出引脚 的状态。 TM 外部引脚 简易型 TM 有一个输入引脚 CTCK。CTM 输入引脚也作为 CTM 的时钟源输入 脚，通过设置 CTMC0 寄存器中的 CTCK2~CTCK0 位进行选择。外部时钟源可 通过该引脚来驱动内部 TM。CTM 输入引脚可以选择上升沿或下降沿。 简易型 TM 有两个输出引脚 CTP 和 CTPB。当 CTM 工作在比较匹配输出模式 且比较匹配发生时，这些引脚会由 TM 控制切换到高电平或低电平或翻转。外 部 CTP 和 CTPB 输出引脚也被 TM 用来产生 PWM 输出波形。 当 TM 输入和输出引脚与其它功能共用时，TM 输入和输出功能需要事先通过 相关引脚共用功能选择寄存器先被设置。更多引脚共用功能选择详见引脚共用 功能章节。 Rev.1.10 51 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 CTM 输入 CTCK 输出 CTP, CTPB CTM 外部引脚 CTCK CTM CCR output CTP CTPB CTM 功能引脚控制方框图 编程注意事项 TM 计数寄存器和捕捉 / 比较寄存器 CCRA 寄存器，含有低字节和高字节结构。 高字节可直接访问，低字节则仅能通过一个内部 8-bit 的缓存器进行访问。读写 这些成对的寄存器需通过特殊的方式。值得注意的是 8-bit 缓存器的存取数据及 相关低字节的读写操作仅在其相应的高字节读取操作执行时发生。 由于 CCRA 寄存器按照下图方式执行，具体存取这些寄存器对的方式如上所述， 建议使用“MOV”指令，通过以下步骤访问 CCRA 低字节寄存器 CTMAL。若 不采用以下步骤访问 CCRA 低字节寄存器将导致不可预期的结果。 CTM Counter Register (Read only) CTMDL CTMDH 8-bit Buffer CTMAL CTMAH CTM CCRA Register (Read/Write) Data Bus 读写流程如下步骤所示： ● 写数据至 CCRA ♦ 步骤 1. 写数据至低字节寄存器 CTMAL – 注意，此时数据仅写入 8-bit 缓存器。 ♦ 步骤 2. 写数据至高字节寄存器 CTMAH – 注意，此时数据直接写入高字节寄存器，同时锁存在 8-bit 缓存器中的数 据写入低字节寄存器。 ● 从计数器寄存器和 CCRA 中读取数据 ♦ 步骤 1. 从高字节寄存器 CTMDH 和 CTMAH 中读取数据 – 注意，此时高字节寄存器中的数据直接读取，同时由低字节寄存器读取 的数据锁存至 8-bit 缓存器中。 ♦ 步骤 2. 从低字节寄存器 CTMDL 和 CTMAL 中读取数据 – 注意，此时读取 8-bit 缓存器中的数据。 Rev.1.10 52 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 简易型 TM – CTM 简易型 TM 包括三种工作模式，即比较匹配输出、定时 / 事件计数器和 PWM 输出模式。简易型 TM 也由一个外部输入脚控制并驱动两个外部输出脚。 CCRP fSYS/4 fSYS fH/16 fH/64 fSUB fSUB 000 001 010 011 100 101 110 111 CTCK 3-bit Comparator P Comparator P Match CTMPF Interrupt CTOC b7~b9 10-bit Count-up Counter CTON CTPAU Counter Clear CTCCLR b0~b9 10-bit Comparator A 0 1 Comparator A Match Output Control Polarity Control CTM1, CTM0 CTPOL CTIO1, CTIO0 CTMAF Interrupt Pin Control CTP CTPB PASn CTCK2~CTCK0 CCRA 注：CTPB 为 CTP 的反相输出。 简易型 TM 方框图 简易型 TM 操作 简易型 TM 核心是一个由用户选择的内部或外部时钟源驱动的 10 位向上计数 器，它还包括两个内部比较器即比较器 A 和比较器 P。这两个比较器将计数器 的值与 CCRP 和 CCRA 寄存器中的值进行比较。CCRP 是 3 位的，与计数器的 高 3 位比较；而 CCRA 是 10 位的，与计数器的所有位比较。 通过应用程序改变 10 位计数器值的唯一方法是使 CTON 位发生上升沿跳变清 除计数器。此外，计数器溢出或比较匹配也会自动清除计数器。上述条件发生 时，通常情况下会产生 TM 中断信号。简易型 TM 可工作在不同的模式，可由 包括来自输入脚的不同时钟源驱动，也可以控制两个输出脚。所有工作模式的 设定都是通过设置相关内部寄存器来实现的。 简易型 TM 寄存器介绍 简易型 TM 的所有操作由一系列寄存器控制。包含一对只读寄存器用来存放 10 位计数器的值，一对读 / 写寄存器存放 10 位 CCRA 的值，剩下两个控制寄存器 设置不同的操作和控制模式以及 3 位的 CCRP 值。 寄存器 名称 CTMC0 CTMC1 CTMDL CTMDH CTMAL CTMAH 位 7 6 5 4 3 2 1 0 CTPAU CTCK2 CTCK1 CTCK0 CTON CTRP2 CTRP1 CTRP0 CTM1 CTM0 CTIO1 CTIO0 CTOC CTPOL CTDPX CTCCLR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 — — — — — — D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 — — — — — — D9 D8 10-bit 简易型 TM 寄存器列表 Rev.1.10 53 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● CTMC0 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 6 5 4 CTPAU CTCK2 CTCK1 CTCK0 R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 3 CTON R/W 0 2 CTRP2 R/W 0 1 CTRP1 R/W 0 0 CTRP0 R/W 0 Bit 7 CTPAU：CTM 计数器暂停控制位 0：运行 1：暂停 通过设置此位为高可暂停计数器。此位清零可恢复正常计数器操作。在暂停情 况下 CTM 将保持上电并继续产生功耗。当此位由低到高转换，计数器将保留其 剩余值，当其电平再变为低时从此位开始继续计数。 Bit 6~4 CTCK2~CTCK0：CTM 计数器时钟选择位 000：fSYS/4 001：fSYS 010：fH/16 011：fH/64 100：fSUB 101：fSUB 110：CTCK 上升沿时钟 111：CTCK 下降沿时钟 此三位用于选择 CTM 的时钟源。外部引脚时钟源能被选择在上升沿或下降沿有 效。fSYS 是系统时钟，fH 和 fSUB 是其它的内部时钟源，细节方面请参考振荡器章 节。 Bit 3 CTON：CTM 计数器 On/Off 控制位 0：Off 1：On 此位控制 CTM 的总开关功能。设置此位为高可使能计数器使其运行，清零此位 则除能 CTM。清零此位将停止计数器并关闭 CTM 减少功耗。当此位经由低到 高转换时，内部计数器将复位清零，当此位由高到低转换时，内部计数器将保 持其剩余值直到此位再次转变为高。 若 CTM 处于比较匹配输出模式或 PWM 输出模式，当 CTON 位经由低到高转换 时，CTM 输出脚将复位至 CTOC 位指定的初始值。 Bit 2~0 CTRP2~CTRP0：CTM CCRP 3-bit 寄存器，与 CTM 计数器 bit 9~bit 7 比较 比较器 P 匹配周期 000：1024 个 CTM 时钟 001：128 个 CTM 时钟 010：256 个 CTM 时钟 011：384 个 CTM 时钟 100：512 个 CTM 时钟 101：640 个 CTM 时钟 110：768 个 CTM 时钟 111：896 个 CTM 时钟 此三位设定内部 CCRP 3-bit 寄存器的值，然后与内部计数器的高三位进行比较。 如果 CTCCLR 位设定为 0 时，选中该比较结果清除内部计数器。CTCCLR 位设 为 0，内部计数器在比较器 P 比较匹配发生时被重置；由于 CCRP 只与计数器 高三位比较，比较结果是 128 时钟周期的倍数。CCRP 被清零时，会使得计数 器在最大值溢出。 54 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● CTMC1 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~6 Bit 5~4 Bit 3 Bit 2 Rev.1.10 7 CTM1 R/W 0 6 CTM0 R/W 0 5 CTIO1 R/W 0 4 CTIO0 R/W 0 3 CTOC R/W 0 2 1 0 CTPOL CTDPX CTCCLR R/W R/W R/W 0 0 0 CTM1~CTM0：CTM 工作模式选择位 00：比较匹配输出模式 01：未定义 10：PWM 输出模式 11：定时 / 计数器模式 这两个位为 CTM 设置所需的工作模式。为保证操作的可靠性，在此位段发生任 何改变之前需先关闭 CTM。在定时 / 计数器模式下，CTM 输出引脚状态未定义。 CTIO1~CTIO0：CTP 输出功能选择位 比较匹配输出模式 00：未改变 01：输出低 10：输出高 11：输出翻转 PWM 输出模式 00：PWM 输出无效状态 01：PWM 输出有效状态 10：PWM 输出 11：未定义 定时 / 计数器模式 未使用 这两位用于确定在达到某些条件时 CTM 输出引脚状态应如何改变。这些位的功 能选择取决于当下 CTM 的运行模式。 在比较匹配输出模式下，CTIO1 和 CTIO0 位决定当比较器 A 比较匹配输出发生 时 CTM 输出脚如何改变状态。当比较器 A 比较匹配输出发生时 CTM 输出脚能 设为切换高、切换低或翻转当前状态。若此两位同时为 0 时，输出将不会改变。 CTM 输出脚的初始值通过 CTOC 位设置取得。注意，由 CTIO1 和 CTIO0 位得 到的输出电平必须与通过 CTOC 位设置的初始值不同，否则当比较匹配发生时， CTM 输出脚将不会发生变化。在 CTM 输出脚改变状态后，通过 CTON 位由低 到高电平的转换可复位至初始值。 在 PWM 输出模式，CTIO1 和 CTIO0 用于决定比较匹配条件发生时怎样改变 CTM 输出脚的状态。PWM 输出功能通过这两位的变化进行更新。仅在 CTM 关 闭时改变 CTIO1 和 CTIO0 位的值是很有必要的。若在 CTM 运行时改变 CTIO1 和 CTIO0 的值，PWM 输出的值是无法预料的。 CTOC：CTP 输出控制位 比较匹配输出模式 0：初始低 1：初始高 PWM 输出模式 0：低有效 1：高有效 此位为 CTM 输出脚的输出控制位。它取决于 CTM 此时正运行于比较匹配输出 模式还是 PWM 输出模式。若 CTM 处于定时 / 计数器模式，则其不受影响。在 比较匹配输出模式时，比较匹配发生前其决定 CTM 输出脚的逻辑电平值。在 PWM 输出模式时，其决定 PWM 信号是高有效还是低有效。 CTPOL：CTP 输出极性控制位 0：同相 1：反相 此位控制 CTP 输出脚的极性。此位为高时 CTM 输出脚反相，为低时 CTM 输出 脚同相。若 CTM 处于定时 / 计数器模式时其不受影响。 55 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Bit 1 CTDPX：CTM PWM 周期 / 占空比控制位 0：CCRP - 周期；CCRA - 占空比 1：CCRP - 占空比；CCRA - 周期 此位决定 CCRA 与 CCRP 寄存器哪个被用于 PWM 波形的周期和占空比控制。 Bit 0 CTCCLR：选择 CTM 计数器清零条件位 0：CTM 比较器 P 匹配 1：CTM 比较器 A 匹配 此位用于选择清除计数器的方法。简易型 TM 包括两个比较器 - 比较器 A 和比 较器 P。这两个比较器每个都可以用于清除内部计数器。CTCCLR 位设为高， 计数器在比较器 A 比较匹配发生时被清除；此位设为低，计数器在比较器 P 比 较匹配发生或计数器溢出时被清除。计数器溢出清除的方法仅在 CCRP 的位都 被清除为 0 时才能生效。CTCCLR 位在 PWM 输出模式时未使用。 ● CTMDL 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 D7 R 0 6 D6 R 0 5 D5 R 0 4 D4 R 0 3 D3 R 0 2 D2 R 0 1 D1 R 0 0 D0 R 0 2 — — — 1 D9 R 0 0 D8 R 0 2 D2 R/W 0 1 D1 R/W 0 0 D0 R/W 0 2 — — — 1 D9 R/W 0 0 D8 R/W 0 D7~D0：CTM 计数器低字节寄存器 bit 7~bit 0 CTM 10-bit 计数器 bit 7~bit 0 ● CTMDH 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 — — — Bit 7~2 未定义，读为“0” Bit 1~0 D9~D8：CTM 计数器高字节寄存器 bit 1~bit 0 CTM 10-bit 计数器 bit 9~bit 8 ● CTMAL 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 D7 R/W 0 6 D6 R/W 0 5 D5 R/W 0 4 D4 R/W 0 3 D3 R/W 0 D7~D0：CTM CCRA 低字节寄存器 bit 7~bit 0 CTM 10-bit CCRA bit 7~bit 0 ● CTMAH 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 — — — Bit 7~2 未定义，读为“0” Bit 1~0 D9~D8：CTM CCRA 高字节寄存器 bit 1~bit 0 CTM 10-bit CCRA bit 9~bit 8 56 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 简易型 TM 工作模式 简易型 TM 有三种工作模式，即比较匹配输出模式、PWM 输出模式或定时 / 计 数器模式。通过设置 CTMC1 寄存器的 CTM1 和 CTM0 位选择任意工作模式。 比较匹配输出模式 要工作在此模式，CTMC1 寄存器中的 CTM1 和 CTM0 位需要设置为“00”。 当工作在该模式，一旦计数器使能并开始计数，有三种方法来清零，分别是： 计数器溢出，比较器 A 比较匹配发生和比较器 P 比较匹配发生。当 CTCCLR 位为低，有两种方法清除计数器。一种是比较器 P 比较匹配发生，另一种是 CCRP 所有位设置为零并使得计数器溢出。此时，比较器 A 和比较器 P 的请求 标志位 CTMAF 和 CTMPF 将分别置起。 如果 CTMC1 寄存器的 CTCCLR 位设置为高，当比较器 A 比较匹配发生时计数 器被清零。此时，即使 CCRP 寄存器的值小于 CCRA 寄存器的值，仅 CTMAF 中断请求标志产生。所以当 CTCCLR 为高时，不产生 CTMPF 中断请求标志。 如果 CCRA 被清零，当计数达到最大值 3FFH 时，计数器溢出，而此时不产生 CTMAF 请求标志。 正如该模式名所言，当比较匹配发生后，CTM 输出脚状态改变。当比较器 A 比较匹配发生后 CTMAF 标志产生时，CTM 输出脚状态改变。比较器 P 比较匹 配发生时产生的 CTMPF 标志不影响 CTM 输出脚。CTM 输出脚状态改变方式 由 CTMC1 寄存器中 CTIO1 和 CTIO0 位决定。当比较器 A 比较匹配发生时， CTIO1 和 CTIO0 位决定 CTM 输出脚输出高，低或翻转当前状态。CTM 输出 脚初始值，在 CTON 位由低到高电平的变化后通过 CTOC 位设置。注意，若 CTIO1 和 CTIO0 位同时为 0 时，引脚输出不变。 Rev.1.10 57 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Counter overflow Counter Value CCRP > 0 Counter cleared by CCRP value CCRP=0 0x3FF CCRP > 0 CTCCLR = 0; CTM [1:0] = 00 Counter Restart Resume CCRP Pause CCRA Stop Time CTON CTPAU CTPOL CCRP Int. flag CTMPF CCRA Int. flag CTMAF CTM O/P Pin Output pin set to initial Level Low if CTOC=0 Output not affected by CTMAF flag. Remains High until reset by CTON bit Output Toggle with CTMAF flag Here CTIO [1:0] = 11 Toggle Output select Note CTIO [1:0] = 10 Active High Output select Output Inverts when CTPOL is high Output Pin Reset to Initial value Output controlled by other pin-shared function 比较匹配输出模式 – CTCCLR=0 注：1. CTCCLR=0 时，比较器 P 匹配将清除计数器 2. CTM 输出引脚仅由 CTMAF 标志位控制 3. 输出引脚通过 CTON 位上升沿复位为初始值 Rev.1.10 58 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Counter Value CTCCLR = 1; CTM [1:0] = 00 CCRA = 0 Counter overflow CCRA > 0 Counter cleared by CCRA value 0x3FF CCRA=0 Resume CCRA Pause Stop Counter Restart CCRP Time CTON CTPAU CTPOL No CTMAF flag generated on CCRA overflow CCRA Int. flag CTMAF CCRP Int. flag CTMPF CTM O/P Pin CTMPF not generated Output pin set to initial Level Low if CTOC=0 Output does not change Output not affected by CTMAF flag. Remains High until reset by CTON bit Output Toggle with CTMAF flag Here CTIO [1:0] = 11 Toggle Output select Note CTIO [1:0] = 10 Active High Output select Output Inverts when CTPOL is high Output Pin Reset to Initial value Output controlled by other pin-shared function 比较匹配输出模式 – CTCCLR=1 注：1. CTCCLR=1 时，比较器 A 匹配将清除计数器 2. CTM 输出引脚控制仅由 CTMAF 标志位控制 3. 