带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
HT66F0175/HT66F0185
版本 : V1.30
日期 : 2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
目 录
特性 ..................................................................................................................................7
CPU 特性 ................................................................................................................................ 7
周边特性 ................................................................................................................................. 8
概述 ..................................................................................................................................9
选型表 ..............................................................................................................................9
方框图 ............................................................................................................................10
引脚图 ............................................................................................................................10
引脚说明 ........................................................................................................................12
极限参数 ........................................................................................................................20
直流电气特性 ................................................................................................................20
交流电气特性 ................................................................................................................22
HIRC 电气特性 .............................................................................................................23
ADC 电气特性 ...............................................................................................................24
LVD & LVR 电气特性 ..................................................................................................25
比较器电气特性 ............................................................................................................25
软件控制 LCD 驱动器电气特性 ..................................................................................26
上电复位特性 ................................................................................................................26
系统结构 ........................................................................................................................27
时序和流水线结构 ............................................................................................................... 27
程序计数器 ........................................................................................................................... 28
堆栈 ....................................................................................................................................... 28
算术逻辑单元 – ALU ........................................................................................................... 29
Flash 程序存储器 ..........................................................................................................29
结构 ....................................................................................................................................... 29
特殊向量 ............................................................................................................................... 30
查表 ....................................................................................................................................... 30
查表范例 ............................................................................................................................... 30
在线烧录 ............................................................................................................................... 31
片上调试 – OCDS................................................................................................................. 32
数据存储器 ....................................................................................................................33
结构 ....................................................................................................................................... 33
特殊功能寄存器 ............................................................................................................35
间接寻址寄存器 – IAR0, IAR1 ........................................................................................... 35
间接寻址指针 – MP0, MP1.................................................................................................. 35
存储区指针 – BP .................................................................................................................. 36
累加器 – ACC ....................................................................................................................... 36
程序计数器低字节寄存器 – PCL ........................................................................................ 36
表格寄存器 – TBLP, TBHP, TBLH ...................................................................................... 36
状态寄存器 – STATUS ......................................................................................................... 37
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2
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
EEPROM 数据存储器 ..................................................................................................39
EEPROM 数据存储器结构 .................................................................................................. 39
EEPROM 寄存器 .................................................................................................................. 39
从 EEPROM 中读取数据 ..................................................................................................... 41
写数据到 EEPROM .............................................................................................................. 41
写保护 ................................................................................................................................... 41
EEPROM 中断 ...................................................................................................................... 41
编程注意事项 ....................................................................................................................... 41
振荡器 ............................................................................................................................43
振荡器概述 ........................................................................................................................... 43
系统时钟配置 ....................................................................................................................... 43
外部晶体 / 陶瓷振荡器 – HXT ............................................................................................ 44
内部高速 RC 振荡器 – HIRC .............................................................................................. 44
外部 32.768kHz 晶体振荡器 – LXT .................................................................................... 45
内部 32kHz 振荡器 – LIRC ................................................................................................. 46
辅助振荡器 ........................................................................................................................... 46
工作模式和系统时钟 ....................................................................................................47
系统时钟 ............................................................................................................................... 47
系统工作模式 ....................................................................................................................... 48
控制寄存器 ........................................................................................................................... 49
快速唤醒 ............................................................................................................................... 50
工作模式切换 ....................................................................................................................... 51
静态电流的注意事项 ........................................................................................................... 54
唤醒 ....................................................................................................................................... 55
编程注意事项 ....................................................................................................................... 55
