HT32F52220/HT32F52230
产品规格书
带 ARM® CortexTM-M0+ 内核以及
1 MSPS ADC、USART、UART、SPI、
I2C、GPTM、SCTM、BFTM 和 WDT
高达 32KB Flash 和 4KB SRAM 的 Holtek 32-Bit 单片机
版本 : V1.20
日期 : 2017-03-16
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
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目录
1 简介 .........................................................................................................................................6
2 特性 .........................................................................................................................................7
片上存储器 ........................................................................................................................................... 7
Flash 存储器控制器 – FMC ............................................................................................................... 7
复位控制单元 – RSTCU ..................................................................................................................... 7
时钟控制单元 – CKCU ....................................................................................................................... 8
电源管理 – PWRCU ............................................................................................................................ 8
外部中断 / 事件控制器 – EXTI .......................................................................................................... 8
模数转换器 – ADC ............................................................................................................................. 8
I/O 端口 – GPIO .................................................................................................................................. 9
PWM 产生和捕捉定时器 – GPTM .................................................................................................... 9
单通道产生与捕捉定时器 – SCTM .................................................................................................. 9
基本功能定时器 – BFTM ................................................................................................................. 10
看门狗定时器 – WDT ....................................................................................................................... 10
内部集成电路 – I2C ........................................................................................................................... 10
串行外设接口 – SPI ........................................................................................................................... 10
通用同步异步收发器 – USART.........................................................................................................11
通用异步收发器 – UART ...................................................................................................................11
调试支持 ..............................................................................................................................................11
封装和工作温度 ..................................................................................................................................11
3 概述 .......................................................................................................................................12
单片机信息 ......................................................................................................................................... 12
方框图 ................................................................................................................................................. 13
存储器映射 ......................................................................................................................................... 14
时钟结构 ............................................................................................................................................. 16
4 引脚图 ...................................................................................................................................17
5 电气特性 ...............................................................................................................................22
极限参数 ............................................................................................................................................. 22
建议直流特性 ..................................................................................................................................... 22
片上 LDO 稳压器特性 ...................................................................................................................... 22
功耗 ..................................................................................................................................................... 23
复位和电源监控特性 ......................................................................................................................... 23
外部时钟特性 ..................................................................................................................................... 24
内部时钟特性 ..................................................................................................................................... 25
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内核 ....................................................................................................................................................... 7
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
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PLL 特性 ............................................................................................................................................ 25
存储器特性 ......................................................................................................................................... 25
I/O 端口特性 ...................................................................................................................................... 26
A/D 转换器特性 ................................................................................................................................. 27
I2C 特性 .............................................................................................................................................. 28
SPI 特性 .............................................................................................................................................. 29
6 封装信息 ...............................................................................................................................31
24-pin SSOP (150mil) 外形尺寸 ....................................................................................................... 32
28-pin SSOP (150mil) 外形尺寸 ....................................................................................................... 33
SAW Type 33-pin (4mm×4mm) QFN 外形尺寸 ............................................................................. 34
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SCTM/GPTM 特性 ........................................................................................................................... 28