输出引脚通过 CTON 上升沿复位至初始值 4. 当 CTCCLR=1 时不产生 CTMPF 标志位 Rev.1.10 59 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 定时 / 计数器模式 要工作在此模式，CTMC1 寄存器中的 CTM1 和 CTM0 位需要设置为“11”。 定时 / 计数器模式与比较输出模式操作方式相同，并产生同样的中断请求标志。 不同的是，在定时 / 计数器模式下 CTM 输出脚未使用。因此，比较匹配输出模 式中的描述和时序图可以帮助理解此功能。该模式中未使用的 CTM 输出脚用 作普通 I/O 脚或其它功能。 PWM 输出模式 要工作在此模式，CTMC1 寄存器中的 CTM1 和 CTM0 位需要设置为“10”。 TM 的 PWM 功能在马达控制，加热控制，照明控制等方面十分有用。给 TM 输出脚提供一个频率固定但占空比可调的信号，将产生一个有效值等于 DC 均 方根的 AC 方波。 由于 PWM 波形的周期和占空比可控，其波形的选择就较为灵活。在 PWM 输 出模式中，CTCCLR 位不影响 PWM 操作。CCRA 和 CCRP 寄存器决定 PWM 波形，一个用来清除内部计数器并控制 PWM 波形的频率，另一个用来控制占 空比。哪个寄存器控制频率或占空比取决于 CTMC1 寄存器的 CTDPX 位。所 以 PWM 波形频率和占空比由 CCRA 和 CCRP 寄存器共同决定。 当比较器 A 或比较器 P 比较匹配发生时，将产生 CCRA 或 CCRP 中断标志。 CTMC1 寄存器中的 CTOC 位决定 PWM 波形的极性，CTIO1 和 CTIO0 位使能 PWM 输出或将 CTM 输出脚置为逻辑高或逻辑低。CTPOL 位对 PWM 输出波 形的极性取反。 ● 10-bit CTM，PWM 输出模式，边沿对齐模式，CTDPX=0 CCRP Period Duty 001b 128 010b 256 011b 384 100b 101b 512 640 CCRA 110b 768 111b 896 000b 1024 若 fSYS=16MHz，CTM 时钟源选择 fSYS/4，CCRP=100b，CCRA=128， CTM PWM 输出频率 = (fSYS/4)/512=fSYS/2048=8kHz，duty=128/512=25%。 若由 CCRA 寄存器定义的 Duty 值等于或大于 Period 值，PWM 输出占空比为 100%。 ● 10-bit CTM，PWM 输出模式，边沿对齐模式，CTDPX=1 CCRP Period Duty 001b 010b 011b 128 256 384 100b 101b CCRA 512 640 110b 111b 000b 768 896 1024 PWM 的输出周期由 CCRA 寄存器的值与 CTM 的时钟共同决定，PWM 的占空 比由 CCRP 寄存器的值决定。 Rev.1.10 60 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Counter Value CTDPX = 0; CTM [1:0] = 10 Counter cleared by CCRP Counter Reset when CTON returns high CCRP Pause Resume Counter Stop if CTON bit low CCRA Time CTON CTPAU CTPOL CCRA Int. flag CTMAF CCRP Int. flag CTMPF CTM O/P Pin (CTOC=1) CTM O/P Pin (CTOC=0) PWM resumes operation Output controlled by other pin-shared function Output Inverts when CTPOL = 1 PWM Period set by CCRP PWM Duty Cycle set by CCRA PWM 输出模式 – CTDPX=0 注：1. 这里的 CTDPX=0 – 计数器由 CCRP 清除 2. 计数器清除设置 PWM 周期 3. 即使在 CTIO[1:0]=00 或 01 时，内部 PWM 功能继续运行 4. CTCCLR 位对 PWM 操作没有影响 Rev.1.10 61 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Counter Value CTDPX = 1; CTM [1:0] = 10 Counter cleared by CCRA Counter Reset when CTON returns high CCRA Pause Resume Counter Stop if CTON bit low CCRP Time CTON CTPAU CTPOL CCRP Int. flag CTMPF CCRA Int. flag CTMAF CTM O/P Pin (CTOC=1) CTM O/P Pin (CTOC=0) PWM Duty Cycle set by CCRP PWM resumes Output controlled by other operation pin-shared function Output Inverts when CTPOL = 1 PWM Period set by CCRA PWM 输出模式 – CTDPX=1 注：1. 这里的 CTDPX=1 – 计数器由 CCRA 清除 2. 计数器清除设置 PWM 周期 3. 即使在 CTIO[1:0]=00 或 01 时，内部 PWM 功能继续运行 4. CTCCLR 位对 PWM 操作无影响 Rev.1.10 62 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 触控按键功能 该单片机提供多个触控按键功能。该触控按键功能完全内部集成不需外接元件， 通过内部寄存器对其进行简单的操作。 触控按键结构 触控按键引脚与 I/O 引脚共用。通过对应的引脚共用功能控制寄存器的位来选 择此功能。按键被分成一个组，称为一个模块。该模块为独立的一组包含四个 触控按键且每个按键有各自的振荡器。该模块具有单独的控制逻辑电路和配套 的寄存器系列。 按键总数 4 触控按键 KEY1~KEY4 共用 I/O 引脚 PA5, PA1, PA3, PA4 触控按键结构 KEY1 KEY2 Key OSC KEY4 TKTH TKM16DH / TKM16DL (To Data Memory Bank 5) Key OSC Filter Multifrequency MFILEN MDFEN MUX KEY3 Upper/Lower Threshold Comparator MKTHS fCFTMCK 16-bit C/F Counter TKCFOV Key OSC Key OSC TKMC2 TKMROH / TKMROL (From Data Memory Bank 6) MFILEN MTSS fSYS/4 Reference Oscillator Filter 16-bit C/F Counter Value (Bank 5) TKTMR M U X 8-bit Time Slot Counter TKTMR 5-bit Unit Period Counter 8-bit Time Slot Counter Preload Register Overflow fSYS fSYS/2 fSYS/4 fSYS/8 Reference Osc. Capacitor Value (Bank 6) Touch Key Data Memory TKRCOV M U X 16-bit Counter TK16OV TK16DH / TK16DL TK16S1~TK16S0 注：1. 虚线中的结构适用于具有四个触控按键的触控按键模块。 2. 当 MTSS=0 和 MROEN=1，或当 MTSS=1，触控按键功能 16-bit 计数器可以正常地工作。 触控按键功能方框图 Rev.1.10 63 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 触控按键寄存器定义 触控按键模块包含 4 个触控按键功能，且都有其配套的寄存器。以下表格显示 了触控按键模块的寄存器系列。 寄存器名称 TKTMR TKC0 TKC1 TKC2 TK16DL TK16DH TKM16DL TKM16DH TKMROL TKMROH TKMC0 TKMC1 TKMC2 TK1MTH16L TK1MTH16H TK2MTH16L TK2MTH16H TK3MTH16L TK3MTH16H TK4MTH16L TK4MTH16H TKMTHS 说明 触控按键时隙 8-bit 计数器预载寄存器 触控按键功能控制寄存器 0 触控按键功能控制寄存器 1 触控按键功能控制寄存器 2 触控按键功能 16-bit 计数器低字节 触控按键功能 16-bit 计数器高字节 触控按键模块 16-bit C/F 计数器低字节 触控按键模块 16-bit C/F 计数器高字节 触控按键模块参考振荡器电容选择低字节 触控按键模块参考振荡器电容选择高字节 触控按键模块控制寄存器 0 触控按键模块控制寄存器 1 触控按键模块控制寄存器 2 触控按键模块 KEY1 16-bit 阈值低字节 触控按键模块 KEY1 16-bit 阈值高字节 触控按键模块 KEY2 16-bit 阈值低字节 触控按键模块 KEY2 16-bit 阈值高字节 触控按键模块 KEY3 16-bit 阈值低字节 触控按键模块 KEY3 16-bit 阈值高字节 触控按键模块 KEY4 16-bit 阈值低字节 触控按键模块 KEY4 16-bit 阈值高字节 触控按键模块阈值比较标志位 触控按键功能寄存器定义 Rev.1.10 64 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 位 寄存器名称 7 6 TKTMR D7 D6 TKC0 TKRAMC TKRCOV TKC1 D7 D6 TKC2 — — TK16DL D7 D6 TK16DH D15 D14 TKM16DL D7 D6 TKM16DH D15 D14 TKMROL D7 D6 TKMROH — — TKMC0 — — TKMC1 MTSS — TKMC2 MSK31 MSK30 TK1MTH16L D7 D6 TK1MTH16H D15 D14 TK2MTH16L D7 D6 TK2MTH16H D15 D14 TK3MTH16L D7 D6 TK3MTH16H D15 D14 TK4MTH16L D7 D6 TK4MTH16H D15 D14 TKMTHS MK4THF MK3THF 5 D5 TKST D5 — D5 D13 D5 D13 D5 — MDFEN MROEN MSK21 D5 D13 D5 D13 D5 D13 D5 D13 MK2THF 4 D4 TKCFOV D4 — D4 D12 D4 D12 D4 — MFILEN MKOEN MSK20 D4 D12 D4 D12 D4 D12 D4 D12 MK1THF 3 2 1 0 D3 D2 D1 D0 TK16OV TKMOD1 TKMOD0 TKBUSY TK16S1 TK16S0 TKFS1 TKFS0 — — ASMP1 ASMP0 D3 D2 D1 D0 D11 D10 D9 D8 D3 D2 D1 D0 D11 D10 D9 D8 D3 D2 D1 D0 — — D9 D8 MSOFC MSOF2 MSOF1 MSOF0 MK4EN MK3EN MK2EN MK1EN MSK11 MSK10 MSK01 MSK00 D3 D2 D1 D0 D11 D10 D9 D8 D3 D2 D1 D0 D11 D10 D9 D8 D3 D2 D1 D0 D11 D10 D9 D8 D3 D2 D1 D0 D11 D10 D9 D8 MK4THS MK3THS MK2THS MK1THS 触控按键功能寄存器列表 ● TKTMR 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 Rev.1.10 7 D7 R/W 0 6 D6 R/W 0 5 D5 R/W 0 4 D4 R/W 0 3 D3 R/W 0 2 D2 R/W 0 1 D1 R/W 0 0 D0 R/W 0 D7~D0：触控按键时隙 8-bit 计数器预载寄存器 触控按键时隙计数器预载寄存器用于确定触控按键时隙溢出时间。时隙单元周 期为 32 个时隙时钟周期，通过一个 5-bit 计数器获得。因此，时隙计数器溢出 时间可由下面的等式算出。 时隙计数器溢出时间 = (256-TKTMR[7:0])×32tTSC，此处的 tTSC 为时隙计数器时 钟周期。 65 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● TKC0 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 6 TKRAMC TKRCOV R/W R/W 0 0 5 TKST R/W 0 4 3 2 1 0 TKCFOV TK16OV TKMOD1 TKMOD0 TKBUSY R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 1 0 Bit 7 TKRAMC：触控按键 RAM 存取控制位 0：由 MCU 读 / 写 1：由触控按键模块读 / 写 该位用于控制触控按键模块 RAM 是由 MCU 还是触控按键模块使用。但若触控 按键模块工作在自动扫描模式或周期性自动扫描模式 ( 当 TKMOD1~TKMOD0 位为 00，10 或 11 时，TKST 位由 0 转为 1 可进入自动扫描模式或周期性自动扫 描模式 )，由触控按键模块可优先存取 RAM 内容。当结束自动扫描或周期性自 动扫描后 ( 例如 TKBUSY 位状态由 1 转为 0 )，触控按键模块 RAM 存取才可通 过 TKRAMC 位控制。因此建议当触控按键模块工作在自动扫描模式或周期性 自动扫描模式时，将 TKRAMC 位置为“1”。否则，若选择 MCU 存取 RAM， 在自动扫描或周期性自动扫描阶段，触控按键的 RAM 内容可能会被改动。 Bit 6 TKRCOV：触控按键时隙计数器溢出标志位 0：无溢出 1：溢出 此位可通过应用程序读 / 写。当触控按键时隙计数器溢出将此位置为“1”时， 相应的触控按键 TKRCOV 中断请求标志位也会同时置位。然而若是通过应用程 序将此位设置为“1”时，相应的触控按键 TKRCOV 中断请求标志位不会受到 影响。因此，该位不能通过应用程序置位，但必须通过应用程序清零。 在自动扫描模式时，如果时隙计数器溢出，但自动扫描还未完成，TKRCOV 位 将不会被置位，同时触控按键模块 16 位 C/F 计数器、触控按键功能 16 位计数器、 5 位时隙单位周期计数器将会自动清零，但 8 位时隙定时计数器将会从 8 位时隙 定时计数器预置寄存器 ( TKTMR 寄存器 ) 重新加载数据。当自动扫描工作结束， TKRCOV 位及触控按键 TKRCOV 中断请求标志位 TKRCOVF 将被置位同时所 有模块按键振荡器和参考振荡器自动停止。触控按键模块的 16 位 C/F 计数器、 触控按键功能 16 位计数器、5 位时隙单位周期计数器和 8 位时隙定时计数器都 会自动关闭。 在周期性自动扫描模式时，在自动扫描工作周期内，TKRCOV 位将被清零。仅 在 WDT 溢出周期内的最后一次扫描结束时，16 位 C/F 计数器内容将被写入相 应的触控按键 RAM，TKRCOV 位将被硬件电路置高。除了以上提到的，该模 式下的其它动作和自动扫描模式一样。 在手动扫描模式时，如果时隙计数器溢出，TKRCOV 位及触控按键 TKRCOV 中断请求标志位 TKRCOVF 将被置位同时所有模块按键振荡器和参考振荡器自 动停止。触控按键模块的 16 位 C/F 计数器、触控按键功能 16 位计数器、5 位时 隙单位周期计数器和 8 位时隙定时计数器也都会自动关闭。 Bit 5 TKST：触控按键检测开启控制位 0：检测停止或无操作 0→1：启动检测 当该位为“0”时，触控按键模块的 16 位 C/F 计数器、触控按键功能 16 位计数 器和 5 位时隙单位周期计数器会自动清零但 8 位可编程时隙定时计数器不会被 清零。当该位由 0→1 时，16 位 C/F 计数器、触控按键功能 16 位计数器、5 位 时隙单位周期计数器和 8 位时隙定时计数器都会自动开启，并使能按键振荡器 和参考振荡器以驱动相应的计数器。 Bit 4 TKCFOV：触控按键模块 16 位 C/F 计数器溢出标志位 0：无溢出 1：溢出 该位由触控按键模块 16 位 C/F 计数器溢出置位，必须通过应用程序清零。 66 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Bit 3 TK16OV：触控按键功能 16 位计数器溢出标志位 0：无溢出 1：溢出 该位由触控按键功能 16 位计数器溢出置位，必须通过应用程序清零。 Bit 2~1 TKMOD1~TKMOD0：触控按键扫描模式选择位 00：自动扫描模式 01：手动扫描模式 1x：周期性自动扫描模式 在手动扫描模式时，应在扫描开始之前，合理的设置参考振荡器电容值，并在 扫描结束后通过应用程序读取触控按键模块 16 位 C/F 计数器值。 在自动扫描模式时，上面所说的数据的读取或写入是通过硬件完成。有一 个专用的触控按键模块数据存储区可存放所有被扫描按键的参考振荡器电 容 值 及 16 位 C/F 计 数 器 值。 自 动 扫 描 按 键 的 顺 序 是 由 TKMC2 寄 存 器 的 MSK3[1:0]~MSK0[1:0] 位设置。直至扫描完所有计划扫描的按键后，自动扫描 工作才会停止。 在周期性自动扫描模式时，触控按键扫描工作将自动周期性地进行，可由寄 存器 TKC2 的 ASMP1~ASMP0 位决定。仅在 WDT 溢出周期内的最后一次扫 描结束时，16 位 C/F 计数器内容将被写入相应的触控按键 RAM。另外，当 MKnTHS 位为 0 时，任何一个按键 C/F 计数器值小于下限阈值，或 MKnTHS 为 1 时，任何一个按键 C/F 计数器值大于上限阈值，TKTH 信号都将被置高。除了 以上提到的，该模式下的其它动作和自动扫描模式一样。 Bit 0 TKBUSY：触控按键扫描忙碌标志位 0：空闲 – 没有在执行按键扫描或按键扫描已完成 1：忙碌 – 正在扫描中 该位用于指示触控按键扫描工作是否在执行中。当 TKST 位置高启动扫描工作， 该位被置“1”。 在手动扫描模式中，当触控时隙计数器溢出时，该位会自动清零。在自动扫描 模式中，当触控按键扫描工作完成时，该位也会自动清零。在周期性自动扫描 模式时，若在 WDT 溢出周期内完成最后一次扫描工作，或当 MKnTHS 位为 0， 任何一个按键 C/F 计数器值小于下限阈值时，或当 MKnTHS 为 1，任何一个按 键 C/F 计数器值大于上限阈值时，这些情况下，该位都会被清零。 ● TKC1 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 D7 R/W 0 6 D6 R/W 0 5 D5 R/W 0 4 D4 R/W 0 3 2 1 TK16S1 TK16S0 TKFS1 R/W R/W R/W 0 0 1 Bit 7~5 D7~D5：测试数据位 这些位仅供内部测试使用，正常工作时，要保持 D7~D5 为“000”。 Bit 4 D4：保留位，不可被用。 