看门狗定时器 ................................................................................................................56
看门狗定时器时钟源 ........................................................................................................... 56
看门狗定时器控制寄存器 ................................................................................................... 56
看门狗定时器操作 ............................................................................................................... 57
复位和初始化 ................................................................................................................58
复位功能 ............................................................................................................................... 58
复位初始状态 ....................................................................................................................... 60
输入 / 输出端口 .............................................................................................................64
上拉电阻 ............................................................................................................................... 65
PA 口唤醒 ............................................................................................................................. 65
输入 / 输出端口控制寄存器 ................................................................................................ 66
输入 / 输出端口源电流控制 ................................................................................................ 66
引脚重置功能 ....................................................................................................................... 68
输入 / 输出引脚结构 ............................................................................................................ 69
编程注意事项 ....................................................................................................................... 70
Rev. 1.30
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
定时器模块 – TM ..........................................................................................................71
简介 ....................................................................................................................................... 71
TM 操作 ................................................................................................................................ 71
TM 时钟源 ............................................................................................................................ 71
TM 中断 ................................................................................................................................ 72
TM 外部引脚 ........................................................................................................................ 72
TM 输入 / 输出引脚控制寄存器 ......................................................................................... 72
编程注意事项 ....................................................................................................................... 75
简易型 TM – CTM........................................................................................................76
简易型 TM 操作 ................................................................................................................... 76
简易型 TM 寄存器介绍 ....................................................................................................... 76
简易型 TM 工作模式 ........................................................................................................... 80
标准型 TM – STM ........................................................................................................86
标准型 TM 操作 ................................................................................................................... 86
标准型 TM 寄存器介绍 ....................................................................................................... 86
标准型 TM 工作模式 ........................................................................................................... 90
周期型 TM – PTM ........................................................................................................99
周期型 TM 操作 ................................................................................................................... 99
周期型 TM 寄存器介绍 ..................................................................................................... 100
周期型 TM 工作模式 ......................................................................................................... 104
A/D 转换器...................................................................................................................113
A/D 简介 ............................................................................................................................. 113
A/D 转换寄存器介绍 ......................................................................................................... 114
A/D 转换器数据寄存器 – SADOL,SADOH .................................................................. 114
A/D 转换控制寄存器 – SADC0,SADC1,SADC2,ACERL ...................................... 114
A/D 输入引脚 ..................................................................................................................... 118
A/D 转换器参考电压 ......................................................................................................... 118
A/D 操作 ............................................................................................................................. 118
A/D 转换率及时序图 ......................................................................................................... 119
A/D 转换步骤 ..................................................................................................................... 120
编程注意事项 ..................................................................................................................... 121
A/D 转换功能 ..................................................................................................................... 121
A/D 转换应用范例 ............................................................................................................. 122
串行接口模块 – SIM ...................................................................................................124
SPI 接口 .............................................................................................................................. 124
I2C 接口 ............................................................................................................................... 130
比较器 ..........................................................................................................................139
比较器操作 ......................................................................................................................... 139
比较器中断 ......................................................................................................................... 139
编程注意事项 ..................................................................................................................... 139
Rev. 1.30
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
带 SCOM 和 SSEG 功能的 LCD ...............................................................................141
LCD 操作 ............................................................................................................................ 141
LCD Frames ........................................................................................................................ 141
LCD 控制寄存器 ................................................................................................................ 143
UART 接口 ..................................................................................................................147
UART 外部引脚.................................................................................................................. 147
UART 数据传输方案.......................................................................................................... 148
UART 状态和控制寄存器.................................................................................................. 148
波特率发生器 ..................................................................................................................... 152
UART 模块的设置与控制.................................................................................................. 153
UART 发送器...................................................................................................................... 154