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表列表
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表列表
表 1. 特性及外设列表 .............................................................................................................................................. 12
表 2. 寄存器映射 ...................................................................................................................................................... 15
表 3. 33-pin QFN，24/28-pin SSOP 封装 ................................................................................................................ 20
表 4. 引脚描述 ......................................................................................................................................................... 21
表 5. 极限参数 ......................................................................................................................................................... 22
表 6. 建议直流工作条件 .......................................................................................................................................... 22
表 7. LDO 特性 ......................................................................................................................................................... 22
表 8. 功耗特性 .......................................................................................................................................................... 23
表 9. VDD 电源复位特性 ........................................................................................................................................... 23
表 10. LVD/BOD 特性 .............................................................................................................................................. 24
表 11. 外部高速时钟 (HSE) 特性 ............................................................................................................................ 24
表 12. 内部高速时钟 (HSI) 特性 ............................................................................................................................. 25
表 13. 内部低速时钟 (LSI) 特性.............................................................................................................................. 25
表 14. PLL 特性 ........................................................................................................................................................ 25
表 15. Flash 存储器特性........................................................................................................................................... 25
表 16. I/O 端口特性 .................................................................................................................................................. 26
表 17. A/D 转换器特性............................................................................................................................................. 27
表 18. SCTM/GPTM 特性 ........................................................................................................................................ 28
表 19. I2C 特性 .......................................................................................................................................................... 28
表 20. SPI 特性 ......................................................................................................................................................... 29
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图列表
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图列表
图 1. 方框图 .............................................................................................................................................................. 13
图 2. 存储器映射 ...................................................................................................................................................... 14
图 3. 时钟结构图 ...................................................................................................................................................... 16
图 4. 24-pin SSOP 引脚图 ........................................................................................................................................ 17
图 5. 28-pin SSOP 引脚图 ........................................................................................................................................ 18
图 6. 33-pin QFN 引脚图 .......................................................................................................................................... 19
图 7. A/D 转换器采样网络模板............................................................................................................................... 27
图 8. I2C 时序图 ........................................................................................................................................................ 29
图 9. SPI 时序图 – SPI 主机模式 ............................................................................................................................. 30
图 10. SPI 时序图 – SPI 从机模式，CPHA=1 ........................................................................................................ 30
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
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111 简介
该系列的 Holtek 单片机是一款基于 ARM® CortexTM-M0+ 处理器内核的 32-bit 高性能低功耗单
片机。CortexTM-M0+ 是把嵌套向量中断控制器 (NVIC)、系统节拍定时器 (SysTick Timer) 和先进
的调试支持紧紧结合在一起的新一代处理器内核。
以上这些特性使该系列单片机可以广泛地适用于各种应用，如白色家电应用控制、电源监控、报
警系统、消费类产品、手持式设备、数据记录应用、马达控制等。
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简介
该系列单片机可工作在高达 40MHz 的频率下，借助 Flash 加速器以获得最大的效能。它提供高达
32KB 的嵌入式 Flash 存储器用作程序 / 数据存储，高达 4KB 的嵌入式 SRAM 存储器用作系统
操作和应用程序运用。此系列单片机具有多种外设，如 ADC、I2C、USART、UART、SPI、GPTM、
SCTM、BFTM、WDT、SW-DP ( 串行线调试端口 ) 等。提供了几种省电模式，在唤醒延迟和功耗
方面具有最优化的灵活性，这是低功耗应用方面的考虑要点。
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222 特性
内核
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特性
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32-bit ARM® CortexTM-M0+ 处理器内核
高达 40MHz 的工作频率
0.93 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
单周期乘法
集成嵌套向量中断控制器 (NVIC)
24-bit SysTick 定时器
CortexTM-M0+ 处理器是一种低门数，高效能的 32-bit 处理器内核，专为要求面积优化、低功耗
处理器的单片机及深度嵌入式应用而设计。CortexTM-M0+ 处理器基于 ARMv6-M 架构，支持
Thumb® 指令集。该处理器还提供了许多功能，如单周期 I/O 端口，硬件乘法器和低延迟中断响应
时间。
片上存储器
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高达 32KB 片上 Flash 存储器用于指令 / 数据和选项的存储
4KB 片上 SRAM
支持多种启动模式
ARM® CortexTM-M0+ 处理器通过同一条外部接口对外部 AHB 外设进行访问及调试访问。处理
器访问优先于调试访问。CortexTM-M0+ 的最大地址范围是 4GB，因为它具有 32-bit 总线地址宽
度。此外，预先定义的内存映射由 CortexTM-M0+ 处理器提供，以减少软件被不同的单片机供应
商重复实施的复杂性。但有一些区域为 ARM® CortexTM-M0+ 系统外设所使用。更多信息请参考
ARM® CortexTM-M0+ 技术参考手册。图 2 显示了该系列单片机的内存映射，包括代码、SRAM、
外设和其它预先定义的区域。
Flash 存储器控制器 – FMC
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Flash 加速器用以提升效能
32-bit 字编程，带有在线系统编程 (ISP) 和在线应用编程 (IAP)
Flash 保护功能，防止非法访问
Flash 存储器控制器 FMC 为嵌入式片上 Flash 存储器提供所有必要的功能和预抓取缓存器。由
于 Flash 存储器访问速度比 CPU 慢，故提供一个带有预抓取缓存器的宽访问接口来减少 CPU 指
令执行延迟的等待时间。Flash 存储器还提供字编程 / 页擦除功能。
复位控制单元 – RSTCU
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电源监控：