Bit 3~2 TK16S1~TK16S0：触控按键功能 16 位计数器时钟选择位 00：fSYS 01：fSYS/2 10：fSYS/4 11：fSYS/8 Bit 1~0 TKFS1~TKFS0：触控按键振荡器和参考振荡器频率选择位 00：1MHz 01：3MHz 10：7MHz 11：11MHz 67 0 TKFS0 R/W 1 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● TKC2 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 — — — 2 — — — 1 0 ASMP1 ASMP0 R/W R/W 0 1 Bit 7~2 未定义，读为“0” Bit 1~0 ASMP1~ASMP0：周期性自动扫描模式周期选择位 00：214/fLIRC 01：213/fLIRC 10：212/fLIRC 11：211/fLIRC 这些位用来决定触控按键扫描周期，仅当触控按键功能被配置为工作在周期性 自动扫描模式时有效。触控按键扫描次数可通过 WDT 溢出周期得到，周期性 自动扫描模式周期 tKEY 可通过等式 N=tWDT/tKEY 得到。 例如：若将 WS[2:0] 位设为 100，选择 WDT 溢出周期为 215/fLIRC，tWDT 等于 1.024s。 因此，在一个 WDT 溢出周期内，当 ASMP[1:0] 位分别设为 00/01/10/11 时，触 控按键扫描次数为 2/4/8/16 次。在应用上确保周期性自动扫描模式周期 tKEY 不 会超过 WDT 溢出周期 tWDT 是非常重要的。 ● TK16DL 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 D7 R 0 6 D6 R 0 5 D5 R 0 4 D4 R 0 3 D3 R 0 2 D2 R 0 1 D1 R 0 0 D0 R 0 2 D10 R 0 1 D9 R 0 0 D8 R 0 D7~D0：触控按键功能 16-bit 计数器低字节内容 ● TK16DH 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 D15 R 0 6 D14 R 0 5 D13 R 0 4 D12 R 0 3 D11 R 0 D15~D8：触控按键功能 16-bit 计数器高字节内容 该寄存器对用于存储触控按键功能 16-bit 计数器值。该 16-bit 计数器用于校准参 考振荡器或按键振荡器频率。如果触控按键时隙计数器溢出，此 16-bit 计数器 将停止，但不会改变当前值。在自动扫描模式或周期性自动扫描模式时，时隙 0、 时隙 1 和时隙 2 扫描结束时，该 16-bit 计数器值会被清零，但在时隙 3 结束时， 该 16-bit 计数器值不会改变。当 TKST 位为“0”时，该寄存器对被清零。 ● TKM16DL 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 Rev.1.10 7 D7 R 0 6 D6 R 0 5 D5 R 0 4 D4 R 0 3 D3 R 0 2 D2 R 0 1 D1 R 0 0 D0 R 0 D7~D0：触控按键模块 16-bit C/F 计数器低字节内容 68 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● TKM16DH 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 D15 R 0 6 D14 R 0 5 D13 R 0 4 D12 R 0 3 D11 R 0 2 D10 R 0 1 D9 R 0 0 D8 R 0 D15~D8：触控按键模块 16-bit C/F 计数器高字节内容 该寄存器对用于存储触控按键模块 16-bit C/F 计数器值。在手动扫描模式时，如 果触控按键时隙计数器溢出，该 16-bit C/F 计数器将停止，但不会改变当前值。 在自动扫描模式或周期性自动扫描模式时，时隙 0、时隙 1 和时隙 2 扫描结束时， 该 16-bit C/F 计数器值会被清零，但在时隙 3 结束时，16-bit C/F 计数器值不会 改变。当 TKST 位为“0”时，该寄存器对被清零。 ● TKMROL 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 D7 R/W 0 6 D6 R/W 0 5 D5 R/W 0 4 D4 R/W 0 3 D3 R/W 0 2 D2 R/W 0 1 D1 R/W 0 0 D0 R/W 0 2 — — — 1 D9 R/W 0 0 D8 R/W 0 D7~D0：触控按键模块参考振荡器内部电容选择 ● TKMROH 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 — — — Bit 7~2 未定义，读为“0” Bit 1~0 D9~D8：触控按键模块参考振荡器内部电容选择 该寄存器对用于存储触控按键模块参考振荡器电容值。在自动扫描模式或周期 性自动扫描模式时，当前时隙扫描结束后，此寄存器会从专用的触控按键模块 数据存储区加载下一时隙要扫描按键对应的参考振荡器电容值。 参考振荡器内接电容值 = (TKMRO[9:0]×50pF)/1024。 ● TKMC0 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 — — — 6 — — — 5 4 3 2 1 0 MDFEN MFILEN MSOFC MSOF2 MSOF1 MSOF0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 Bit 7~6 未定义，读为“0” Bit 5 MDFEN：触控按键模块倍频功能控制位 0：除能 1：使能 此位用于控制触控按键振荡器频率的倍频功能。当此位置“1”，按键振荡器频 率将为原来的倍频。 Bit 4 MFILEN：触控按键模块过滤功能控制 0：除能 1：使能 69 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Bit 3 MSOFC：触控按键模块 C/F 振荡器跳频功能选择位 0：软件处理跳频功能，由 MSOF2~MSOF0 位决定 1：硬件处理跳频功能，MSOF2~MSOF0 位无作用 该位用来选择触控按键振荡器跳频功能控制方式，当此位置 1，按键振荡器跳频 功能由硬件电路控制，而不受 MSOF2~MSOF0 位影响。 Bit 2~0 MSOF2~MSOF0：触控按键模块参考和按键振荡器跳频选择位 000：1.125MHz 001：1.111MHz 010：1.099MHz 011：1.085MHz 100：1.074MHz 101：1.059MHz 110：1.040MHz 111：1.020MHz 这些位用于为跳频功能选择触控按键振荡器频率。应注意的是这些位仅在 MSOFC 位清零时有效。 上述频率会随着外部或内部电容值的不同而变化。若触控按键振荡器频率选择 1MHz，用户选择其它频率时，可依此比例调整。 ● TKMC1 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 MTSS R/W 0 6 — — — 5 4 3 2 1 0 MROEN MKOEN MK4EN MK3EN MK2EN MK1EN R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 Bit 7 MTSS：触控按键模块时隙计数器时钟源选择位 0：触控按键模块参考振荡器 1：fSYS/4 Bit 6 未定义，读为“0” Bit 5 MROEN：触控按键模块参考振荡器使能控制位 0：除能 1：使能 该位用于使能触控按键模块参考振荡器。在自动扫描模式或周期性自动扫描模 式时，若选择使用参考振荡器作为时隙时钟源，当 TKST 位由低到高变化时， 必须通过将 MROEN 位置高使能参考振荡器。MTSS 位和 MK4EN~MK1EN 位 共同决定了参考振荡器是否被用。当 TKBUSY 位从高变为低时，MROEN 位将 被自动清零来除能参考振荡器。 在手动扫描时，若选择使用参考振荡器，在将 TKST 位设置为低到高前，必须 先使能参考振荡器，当 TKBUSY 位从高变为低时，参考振荡器将除能。 Bit 4 MKOEN：触控按键模块按键振荡器使能控制位 0：除能 1：使能 该位用于使能触控按键模块按键振荡器。在自动扫描模式或周期性自动扫描模 式时，当 TKST 位由低到高变化时，必须通过将 MKOEN 位置高使能按键振荡 器。当 TKBUSY 位由高到低变化时，MKOEN 位将被自动清零来除能按键振荡 器。 在手动扫描模式时，若使能相应的按键进行扫描时，在将 TKST 位设置为低到 高前，必须先使能按键振荡器。当 TKBUSY 位从高变为低时，参考振荡器将除 能。 Bit 3 MK4EN：触控按键模块 KEY 4 使能控制 0：除能 1：使能 70 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Bit 2 MK3EN：触控按键模块 KEY 3 使能控制 0：除能 1：使能 Bit 1 MK2EN：触控按键模块 KEY 2 使能控制 0：除能 1：使能 Bit 0 MK1EN：触控按键模块 KEY 1 使能控制 0：除能 1：使能 ● TKMC2 寄存器 Bit Name R/W POR 7 6 5 4 3 2 1 0 MSK31 MSK30 MSK21 MSK20 MSK11 MSK10 MSK01 MSK00 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 1 1 1 0 0 1 0 0 Bit 7~6 MSK31~MSK30：触控按键模块时隙 3 扫描按键选择位 00：KEY1 01：KEY2 10：KEY3 11：KEY4 这两位用于选择在时隙 3 时要被扫描的按键，仅在自动扫描模式或周期性自动 扫描模式时有效。 Bit 5~4 MSK21~MSK20：触控按键模块时隙 2 扫描按键选择位 00：KEY1 01：KEY2 10：KEY3 11：KEY4 这两位用于选择在时隙 2 时要被扫描的按键，仅在自动扫描模式或周期性自动 扫描模式时有效。 Bit 3~2 MSK11~MSK10：触控按键模块时隙 1 扫描按键选择位 00：KEY1 01：KEY2 10：KEY3 11：KEY4 这两位用于选择在时隙 1 时要被扫描的按键，仅在自动扫描模式或周期性自动 扫描模式时有效。 Bit 1~0 MSK01~MSK00：触控按键模块时隙 0 扫描按键选择位 00：KEY1 01：KEY2 10：KEY3 11：KEY4 这两位用于选择在自动扫描模式或周期性自动扫描模式下时隙 0 时要被扫描的 按键或在手动模式时选择要扫描的按键。 ● TKnMTH16L 寄存器 (n=1~4) Bit Name R/W POR Bit 7~0 Rev.1.10 7 D7 R/W 0 6 D6 R/W 0 5 D5 R/W 0 4 D4 R/W 0 3 D3 R/W 0 2 D2 R/W 0 1 D1 R/W 0 0 D0 R/W 0 D7~D0：触控按键模块 KEYn 16-bit 阈值低字节内容 71 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● TKnMTH16H 寄存器 (n=1~4) Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 D15 R/W 0 6 D14 R/W 0 5 D13 R/W 0 4 D12 R/W 0 3 D11 R/W 0 2 D10 R/W 0 1 D9 R/W 0 0 D8 R/W 0 D15~D8：触控按键模块 KEYn 16-bit 阈值高字节内容 这四个寄存器对分别用来存储触控按键模块 KEY1~KEY4 16-bit 上限 / 下限阈 值。当触控按键模块 KEYn 完成扫描工作后，16-bit C/F 计数器内容 TKM16DH/ TKM16DL 将 和 TKnMTH16H/TKnMTH16L 值 将 通 过 硬 件 进 行 比 较。 当 MKnTHS=0， 该 值 小 于 下 限 阈 值 时 或 当 MKnTHS=1， 该 值 大 于 上 限 阈 值， MKnTHF 标志位将置高，中断信号将产生。 ● TKMTHS 寄存器 Bit Name R/W POR 7 6 5 4 3 2 1 0 MK4THF MK3THF MK2THF MK1THF MK4THS MK3THS MK2THS MK1THS R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7 MK4THF：触控按键模块 KEY4 上限 / 下限阈值比较标志位 0：不小于下限阈值或不大于上限阈值 1：小于下限阈值或大于上限阈值 Bit 6 MK3THF：触控按键模块 KEY3 上限 / 下限阈值比较标志位 0：不小于下限阈值或不大于上限阈值 1：小于下限阈值或大于上限阈值 Bit 5 MK2THF：触控按键模块 KEY2 上限 / 下限阈值比较标志位 0：不小于下限阈值或不大于上限阈值 1：小于下限阈值或大于上限阈值 Bit 4 MK1THF：触控按键模块 KEY1 上限 / 下限阈值比较标志位 0：不小于下限阈值或不大于上限阈值 1：小于下限阈值或大于上限阈值 Bit 3 MK4THS：触控按键模块 KEY4 上限 / 下限阈值比较选择位 0：下限阈值比较 1：上限阈值比较 Bit 2 MK3THS：触控按键模块 KEY3 上限 / 下限阈值比较选择位 0：下限阈值比较 1：上限阈值比较 Bit 1 MK2THS：触控按键模块 KEY2 上限 / 下限阈值比较选择位 0：下限阈值比较 1：上限阈值比较 Bit 0 MK1THS：触控按键模块 KEY1 上限 / 下限阈值比较选择位 0：下限阈值比较 1：上限阈值比较 触控按键操作 手指接近或接触到触控面板时，面板的电容量会增大，电容量的变化会轻微改 变内部感应振荡器的频率，通过测量频率的变化可以感知触控动作。参考时钟 通过内部可编程分频器能够产生一个固定的时间周期。在这个时间周期内，通 过在此固定时间周期内对感应振荡器产生的时钟周期计数，可确定触控按键的 动作。 Rev.1.10 72 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 TKST MKOEN MROEN Cleared by hardware KEY OSC CLK Reference OSC CLK fCFTMCK Enable fCFTMCK (MDFEN=0) fCFTMCK (MDFEN=1) TKBUSY TKRCOV Set Touch Key TKRCOV interrupt request flag 触控按键手动扫描模式时序图 触控按键模块包含四个与 I/O 引脚共用的触控按键 KEY1~KEY4。通过相关的 引脚共用功能控制寄存器位可选择触控按键引脚功能。触控按键具有独立的感 应振荡器，因此触控按键模块包含四个感应振荡器。 在参考时钟固定的时间间隔内，感应振荡器产生的时钟周期数是可以测量的。 测到的周期数可以用于判断触控动作是否有效发生。在手动扫描模式时，在此 固定的时间间隔最后，会产生一个触控按键 TKRCOV 中断信号。 当 TKST 位被清零时，触控按键模块的 16 位 C/F 计数器、16 位计数器和 5 位 时隙单位周期计数器会自动清零，而 8 位可编程时隙计数器不清零，由用户设 置溢出时间。当 TKST 位置高时，16 位 C/F 计数器、16 位计数器、5 位时隙单 位周期计数器和 8 位时隙定时计数器会自动开启。 如果时隙计数器溢出，触控按键模块的按键振荡器和参考振荡器都会自动停止 且 16 位 C/F 计数器、16 位计数器、5 位时隙单位周期计数器和 8 位时隙定时计 数器会自动停止。时隙计数器时钟源可通过 TKMC1 寄存器 MTSS 位选择来自 参考振荡器或 fSYS/4。通过设置 TKMC1 寄存器中的 MROEN 位和 MKOEN 为 “1”，可使能参考振荡器和按键振荡器。 当触控按键模块的时隙计数器溢出，产生触控按键 TKRCOV 中断。这里所有 的触控按键是指已使能的触控按键。 Rev.1.10 73 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 自动扫描模式 触控按键功能包含三种按键扫描模式，即自动扫描模式、周期性自动扫描和 手 动 扫 描 模 式， 可 通 过 寄 存 器 TKC0 的 TKMOD1~TKMOD0 位 选 择。 自 动 扫描模式可以最大程度的减少程序负担并能提高按键扫描执行效率。设置 TKMOD1~TKMOD0 位为 00 可选择自动扫描模式，在此模式下以指定顺序自 动扫描模块按键。扫描顺序及按键由 TKMC2 寄存器的 MSK3[1:0]~MSK0[1:0] 位决定。 Key Auto Scan Cycle TKST Time slot 0 Touch Key Module Time slot 0 Time slot 1 Time slot 1 Time slot 2 Time slot 2 Time slot 3 Time slot 3 TKBUSY Cleared by software TKRCOV Touch Key Data Memory Access : Set Touch Key TKRCOV interrupt request flag : Read 2 bytes from Touch Key Data Memory to TKMROH/TKMROL registers : Write 2 bytes from TKM16DH/TKM16DL registers to Touch Key Data Memory 触控按键自动扫描模式时序图 在自动扫描模式时，按键振荡器和参考振荡器在 TKST 位由低变为高时，自 动使能，在 TKBUSY 位由高到低时，自动除能。在自动扫描模式时，若已设 置 TKST 位由低到高，硬件会自动从专用触控按键数据存储区指定位置读取 时隙 0 选择扫描的按键对应的参考振荡器的电容值，并写入相应的 TKMROH/ TKMROL 寄存器对中。并将 16-bit C/F 计数器的值写回到专用触控按键数据存 储区时隙 3 扫描的按键对应的位置。之后开始扫描选择的时隙 0 的按键。时隙 0 按键扫描结束时，硬件会自动从专用触控按键数据存储区读取下一个要扫描 按键对应的参考振荡器电容值并写入相应的 TKMROH/TKMROL 寄存器对中。 并将当前 16-bit C/F 计数器的值写回到专用触控按键数据存储区对应位置。整 个自动扫描操作会按上述指定的方式从时隙 0 到时隙 3 有序的执行。时隙 3 按 键扫描结束时，硬件会再次从专用触控按键数据存储区读取时隙 0 选择扫描的 按键对应的参考振荡器的电容值，并写入相应的 TKMROH/TKMROL 寄存器对 中。16 位 C/F 计数器值也会被再次写回到专用触控按键数据存储区时隙 3 扫描 的按键对应的位置。四个按键全部扫描后，TKRCOV 位将被置高同时 TKBUSY 位拉低，意味着自动扫描模式下的扫描工作已完成。 Rev.1.10 74 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 周期性自动扫描模式 除了在自动扫描模式中提到的动作，周期性自动扫描模式还提供了周期自动扫 描和 C/F 计数器上限 / 下限阈值比较功能。设置 TKMOD1~TKMOD0 位为 10 或 11，可选择周期性自动扫描模式用来自动和周期性地扫描模块按键。须注意 的是，该模式通常在空闲模式下使用，用来监测触控按键状态，并尽量减少功 耗。 