●● 上电复位 / 掉电复位 – POR/PDR
●● 掉电检测器 – BOD
●● 可编程低压检测 – LVD
复位控制单元 RSTCU 有三种复位方式，分别是上电复位、系统复位和 APB 单元复位。上电复位，
被称为冷复位，在上电时复位了整个系统。系统复位复位了处理器内核和除 SW-DP 控制器以外的
外设 IP 元件。这些复位可以通过外部信号、内部事件和复位发生器触发。
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时钟控制单元 – CKCU
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时钟控制单元 CKCU 提供了一系列振荡器和时钟功能，包括内部高速 RC 振荡器 (HSI)、外部高
速晶振 (HSE)、内部低速 RC 振荡器 (LSI)、锁相环 (PLL)、HSE 时钟监控、时钟预分频器、时钟
倍频和 APB 时钟分频器与门控电路。AHB、APB 和 CortexTM-M0+ 的时钟来源于系统时钟 (CK_
SYS)，而系统时钟可以来自 LSI、HSI、HSE 或者 PLL。看门狗定时器使用 LSI 作为它的时钟源。
电源管理 – PWRCU
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单电源 VDD 供电：2.0V~3.6V
集成 1.5V LDO 稳压器用作 CPU 内核、外设和存储器电源
两个电源域：VDD、1.5V
四种省电模式：休眠模式、深度休眠模式 1、深度休眠模式 2、暂停模式
功耗被视为许多嵌入式系统应用中最重要的问题之一。因此，在这些单片机中，电源控制单元
PWRCU 提供多种省电模式如休眠模式、深度休眠模式 1、深度休眠模式 2、暂停模式。这些工作
模式可以降低功耗，并允许应用在 CPU 运行时间、速度和功耗相互冲突的需求中达到最佳平衡。
外部中断 / 事件控制器 – EXTI
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高达 16 个可配置触发源和触发类型的 EXTI 输入线
所有 GPIO 引脚都可选作 EXTI 触发源
触发源类型包括：高电平、低电平、下降沿、上升沿或者双沿
每个 EXTI 输入线都可独立进行中断使能、唤醒和状态位设置
每个 EXTI 输入线都有软件中断触发模式
内建去干扰滤波器，用于封锁短脉冲
外部中断 / 事件控制器 EXTI 由 16 个可独立产生唤醒事件和中断请求的边沿检测器组成。每个
EXTI 输入线也可被单独屏蔽。
模数转换器 – ADC
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12-bit SAR A/D 转换器内核
高达 1 Msps 转换速率
高达 8 个外部模拟输入通道
此系列单片机包含一个多通道 12-bit A/D 转换器，其具有多路复用通道，包括 8 个提供模拟信号
的外部通道和 2 个可测量的内部通道。如果输入电压必须保持在一个特定的阈值窗口，模拟看门
狗功能将监控和检测这些信号。当输入电压高于或低于设定的阈值，将产生中断。有三种转换模
式用来把模拟信号转换成数字数据。A/D 转换器可工作在单次转换、连续和非连续转换模式。
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特性
外部 4~16MHz 晶振
在工作电压为 3.3V，工作温度为 25°C 下，内部 8MHz RC 振荡器精度可调整为 ±2%
内部 32KHz RC 振荡器
集成系统时钟 PLL
用作外设时钟源的独立的时钟分频器与门控位
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
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I/O 端口 – GPIO
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多达 23 个通用输入 / 输出口 (GPIO)
端口 A、B 映射为 16 个外部中断 – EXTI
几乎所有 I/O 引脚都具有可编程输出驱动电流功能
在封装上 GPIO 引脚与其它替代功能引脚共用，以获得最大的灵活性。通过配置相应的寄存器，
GPIO 口可以被用作替代功能的引脚。对单片机 GPIO 引脚的外部中断在外部中断控制单元，
EXTI，都有相关的控制和配置寄存器。
PWM 产生和捕捉定时器 – GPTM
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1 个 16-bit 向上、向下、向上 / 向下自动重载计数器
16-bit 可编程预分频器对计数器时钟频率进行分频，分频率为 1~65536
输入捕捉功能
比较匹配输出
PWM 波形产生功能，具有边沿对齐和中心对齐两种计数模式
单脉冲输出模式
内建可处理编码器接口信号的带两个输入口的正交解码器
通用定时器包括一个 16-bit 向上 / 向下计数器，4 个 16-bit 捕捉 / 比较寄存器 (CCR)，一个 16-bit
计数器重载寄存器 (CRR) 和多个控制 / 状态寄存器。它们可用于多种用途，包括通用计时、输入信
号脉冲宽度测量、输出波形产生，如单脉冲波形产生或 PWM 输出。GPTM 内建可处理编码器接
口信号的带两个输入口的正交解码器。
单通道产生与捕捉定时器 – SCTM
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1 个 16-bit 向上自动重载计数器
每个定时器具有一个独立通道
16-bit 可编程预分频器对计数器时钟频率进行分频，分频率为 1~65536
输入捕捉功能
比较匹配输出
PWM 波形产生功能，具有边沿对齐计数模式
单脉冲输出模式
单通道定时器包括一个 16-bit 向上计数器，一个 16-bit 捕捉 / 比较寄存器 (CCR)，一个 16-bit 计
数器重装载寄存器 (CRR) 和多个控制 / 状态寄存器。它们可用于多种用途，包括通用计时、输入
信号脉冲宽度测量、输出波形产生，如单脉冲波形产生或 PWM 输出。
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特性
单片机有多达 23 个通用 I/O 引脚，GPIO，即 PA 端口和 PB 端口，可以实现逻辑输入 / 输出功能。
每个 GPIO 端口都有相关的控制和配置寄存器，扩大了灵活性并满足特定的应用需求。
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
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基本功能定时器 – BFTM
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1 个 32-bit 比较 / 匹配向上计数器 – 无输入 / 输出引脚
单次模式 – 匹配条件产生后停止计数
重复模式 – 匹配条件产生后重启计数器
看门狗定时器 – WDT
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带有 3-bit 预分频器的 12-bit 向下计数器
可产生系统复位
可编程看门狗定时器窗口功能
寄存器写保护功能
看门狗定时器是一个硬件定时电路，可用于检测因软件故障导致的系统故障。它包括一个 12-bit
向下计数器、预分频器、一个 WDT 增量值寄存器、WDT 操作控制电路和 WDT 保护机制。如果
软件在看门狗定时器溢出前没有重载计数器的值，计数器溢出时将产生复位。此外，当计数器值大
于 WDT 增量值时，如果软件重新加载计数器，也会产生复位。这意味着计数器必须在有限的时间
窗口内用特定方法重新加载。当处理器处于调试模式，看门狗定时器计数器可停止计数。该寄存
器写保护功能被使能，来防止看门狗定时器配置的突然改变。
内部集成电路 – I2C
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支持高达 1MHz 频率的主从模式
提供仲裁功能和时钟同步功能
支持 7-bit 和 10-bit 寻址模式和广播呼叫寻址
支持带可屏蔽地址的多种从机寻址模式
I2C 模块是一个允许与外部 I2C 接口通讯的内部电路，而外部 I2C 接口是一个符合工业标准并用
于连接外部硬件的两线串行接口。这两个串行线被称为串行数据线 SDA 和串行时钟线 SCL。I2C
模块提供了三种数据传输速率：即标准模式下的 100KHz、快速模式下的 400KHz 和高速模式下
的 1MHz。SCL 周期产生寄存器用于设置不同的占空比得到不同的 SCL 脉冲。
SDA 线是一条双向数据线，它连接整个 I2C 总线，在主机和从机之间用于数据的传输和接收。I2C
模块还具有仲裁检测功能和时钟同步，可防止多个主机试图同时传送数据到 I2C 总线的情况。
串行外设接口 – SPI
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支持主从模式
主机模式频率高达 (fPCLK/2) MHz，从机模式频率高达 (fPCLK/3) MHz
FIFO 深度：8 级
多个主机和多个从机工作模式
串行外设接口 SPI 提供了一个 SPI 协议：主从模式下数据传输和接收功能。SPI 接口使用 4 个引
脚，其中有串行数据输入和输出线 MISO 和 MOSI，时钟线 SCK 和从机选择线 SEL。SPI 作为主
机使用，用 SEL 和 SCK 信号控制数据流来说明数据通信启动和数据采样率。要接收数据字节，
数据流在特定的时钟边沿时被锁存且存储在数据寄存器或 RX FIFO。数据传输也是通过类似的
方式，但以相反的顺序。模式故障检测功能使其适用于多主机应用。
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特性
基本功能定时器是一个简单的 32-bit 向上计数器，可用于测量时间间隔并产生一个单次或者重复
中断。BFTM 工作在两种功能模式下，即重复模式或单次模式。在重复模式下，当一个比较匹配事
件发生时，BFTM 重启计数器。BFTM 也包含一个单次模式，在此模式下，当一个比较匹配事件发
生时，计数器停止计数。
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通用同步异步收发器 – USART
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特性
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同时支持异步和时钟同步串行通信模式
异步工作频率高达 (fPCLK/16) MHz，同步工作频率高达 (fPCLK/8) MHz
全双工通信
完全可编程串行接口通信特性包括：
●● 字长：7、8 或 9-bit 字符
●● 校验位：奇、偶或无奇偶校验位的产生和检测
●● 停止位：1 或 2 个停止位
●● 位顺序：低位优先或高位优先传输
错误侦测：奇偶校验、溢出和帧错误
自动硬件流控制模式 – RTS、CTS
IrDA SIR 编码器和解码器
具有输出使能控制的 RS485 模式
FIFO 深度：8×9 位接收器和发送器
通用同步异步收发器 USART 提供了一个灵活的采用同步或异步传输的全双工数据交换。USART
用来转换并行和串行接口之间的数据，通常也被用作 RS232 标准通信。USART 外设功能支持四
种类型的中断，包括线路状态中断、发送 FIFO 空中断、接收器阈值级别到达中断和超时中断。
USART 模块包括一个发送 FIFO (TX FIFO) 和一个接收 FIFO (RX FIFO)。通过读取线路状态寄
存器 LSR，软件可以检测 USART 的错误状态。状态包括传输模式下的类型和状况以及因奇偶、
溢出、帧和暂停事件造成的错误状况。
通用异步收发器 – UART
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异步串行通信工作频率高达 (fPCLK/16) MHz
全双工通信
完全可编程串行接口通信特性包括：
●● 字长：7、8 或 9-bit 字符
●● 校验位：奇、偶或无奇偶校验位的产生和检测
●● 停止位：1 或 2 个停止位
●● 位顺序：低位优先或高位优先传输
错误侦测：奇偶校验、溢出和帧错误
通用异步收发器 UART 提供了一个灵活的采用异步传输的全双工数据交换。UART 用来转换并
行和串行接口之间的数据，通常也被用作 RS232 标准通信。UART 外设功能支持线路状态中断。
通过读取线路状态寄存器 LSR，软件可以检测 UART 的错误状态。状态包括传输模式下的类型
和状况以及因奇偶、溢出，帧和暂停事件造成的错误状况。
调试支持
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串行线调试端口 – SW-DP
4 个用于硬件断点或代码 / 文字补丁的比较器
2 个用于硬件数据观察点的比较器
封装和工作温度
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24/28-pin SSOP，33-pin QFN 封装
工作温度：-40˚C~+85˚C
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333 概述
单片机信息
表 1. 特性及外设列表
31
选项字节 Flash (KB)
1
1
4
4
SRAM (KB)
定时器
通信
GPTM
1
SCTM
2
BFTM
1
WDT
1
SPI
1
USART
1
UART
1
IC
1
2
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16
EXTI
16
12-bit ADC
通道数
1
GPIO
23 (Max.)
CPU 频率
40MHz (Max.)
工作电压
2.0V~3.6V
工作温度
-40°C~+85°C
封装
24/28-pin SSOP，33-pin QFN
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概述
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外设
主 Flash (KB)
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
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方框图
PA; PB
SWCLK SWDIO
BOOT
AF
AF
Powered by VDD15
FMC
Control Registers
HSI
SRAM
CLDO
LDO
CAP.
1.5 V
Interrupt request
BOD
LVD
Powered by VDD
PLL
AF
MOSI, MISO
SCK, SEL
I2C
AF
SDA
SCL
GPTM
AF
UART
WDT
SPI
AFIO
APB
EXTI
Power control
USART
AF
TX, RX
SRAM
Controller
XTALIN
XTALOUT
8 MHz
CKCU/RSTCU
Control Registers
AHB to APB
Bridge
AF
TX, RX
RTS/TXE
CTS/SCK
AHB
Peripherals
HSE
4 ~ 16 MHz
Clock and reset control
Bus Matrix
System
NVIC
IO Port
CortexTM-M0+
Processor
GPIO
VSS
CH3 ~ CH0
BFTM
AF
SCTM0 ~ 1
SCTM0 ~
SCTM1
VDD
AF
ADC_IN0
...