MCU Mode MCU 1. Background calibration 2. Enable periodic auto scan 1 3. TKST 0 4. HALT (clr WDT) MCU 1. Background calibration 2. Enable periodic auto scan 1 3. TKST 0 4. HALT (clr WDT) MCU 1. Enable periodic auto scan 1 2. TKST 0 3. HALT (clr WDT) Active Mode Idle Mode Idle Mode WDT Time-out MCU wake up WDT Time-out MCU wake up 1024ms MCU WDT Time-out (clock = 215/fLIRC, tWDT=1024ms) Touch key scan enable by TKST 0 1 Touch key scan enable by TKST 0 1 Key Scan Trigger (clock =212/fLIRC, tKEY=128ms) 1 Write to Touch Key Data Memory 2 3 4 5 6 7 1 8 2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 128ms TKBUSY Cleared by software Cleared by software TKRCOV Timing A Timing B 注：触控按键周期性自动扫描模式时序图显示了特殊的时序 A 和时序 B。 空闲模式下的触控按键周期性自动扫描功能 Rev.1.10 75 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Timing A 1 Key Scan Trigger 2 Key Auto Scan Cycle (Synchronize with WDT clock) Periodic Auto Scan Mode Enable by Software Time slot 0 Touch Key Module Time slot 0 Time slot 1 Time slot 1 Time slot 2 Time slot 2 Time slot 3 Time slot 3 TKBUSY TKRCOV Touch Key Data Memory Access : Read 2 bytes from Touch Key Data Memory to TKMROH/TKMROL registers Timing B 8 1 Key Scan Trigger Periodic Auto Scan Mode Key Auto Scan Cycle (Synchronize with WDT clock) Time slot 0 Touch Key Module Time slot 0 Time slot 1 Time slot 1 Time slot 2 Time slot 2 Time slot 3 Time slot 3 TKBUSY Clear by Software TKRCOV Touch Key Data Memory Access : Set Touch Key TKRCOV interrupt request flag : Read 2 bytes from Touch Key Data Memory to TKMROH/TKMROL registers : Write 2 bytes from TKM16DH/TKM16DL registers to Touch Key Data Memory Rev.1.10 76 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Timing C 7 Key Scan Trigger 8 Key Auto Scan Cycle (Synchronize with WDT clock) Periodic Auto Scan Mode Time slot 0 Touch Key Module Time slot 0 Time slot 1 Time slot 1 Time slot 2 Time slot 2 Time slot 3 TKBUSY TKRCOV TKTH Touch Key Data Memory Access : 16-bit C/F counter < lower threshold value (MKnTH=0), or > upper threshold value (MKnTH=1) where n = touch key number : Set Touch Key Module TKTH interrupt request flag : Read 2 bytes from Touch Key Data Memory to TKMROH/TKMROL registers : Write 2 bytes from TKM16DH/TKM16DL registers to Touch Key Data Memory 注：1. 时序 A 和时序 B 为空闲模式下的触控按键周期性自动扫描功能中特定的时序图。 2. 时序 C 为某个触控按键阈值比较状态发生时的时序图。 触控按键周期性自动扫描模式时序图 在周期性自动扫描模式时，触控按键扫描工作将周期性地自动执行，可由寄存 器 TKC2 的 ASMP1~ASMP0 位决定。触控按键扫描次数取决于 WDT 溢出周 期和周期性自动扫描模式周期。整个周期性自动扫描操作会像自动扫描模式一 样按指定的方式从时隙 0 到时隙 3 有序的执行。每个时隙选择扫描的按键对应 的参考振荡器的电容值将会被自动从专用触控按键数据存储区指定位置读取出 来，并写入相应的 TKMROH/TKMROL 寄存器对中。然而，仅在 WDT 溢出周 期内最后一次扫描工作结束时，16-bit C/F 计数器的值才会被写回到专用触控按 键数据存储区所有扫描的按键对应的位置。 另外，每个触控按键都有自己独立的上限 / 下限阈值比较器。在周期性自动扫描 模式时，上限 / 下限阈值比较功能将自动使能。当 MKnTHS=0，任何按键 C/F 计数器值小于下限阈值，或 MKnTHS=1，按键 C/F 计数器值大于上限阈值，这 表明触控按键状态发生了变化，MKnTHF 标志位将被硬件置高，中断信号产生。 使用 WDT 计数器时钟进行周期性自动扫描可减少功耗，当 WDT 被清除时， WDT 计数器将复位，周期性自动扫描工作时间将会受到影响，但触控按键次数 却不受影响。 Rev.1.10 77 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 触控按键模块数据存储器 该单片机为触控按键模块自动扫描模式提供 2 个专用的数据存储器区域。一个 位于数据存储区 5 用于存储触控按键模块 16 位 C/F 计数器值，另一个位于数据 存储区 6 用于存储触控按键模块参考振荡器内部电容值。 TKMROH / TKMROL 10-bit Ref. OSC Capacitor 16-bit C/F Counter 16-bit C/F Counter Value (Bank 5) Step 1 Step 2 00H TKM16DL_K1 TKMROL_K1 01H TKM16DH_K1 TKMROH_K1 02H TKM16DL_K2 TKM16DH_K2 TKM16DH / TKM16DL TKM16DL_K3 Comparator MKnTHS TKTH Upper/Lower Threshold Register Ref. OSC Capacitor Value (Bank 6) TKM16DH_K3 07H TKMROL_K2 Touch Key Module TKMROH_K2 TKMROL_K3 TKMROH_K3 TKM16DL_K4 TKMROL_K4 TKM16DH_K4 TKMROH_K4 TKnMTH16H / TKnMTH16L 注：触控按键数 n=1~4。 触控按键模块数据存储器分布 Rev.1.10 78 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 触控按键扫描流程图 Start Write Ref. OSC Capacitor to TKMROH/TKMROL Touch Key Manual Scan Operation Start Set Start bit TKST 0 1 Busy flag TKBUSY=1 Initiate Time Slot & 16-bit C/F Counter All Time Slot & 16-bit C/F Counter start to count Time Slot & 16-bit C/F Counter keep counting TKRCOV=0 All Time Slot Counter overflow ? TKRCOV=1 Touch key busy flag TKBUSY=0 Generate Interrupt request flag Read C/F counter from TKM16DH/TKM16DL Touch key scan end 0 Set TKST bit 1 End 触控按键手动扫描模式流程图 Rev.1.10 79 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Start Write Ref. OSC internal Capacitor value to Data Memory (Bank 6 ) Touch Key Auto Scan Operation Start Set Start bit TKST 0 1 Busy flag TKBUSY=1 Load Ref. OSC internal Capacitor value from Data Memory (Bank 6 ) Store C/F counter value to Data Memory (Bank 5 ) Touch key busy flag TKBUSY=0 Initiate Time Slot & 16-bit C/F Counter TKRCOV = 1 Generate Interrupt request flag All Time Slot counter & 16-bit C/F counter start to count Touch key scan end 0 Set TKST bit 1 Time Slot & 16-bit C/F Counter keep counting No All Time Slot Counter overflow ? Read C/F counter value from Data Memory (Bank 5) Yes All key scan finish ? No Change next key End Yes 触控按键自动扫描模式流程图 Rev.1.10 80 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Start Write Ref. OSC internal Capacitor value to Data Memory (Bank 6 ) Touch Key Periodic Auto Scan Operation Start Set Start bit TKST 0 1 Busy flag TKBUSY=1 MCU HALT (Optional) Load Ref. OSC internal Capacitor value from Data Memory (Bank 6 ) Initiate Time Slot & 16-bit C/F Counter All Time Slot counter & 16-bit C/F counter start to count For Time Slot 16-bit C/F counter < threshold (MKnTHS=0) or > threshold (MKnTHS=1) Yes TKTH=1 No Store C/F counter value to Data Memory (Bank 5 ) Yes Touch key busy flag TKBUSY=0 Last scan in WDT cycle ? Touch key scan end Set TKST bit 1 0 No No End All Time Slot Counter overflow ? Yes Yes Last scan in WDT cycle ? TKRCOV = 1 Touch key busy flag TKBUSY=0 No Scan trigger period ? Yes No Read C/F counter value from Data Memory (Bank 5) Touch key scan end 0 Set TKST bit 1 End 触控按键周期性自动扫描模式流程图 Rev.1.10 81 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 触控按键中断 触控按键有两个独立的中断，分别为触控按键 TKRCOV 中断和触控按键模 块 TKTH 中断。当触控按键模块的时隙计数器溢出时，才会产生触控按键 TKRCOV 中断，注意，此处提到的触控按键是指已被使能的触控按键。此时 16 位 C/F 计数器、16 位计数器，5 位时隙单位周期计数器和 8 位时隙定时计 数器会自动清零。当 MKnTHS=0，任何按键 C/F 计数器值小于下限阈值，或 MKnTHS=1，按键 C/F 计数器值大于上限阈值，将产生触控按键模块 TKTH 中 断。 若触控按键模块的 16 位 C/F 计数器溢出，16 位 C/F 计数器溢出标志位 TKCFOV 将置高，此中断标志位不会自动复位，必须通过应用程序将其清零。 若 16 位计数器溢出，16 位计数器溢出标志位 TK16OV 将置高，此中断标志位 不会自动复位，必须通过应用程序将其清零。触控按键中断的详细说明见中断 部分。 编程注意事项 相关寄存器设置后，将 TKST 位由低电平变为高电平会启动触控按键检测程序 初始化。此时所有相关的振荡器将同步使能。当计数器溢出时，时隙计数器标 志位 TKRCOV 将变为高电平。计数器溢出发生时，会产生一个中断信号。当 某一阈值比较条件发生时，阈值比较指示信号 TKTH 信号将变为高电平。某一 阈值比较条件发生时将会产生一个中断信号。 当外部触控按键的大小和布局确定时，其相关的电容将决定感应振荡器的频率。 I2C 接口 I2C 可以和传感器、EEPROM 存储器等外部硬件接口进行通信。最初是由飞利 浦公司研制，是适用于同步串行数据传输的双线式低速串行接口。I2C 接口具有 两线通信，非常简单的通信协议和在同一总线上和多个设备进行通信的能力的 优点，使之在很多的应用场合中大受欢迎。 VDD SDA SCL Device Slave Device Master Device Slave I2C 主从总线连接图 I2C 接口操作 I2C 串行接口是一个双线的接口，有一条串行数据线 SDA 和一条串行时钟线 SCL。由于可能有多个设备在同一条总线上相互连接，所以这些设备的输出都 是开漏型输出。因此应在这些输出口上都应加上拉电阻。应注意的是，I2C 总线 上的每个设备都没有选择线，但分别与唯一的地址一一对应，用于 I2C 通信。 如果有两个设备通过双向的 I2C 总线进行通信，那么就存在一个主机和一个从 机。主机和从机都可以用于传输和接收数据，但只有主机才可以控制总线动作。 那些处于从机模式的设备，要在 I2C 总线上传输数据只有两种方式，一是从机 发送模式，二是从机接收模式。即使 I2C 设备被激活，上拉电阻控制功能和 SCL/SDA 引脚功能仍有效，其上拉电阻功能由相关上拉电阻控制寄存器控制。 Rev.1.10 82 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Data Bus I2C Data Register (IICD) fSYS SCL Pin SDA Pin HTX Debounce Circuitry IICDEB[1:0] I2C Address Register (IICA) Address Address Match - HAAS Comparator Direction Control Data in MSB M U X Shift Register Read/Write Slave Data out MSB SRW TXAK 8-bit Data Transfer Complete - HCF Transmit/ Receive Control Unit fSUB IICTOEN I2C Interrupt Detect Start or Stop HBB IICTOF Time-out Control Address Match I2C 方框图 START signal from Master Send slave address and R/W bit from Master Acknowledge from slave Send data byte from Master Acknowledge from slave STOP signal from Master IICDEB1 和 IICDEB0 位决定 I2C 接口的去抖时间。这个功能可以使用内部时钟 在外部时钟上增加一个去抖间隔，减小时钟线上毛刺发生的可能性，以避免单 片机发生误动作。如果选择了这个功能，去抖时间可以选择 2 个或 4 个系统时 钟。为了达到需要的 I2C 数据传输速度，系统时钟 fSYS 和 I2C 去抖时间之间存在 一定的关系。I2C 标准模式或者快速模式下，用户需注意所选的系统时钟频率与 标准匹配去抖时间的设置，其具体关系如下表所示。 I2C 标准模式 (100kHz) fSYS > 2 MHz fSYS > 4 MHz fSYS > 8 MHz I2C 去抖时间选择 无去抖时间 2 个系统时钟去抖时间 4 个系统时钟去抖时间 I2C 快速模式 (400kHz) fSYS > 5 MHz fSYS > 10 MHz fSYS > 20 MHz I2C 最小 fSYS 频率要求 Rev.1.10 83 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 I2C 寄存器 I2C 总线有三个控制寄存器 IICC0、IICC1 和 IICTOC，一个地址寄存器 IICA 以 及一个数据寄存器 IICD。 位 寄存器 名称 7 6 5 4 3 IICC0 — — — — IICDEB1 IICC1 HCF HAAS HBB HTX TXAK IICD D7 D6 D5 D4 D3 IICA IICA6 IICA5 IICA4 IICA3 IICA2 IICTOC IICTOEN IICTOF IICTOS5 IICTOS4 IICTOS3 2 1 0 IICDEB0 IICEN — SRW IAMWU RXAK D2 D1 D0 IICA1 IICA0 — IICTOS2 IICTOS1 IICTOS0 I2C 寄存器列表 I2C 数据寄存器 IICD 用于存储发送和接收的数据。在单片机将数据写入到 I2C 总线之前，要传 输的数据应先存在 IICD 中。I2C 总线接收到数据之后，单片机就可以从 IICD 数据寄存器中读取。所有通过 I2C 传输或接收的数据都必须通过 IICD 实现。 ● IICD 寄存器 Bit Name R/W POR 7 D7 R/W x 6 D6 R/W x 5 D5 R/W x 4 D4 R/W x 3 D3 R/W x 2 D2 R/W x 1 D1 R/W x 0 D0 R/W x “x”：未知 Bit 7~0 D7~D0：I2C 数据寄存器位 bit 7~bit 0 I2C 地址寄存器 IICA 寄存器用于存放 7 位从机地址，寄存器 IICA 中的 Bit 7~1 是单片机的从机 地址，Bit 0 未定义。如果接至 I2C 的主机发送出的地址和寄存器 IICA 中存储 的地址相符，那么就选中了这个从机。 ● IICA 寄存器 Bit Name R/W POR 7 IICA6 R/W 0 6 IICA5 R/W 0 5 IICA4 R/W 0 4 IICA3 R/W 0 Bit 7~1 IICA6~IICA0：I2C 从机地址位 IICA6~IICA0 是从机地址 bit 6~bit 0。 Bit 0 未定义，读为“0” 3 IICA2 R/W 0 2 IICA1 R/W 0 1 IICA0 R/W 0 0 — — — I2C 控制寄存器 单片机中有三个控制 I2C 接口功能的寄存器，IICC0、IICC1 和 IICTOC。寄存 器 IICC0 用于控制使能 / 除能功能和设置数据传输的时钟频率。寄存器 IICC1 包括多个用于指示 I2C 传输状态的相关标志位。IICTOC 寄存器用于控制 I2C 超 时功能，此寄存器在 I2C 超时章节介绍。 Rev.1.10 84 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● IICC0 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~4 Bit 3~2 Bit 1 Bit 0 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 2 IICDEB1 IICDEB0 R/W R/W 0 0 1 IICEN R/W 0 0 — — — 未定义，读为“0” IICDEB1~IICDEB0：I2C 去抖时间选择位 00：无去抖时间 01：2 个系统时钟去抖时间 1x：4 个系统时钟去抖时间 需注意的是，如果系统时钟 fSYS 来自 fH 时钟或 IAMWU 等于 0，I2C 去抖电路将 正常工作。否则去抖电路将不受影响而被忽视。 IICEN：I2C 使能控制位 0：除能 1：使能 此位为 I2C 接口的开 / 关控制位。此位为“0”时，I2C 接口除能，SDA 和 SCL 脚将失去 I2C 功能，I2C 工作电流减小到最小值。此位为“1”时，I2C 接口使能。 当 IICEN 位由低到高转变时，I2C 控制寄存器中的设置，如 HTX 和 TXAK，将 不会发生变化，其首先应在应用程序中初始化，此时相关 I2C 标志，如 HCF、 HAAS、HBB、SRW 和 RXAK，将被设置为其默认状态。 未定义，读为“0” ● IICC1 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 HCF R 1 6 HAAS R 0 5 HBB R 0 4 HTX R/W 0 3 TXAK R/W 0 2 SRW R 0 1 0 IAMWU RXAK R/W R 0 1 Bit 7 HCF：I2C 总线数据传输结束标志位 0：数据正在被传输 1：8 位数据传输完成 此位是 I2C 总线数据传输结束标志位。数据正在传输时该位为低。当 8 位数据 传输完成时，此位为高并产生一个中断。 Bit 6 HAAS：I2C 地址匹配标志位 0：地址不匹配 1：地址匹配 此位是 I2C 地址匹配标志位。此标志位用于决定从机地址是否与主机发送的地 址相同。若地址匹配此位为高，否则此位为低。 Bit 5 HBB：I2C 总线忙标志位 0：I2C 总线闲 1：I2C 总线忙 此位是 I2C 总线忙标志位。当检测到 START 信号时 I2C 忙，此位变为高电平。 当检测到 STOP 信号时 I2C 总线空闲，该位变为低电平。 Bit 4 HTX：从机处于发送或接收模式标志位 0：从机处于接收模式 1：从机处于发送模式 Bit 3 TXAK：I2C 总线发送应答标志位 0：从机发送应答标志 1：从机没有发送应答标志 此位是 I2C 总线发送应答标志位。从机接收完 8 位数据之后，该位将在第九个 从机时钟时被传到总线上。如果从机想要接收更多的数据，则应在接收数据之 前将此位设置为“0”。 85 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Bit 2 SRW：I2C 从机读 / 写位 0：从机应处于接收模式 1：从机应处于发送模式 SRW 位是从机读写位。决定主机是否希望传输数据或接收来自 I2C 总线的数据。 当传输地址和从机的地址相同时，HAAS 位会被设置为高，从机将检测 SRW 位 来决定进入发送模式还是接收模式。如果 SRW 位为高时，主机会请求从总线上 读数据，此时从机处于传输模式。当 SRW 位为“0”时，主机往总线上写数据， 从机处于接收模式以读取数据。 Bit 1 IAMWU：I2C 地址匹配唤醒控制位 0：除能 1：使能 此位设置为“1”则使能 I2C 地址匹配使系统从休眠或空闲模式中唤醒的功能。 若进入休眠或空闲模式前 IAMWU 已经置高以使能 I2C 地址匹配唤醒功能，在 系统唤醒后须软件清除此位以确保单片机正确地运行。 Bit 0 RXAK：I2C 总线接收应答标志位 0：从机接收到应答标志 1：从机没有接收到应答标志 RXAK 位是接收应答标志位。如果 RXAK 位为“0”，即表示 8 位数据传输之后， 从机在第九个时钟有接受到一个应答信号。如果从机处于发送状态，从机作为 发送方会检查 RXAK 位来判断主机接收方是否愿意继续接收下一个字节。因此 发送方会一直发送数据，直到 RXAK 为“1”时才停止发送数据。这时，发送 方将释放 SDA 线，主机方可发出停止信号从而释放 I2C 总线。 I2C 总线通信 I2C 总线上的通信需要四步完成，一个起始信号，一个从机地址发送，一个数据 传输，还有一个停止信号。当起始信号被写入 I2C 总线时，总线上的所有从机 都会接收到这个起始信号并且被通知总线上即将有数据到达。数据的前 7 位是 从机地址，高位在前，低位在后。如果发出的地址和从机地址匹配，IICC1 寄 存器的 HAAS 位会被置位，同时产生 I2C 中断。进入中断服务程序后，系统要 检测 HAAS 位和 IICTOF 位，以判断 I2C 总线中断是来自从机地址匹配，还是 来自 8 位数据传递完毕，或是来自 I2C 超时。在数据传递中，要注意的是，在 7 位从机地址被发送后，接下来的一位，即第 8 位，是读 / 写控制位，该位的值 会反映到 SRW 位中。从机通过检测 SRW 位以确定自己是要进入发送模式还是 接收模式。在 I2C 总线开始传送数据前，需要先初始化 I2C 总线，初始化 I2C 总 线步骤如下： ● 步骤 1 设置相应的引脚共用功能为 I2C 功能引脚和 IICC0 寄存器的 IICEN 位为“1”， 以使能 I2C 总线。 ● 步骤 2 向 I2C 总线地址寄存器 IICA 写入从机地址。 ● 步骤 3 设置中断控制寄存器的 I2CE 中断使能位以使能 I2C 中断。 Rev.1.10 86 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Start Configure the pin-shard I/O ports to I2C function SET IICEN Write Slave Address to IICA No I2C Bus Interrupt=? Yes CLR I2CE Poll I2CF to decide when to go to I2C Bus ISR SET I2CE Wait for Interrupt Go to Main Program Go to Main Program I2C 总线初始化流程图 I2C 总线起始信号 起始信号只能由连接 I2C 总线的主机产生，而不是由从机产生。总线上的所有 从机都可以侦测到起始信号。如果有从机侦测到起始信号，则表明 I2C 总线处 于忙碌状态，并会置位 HBB。起始信号是指在 SCL 为高电平时，SDA 线上发 生从高到低的电平变化。 I2C 从机地址 总线上的所有从机都会侦测由主机发出的起始信号。发送起始信号后，紧接着 主机会发送从机地址以选择要进行数据传输的从机。所有在 I2C 总线上的从机 接收到 7 位地址数据后，都会将其与各自内部的地址进行比较。如果从机从主 机上接收到的地址与自身内部的地址相匹配，则会产生一个 I2C 总线中断信号。 地址位接下来的一位为读 / 写状态位 ( 即第 8 位 )，将被保存到 IICC1 寄存器的 SRW 位，从机随后发出一个低电平应答信号 ( 即第 9 位 )。当从机地址匹配时， 从机会将状态标志位 HAAS 置位。 I2C 总线中断有三个中断源，当程序运行至中断服务子程序时，通过检测 HAAS 位和 IICTOF 位，以判断 I2C 总线中断是来自从机地址匹配，还是来自 8 位数据 传递完毕，或是来自 I2C 超时。当是从机地址匹配发生中断时，则从机或是用 于发送模式并将数据写进 IICD 寄存器，或是用于接收模式并从 IICD 寄存器中 读取空值以释放 SCL 线。 I2C 总线读 / 写信号 IICC1 寄存器的 SRW 位用来表示主机是要从 I2C 总线上读取数据还是要将数据 写到 I2C 总线上。从机通过检测该位以确定自己是作为发送方还是接收方。当 SRW 置“1”，表示主机要从 I2C 总线上读取数据，从机则作为发送方，将数 据写到 I2C 总线；当 SRW 清“0”，表示主机要写数据到 I2C 总线上，从机则 做为接收方，从 I2C 总线上读取数据。 Rev.1.10 87 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 I2C 总线从机地址应答信号 主机发送呼叫地址后，当 I2C 总线上的任何从机内部地址与其匹配时，会发送 一个应答信号。此应答信号会通知主机有从机已经接收到了呼叫地址。如果主 机没有收到应答信号，则主机必须发送停止 (STOP) 信号以结束通信。当 HAAS 为高时，表示从机接收到的地址与自己内部地址匹配，则从机需检查 SRW 位， 以确定自己是作为发送方还是作为接收方。如果 SRW 位为高，从机须设置成 发送方，这样会置位 IICC1 寄存器的 HTX 位。如果 SRW 位为低，从机须设置 成接收方，这样会清零 IICC1 寄存器的 HTX 位。 I2C 总线数据和应答信号 在从机确认接收到从地址后，会进行 8 位宽度的数据传输。这个数据传输顺序 是高位在前，低位在后。接收方在接收到 8 位数据后必须发出一个应答信号 (“0”) 以继续接收下一个数据。如果从机发送方没接收到来自主机接收方的应 答信号，发送方将释放 SDA 线，此时主机方可发出 STOP 信号以释放 I2C 总线。 所传送的数据存储在 IICD 寄存器中。如果设置成发送方，从机必须先将欲传输 的数据写到 IICD 寄存器中；如果设置成接收方，从机必须从 IICD 寄存器读取 数据。 当 接 收 器 想 要 继 续 接 收 下 一 个 数 据 时， 必 须 在 第 9 个 时 钟 发 出 应 答 信 号 (TXAK)。被设为发送方的从机将检测寄存器 IICC1 中的 RXAK 位以判断是否 传输下一个字节的数据，如果从机不传输下一个字节，那么它将释放 SDA 线并 等待接收主机的停止信号。 SCL Slave Address Start 1 SDA 1 0 1 0 1 SRW ACK 1 0 0 Data SCL 1 0 0 1 0 ACK 1 0 Stop 0 SDA S=Start (1 bit) SA=Slave Address (7 bits) SR=SRW bit (1 bit) M=Slave device send acknowledge bit (1 bit) D=Data (8 bits) A=ACK (RXAK bit for transmitter, TXAK bit for receiver, 1 bit) P=Stop (1 bit) S SA SR M D A D A …… S SA SR M D A D A …… P 注：当从机地址匹配时，单片机必须选择设置为发送模式还是接收模式。若设置为发送模式， 需写数据至 IICD 寄存器；若设置为接收模式，需立即从 IICD 寄存器中虚读数据以释放 SCL 线。 I2C 通信时序图 Rev.1.10 88 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Start No No No HTX=1? Yes HAAS=1? Yes IICTOF=1? Yes Yes SET IICTOEN CLR IICTOF SRW=1? No RETI Read from IICD to release SCL Line RETI Yes SET HTX CLR HTX CLR TXAK Write data to IICD to release SCL Line Dummy read from IICD to release SCL Line RETI RETI RXAK=1? No CLR HTX CLR TXAK Write data to IICD to release SCL Line Dummy read from IICD to release SCL Line RETI RETI I2C 总线 ISR 流程图 I2C 超时控制 超时功能可减少 I2C 接收错误的时钟源而引起的锁死问题。如果连接到 I2C 总 线的时钟源经过一段时间还未接收到，则在一定的超时周期后，I2C 电路和寄 存器将复位。超时计数器在 I2C 总线“START”和“地址匹配”条件下开始计 数，且在 SCL 下降沿清零。在下一个 SCL 下降沿到来之前，如果超时时间大 于 IICTOC 寄存器指定的超时周期，则超时发生。I2C“STOP”条件发生时超时 功能终止。 Rev.1.10 89 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 SCL Start Slave Address 1 SDA 0 1 1 0 1 SRW ACK 1 0 0 I2C time-out counter start Stop SCL 1 0 0 1 0 1 0 0 SDA I2C time-out counter reset on SCL negative transition I2C 超时时序图 当 I2C 超时计数器溢出时，计数器将停止计数，IICTOEN 位被清零，且 IICTOF 位被置高以表明超时计数器中断发生。超时计数器中断使用的也是 I2C 中断向 量。当 I2C 超时发生时，I2C 内部电路会被复位，寄存器也将发生如下复位情况。 寄存器 IICD, IICA, IICC0 IICC1 I2C 超时发生后 保持不变 复位至 POR 状态 超时发生后的 I2C 寄存器 IICTOF 标志位由应用程序清零。共有 64 个超时周期，可通过 IICTOC 寄存器 的 IICTOS 位进行选择。超时周期可通过公式计算：((1~64)×32)/fSUB。由此可得 超时周期范围为 1ms~64ms。 ● IICTOC 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 6 5 4 3 2 1 0 IICTOEN IICTOF IICTOS5 IICTOS4 IICTOS3 IICTOS2 IICTOS1 IICTOS0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7 IICTOEN：I2C 超时控制位 0：除能 1：使能 Bit 6 IICTOF：I2C 超时标志位 0：超时未发生 1：超时发生 Bit 5~0 IICTOS5~IICTOS0：I2C 超时时间选择位 I2C 超时时钟源是 fSUB/32。 I2C 超时时间计算方法：([IICTOS[5:0]+1)×(32/fSUB)。 90 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 中断 中断是单片机一个重要功能。当外部事件或内部功能如触控动作或定时器模块 溢出有效，并且产生中断时，系统会暂时中止当前的程序而转到执行相对应的 中断服务程序。此单片机提供多个外部中断和内部中断功能，外部中断由 INT 引脚动作产生，而内部中断由各种内部功能，如触控按键、定时器模块、时基 等产生。 中断寄存器 中断控制基本上是在一定单片机条件发生时设置请求标志位，应用程序中中断 使能位的设置是通过位于专用数据存储器中的一系列寄存器控制的。寄存器总 的分为三类。第一类是 INTC0~INTC1 寄存器，用于设置基本的中断；第二类 是 MFI0~MFI1 寄存器，用于设置多功能中断；最后一种有 INTEG 寄存器，用 于设置外部中断边沿触发类型。 寄存器中含有中断控制位和中断请求标志位。中断控制位用于使能或除能各种 中断，中断请求标志位用于存放当前中断请求的状态。它们都按照特定的模式 命名，前面表示中断类型的缩写，紧接着的字母“E”代表使能 / 除能位，“F” 代表请求标志位。 功能 总中断 INT 脚 I2C 时基 EEPROM 多功能 触控按键 TKRCOV 触控按键模块 TKTH CTM 使能位 EMI INTE I2CE TBE DEE MFnE TKRCOVE TKTHE CTMPE CTMAE 请求标志位 — INTF I2CF TBF DEF MFnF TKRCOVF TKTHF CTMPF CTMAF 注释 — — — — — n=0~1 — — — — 中断寄存器位命名模式 寄存器 名称 INTEG INTC0 INTC1 MFI0 MFI1 7 — — — — — 位 6 5 4 3 2 1 0 — — — — — INTS1 INTS0 MF1F MF0F INTF MF1E MF0E INTE EMI DEF TBF I2CF — DEE TBE I2CE — TKTHF TKRCOVF — — TKTHE TKRCOVE — CTMAF CTMPF — — CTMAE CTMPE 中断寄存器列表 Rev.1.10 91 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● INTEG 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — Bit 7~2 未定义，读为“0” Bit 1~0 INTS1~INTS0：INT 脚中断边沿控制位 00：除能 01：上升沿 10：下降沿 11：双沿 3 — — — 2 — — — 1 INTS1 R/W 0 0 INTS0 R/W 0 3 MF1E R/W 0 2 MF0E R/W 0 1 INTE R/W 0 0 EMI R/W 0 ● INTC0 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 — — — 6 MF1F R/W 0 5 MF0F R/W 0 4 INTF R/W 0 Bit 7 未定义，读为“0” Bit 6 MF1F：多功能中断 1 请求标志位 0：无请求 1：中断请求 Bit 5 MF0F：多功能中断 0 请求标志位 0：无请求 1：中断请求 Bit 4 INTF：INT 中断请求标志位 0：无请求 1：中断请求 Bit 3 MF1E：多功能中断 1 控制位 0：除能 1：使能 Bit 2 MF0E：多功能中断 0 控制位 0：除能 1：使能 Bit 1 INTE：INT 中断控制位 0：除能 1：使能 Bit 0 EMI：总中断控制位 0：除能 1：使能 92 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● INTC1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 DEF R/W 0 5 TBF R/W 0 4 I2CF R/W 0 Bit 7 未定义，读为“0” Bit 6 DEF：数据 EEPROM 中断请求标志位 0：无请求 1：中断请求 Bit 5 TBF：时基中断请求标志位 0：无请求 1：中断请求 Bit 4 I2CF：I2C 中断请求标志位 0：无请求 1：中断请求 Bit 3 未定义，读为“0” Bit 2 DEE：数据 EEPROM 中断控制位 0：除能 1：使能 Bit 1 TBE：时基中断控制位 0：除能 1：使能 Bit 0 I2CE：I2C 中断控制位 0：除能 1：使能 3 — — — 2 DEE R/W 0 1 TBE R/W 0 0 I2CE R/W 0 ● MFI0 寄存器 Bit Name R/W POR Rev.1.10 7 — — — 6 — — — 5 4 TKTHF TKRCOVF R/W R/W 0 0 3 — — — Bit 7~6 未定义，读为“0” Bit 5 TKTHF：触控按键模块 TKTH 中断请求标志位 0：无请求 1：中断请求 Bit 4 TKRCOVF：触控按键 TKRCOV 中断请求标志位 0：无请求 1：中断请求 Bit 3~2 未定义，读为“0” Bit 1 TKTHE：触控按键模块 TKTH 中断控制位 0：除能 1：使能 Bit 0 TKRCOVE：触控按键 TKRCOV 中断控制位 0：除能 1：使能 93 2 — — — 1 0 TKTHE TKRCOVE R/W R/W 0 0 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 ● MFI1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 4 CTMAF CTMPF R/W R/W 0 0 3 — — — Bit 7~6 未定义，读为“0” Bit 5 CTMAF：CTM 比较器 A 匹配中断请求标志位 0：无请求 1：中断请求 Bit 4 CTMPF：CTM 比较器 P 匹配中断请求标志位 0：无请求 1：中断请求 Bit 3~2 未定义，读为“0” Bit 1 CTMAE：CTM 比较器 A 匹配中断控制位 0：除能 1：使能 Bit 0 CTMPE：CTM 比较器 P 匹配中断控制位 0：除能 1：使能 2 — — — 1 0 CTMAE CTMPE R/W R/W 0 0 中断操作 若中断事件条件产生，如一个 TM 比较器 P 或比较器 A 匹配等等，相关中断请 求标志将置起。