ADC
PWRCU
VDDA
VSSA
Power supply:
Bus:
Control signal:
Alternate function:
Powered by VDDA
Powered by VDD15
Powered by VDD
LSI
32 kHz
VSS
AF
ADC_IN7
12-bit
SAR ADC
WAKEUP
nRST
AF
图 1. 方框图
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概述
SW-DP
Flash
Memory
AF
Flash Memory
Interface
VDD
POR
/PDR
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存储器映射
0xFFFF_FFFF
Reserved
0xE000_0000
0x400F_FFFF
Private peripheral bus
0x400B_4000
0x400B_0000
0x4008_A000
0x4008_8000
0x4008_2000
0x4008_0000
Reserved
0x4010_0000
Peripheral
0x4008_0000
0x4000_0000
AHB peripherals
512 KB
APB peripherals
512 KB
Reserved
SRAM
0x2000_1000
4 KB on-chip SRAM
4 KB
0x2000_0000
0x1FF0_0400
0x1FF0_0000
0x1F00_0800
Code
0x1F00_0000
0x000_8000
Reserved
Option byte alias
0x4007_7000
0x4007_6000
0x4007_5000
0x4007_4000
0x4006_F000
0x4006_E000
0x4006_B000
0x4006_A000
0x4006_9000
0x4006_8000
0x4004_9000
0x4004_8000
0x4003_5000
0x4003_4000
0x4002_5000
0x4002_4000
0x4002_3000
0x4002_2000
0x4001_1000
0x4001_0000
0x4000_5000
0x4000_4000
0x4000_2000
0x4000_1000
0x4000_0000
概述
0xE010_0000
Reserved
GPIO A ～ B
Reserved
CKCU/RSTCU
Reserved
FMC
Reserved
BFTM
Reserved
SCTM1
Reserved
GPTM
Reserved
PWRCU
Reserved
WDT
Reserved
I2C
Reserved
SCTM0
Reserved
EXTI
Reserved
AFIO
Reserved
ADC
Reserved
SPI
Reserved
UART
USART
AHB
APB
1 KB
Reserved
Boot loader
2 KB
Reserved
Up to
32 KB on-chip Flash
Up to
32 KB
0x0000_0000
图 2. 存储器映射
Rev. 1.20
14 of 35
2017-03-16
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
表 2. 寄存器映射
起始地址
外设
0x4000_0000
0x4000_0FFF
USART
0x4000_1000
0x4000_1FFF
UART
0x4000_2000
0x4000_3FFF
保留
0x4000_4000
0x4000_4FFF
SPI
0x4000_5000
0x4001_9FFF
保留
0x4001_0000
0x4001_0FFF
ADC
0x4001_1000
0x4002_1FFF
保留
0x4002_2000
0x4002_2FFF
AFIO
0x4002_3000
0x4002_3FFF
保留
0x4002_4000
0x4002_4FFF
EXTI
0x4002_5000
0x4003_3FFF
保留
0x4003_4000
0x4003_4FFF
SCTM0
0x4003_5000
0x4004_7FFF
保留
0x4004_8000
0x4004_8FFF
IC
0x4004_9000
0x4006_7FFF
保留
0x4006_8000
0x4006_8FFF
WDT
0x4006_9000
0x4006_9FFF
保留
0x4006_A000
0x4006_AFFF
PWRCU
0x4006_B000
0x4006_DFFF
保留
0x4006_E000
0x4006_EFFF
GPTM
0x4006_F000
0x4007_3FFF
保留
0x4007_4000
0x4007_4FFF
SCTM1
0x4007_5000
0x4007_5FFF
保留
0x4007_6000
0x4007_6FFF
BFTM
0x4007_7000
0x4007_FFFF
保留
0x4008_0000
0x4008_1FFF
FMC
0x4008_2000
0x4008_7FFF
保留
0x4008_8000
0x4008_9FFF
CKCU/RSTCU
0x4008_A000
0x400A_FFFF
保留
0x400B_0000
0x400B_1FFF
GPIOA
0x400B_2000
0x400B_3FFF
GPIOB
0x400B_4000
0x400F_FFFF
保留
15 of 35
总线
概述
Rev. 1.20
终止地址
APB
2
AHB
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32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
时钟结构
Prescaler
1 ~ 32
f CK_PLL,max = 40 MHz (Recommended)
PLL
0
STCLK
(to SysTick)
8
CK_PLL
SW[2:0]
CK_GPIO
( to GPIO port)
GPIOAEN
4-16 MHz
HSE XTAL
00x
CK_HSI
GPIOBEN
fCK_SYS,max = 40 MHz
FCLK
( Free running clock)
011
HSEEN
概述
1
HSIEN
PLLEN
CK_REF
CKREFPRE
CKREFEN
PLLSRC
8 MHz
HSI RC
Divider
CK_HSE
010
CK_SYS AHB Prescaler
1,2,4,8,16,32
HCLKC
( to CortexTM-M0+)
CM0PEN
(control by HW)
111
CK_AHB
110
Clock
Monitor
HCLKF
( to Flash)
CM0PEN
FMCEN
HCLKS
( to SRAM)
CM0PEN
Reserved
1
CK_WDT
0
32 kHz
LSI RC
SRAMEN
WDTSRC
CK_LSI
WDTEN
HCLKBM
( to Bus Matrix)
CM0PEN
BMEN
LSIEN
HCLKAPB
( to APB Bridge)
CM0PEN
APBEN
CKOUTSRC[2:0]
CKOUT
PCLK
000
CK_REF
001
010
CK_AHB/16
CK_SYS/16
011
CK_HSE/16
100
CK_HSI/16
101
Reserved
110
CK_LSI
Peripherals
Clock
Prescaler
1,2,4,8
00
PCLK/2
01
PCLK/4
10
PCLK/8
11
EXTIEN
ADC
Prescaler
1,2,3,4,8...
Legend:
HSE = High Speed External clock
HSI = High Speed Internal clock
LSI = Low Speed Internal clock
PCLK ( AFIO, ADC,
SPI, USART, UART,
I2C, GPTM, SCTMx,
BFTM, EXTI, WDT)
SPIEN
CK_ADC IP
ADCEN
图 3. 时钟结构图
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32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
444 引脚图
HT32F52220/HT32F52230
24 SSOP-A
PB7
1
33V
PB8
2
33V
VDDA
3
AP
PA0
4
33V
PA1
5
33V
PA2
6
33V
P33
3.3 V Digital Power Pad
AP
3.3 V Analog Power Pad
P15
1.5 V Power Pad
33V
3.3 V Digital & Analog IO Pad
AF1
引脚图
AF0
(Default)
AF0
(Default)
33V
24
PB4
33V
23
PB3
33V
22
PB2
33V
21
PB1
33V
20
PB0
33V
19
SWDIO
PA13
33V
18
SWCLK
PA12
33V
17
PA9_BOOT
PA3
7
33V
PA4
8
33V
PA5
9
33V
33V
16
XTALOUT
PB14
CLDO
10
P15
33V
15
XTALIN
PB13
VDD
11
P33
33V
14
PB12
VSS
12
P33
33V
13
nRST
33V
3.3 V Digital I/O Pad
图 4. 24-pin SSOP 引脚图
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32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
HT32F52220/HT32F52230
28 SSOP-A
AF0
(Default)
AF0
(Default)
1
33V
PB8
2
33V
VDDA
3
AP
PA0
4
33V
PA1
5
33V
PA2
6
33V
P33
3.3 V Digital Power Pad
AP
3.3 V Analog Power Pad
P15
1.5 V Power Pad
33V
3.3 V Digital & Analog IO Pad
33V
28
PB4
33V
27
PB3
33V
26
PB2
33V
25
PB1
33V
24
PB0
33V
23
PA15
33V
22
PA14
33V
21
SWDIO
PA13
PA12
引脚图
PB7
AF1
PA3
7
33V
PA4
8
33V
PA5
9
33V
33V
20
SWCLK
PA6
10
33V
33V
19
PA9_BOOT
PA7
11
33V
33V
18
XTALOUT
PB14
CLDO
12
P15
33V
17
XTALIN
PB13
VDD
13
P33
33V
16
PB12
VSS
14
P33
33V
15
nRST
33V
3.3 V Digital I/O Pad
图 5. 28-pin SSOP 引脚图
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32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
HT32F52220/HT32F52230
33 QFN-A
PB3
PB2
31
30
29
28
27
26
25
AP
AP
33V
33V
33V
33V
33V
33V
33V
P33
3.3 V Digital Power Pad
AP
3.3 V Analog Power Pad
P15
1.5 V Power Pad
33V
33V
AF0
(Default)
33V
24
PB1
33V
23
PB0
33V
22
PA15
33V
21
PA14
AF1
PA3
4
33V
PA4
5
33V
33V
3.3 V Digital & Analog IO Pad
33V
20
SWDIO
PA13
PA5
6
33V
33V
3.3 V Digital I/O Pad
33V
19
SWCLK
PA12
33V
18
PA9_
BOOT
33V
17
XTALOUT
PA6
7
33V
PA7
8
33V
VDD VDD Domain Pad
33 VSS
VSS
14
15
16
AF1
VDD
13
AF0
(Default)
CLDO
12
PB13
11
XTALIN
10
33V
PB12
9
VDD VDD VDD VDD
33V 33V 33V 33V
N.C.