中断标志产生后程序是否会跳转至相关中断向量执行是由中断 使能位的条件决定的。若使能位为“1”，程序将跳至相关中断向量中执行；若 使能位为“0”，即使中断请求标志置起中断也不会发生，程序也不会跳转至相 关中断向量执行。若总中断使能位为“0”，所有中断都将除能。 当中断发生时，下条指令的地址将被压入堆栈。相应的中断向量地址加载至 PC 中。系统将从此向量取下条指令。中断向量处通常为“JMP”指令，以跳转到 相应的中断服务程序。中断服务程序必须以“RETI”指令返回至主程序，以继 续执行原来的程序。 各个中断使能位以及相应的请求标志位，以优先级的次序显示在下图。一些中 断源有自己的向量，但是有些中断却共用多功能中断向量。一旦中断子程序被 响应，系统将自动清除 EMI 位，所有其它的中断将被屏蔽，这个方式可以防止 任何进一步的中断嵌套。其它中断请求可能发生在此期间，虽然中断不会立即 响应，但是中断请求标志位会被记录。 如果某个中断服务子程序正在执行时，有另一个中断要求立即响应，那么 EMI 位应在程序进入中断子程序后置位，以允许此中断嵌套。如果堆栈已满，即使 此中断使能，中断请求也不会被响应，直到 SP 减少为止。如果要求立刻动作， 则堆栈必须避免成为储满状态。请求同时发生时，执行优先级如下流程图所示。 所有被置起的中断请求标志都可把单片机从休眠或空闲模式中唤醒，若要防止 唤醒动作发生，在单片机进入休眠或空闲模式前应将相应的标志置起。 Rev.1.10 94 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 EMI auto disabled in ISR Interrupt Name Request Flags Enable Bits Interrupt Name Request Flags Enable Bits Master Enable Vector INT Pin INTF INTE EMI 04H Touch Key TKRCOV TKRCOVF TKRCOVE Touch Key Module TKTH TKTHF TKTHE M. Funct. 0 MF0F MF0E EMI 08H CTM P CTMPF CTMPE M. Funct. 1 MF1F MF1E EMI 0CH CTM A CTMAF CTMAE Interrupts contained within Multi-Function Interrupts I2C I2CF I2CE EMI 10H Legend Time Base TBF TBE EMI 14H EEPROM DEF DEE EMI 18H xxF Request Flag, no auto reset in ISR xxF Request Flag, auto reset in ISR xxE Enable Bits Priority High Low 中断结构 外部中断 通过 INT 引脚上的信号变化可控制外部中断。当触发沿选择位设置好触发类 型，INT 引脚的状态发生变化，外部中断请求标志 INTF 被置位时外部中断请 求产生。若要跳转到相应中断向量地址，总中断控制位 EMI 和相应中断使能位 INTE 需先被置位。此外，必须使用 INTEG 寄存器使能外部中断功能并选择触 发沿类型。外部中断引脚和普通 I/O 口共用，如果相应寄存器中的中断使能位 被置位和通过相关引脚共用选择位选择此引脚被作为外部中断脚使用。此时该 引脚必须通过设置端口控制寄存器，将该引脚设置为输入口。当中断使能，堆 栈未满并且外部中断脚状态改变，将调用外部中断向量子程序。当响应外部中 断服务子程序时，中断请求标志位 INTF 会自动复位且 EMI 位会被清零以除能 其它中断。注意，即使此引脚被用作外部中断输入，其上拉电阻选项仍保持有 效。 寄存器 INTEG 被用来选择有效的边沿类型，来触发外部中断。可以选择上升沿 还是下降沿或双沿触发都产生外部中断。注意 INTEG 也可以用来除能外部中断 功能。 I2C 中断 当一个字节数据已由 I2C 接口接收或发送完，或 I2C 从机地址匹配，或 I2C 超时， 中断请求标志 I2CF 被置位，I2C 中断请求产生。若要程序跳转到相应中断向量 地址，总中断控制位 EMI 和串行接口中断使能位 I2CE 需先被置位。当中断使 能，堆栈未满且以上任一种情况发生时，可跳转至相关中断向量子程序中执行。 当响应中断服务子程序时，串行接口中断标志位 I2CF 会自动复位且 EMI 将被 自动清零以除能其它中断。 时基中断 时基中断提供一个固定周期的中断信号，由定时器功能产生溢出信号控制。当 时基中断请求标志 TBF 被置位时，中断请求发生。当总中断使能位 EMI 和时 基使能位 TBE 被置位，允许程序跳转到时基中断向量地址。当中断使能，堆栈 未满且时基溢出时，将调用时基中断向量子程序。当响应中断服务子程序时， 相应的中断请求标志位 TBF 会自动复位且 EMI 位会被清零以除能其它中断。 Rev.1.10 95 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 时基中断的目的是提供一个固定周期的中断信号。其时钟源 fPSC 来自内部时钟 源 fSYS、fSYS/4 或 fSUB。fPSC 输入时钟首先经过分频器，分频率由程序设置 TBC 寄存器相关位获取合适的分频值以提供更长的时基中断周期。相应的控制时基 中断周期的时钟源可通过 PSCR 寄存器的 CLKSEL1 和 CLKSEL0 位选择。 TB[2:0] fSYS M U X fSYS/4 fSUB TBON fPSC M U X fPSC/28 ~ fPSC/215 Prescaler Time Base Interrupt CLKSEL[1:0] 时基中断 ● PSCR 寄存器 Bit Name R/W POR 7 — — — 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 — — — 2 — — — Bit 7~2 未定义，读为“0” Bit 1~0 CLKSEL1~CLKSEL0：分频器时钟源选择 00：fSYS 01：fSYS/4 1x：fSUB 1 0 CLKSEL1 CLKSEL0 R/W R/W 0 0 ● TBC 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7 7 TBON R/W 0 6 — — — 5 — — — 4 — — — 3 — — — 2 TB2 R/W 0 1 TB1 R/W 0 0 TB0 R/W 0 TBON：时基控制位 0：除能 1：使能 Bit 6~3 未定义，读为“0” Bit 2~0 TB2~TB0：选择时基溢出周期位 000：28/fPSC 001：29/fPSC 010：210/fPSC 011：211/fPSC 100：212/fPSC 101：213/fPSC 110：214/fPSC 111：215/fPSC EEPROM 中断 当 EEPROM 写周期结束，EEPROM 中断请求标志 DEF 被置位，EEPROM 中断 请求产生。若要程序跳转到相应中断向量地址，总中断控制位 EMI、EEPROM 中断使能位 DEE 需先被置位。当中断使能，堆栈未满且 EEPROM 写周期结 束时，可跳转至 EEPROM 中断向量子程序中执行。当 EEPROM 中断响应， EEPROM 中断标志位 DEF 会自动复位且 EMI 将被自动清零以除能其它中断。 Rev.1.10 96 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 多功能中断 此单片机中有两个多功能中断，与其它中断不同，它没有独立源，但由其它现 有的中断源构成，即触控按键 TKRCOV 中断、触控按键模块 TKTH 中断和 TM 中断。 当多功能中断中任何一种中断请求标志 MFnF 被置位，多功能中断请求产生。 当所包含的任一功能产生中断请求标志，多功能中断标志将置位。若要跳转到 相应的中断向量地址，当多功能中断使能，堆栈未满，包括在多功能中断中的 任意一个中断发生时，将调用多功能中断向量中的一个子程序。当响应中断服 务子程序时，相关的多功能请求标志位会自动复位且 EMI 位会自动清零以除能 其它中断。 但必须注意的是，在中断响应时，虽然多功能中断标志会自动复位，但多功能 中断源的请求标志位不会自动复位，必须由应用程序清零。 触控按键 TKRCOV 中断 触控按键 TKRCOV 中断属于多功能中断。当触控按键时隙计数器溢出，触控按 键 TKRCOV 中断请求标志位 TKRCOVF 被置位，触控按键 TKRCOV 中断请求 发生。若要跳转到相应中断向量地址，总中断使能位 EMI、触控按键 TKRCOV 中断使能位 TKRCOVE 和相关多功能中断使能位必须先被置位。当中断使能， 堆栈未满且触控按键时隙计数器溢出时，将调用位于多功能中断向量处的子程 序。当触控按键 TKRCOV 中断响应，EMI 将被自动清零以除能其它中断，相 关多功能中断请求标志也可自动清除，但 TKRCOV 中断请求标志 TKRCOVF 需在应用程序中手动清除。 触控按键模块 TKTH 中断 触控按键模块 TKTH 中断属于多功能中断。当 MKnTHS=0，触控按键模块 16 位 C/F 计数器值小于下限阈值时，或当 MKnTHS=1，触控按键模块 16 位 C/F 计数器值大于上限阈值时，触控按键模块 TKTH 中断请求标志位 TKTHF 被置 位，触控按键模块 TKTH 中断请求发生。若要跳转到相应中断向量地址，总中 断使能位 EMI、触控按键模块 TKTH 中断使能位 TKTHE 和相关多功能中断使 能位必须先被置位。当中断使能，堆栈未满且任何上述的阈值比较条件发生时， 将调用位于多功能中断向量处的子程序。当触控按键模块 TKTH 中断响应， EMI 将被自动清零以除能其它中断，相关多功能中断请求标志也可自动清除， 但 TKTH 中断请求标志 TKTHF 需在应用程序中手动清除。 TM 中断 简易型 TM 有两个中断，分别来自比较器 P、A 匹配，都属于多功能中断。所 有的 TM 都有两个中断请求标志位及两个使能位。当 TM 比较器 P、A 匹配情 况发生时，相应 TM 中断请求标志被置位，TM 中断请求产生。 若要程序跳转到相应中断向量地址，总中断控制位 EMI、相应 TM 中断使能位 和相关多功能中断使能位 MFnE 需先被置位。当中断使能，堆栈未满且 TM 比 较器匹配情况发生时，可跳转至相关多功能中断向量子程序中执行。当 TM 中 断响应，EMI 将被自动清零以除能其它中断，相关 MFnF 标志也可自动清除， 但 TM 中断请求标志需在应用程序中手动清除。 中断唤醒功能 每个中断都具有将处于休眠或空闲模式的单片机唤醒的能力。当中断请求标志 由低到高转换时唤醒动作产生，其与中断是否使能无关。因此，尽管单片机处 于休眠或空闲模式且系统振荡器停止工作，如有外部中断脚上产生外部边沿跳 Rev.1.10 97 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 变可能导致其相应的中断标志被置位，由此产生中断，因此必须注意避免伪唤 醒情况的发生。若中断唤醒功能被除能，单片机进入休眠或空闲模式前相应中 断请求标志应被置起。中断唤醒功能不受中断使能位的影响。 编程注意事项 通过禁止相关中断使能位，可以屏蔽中断请求，然而，一旦中断请求标志位被 设定，它们会被保留在中断控制寄存器内，直到相应的中断服务子程序执行或 请求标志位被软件指令清除。 多功能中断中所含中断相应程序执行时，多功能中断请求标志 MFnF 可以自动 清零，但各自的请求标志需在应用程序中手动清除。 建议在中断服务子程序中不要使用“CALL 子程序”指令。中断通常发生在不 可预料的情况或是需要立刻执行的某些应用。假如只剩下一层堆栈且没有控制 好中断，当“CALL 子程序”在中断服务子程序中执行时，将破坏原来的控制 序列。 所有中断在休眠或空闲模式下都具有唤醒功能，当中断请求标志发生由低到高 的转变时都可产生唤醒功能。若要避免相应中断产生唤醒动作，在单片机进入 休眠或空闲模式前需先将相应请求标志置为高。 当进入中断服务程序，系统仅将程序计数器的内容压入堆栈，如果中断服务程 序会改变状态寄存器或其它的寄存器的内容而破坏控制流程，应事先将这些数 据保存起来。 若从中断子程序中返回可执行 RET 或 RETI 指令。除了能返回至主程序外， RETI 指令还能自动设置 EMI 位为高，允许进一步中断。RET 指令只能返回至 主程序，清除 EMI 位，除能进一步中断。 配置选项 配置选项在烧写程序时写入芯片。 通过 HT-IDE 的软件开发环境， 使用者在开 发过程中可以选择配置选项。 由于使用的是硬件工具将配置选项烧入单片机， 之后无法再通过应用程序修改。 所有的选项必须按系统的需要定义， 具体内容 可参考下表： 序号 振荡器选择 1 选项 HIRC 频率选择： 1. 2MHz 2. 4MHz 3. 8MHz 注：当 HIRC 被配置为上表中的频率时，HIRCS1~HIRCS0 位必须设置为和选项一样的频率 以实现交流电气特性中指定的 HIRC 频率精确度。 Rev.1.10 98 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 应用电路 VDD VDD PAD 0.1μF PA5/KEY1 VSS PAD PA1/KEY2 PAD PA3/KEY3 PAD PA4/KEY4 PA2/CTPB/SDA/ICPCK PA0/CTCK/INT/SCL/ICPDA PA6/CTCK/INT PA7/CTP Rev.1.10 99 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 指令集 简介 任何单片机成功运作的核心在于它的指令集，此指令集为一组程序指令码，用 来指导单片机如何去执行指定的工作。在 Holtek 单片机中，提供了丰富且灵活 的指令，共超过六十条，程序设计者可以事半功倍地实现它们的应用。 为了更加容易理解各种各样的指令码，接下来按功能分组介绍它们。 指令周期 大部分的操作均只需要一个指令周期来执行。分支、调用或查表则需要两个指 令周期。一个指令周期相当于四个系统时钟周期，因此如果在 8MHz 的系统 时钟振荡器下，大部分的操作将在 0.5μs 中执行完成，而分支或调用操作则将 在 1μs 中执行完成。虽然需要两个指令周期的指令通常指的是 JMP、CALL、 RET、RETI 和查表指令，但如果牵涉到程序计数器低字节寄存器 PCL 也将多 花费一个周期去加以执行。即指令改变 PCL 的内容进而导致直接跳转至新地址 时，需要多一个周期去执行，例如“CLR PCL”或“MOV PCL, A”指令。对 于跳转指令必须注意的是，如果比较的结果牵涉到跳转动作将多花费一个周期， 如果没有则需一个周期即可。 数据的传送 单片机程序中数据传送是使用最为频繁的操作之一，使用三种 MOV 的指令， 数据不但可以从寄存器转移至累加器 ( 反之亦然 )，而且能够直接移动立即数到 累加器。数据传送最重要的应用之一是从输入端口接收数据或传送数据到输出 端口。 算术运算 算术运算和数据处理是大部分单片机应用所必需具备的能力，在 Holtek 单片机 内部的指令集中，可直接实现加与减的运算。当加法的结果超出 255 或减法的 结果少于 0 时，要注意正确的处理进位和借位的问题。INC、INCA、DEC 和 DECA 指令提供了对一个指定地址的值加一或减一的功能。 逻辑和移位运算 标准逻辑运算例如 AND、OR、XOR 和 CPL 全都包含在 Holtek 单片机内部的 指令集中。大多数牵涉到数据运算的指令，数据的传送必须通过累加器。在所 有逻辑数据运算中，如果运算结果为零，则零标志位将被置位，另外逻辑数据 运用形式还有移位指令，例如 RR、RL、RRC 和 RLC 提供了向左或向右移动一 位的方法。不同的移位指令可满足不同的应用需要。移位指令常用于串行端口 的程序应用，数据可从内部寄存器转移至进位标志位，而此位则可被检验，移 位运算还可应用在乘法与除法的运算组成中。 Rev.1.10 100 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 分支和控制转换 程序分支是采取使用 JMP 指令跳转至指定地址或使用 CALL 指令调用子程序的 形式，两者之不同在于当子程序被执行完毕后，程序必须马上返回原来的地址。 这个动作是由放置在子程序里的返回指令 RET 来实现，它可使程序跳回 CALL 指令之后的地址。在 JMP 指令中，程序则只是跳到一个指定的地址而已，并不 需如 CALL 指令般跳回。一个非常有用的分支指令是条件跳转，跳转条件是由 数据存储器或指定位来加以决定。遵循跳转条件，程序将继续执行下一条指令 或略过且跳转至接下来的指令。这些分支指令是程序走向的关键，跳转条件可 能是外部开关输入，或是内部数据位的值。 位运算 提供数据存储器中单个位的运算指令是 Holtek 单片机的特性之一。这特性对于 输出端口位的设置尤其有用，其中个别的位或端口的引脚可以使用“SET [m].i” 或“CLR [m].i”指令来设定其为高位或低位。如果没有这特性，程序设计师必 须先读入输出口的 8 位数据，处理这些数据，然后再输出正确的新数据。这种 读入 - 修改 - 写出的过程现在则被位运算指令所取代。 查表运算 数据的储存通常由寄存器完成，然而当处理大量固定的数据时，它的存储量常 常造成对个别存储器的不便。为了改善此问题，Holtek 单片机允许在程序存储 器中建立一个表格作为数据可直接存储的区域，只需要一组简易的指令即可对 数据进行查表。 其它运算 除了上述功能指令外，其它指令还包括用于省电的“HALT”指令和使程序在极 端电压或电磁环境下仍能正常工作的看门狗定时器控制指令。