P33
N.C.
P33
nRST
P15
PB14
图 6. 33-pin QFN 引脚图
Rev. 1.20
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引脚图
PB4
32
AF0
(Default)
N.C.
3
PB7
PA2
2
PB8
PA1
1
VDDA
PA0
VSSA
AF0
(Default)
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
表 3. 33-pin QFN，24/28-pin SSOP 封装
复用功能映射
封装
AF0
33QFN 28SSOP 24SSOP
系统
默认
AF1
AF2
AF3
AF4
AF5
AF6
AF7
AF8 AF9 AF10 AF11 AF12 AF13 AF14 AF15
IC
N/A
GPIO ADC
N/A GPTM
SPI
USART
/UART
2
4
4
PA0
ADC_
IN0
GT_CH0
SPI_
SCK
USR_
RTS
I2C_
SCL
2
5
5
PA1
ADC_
IN1
GT_CH1
SPI_
MOSI
USR_
CTS
I2C_
SDA
3
6
6
PA2
ADC_
IN2
GT_CH2
SPI_
MISO
USR_TX
4
7
7
PA3
ADC_
IN3
GT_CH3
SPI_
SEL
USR_RX
5
8
8
PA4
ADC_
IN4
GT_CH0
SPI_
SCK
UR_TX
I2C_
SCL
6
9
9
PA5
ADC_
IN5
GT_CH1
SPI_
MOSI
UR_RX
I2C_
SDA
7
10
PA6
ADC_
IN6
GT_CH2
SPI_
MISO
8
11
PA7
ADC_
IN7
GT_CH3
SPI_
SEL
9
12
10
CLDO
10
13
11
VDD
11
14
12
VSS
12
15
13
nRST
13
NC
14
NC
SPI_
MISO
N/A
N/A
SCTM
15
16
14
PB12
16
17
15
XTALIN
PB13
UR_TX
I2C_
SCL
17
18
16
XTALOUT
PB14
UR_RX
I2C_
SDA
18
19
17
PA9_
BOOT
19
20
18
SWCLK
PA12
20
21
19
SWDIO
PA13
21
22
PA14
GT_CH0
SPI_
SEL
USR_
RTS
I2C_
SCL
22
23
PA15
GT_CH0
SPI_
SCK
USR_
CTS
I2C_
SDA
23
24
20
PB0
GT_CH1
SPI_
MOSI
USR_TX
I2C_
SCL
24
25
21
PB1
GT_CH1
SPI_
MISO
USR_RX
I2C_
SDA
25
26
22
PB2
GT_CH2
SPI_
SEL
UR_TX
GT_CH2
SPI_
SCK
UR_RX
SCTM1
SPI_
MOSI
UR_TX
SCTM0
26
27
23
PB3
27
28
24
PB4
28
UR_RX
N/A
SPI_
MOSI
N/A
系统
其它
引脚图
1
N/A
SCTM0
WAKEUP
SCTM1
CKOUT
SCTM1
SCTM0
NC
29
1
1
PB7
GT_CH3
SPI_
MISO
UR_TX
I2C_
SCL
30
2
2
PB8
GT_CH3
SPI_
SEL
UR_RX
I2C_
SDA
31
3
3
VDDA
32
VSSA
33
VSS
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32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
表 4. 引脚描述
引脚编号
33QFN 28SSOP 24SSOP
引脚
名称
类型
( 注 1)
I/O
结构 ( 注 2)
描述
输出
驱动
默认功能 (AF0)
1
1
PB7
AI/O
33V
4/8/12/16mA PB7
30
2
2
PB8
AI/O
33V
4/8/12/16mA PB8
31
3
3
VDDA
P
—
—
ADC 模拟电压
32
VSSA
P
—
—
ADC 模拟地
33
VSS
P
—
—
数字 I/O 接地参考电压
引脚图
29
1
4
4
PA0
AI/O
33V
4/8/12/16mA PA0
2
5
5
PA1
AI/O
33V
4/8/12/16mA PA1
3
6
6
PA2
AI/O
33V
4/8/12/16mA PA2
4
7
7
PA3
AI/O
33V
4/8/12/16mA PA3
5
8
8
PA4
AI/O
33V
4/8/12/16mA PA4
6
9
9
PA5
AI/O
33V
4/8/12/16mA PA5
7
10
PA6
AI/O
33V
4/8/12/16mA PA6
8
11
PA7
AI/O
33V
4/8/12/16mA PA7
9
12
10
CLDO
P
—
—
内核 1.5V LDO 电源输出
建议连接一个 1μF~2.2μF 电容，尽量
靠近 CLDO 与 VSS 引脚
10
13
11
VDD
P
—
—
数字 I/O 口电压
11
14
12
VSS
P
—
—
数字 I/O 口接地参考电压
12
15
13
nRST 注 3
I (VDD)
33V_PU
—
暂停模式下外部复位引脚和外部唤醒
引脚
NC
—
—
—
—
NC
—
—
—
13
14
16
14
16
17
15
PB13
AI/O
17
18
16
PB14
AI/O
18
19
17
PA9
I/O
33V_PU 4/8/12/16mA PA9_BOOT
19
20
18
PA12
I/O
33V_PU 4/8/12/16mA SWCLK
20
21
19
PA13
I/O
33V_PU 4/8/12/16mA SWDIO
21
22
PA14
I/O
33V
4/8/12/16mA PA14
22
23
PA15
I/O
33V
4/8/12/16mA PA15
23
24
20
PB0
I/O
33V
4/8/12/16mA PB0
24
25
21
PB1
I/O
33V
4/8/12/16mA PB1
25
26
22
PB2
I/O
33V
4/8/12/16mA PB2
26
27
23
PB3
I/O
33V
4/8/12/16mA PB3
27
28
24
PB4
I/O
33V
4/8/12/16mA PB4
NC
—
—
28
PB12 注 3 I/O (VDD)
—
15
33V
4/8/12/16mA PB12
33V
4/8/12/16mA XTALIN
33V
4/8/12/16mA XTALOUT
—
—
注：1. I = 输入，O = 输出，A = 模拟端口，P = 电源，PU = 上拉，VDD=VDD 电源。
2. 33V=3.3V 容限。
3. 这些引脚位于 VDD 电源域。
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32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
555 电气特性
极限参数
表 5. 极限参数
符号
参数
最小值
最大值
单位
VDD
外部主电源供应电压
VSS-0.3
VSS+3.6
V
VDDA
外部模拟电源供应电压
VSSA-0.3
VSSA+3.6
V
VIN
I/O 口输入电压
VSS-0.3
VSS+0.3
V
TA
工作温度的范围
-40
+85
°C
TSTG
储存温度的范围
-55
+150
°C
TJ
最大结温
—
125
°C
PD
总功耗
—
500
mW
VESD
静电放电电压 – 人体模式
-4000
+4000
V
建议直流特性
表 6. 建议直流工作条件
符号
参数
TA=25˚C, 除非另有规定
条件
最小值 典型值 最大值
单位
VDD
I/O 的工作电压
—
2.0
3.3
3.6
V
VDDA
模拟工作电压
—
2.5
3.3
3.6
V
片上 LDO 稳压器特性
表 7. LDO 特性
符号
Rev. 1.20
TA=25˚C, 除非另有规定
参数
条件
VLDO
内部稳压器输出电压
调整后，VDD ≥ 2.0V 稳压器输入 @
ILDO=35mA 且电压变化为 ±5%
ILDO
输出电流
CLDO
内核供电的外部滤波
电容值
最小值 典型值 最大值 单位
1.425
1.5
1.57
V
VDD=2.0V 稳压器输入 @
VLDO=1.5V
—
30
35
mA
电容值取决于内核电源的功耗
—
1
—
µF
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电气特性
下面的表格说明单片机的极限参数。这里只强调额定功率，超过极限参数所规定的范围将对芯片
造成损害，无法预期芯片在上述标示范围外的工作状态，而且若长期在标示范围外的条件下工作，
可能影响芯片的可靠性。
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
功耗
表 8. 功耗特性
符号
TA=25˚C, 除非另有规定
参数
条件
—
10.5
—
mA
VDD=3.3V, HSE=8MHz, PLL=40MHz,
fHCLK=40MHz, fPCLK=40MHz, 所有外设除能
—
6.8
—
mA
VDD=3.3V, HSE off, PLL off, LSI on,
fHCLK=32KHz, fPCLK=32KHz, 所有外设使能
—
44
—
µA
VDD=3.3V, HSE off, PLL off, LSI on,
fHCLK=32KHz, fPCLK=32KHz, 所有外设除能
—
41
—
µA
VDD=3.3V, HSE=8MHz, PLL=40MHz,
fHCLK=0MHz, fPCLK=40MHz, 所有外设使能
—
5.8
—
mA
VDD=3.3V, HSE=8MHz, PLL=40MHz,
fHCLK=0MHz, fPCLK=40MHz, 所有外设除能
—
2.0
—
mA
工作电流
VDD=3.3V, 所有时钟关闭 (HSE/PLL/fHCLK),
( 深度休眠模式 1) LDO 在低功耗模式 , LSI on
—
34
—
µA
工作电流
VDD=3.3V, 所有时钟关闭 (HSE/PLL/fHCLK),
( 深度休眠模式 2) LDO off, DMOS on, LSI on
—
4.8
—
µA
工作电流
( 暂停模式 )
—
1.3
—
µA
工作电流
( 休眠模式 )
VDD=3.3V, LDO off, DMOS off, LSI on
注：1. HSE 是外部高速振荡器，而 HSI 是内部 8MHz 高速振荡器。
2. 代码 = while (1) {208 NOP} 在 Flash 中执行。
复位和电源监控特性
表 9. VDD 电源复位特性
符号
TA=25˚C, 除非另有规定
参数
条件
VPOR
上电复位阈值 (VDD 电压上升 )
VPDR
掉电复位阈值 (VDD 电压下降 )
VPORHYST
POR 迟滞
tPOR
复位延迟时间
TA=-40˚C ~ +85˚C
—
VDD=3.3V
最小值 典型值 最大值
单位
1.66
1.79
1.90
V
1.49
1.64
1.78
V
—
150
—
mV
—
0.1
0.2
ms
注：1. 数据仅为特性描述结果，未在生产中测试。
2. 表格中数据设计时可保证，未在生产中测试。
3. 若 LDO 开启，则 VDD POR 处于无效状态。当 VDD POR 处于有效状态时，LDO 将被关闭。
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电气特性
VDD=3.3V, HSE=8MHz, PLL=40MHz,
fHCLK=40MHz, fPCLK=40MHz, 所有外设使能
工作电流
( 运行模式 )
IDD
最小值 典型值 最大值 单位
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
表 10. LVD/BOD 特性
符号
VBOD
参数
掉电检测电压
低压检测电压
条件
最小值 典型值 最大值 单位
工厂调整后 TA=-40˚C ~ 85˚C,
(VDD 下降沿 )
TA=-40˚C ~ 85˚C
(VDD 下降沿 )
2.02
2.1
2.18
V
LVDS=000
2.17
2.25
2.33
V
LVDS=001
2.32
2.4
2.48
V
LVDS=010
2.47
2.55
2.63
V
LVDS=011
2.62
2.7
2.78
V
LVDS=100
2.77
2.85
2.93
V
LVDS=101
2.92
3.0
3.08
V
LVDS=110
3.07
3.15
3.23
V
LVDS=111
3.22
3.3
3.38
V
VLVDHTST
LVD 迟滞
VDD=3.3V
—
—
100
—
mV
tsuLVD
LVD 建立时间
VDD=3.3V
—
—
—
5
μs
tatLVD
LVD 有效延迟时间 VDD=3.3V
—
—
—
—
μs
VDD=3.3V
—
—
5
15
μA
IDDLVD
注3
工作电流
注：1. 数据仅为特性描述结果，未在生产中测试。
2. 表 DS 位于 PWRCU LVDCSR 寄存器中。
3. 不包括 Bandgap 电流。
4. LVDS 位于 PWRCU LVDCSR 寄存器中。
外部时钟特性
表 11. 外部高速时钟 (HSE) 特性
符号
TA=25˚C, 除非另有规定
参数
VDD
工作电压范围
fHSE
外部高速振荡器频率 (HSE)
条件
最小值 典型值 最大值 单位
—
2.0
—
3.6
V
—
4
—
16
MHz
—
—
22
pF
—
1
—
MΩ
—
—
160
Ω
40
—
60
%
VDD=3.3V@16MHz
—
TBD
—
mA
IPWDHSE HSE 振荡器暂停电流
VDD=3.3V
—
—
0.01
µA
tSUHSE
VDD=3.3V
—
—
4
ms
CLHSE
负载电容
RFHSE
XTALIN 和 XTALOUT 引
脚间的内部反馈电阻
RESR
等效串联电阻 *
DHSE
HSE 振荡器占空比
IDDHSE
HSE 振荡器工作电流
HSE 振荡器启动时间
VDD=3.3V,
RESR=100Ω@16MHz
—
VDD=3.3V, CL=12pF@16MHz
HSEDR=0
VDD=2.4V, CL=12pF@16MHz
HSEDR=1
—
注：PCB 布局时建议参考以下几点以提高 HSE 时钟晶体电路的稳定性：
1. 晶体振荡器应当尽可能的靠近单片机来缩短走线长度，进而减少寄生电容。
2. 晶体电路部分采用铺地做保护来减少噪音干扰的影响。
3. 高频信号走线时远离晶体振荡器区域，可防止串扰。
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电气特性
VLVD
TA=25˚C, 除非另有规定
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HT32F52220/HT32F52230
内部时钟特性
表 12. 内部高速时钟 (HSI) 特性
符号
参数
VDD
工作电压范围
fHSI
HSI 频率
Duty
IDDHSI
tSUHSI
工厂调整 HSI 振荡器
频率精度
HSI 振荡器占空比
HSI 振荡器工作电流
暂停电流
HSI 振荡器启动时间
条件
—
最小值 典型值 最大值
2.0
—
3.6
V
VDD=3.3V @ 25˚C
—
8
—
MHz
VDD=3.3V, TA=25˚C
-2
—
2
%
VDD=2.5V~3.6V
TA=-40˚C~+85˚C
-3
—
3
%
VDD=2.0V~3.6V
TA=-40˚C~+85˚C
-4
—
4
%
fHSI=8MHz
35
—
65
%
—
300
500
µA
—
—
0.05
µA
—
—
10
µs
fHSI=8MHz
fHSI=8MHz
表 13. 内部低速时钟 (LSI) 特性
符号
参数
单位
TA=25˚C, 除非另有规定
条件
最小值 典型值 最大值
单位
VDD=3.3V
TA=-40˚C~+85˚C
21
32
43
KHz
ACCLSI LSI 振荡器频率精度
工厂调整后
VDD=3.3V, TA=25˚C
-10
—
+10
%
IDDLSI
LSI 振荡器工作电流
VDD=3.3V, TA=25˚C
—
0.4
0.8
µA
tSULSI
LSI 振荡器启动时间
VDD=3.3V, TA=25˚C
—
—
100
µs
fLSI
内部低速振荡器频率 (LSI)
PLL 特性
表 14. PLL 特性
TA=25˚C, 除非另有规定