这些指令的使用 则请查阅相关的章节。 Rev.1.10 101 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 指令集概要 下表中说明了按功能分类的指令集，用户可以将该表作为基本的指令参考。 惯例 x：立即数 m：数据存储器地址 A：累加器 i：第 0~7 位 addr：程序存储器地址 助记符 说明 指令 周期 影响标志位 算术运算 ADD A,[m] ACC 与数据存储器相加，结果放入 ACC ADDM A,[m] ACC 与数据存储器相加，结果放入数据存储器 ADD ADC A, x ACC 与立即数相加，结果放入 ACC A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相加，结果放入 ACC ADCM A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相加，结果放入数据存储器 SUB A, x ACC 与立即数相减，结果放入 ACC SUB A,[m] ACC 与数据存储器相减，结果放入 ACC SUBM A,[m] ACC 与数据存储器相减，结果放入数据存储器 SBC A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志的反相减，结果放入 ACC SBCM A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相减，结果放入数据存储器 将加法运算中放入 ACC 的值调整为十进制数，并将结果放入 [m] 数据存储器 DAA 1 Z, C, AC, OV 1注 Z, C, AC, OV 1 Z, C, AC, OV 1 Z, C, AC, OV 1注 Z, C, AC, OV 1 Z, C, AC, OV 1 Z, C, AC, OV 1注 Z, C, AC, OV 1 Z, C, AC, OV 1注 Z, C, AC, OV 1注 C 逻辑运算 AND A,[m] ACC 与数据存储器做“与”运算，结果放入 ACC 1 Z OR A,[m] ACC 与数据存储器做“或”运算，结果放入 ACC 1 Z XOR A,[m] ACC 与数据存储器做“异或”运算，结果放入 ACC 1 Z ANDM A,[m] ACC 与数据存储器做“与”运算，结果放入数据存储器 1注 Z ORM 1注 Z 1 Z A,[m] ACC 与数据存储器做“或”运算，结果放入数据存储器 XORM A,[m] ACC 与数据存储器做“异或”运算，结果放入数据存储器 注 AND A, x ACC 与立即数做“与”运算，结果放入 ACC 1 Z OR A, x ACC 与立即数做“或”运算，结果放入 ACC 1 Z XOR A, x ACC 与立即数做“异或”运算，结果放入 ACC 1 Z CPL [m] 对数据存储器取反，结果放入数据存储器 1注 Z CPLA [m] 对数据存储器取反，结果放入 ACC 1 Z 1 Z 递增和递减 INCA [m] 递增数据存储器，结果放入 ACC INC [m] 递增数据存储器，结果放入数据存储器 DECA [m] 递减数据存储器，结果放入 ACC DEC [m] 递减数据存储器，结果放入数据存储器 Rev.1.10 1 注 1 102 1 注 Z Z Z 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 助记符 说明 指令 周期 影响标志位 1 无 移位 RRA [m] 数据存储器右移一位，结果放入 ACC RR [m] 数据存储器右移一位，结果放入数据存储器 RRCA [m] 带进位将数据存储器右移一位，结果放入 ACC RRC [m] 带进位将数据存储器右移一位，结果放入数据存储器 RLA [m] 数据存储器左移一位，结果放入 ACC RL [m] 数据存储器左移一位，结果放入数据存储器 RLCA [m] 带进位将数据存储器左移一位，结果放入 ACC RLC [m] 带进位将数据存储器左移一位，结果放入数据存储器 1 注 无 1 C 1注 C 1 无 1注 无 1 C 1注 C 数据传送 MOV A,[m] 将数据存储器送至 ACC 1 无 MOV [m],A 将 ACC 送至数据存储器 1注 无 A, x 将立即数送至 ACC 1 无 CLR [m].i 清除数据存储器的位 1注 无 SET [m].i 置位数据存储器的位 1 无 MOV 位运算 注 转移 JMP addr 无条件跳转 2 无 SZ [m] 如果数据存储器为零，则跳过下一条指令 1 SZA [m] 数据存储器送至 ACC，如果内容为零，则跳过下一条指令 1注 无 注 无 注 无 SZ [m].i 如果数据存储器的第 i 位为零，则跳过下一条指令 1 SNZ [m].i 如果数据存储器的第 i 位不为零，则跳过下一条指令 1注 无 SIZ [m] 递增数据存储器，如果结果为零，则跳过下一条指令 1注 无 SDZ [m] 递减数据存储器，如果结果为零，则跳过下一条指令 1 注 无 SIZA 递增数据存储器，将结果放入 ACC，如果结果为零，则跳过 [m] 下一条指令 1注 无 SDZA [m] 递减数据存储器，将结果放入 ACC，如果结果为零，则跳过 下一条指令 1注 无 2 无 2 无 2 无 2 无 2注 无 TABRDC [m] 读取当前页的 ROM 内容，并送至数据存储器和 TBLH 2 注 无 TABRDL [m] 读取最后页的 ROM 内容，并送至数据存储器和 TBLH 2注 无 CALL0 addr 子程序调用 RET 从子程序返回 RET A, x 从子程序返回，并将立即数放入 ACC RETI 从中断返回 查表 TABRD [m] 读取特定页的 ROM 内容，并送至数据存储器和 TBLH 其它指令 NOP 1 无 CLR [m] 清除数据存储器 1注 无 SET [m] 置位数据存储器 1 CLR WDT 清除看门狗定时器 1 TO, PDF CLR WDT1 预清除看门狗定时器 1 TO, PDF CLR WDT2 预清除看门狗定时器 1 TO, PDF 空指令 Rev.1.10 103 注 无 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 助记符 说明 SWAP [m] 交换数据存储器的高低字节，结果放入数据存储器 SWAPA [m] 交换数据存储器的高低字节，结果放入 ACC HALT 进入暂停模式 指令 周期 影响标志位 1注 无 1 无 1 TO, PDF 注：1. 对跳转指令而言，如果比较的结果牵涉到跳转即需多达 2 个周期，如果没有发生跳转，则只需一 个周期。 2. 任何指令若要改变 PCL 的内容将需要 2 个周期来执行。 3. 对于“CLR WDT1”或“CLR WDT2”指令而言，TO 和 PDF 标志位也许会受执行结果影响，“CLR WDT1”和“CLR WDT2”被连续地执行后，TO 和 PDF 标志位会被清除，否则 TO 和 PDF 标志位 保持不变 Rev.1.10 104 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 指令定义 ADC A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 ADCM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 ADD A, [m] 指令说明 Add ACC to Data Memory with Carry 将指定的数据存储器、累加器内容和进位标志位相加， 结果存放到指定的数据存储器。 [m] ←ACC + [m] + C OV、Z、AC、C 功能表示 影响标志位 Add Data Memory to ACC 将指定的数据存储器和累加器内容相加， 结果存放到累加器。 ACC ← ACC + [m] OV、Z、AC、C ADD A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 Add immediate data to ACC 将累加器和立即数相加，结果存放到累加器。 ACC ← ACC + x OV、Z、AC、C ADDM A, [m] 指令说明 Add ACC to Data Memory 将指定的数据存储器和累加器内容相加， 结果存放到指定的数据存储器。 [m] ←ACC + [m] OV、Z、AC、C 功能表示 影响标志位 AND A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Rev.1.10 Add Data Memory to ACC with Carry 将指定的数据存储器、累加器内容以及进位标志相加， 结果存放到累加器。 ACC ← ACC + [m] + C OV、Z、AC、C Logical AND Data Memory to ACC 将累加器中的数据和指定数据存储器内容做逻辑与， 结果存放到累加器。 ACC ← ACC“AND”[m] Z 105 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 AND A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 Logical AND immediate data to ACC 将累加器中的数据和立即数做逻辑与，结果存放到累加器。 ACC ← ACC“AND”x Z ANDM A, [m] 指令说明 Logical AND ACC to Data Memory 将指定数据存储器内容和累加器中的数据做逻辑与， 结果存放到数据存储器。 [m] ← ACC“AND”[m] Z 功能表示 影响标志位 CALL addr 指令说明 影响标志位 Subroutine call 无条件地调用指定地址的子程序，此时程序计数器先加 1 获得下一个要执行的指令地址并压入堆栈，接着载入指定 地址并从新地址继续执行程序，由于此指令需要额外的运 算，所以为一个 2 周期的指令。 Stack ← Program Counter + 1 Program Counter ← addr 无 CLR [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Clear Data Memory 将指定数据存储器的内容清零。 [m] ← 00H 无 CLR [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 Clear bit of Data Memory 将指定数据存储器的 i 位内容清零。 [m].i ← 0 无 CLR WDT 指令说明 Clear Watchdog Timer WDT 计数器、暂停标志位 PDF 和看门狗溢出标志位 TO 清零。 WDT cleared TO & PDF ← 0 TO、PDF 功能表示 功能表示 影响标志位 Rev.1.10 106 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 CLR WDT1 指令说明 功能表示 影响标志位 CLR WDT2 指令说明 功能表示 影响标志位 CPL [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 CPLA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Rev.1.10 Preclear Watchdog Timer PDF 和 TO 标志位都被清 0。必须配合 CLR WDT2 一起使 用清除 WDT 计时器。当程序仅执行 CLR WDT1，而没有 执行 CLR WDT2 时，PDF 与 TO 保留原状态不变。 WDT ← 00H TO & PDF ← 0 TO、PDF Preclear Watchdog Timer PDF 和 TO 标志位都被清 0。必须配合 CLR WDT1 一起使 用清除 WDT 计时器。当程序仅执行 CLR WDT2，而没有 执行 CLR WDT1 时，PDF 与 TO 保留原状态不变。 WDT ← 00H TO & PDF ← 0 TO、PDF Complement Data Memory 将指定数据存储器中的每一位取逻辑反， 相当于从 1 变 0 或 0 变 1。 [m] ← [m] Z Complement Data Memory with result in ACC 将指定数据存储器中的每一位取逻辑反，相当于从 1 变 0 或 0 变 1，而结果被储存回累加器且数据存储器中的内容 不变。 ACC←[m] Z 107 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 DAA [m] 指令说明 影响标志位 Decimal-Adjust ACC for addition with result in Data Memory 将累加器中的内容转换为 BCD ( 二进制转成十进制 ) 码。 如果低四位的值大于“9”或 AC=1，那么 BCD 调整就执 行对原值加“6”，否则原值保持不变；如果高四位的值大 于“9”或 C=1，那么 BCD 调整就执行对原值加“6”。 BCD 转换实质上是根据累加器和标志位执行 00H，06H， 60H 或 66H 的加法运算，结果存放到数据存储器。只有进 位标志位 C 受影响，用来指示原始 BCD 的和是否大于 100，并可以进行双精度十进制数的加法运算。 [m] ← ACC + 00H 或 [m] ← ACC + 06H 或 [m] ← ACC + 60H 或 [m] ← ACC + 66H C DEC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Decrement Data Memory 将指定数据存储器内容减 1。 [m] ← [m] – 1 Z DECA [m] 指令说明 Decrement Data Memory with result in ACC 将指定数据存储器的内容减 1，把结果存放回累加器 并保持指定数据存储器的内容不变。 ACC ← [m] – 1 Z 功能表示 功能表示 影响标志位 HALT 指令说明 影响标志位 Enter power down mode 此指令终止程序执行并关掉系统时钟，RAM 和寄存器的内 容保持原状态，WDT 计数器和分频器被清“0”，暂停标 志位 PDF 被置位 1，WDT 溢出标志位 TO 被清 0。 TO ← 0 PDF ← 1 TO、PDF INC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Increment Data Memory 将指定数据存储器的内容加 1。 [m] ← [m] + 1 Z 功能表示 Rev.1.10 108 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 INCA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 JMP addr 指令说明 功能表示 影响标志位 Jump unconditionally 程序计数器的内容无条件地由被指定的地址取代， 程序由新的地址继续执行。当新的地址被加载时， 必须插入一个空指令周期，所以此指令为 2 个周期的指令。 Program Counter ← addr 无 MOV A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Move Data Memory to ACC 将指定数据存储器的内容复制到累加器。 ACC← [m] 无 MOV A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 Move immediate data to ACC 将 8 位立即数载入累加器。 ACC ← x 无 MOV [m], A 指令说明 功能表示 影响标志位 Move ACC to Data Memory 将累加器的内容复制到指定的数据存储器。 [m] ← ACC 无 NOP 指令说明 功能表示 影响标志位 No operation 空操作，接下来顺序执行下一条指令。 PC ← PC + 1 OR A, [m] 指令说明 Logical OR Data Memory to ACC 将累加器中的数据和指定的数据存储器内容逻辑或， 结果存放到累加器。 ACC ← ACC“OR”[m] Z 功能表示 影响标志位 Rev.1.10 Increment Data Memory with result in ACC 将指定数据存储器的内容加 1，结果存放回累加器并保持 指定的数据存储器内容不变。 ACC ← [m] + 1 Z 无 109 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 OR A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 Logical OR immediate data to ACC 将累加器中的数据和立即数逻辑或，结果存放到累加器。 ACC ← ACC“OR”x Z ORM A, [m] 指令说明 Logical OR ACC to Data Memory 将存在指定数据存储器中的数据和累加器逻辑或， 结果放到数据存储器。 [m] ← ACC“OR”[m] Z 功能表示 影响标志位 RET 指令说明 功能表示 影响标志位 RET A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 RETI 指令说明 功能表示 Return from subroutine and load immediate data to ACC 将堆栈寄存器中的程序计数器值恢复且累加器载入指定的 立即数，程序由取回的地址继续执行。 Program Counter ← Stack ACC←x 无 Return from interrupt 将堆栈寄存器中的程序计数器值恢复且中断功能通过设置 EMI 位重新使能。EMI 是控制中断使能的主控制位。如果 在执行 RETI 指令之前还有中断未被相应，则这个中断将 在返回主程序之前被相应。 Program Counter ←Stack EMI ← 1 影响标志位 无 RL [m] 指令说明 功能表示 Rotate Data Memory left 将指定数据存储器的内容左移 1 位，且第 7 位移到第 0 位。 [m].(i+1) ← [m].i (i=0~6) [m].0 ← [m].7 无 影响标志位 Rev.1.10 Return from subroutine 将堆栈寄存器中的程序计数器值恢复， 程序由取回的地址继续执行。 Program Counter←Stack 无 110 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 RLA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 无 RLC [m] 指令说明 Rotate Data Memory Left through Carry 将指定数据存储器的内容连同进位标志左移 1 位， 第 7 位取代进位标志且原本的进位标志移到第 0 位。 [m].(i+1) ← [m].i (i=0~6) [m].0 ← C C ← [m].7 C 功能表示 影响标志位 RLC A [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 RR [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 RRA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Rev.1.10 Rotate Data Memory left with result in ACC 将指定数据存储器的内容左移 1 位，且第 7 位移到第 0 位， 结果送到累加器，而指定数据存储器的内容保持不变。 