符号
参数
条件
最小值 典型值 最大值
fPLLIN
PLL 输入时钟频率
—
4
fCK_PLL
PLL 输出时钟频率
—
tLOCK
PLL 锁相时间
—
单位
—
16
MHz
16
—
48
MHz
—
200
—
µs
存储器特性
表 15. Flash 存储器特性
符号
Rev. 1.20
参数
TA=25˚C, 除非另有规定
条件
最小值 典型值 最大值
单位
NENDU
失败前可擦写次数 ( 寿命 )
TA=-40˚C~+85˚C
10
—
—
K cycles
tRET
数据保存时间
TA=-40˚C~+85˚C
10
—
—
Years
tPROG
字编程时间
TA=-40˚C~+85˚C
20
—
—
µs
tERASE
页擦除时间
TA=-40˚C~+85˚C
2
—
—
ms
tMERASE
整片擦除时间
TA=-40˚C~+85˚C
10
—
—
ms
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电气特性
ACCHSI
TA=25˚C, 除非另有规定
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
I/O 端口特性
表 16. I/O 端口特性
符号
IIL
低电平输入电流
VIL
低电平输入电压
VIH
高电平输入电压
IOH
VOL
施密特触发器
输入电压迟滞
低电平输出电流
(GPIO 灌电流 )
高电平输出电流
(GPIO 源电流 )
低电平输出电压
条件
3.3V I/O
最小值 典型值 最大值 单位
—
—
3
µA
—
—
3
µA
—
—
3
µA
—
—
3
µA
3.3V I/O
-0.5
—
0.35VDD
V
复位引脚
-0.5
—
0.35VDD
V
3.3V I/O
0.65VDD
—
VDD+0.5
V
复位引脚
0.65VDD
—
VDD+0.5
V
3.3V I/O
—
0.12VDD
—
mV
复位引脚
—
0.12VDD
—
mV
3.3V I/O 4 mA 驱动 , VOL=0.4V
4
—
—
mA
3.3V I/O 8 mA 驱动 , VOL=0.4V
8
—
—
mA
3.3V I/O 12 mA 驱动 , VOL=0.4V
12
—
—
mA
3.3V I/O 16 mA 驱动 , VOL=0.4V
16
—
—
mA
3.3V I/O 4 mA 驱动 , VOH=VDD-0.4V
4
—
—
mA
3.3V I/O 8 mA 驱动 , VOH=VDD-0.4V
8
—
—
mA
3.3V I/O 12 mA 驱动 , VOH=VDD-0.4 V
12
—
—
mA
3.3V I/O 16 mA 驱动 , VOH=VDD-0.4 V
16
—
—
mA
3.3V 4mA 驱动 I/O, IOL=4mA
—
—
0.4
V
3.3V 8mA 驱动 I/O, IOL=8mA
—
—
0.4
V
3.3V 12mA 驱动 I/O, IOL=12mA
—
—
0.4
V
3.3V 16mA 驱动 I/O, IOL=16mA
—
—
0.4
V
3.3V 4mA 驱动 I/O, IOH=4mA
VDD-0.4
—
—
V
3.3V 8mA 驱动 I/O, IOH=8mA
VDD-0.4
—
—
V
3.3V 12mA 驱动 I/O, IOH=12mA
VDD-0.4
—
—
V
3.3V 16mA 驱动 I/O, IOH=16mA
复位引脚
3.3V I/O
复位引脚
VI=VSS, 片内上拉电阻除能
VI=VDD, 片内下拉电阻除能
VOH
高电平输出电压
VDD-0.4
—
—
V
RPU
内部上拉电阻
3.3V I/O
—
46
—
kΩ
RPD
内部下拉电阻
3.3V I/O
—
46
—
kΩ
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电气特性
高电平输入电流
IOL
Rev. 1.20
参数
IIH
VHYS
TA=25˚C, 除非另有规定
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
A/D 转换器特性
表 17. A/D 转换器特性
符号
TA=25˚C, 除非另有规定
参数
条件
A/D 转换器工作电压
—
VADCIN
A/D 转换器输入电压范围
—
VREF+
A/D 转换器参考电压
—
IADC
A/D 转换器工作电流
VDDA=3.3V
IADC_DN
A/D 转换器暂停电流
VDDA=3.3V
fADC
A/D 转换器时钟
—
fS
采样率
—
tDL
数据延迟
tS&H
采样 & 保持时间
tADCCONV A/D 转换器转换时间
RI
输入采样转换电阻
CI
输入采样电容
tSU
启动时间
N
A/D 转换器分辨率
INL
积分非线性误差
DNL
微分非线性误差
EO
EG
2.5
单位
3.3
3.6
V
0
—
VREF+
V
—
VDDA
VDDA
V
—
1
TBD
mA
—
—
0.1
µA
0.7
—
16
MHz
0.05
—
1
MHz
—
—
12.5
—
1/fADC
Cycles
—
—
3.5
—
1/fADC
Cycles
—
—
16
—
1/fADC
Cycles
—
—
—
1
kΩ
不包括引脚 / 焊盘电容
—
16
—
pF
—
—
—
1
µs
—
—
12
—
bits
fS=750KHz，VDDA=3.3V
—
±2
±5
LSB
fS=750KHz，VDDA=3.3V
—
±1
—
LSB
失调误差
—
—
—
±10
LSB
增益误差
—
—
—
±10
LSB
注：1. 表格中数据设计时可保证，未在生产中测试。
2. 下图显示了 A/D 转换器采样和保持输入级的等效电路，图中 CI 为内部存储电容，RI 为内部采
样转换的电阻，RS 是信号源 VS 的输出阻抗。在正常情况下，采样阶段的持续时间大约是 3.5/
fADC。在此阶段，对 CI 充电以确保在其两端的电压变得足够接近 VS。为了保证这一点，RS 取
值会有一定的限制。
SAR ADC
sample
RS
VS
CI
RI
图 7. A/D 转换器采样网络模板
Rev. 1.20
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电气特性
VDDA
最小值 典型值 最大值
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
最差的情况是，当在输入电压范围的极限 (0V 和 VREF) 进行连续采样，可采用下面公式来确保采
样误差低于 1/4 LSB：
RS <
3.5
− RI
fADCCIln(2N+2)
在此公式中，fADC 是 A/D 转换器时钟频率，N 是 A/D 转换器分辨率 ( 此时 N=12)。安全程度由引
脚 / 焊盘寄生电容决定，在这个简单的例子中未作说明。
SCTM/GPTM 特性
表 18. SCTM/GPTM 特性
符号
参数
条件
最小值 典型值 最大值
单位
fTM
GPTM 定时器时钟源
—
—
—
48
MHz
tRES
定时器分辨率时间
—
—
—
—
fTM
fEXT
通道 1~4 的外部信号频率
—
—
—
1/2
fTM
RES
定时器分辨率
—
—
—
16
bits
I2C 特性
表 19. I2C 特性
符号
参数
标准模式
快速模式
高速模式
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位
fSCL
SCL 时钟频率
—
100
—
400
—
1000
KHz
tSCL(H)
SCL 时钟高电平时间
4.5
—
1.125
—
0.45
—
µs
fSCL(L)
SCL 时钟低电平时间
4.5
—
1.125
—
0.45
—
µs
tFALL
SCL 和 SDA 下降沿时间
—
1.3
—
0.34
—
0.135
µs
tRISE
SCL 和 SDA 上升沿时间
—
1.3
—
0.34
—
0.135
µs
tSU(SDA)
SDA 数据建立时间
500
—
125
—
50
—
ns
tH(SDA)
SDA 数据保持时间
0
—
0
—
0
—
ns
tSU(STA)
START 条件建立时间
500
—
125
—
50
—
ns
tH(STA)
START 条件保持时间
0
—
0
—
0
—
ns
tSU(STO)