ACC.(i+1) ← [m].i (i=0~6) ACC.0 ←[m].7 Rotate Data Memory left through Carry with result in ACC 将指定数据存储器的内容连同进位标志左移 1 位，第 7 位 取代进位标志且原本的进位标志移到第 0 位 , 移位结果送 回累加器，但是指定数据寄存器的内容保持不变。 ACC.(i+1) ← [m].i (i=0~6) ACC.0 ← C C ← [m].7 C Rotate Data Memory right 将指定数据存储器的内容循环右移 1 位且第 0 位移到 第 7 位。 [m].i ← [m].(i+1) (i=0~6) [m].7 ← [m].0 无 Rotate Data Memory right with result in ACC 将指定数据存储器的内容循环右移 1 位，第 0 位移到 第 7 位，移位结果存放到累加器，而指定数据存储器的内 容保持不变。 ACC.i ← [m].(i+1) (i=0~6) ACC.7 ← [m].0 无 111 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 RRC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 RRCA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SBC A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SBCM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SDZ [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Rev.1.10 Rotate Data Memory right through Carry 将指定数据存储器的内容连同进位标志右移 1 位， 第 0 位取代进位标志且原本的进位标志移到第 7 位。 [m].i ← [m].(i+1) (i=0~6) [m].7← C C ← [m].0 C Rotate Data Memory right through Carry with result in ACC 将指定数据存储器的内容连同进位标志右移 1 位，第 0 位 取代进位标志且原本的进位标志移到第 7 位 , 移位结果送 回累加器，但是指定数据寄存器的内容保持不变。 ACC.i ← [m].(i+1) (i=0~6) ACC.7 ← C C ← [m].0 C Subtract Data Memory from ACC with Carry 将累加器减去指定数据存储器的内容以及进位标志的反， 结果存放到累加器。如果结果为负，C 标志位清除为 0， 反之结果为正或 0，C 标志位设置为 1。 ACC ← ACC – [m] – C OV、Z、AC、C、SC、CZ Subtract Data Memory from ACC with Carry and result in Data Memory 将累加器减去指定数据存储器的内容以及进位标志的反， 结果存放到数据存储器。如果结果为负，C 标志位清除为 0， 反之结果为正或 0，C 标志位设置为 1。 [m] ← ACC – [m] – C OV、Z、AC、C、SC、CZ Skip if Decrement Data Memory is 0 将指定的数据存储器的内容减 1，判断是否为 0，若为 0 则 跳过下一条指令，由于取得下一个指令时会要求插入一个 空指令周期，所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不 为 0，则程序继续执行下一条指令。 [m] ← [m] – 1，如果 [m]=0 跳过下一条指令执行 无 112 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 SDZA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 将指定数据存储器内容减 1，判断是否为 0，如果为 0 则跳 过下一条指令，此结果将存放到累加器，但指定数据存储 器内容不变。由于取得下一个指令时会要求插入一个空指 令周期，所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不为 0， 则程序继续执行下一条指令。 ACC ← [m] – 1，如果 ACC=0 跳过下一条指令执行 无 SET [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Set Data Memory 将指定数据存储器的每一位设置为 1。 [m] ← FFH 无 SET [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 Set bit of Data Memory 将指定数据存储器的第 i 位置位为 1。 [m].i ← 1 无 SIZ [m] 指令说明 Skip if increment Data Memory is 0 将指定的数据存储器的内容加 1，判断是否为 0，若为 0 则 跳过下一条指令。由于取得下一个指令时会要求插入一个 空指令周期，所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不 为 0，则程序继续执行下一条指令。 [m] ←[m] + 1，如果 [m]=0 跳过下一条指令执行 无 功能表示 影响标志位 SIZA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Rev.1.10 Decrement data memory and place result in ACC,skip if 0 Skip if increment Data Memory is zero with result in ACC 将指定数据存储器的内容加 1，判断是否为 0，如果为 0 则 跳过下一条指令，此结果会被存放到累加器，但是指定数 据存储器的内容不变。由于取得下一个指令时会要求插入 一个空指令周期，所以此指令为 2 个周期的指令。如果结 果不为 0，则程序继续执行下一条指令。 ACC ←[m] + 1，如果 ACC=0 跳过下一条指令执行 无 113 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 SNZ [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 SUB A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SUBM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SUB A, x 指令说明 无 Subtract Data Memory from ACC 将累加器的内容减去指定的数据存储器的数据，把结果存 放到累加器。如果结果为负，C 标志位清除为 0，反之结果 为正或 0，C 标志位设置为 1。 ACC ← ACC – [m] OV、Z、AC、C、SC、CZ Subtract Data Memory from ACC with result in Data Memory 将累加器的内容减去指定数据存储器的数据，结果存放到 指定的数据存储器。如果结果为负，C 标志位清除为 0， 反之结果为正或 0，C 标志位设置为 1。 [m] ← ACC – [m] OV、Z、AC、C、SC、CZ 功能表示 影响标志位 Subtract immediate Data from ACC 将累加器的内容减去立即数，结果存放到累加器。如果结 果为负，C 标志位清除为 0，反之结果为正或 0，C 标志位 设置为 1。 ACC ← ACC – x OV、Z、AC、C、SC、CZ SWAP [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Swap nibbles of Data Memory 将指定数据存储器的低 4 位和高 4 位互相交换。 [m].3~[m].0 ↔ [m].7~[m].4 无 SWAPA [m] 指令说明 Swap nibbles of Data Memory with result in ACC 将指定数据存储器的低 4 位与高 4 位互相交换，再将结果 存放到累加器且指定数据寄存器的数据保持不变。 ACC.3~ACC.0 ← [m].7~[m].4 ACC.7~ACC.4 ← [m].3~[m].0 无 功能表示 影响标志位 Rev.1.10 Skip if bit i of Data Memory is not 0 判断指定数据存储器的第 i 位，若不为 0，则程序跳过下一 条指令执行。由于取得下一个指令时会要求插入一个空指 令周期，所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果为 0， 则程序继续执行下一条指令。 如果 [m].i≠0，跳过下一条指令执行 114 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 SZ [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SZA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SZ [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 TABRD [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 TABRDC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Rev.1.10 Skip if Data Memory is 0 判断指定数据存储器的内容是否为 0，若为 0，则程序跳过 下一条指令执行。由于取得下一个指令时会要求插入一个 空指令周期，所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不 为 0，则程序继续执行下一条指令。 如果 [m]=0, 跳过下一条指令执行 无 Skip if Data Memory is 0 with data movement to ACC 将指定数据存储器内容复制到累加器，并判断指定数据存 储器的内容是否为 0，若为 0 则跳过下一条指令。由于取 得下一个指令时会要求插入一个空指令周期，所以此指令 为 2 个周期的指令。如果结果不为 0，则程序继续执行下 一条指令。 ACC ←[m]，如果 [m]=0，跳过下一条指令执行 无 Skip if bit i of Data Memory is 0 判断指定数据存储器的第 i 位是否为 0，若为 0，则跳过下 一条指令。由于取得下一个指令时会要求插入一个空指令 周期，所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不为 0， 则程序继续执行下一条指令。 如果 [m].i=0，跳过下一条指令执行 无 Read table (specific page) to TBLH and Data Memory 将 表 格 指 针 对 TBHP 和 TBLP 所 指 的 程 序 代 码 低 字 节 ( 指定页 ) 移至指定数据存储器且将高字节移至 TBLH。 [m] ← 程序代码 ( 低字节 ) TBLH ← 程序代码 ( 高字节 ) 无 Read table (current page) to TBLH and Data Memory 将表格指针 TBLP 所指的程序代码低字节 ( 当前页 ) 移至 指定的数据存储器且将高字节移至 TBLH。 [m] ← 程序代码 ( 低字节 ) TBLH ← 程序代码 ( 高字节 ) 无 115 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 TABRDL [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 XOR A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 XORM A, [m] 指令说明 Rev.1.10 Read table (last page) to TBLH and Data Memory 将表格指针 TBLP 所指的程序代码低字节 ( 最后一页 ) 移至指定数据存储器且将高字节移至 TBLH。 [m] ← 程序代码 ( 低字节 ) TBLH ← 程序代码 ( 高字节 ) 无 Logical XOR Data Memory to ACC 将累加器的数据和指定的数据存储器内容逻辑异或， 结果存放到累加器。 ACC ← ACC“XOR”[m] Z 功能表示 影响标志位 Logical XOR ACC to Data Memory 将累加器的数据和指定的数据存储器内容逻辑异或， 结果放到数据存储器。 [m] ← ACC“XOR”[m] Z XOR A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 Logical XOR immediate data to ACC 将累加器的数据与立即数逻辑异或，结果存放到累加器。 ACC ← ACC“XOR”x Z 116 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 封装信息 请注意，这里提供的封装信息仅作为参考。由于这个信息经常更新，提醒用户 咨询 Holtek 网站 以获取最新版本的封装信息。 封装信息的相关内容如下所示，点击可链接至 Holtek 网站相关信息页面。 ● 封装信息 ( 包括外形尺寸、包装带和卷轴规格 ) ● 封装材料信息 ● 纸箱信息 Rev.1.10 117 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 8-pin SOP (150mil) 外形尺寸              符号 A B C C′ D E F G H α 符号 A B C C′ D E F G H α Rev.1.10   最小值 — — 0.012 — — — 0.004 0.016 0.004 0° 尺寸 ( 单位：inch ) 典型值 0.236 BSC 0.154 BSC — 0.193 BSC — 0.050 BSC — — — — 最大值 — — 0.020 — 0.069 — 0.010 0.050 0.010 8° 最小值 — — 0.31 — — — 0.10 0.40 0.10 0° 尺寸 ( 单位：mm ) 典型值 6.00 BSC 3.90 BSC — 4.90 BSC — 1.27 BSC — — — — 最大值 — — 0.51 — 1.75 — 0.25 1.27 0.25 8° 118 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 10-pin DFN (3mm×3mm×0.75mm) 外形尺寸 符号 A A1 A3 b D E e D2 E2 L K 符号 A A1 A3 b D E e D2 E2 L K Rev.1.10 最小值 0.028 0.000 — 0.007 — — — 0.087 0.061 0.012 0.008 尺寸 ( 单位：inch ) 典型值 0.030 0.001 0.080 BSC 0.010 0.118 BSC 0.118 BSC 0.020 BSC 0.091 0.065 0.016 — 最大值 0.031 0.002 — 0.012 — — — 0.093 0.067 0.020 — 最小值 0.700 0.000 — 0.180 — — — 2.200 1.550 0.300 0.200 尺寸 ( 单位：mm ) 典型值 0.750 0.020 0.203 BSC 0.250 3.000 BSC 3.000 BSC 0.500 BSC 2.300 1.650 0.400 — 最大值 0.800 0.050 — 0.300 — — — 2.350 1.700 0.450 — 119 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 10-pin MSOP 外形尺寸                                  符号 A A1 A2 B C D E E1 e L L1 y θ 符号 A A1 A2 B C D E E1 e L L1 y θ Rev.1.10 最小值 — 0.000 0.030 0.007 0.003 — — — — 0.016 — — 0° 尺寸 ( 单位：inch ) 典型值 — — 0.033 — — 0.118 BSC 0.193 BSC 0.118 BSC 0.020 BSC 0.024 0.037 BSC 0.004 — 最大值 0.043 0.006 0.037 0.013 0.009 — — — — 0.031 — — 8° 最小值 — 0.00 0.75 0.17 0.08 — — — — 0.40 — — 0° 尺寸 ( 单位：mm ) 典型值 — — 0.85 — — 3.00 BSC 4.90 BSC 3.00 BSC 0.50 BSC 0.60 0.95 BSC 0.10 — 最大值 1.10 0.15 0.95 0.33 0.23 — — — — 0.80 — — 8° 120 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 16-pin NSOP (150mil) 外形尺寸              符号 A B C C’ D E F G H α 符号 A B C C’ D E F G H α Rev.1.10    最小值 — — 0.012 — — — 0.004 0.016 0.004 0˚ 尺寸 ( 单位：inch ) 典型值 0.236 BSC 0.154 BSC — 0.390 BSC — 0.050 BSC — — — — 最大值 — — 0.020 — 0.069 — 0.010 0.050 0.010 8˚ 最小值 — — 0.31 — — — 0.10 0.40 0.10 0˚ 尺寸 ( 单位：mm ) 典型值 6.00 BSC 3.90 BSC — 9.90 BSC — 1.27 BSC — — — — 最大值 — — 0.51 — 1.75 — 0.25 1.27 0.25 8˚ 121 2019-11-08 BS83B04C 触控型 Flash 单片机 Copyright© 2019 by HOLTEK SEMICONDUCTOR INC. 使用指南中所出现的信息在出版当时相信是正确的，然而 Holtek 对于说明书的使用不负任何责任。 文中提到的应用目的仅仅是用来做说明，Holtek 不保证或表示这些没有进一步修改的应用将是适当 的，也不推荐它的产品使用在会由于故障或其它原因可能会对人身造成危害的地方。Holtek 产品不 授权使用于救生、维生从机或系统中做为关键从机。Holtek 拥有不事先通知而修改产品的权利，对 于最新的信息，请参考我们的网址 http://www.holtek.com/zh/. 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