STOP 条件建立时间
500
—
125
—
50
—
ns
注：1. 表格中数据设计时可保证，未在生产中测试。
2. 为达到标准模式 100KHz，外设时钟频率必须高于 2MHz。
3. 为达到快速模式 400KHz，外设时钟频率必须高于 8MHz。
4. 为达到高速模式 1MHz，外设时钟频率必须高于 20MHz。
5. 以上 I2C 总线时序图的特性参数是基于：SEQ_FILTER=01 且 COMB_FILTER_En 除能的情况。
Rev. 1.20
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电气特性
如果系统使用 A/D 转换器，在连续采样阶段没有轨到轨的输入电压变化，RS 可能大于上述公式
表示值。
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HT32F52220/HT32F52230
tFALL
tRISE
SCL
tSCL(L)
tH(STA)
tSCL(H)
tH(SDA)
tSU(SDA)
tSU(STO)
电气特性
SDA
tSU(STA)
图 8. I2C 时序图
SPI 特性
表 20. SPI 特性
符号
参数
条件
最小值 典型值 最大值 单位
SPI 主机模式
fSCK
SPI 外设时钟频率 fPCLK
—
—
fPCLK/2
MHz
SCK 时钟高电平和低电平时间
—
tSCK/2
-2
—
tSCK/2
+1
ns
tV(MO)
数据输出有效时间
—
—
—
5
ns
tH(MO)
数据输出保持时间
—
2
—
—
ns
tSU(MI)
数据输入建立时间
—
5
—
—
ns
tH(MI)
数据输入保持时间
—
5
—
—
ns
SPI 外设时钟频率 fPCLK
—
—
fPCLK/3
MHz
tSCK(H)
tSCK(L)
SPI 主机输出 SCK 时钟频率
SPI 从机模式
fSCK
SPI 从机输入 SCK 时钟频率
DutySCK
SPI 从机输入 SCK 时钟占空比
周期
—
30
—
70
%
tSU(SEL)
SEL 使能建立时间
—
3 tPCLK
—
—
ns
tH(SEL)
SEL 使能保持时间
—
2 tPCLK
—
—
ns
tA(SO)
数据输出访问时间
—
—
—
3 tPCLK
ns
tDIS(SO)
数据输出禁止时间
—
—
—
10
ns
tV(SO)
数据输出有效时间
—
—
—
25
ns
tH(SO)
数据输出保持时间
—
15
—
—
ns
tSU(SI)
数据输入建立时间
—
5
—
—
ns
tH(SI)
数据输入保持时间
—
4
—
—
ns
注：1. fSCK 为 SPI 输出 / 输入时钟频率，tSCK=1/fSCK。
2. fPCLK 为 SPI 外设时钟频率，tPCLK=1/fPCLK。
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tSCK
SCK(CPOL=0)
tSCK(H)
tSCK(L)
SCK(CPOL=1)
MOSI
DATA VALID
DATA VALID
CPHA=1
DATA VALID
DATA VALID
DATA VALID
tSU(MI)
MISO
DATA VALID
tH(MO)
tV(MO)
MOSI
DATA VALID
tH(MI)
tSU(MI)
MISO
电气特性
tH(MO)
tV(MO)
DATA VALID
DATA VALID
CPHA=0
tH(MI)
DATA VALID
DATA VALID
DATA VALID
图 9. SPI 时序图 – SPI 主机模式
SEL
tSU(SEL)
tH(SEL)
tSCK
SCK(CPOL=0)
tSCK(H)
tSCK(L)
SCK(CPOL=1)
tSU(SI)
MOSI
MSB/LSB IN
tA(SO)
MISO
tH(SI)
LSB/MSB IN
tDIS(SO)
tH(SO)
tV(SO)
MSB/LSB OUT
LSB/MSB OUT
图 10. SPI 时序图 – SPI 从机模式，CPHA=1
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666 封装信息
请注意，这里提供的封装信息仅作为参考。由于这个信息经常更新，提醒用户咨询 Holtek 网站以
获取最新版本的封装信息。
封装信息
封裝信息的相关内容如下所示，点击可链接至 Holtek 网站相关信息页面。
●● 封装信息（包括外形尺寸、包装带和卷轴规格）
●● 封装材料信息
●● 纸箱信息
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24-pin SSOP (150mil) 外形尺寸
封装信息
符号
尺寸 ( 单位：inch)
最小值
典型值
最大值
A
—
0.236 BSC
—
B
—
0.154 BSC
—
C
0.008
—
0.012
C’
—
0.341 BSC
—
D
—
—
0.069
E
—
0.025 BSC
—
F
0.004
—
0.010
G
0.016
—
0.050
H
0.004
—
0.010
α
0°
—
8°
符号
Rev. 1.20
尺寸 ( 单位：mm)
最小值
典型值
最大值
A
—
6.0 BSC
—
B
—
3.9 BSC
—
C
0.20
—
0.30
C’
—
8.66 BSC
—
D
—
—
1.75
E
—
0.635 BSC
—
F
0.10
—
0.25
G
0.41
—
1.27
H
0.10
—
0.25
α
0°
—
8°
32 of 35
2017-03-16
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
28-pin SSOP (150mil) 外形尺寸
封装信息
符号
尺寸 ( 单位：inch)
最小值
典型值
最大值
A
—
0.236 BSC
—
B
—
0.154 BSC
—
C
0.008
—
0.012
C’
—
0.390 BSC
—
D
—
—
0.069
E
—
0.025 BSC
—
F
0.004
—
0.010
G
0.016
—
0.050
H
0.004
—
0.010
α
0°
—
8°
符号
Rev. 1.20
尺寸 ( 单位：mm)
最小值
典型值
最大值
A
—
6.0 BSC
—
B
—
3.9 BSC
—
C
0.20
—
0.30
C’
—
9.9 BSC
—
D
—
—
1.75
E
—
0.635 BSC
—
F
0.10
—
0.25
G
0.41
—
1.27
H
0.10
—
0.25
α
0°
—
8°
33 of 35
2017-03-16
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
SAW Type 33-pin (4mm×4mm) QFN 外形尺寸
封装信息
33
符号
最小值
典型值
最大值
A
0.028
0.030
0.031
A1
0.000
0.001
0.002
A3
—
0.008 BSC
—
b
0.006
0.008
0.010
D
—
0.157 BSC
—
E
—
0.157 BSC
—
e
—
0.016 BSC
—
D2
0.104
0.106
0.108
E2
0.104
0.106
0.108
L
0.014
0.016
0.018
K
0.008
—
—
符号
Rev. 1.20
尺寸 ( 单位：inch)
尺寸 ( 单位：mm)
最小值
典型值
最大值
A
0.70
0.75
0.80
A1
0.00
0.02
0.05
A3
—
0.203 BSC
—
b
0.15
0.20
0.25
D
—
4.00 BSC
—
E
—
4.00 BSC
—
e
—
0.40 BSC
—
D2
2.65
2.70
2.75
E2
2.65
2.70
2.75
L
0.35
0.40
0.45
K
0.20
—
—
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2017-03-16
32-Bit ARM® CortexTM-M0+ 单片机
HT32F52220/HT32F52230
封装信息
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