UART 接收器...................................................................................................................... 155
接收错误处理 ..................................................................................................................... 157
UART 模块中断结构.......................................................................................................... 157
地址检测模式 ..................................................................................................................... 158
UART 模块暂停和唤醒...................................................................................................... 159
低电压检测 – LVD ......................................................................................................160
LVD 寄存器 ........................................................................................................................ 160
LVD 操作 ............................................................................................................................ 161
中断 ..............................................................................................................................162
中断寄存器 ......................................................................................................................... 162
中断操作 ............................................................................................................................. 169
外部中断 ............................................................................................................................. 170
比较器中断 – HT66F0185.................................................................................................. 170
多功能中断 ......................................................................................................................... 171
A/D 转换器中断 ................................................................................................................. 171
时基中断 ............................................................................................................................. 171
串行接口模块中断 ............................................................................................................. 172
UART 传输中断 – HT66F0185 .......................................................................................... 172
LVD 中断 ............................................................................................................................ 173
EEPROM 中断 .................................................................................................................... 173
TM 中断 .............................................................................................................................. 173
中断唤醒功能 ..................................................................................................................... 173
编程注意事项 ..................................................................................................................... 174
配置选项 ............................................................................................................................. 175
应用电路 ......................................................................................................................176
指令集 ..........................................................................................................................177
简介 ..................................................................................................................................... 177
指令周期 ............................................................................................................................. 177
数据的传送 ......................................................................................................................... 177
算术运算 ............................................................................................................................. 177
逻辑和移位运算 ................................................................................................................. 177
分支和控制转换 ................................................................................................................. 178
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
位运算 ................................................................................................................................. 178
查表运算 ............................................................................................................................. 178
其它运算 ............................................................................................................................. 178
指令集概要 ..................................................................................................................179
惯例 ..................................................................................................................................... 179
指令定义 ......................................................................................................................182
封装信息 ......................................................................................................................194
20-pin SOP(300mil) 外形尺寸 ........................................................................................... 195
20-pin SSOP (150mil) 外形尺寸 ........................................................................................ 196
24-pin SOP(300mil) 外形尺寸 ........................................................................................... 197
24-pin SSOP (150mil) 外形尺寸 ........................................................................................ 198
28-pin SOP(300mil) 外形尺寸 ........................................................................................... 199
28-pin SSOP (150mil) 外形尺寸 ........................................................................................ 200
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
特性
CPU 特性
● 工作电压:
♦ fSYS =8MHz:2.2V ~ 5.5V
♦ fSYS =12MHz:2.7V ~ 5.5V
♦ fSYS =20MHz:4.5V ~ 5.5V
● VDD=5V,系统时钟为 20MHz 时,指令周期为 0.2μs
● 提供暂停和唤醒功能,以降低功耗
● 振荡器类型:
♦ 外部高速晶振 – HXT
♦ 外部 32.768kHz 晶振 – LXT
♦ 内部高速 RC – HIRC
♦ 内部 32kHz RC – LIRC
● 内建 8/12/16MHz 振荡器,无需外部元件
● 多种工作模式:正常、低速、空闲和休眠
● 所有指令都可在 1 或 2 个指令周期内完成
● 查表指令
● 63 条指令
● 8 层堆栈
● 位操作指令
Rev. 1.30
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
周边特性
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
Rev. 1.30
Flash 程序存储器:最大可达 4K×16
RAM 数据存储:最大可达 256×8
EEPROM 存储器:最大可达 128×8
看门狗定时器
多达 26 个双向 I/O 口
两个引脚与外部中断口共用
多个定时器模块用于时间测量、捕捉输入、比较匹配输出、PWM 输出及单脉
冲输出
串行接口模块 – SIM,用于 SPI 或 I2C 通信
软件控制 6 个 SCOM/SSEG 口和 18 个 SSEG 口 1/3 bias LCD 驱动
可编程输入 / 输出口源电流用于 LED
双时基功能用以产生固定的中断信号
8 个通道 12-bit A/D 转换器
比较器功能 – 仅适用于 HT66F0185
全双工通用异步接收器 / 发送器接口 – UART,仅适用于 HT66F0185
低电压复位功能
低电压检测功能
Flash 程序存储器烧录可达 100,000 次
Flash 程序存储器数据可保存 10 年以上
EEPROM 数据存储器烧录可达 1,000,000 次
EEPROM 数据存储器数据可保存 10 年以上
多种封装类型
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
概述
该系列单片机是一款 A/D 型具有 8 位高性能精简指令集的 Flash 单片机。这些
单片机具有一系列功能和特性,其 Flash 存储器可多次编程的特性给用户提供
了极大的方便。存储器方面,还包含了一个 RAM 数据存储器和一个可用于存
储序号、校准数据等非易失性数据的 EEPROM 存储器。
在模拟特性方面,该系列单片机包含一个多通道 12 位 A/D 转换器和比较器功
能。还带有多个使用灵活的定时器模块,可提供定时功能、脉冲产生功能及
PWM 产生功能。内部看门狗定时器、低电压复位和低电压检测等内部保护特
性,外加优秀的抗干扰和 ESD 保护性能,确保单片机在恶劣的电磁干扰环境下
可靠地运行。该系列单片机提供了丰富的 HXT、LXT、HIRC 和 LIRC 振荡器
功能选项,且内建完整的系统振荡器,无需外围元器件。其在不同工作模式之
间动态切换的能力,为用户提供了一个优化单片机操作和减少功耗的手段。
外加时基功能、I/O 使用灵活等其它特性,使该系列单片机可以广泛应用于各
种产品中,例如电子测量仪器、环境监控、手持式测量工具、家庭应用、电子
控制工具、马达控制等方面。
选型表
对此系列的芯片而言,大多数的特性参数都是一样的。主要差异在于存储器的
容量、I/O 数量、TM 特性、SSEG 数量、LED 数量、UART 和封装类型。下表
列出了各单片机的主要特性。
型号
ROM
RAM
HT66F0175
2K×16
128×8
64×8
22
HT66F0185
4K×16
256×8
128×8
26
型号
时基 SIM UART
EEPROM I/O 外部中断
CMP
HT66F0175
2
√
-
-
HT66F0185
2
√
√
√
A/D
TM 模块
2
12-bit×8
10-bit PTM×2
2
12-bit×8
16-bit CTM×1
16-bit STM×1
10-bit PTM×1
SCOM/
SSEG
SSEG
6
14
6
LED
堆栈
封裝
22
8
20/24SOP/SSOP
26
8
24/28SOP/SSOP
18
注:对于有不止一种封装形式的芯片,选型表针对较大的封装的情况。
Rev. 1.30
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
方框图
Flash/EEPROM
Programming Circuitry
EEPROM
Data
Memory
Flash
Program
Memory
Watchdog
Timer
Internal
HIRC/LIRC
Oscillators
Low
Voltage
Detect
Low
Voltage
Reset
RAM Data
Memory
Time
Base
Reset
Circuit
8-bit
RISC
MCU
Core
Interrupt
Controller
External
HXT/LXT
Oscillators
12-bit A/D
Converter
Comparator
I/O
SSEG/
SCOM
Timer
Modules
SIM
(SPI/I2C)
+
UART
─
For HT66F0185
For HT66F0185
引脚图
VSS&AVSS
1
20
VDD&AVDD
PC0/SSEG17/OSC1
2
19
PB0/INT0/SSEG16/AN0/XT1
PC1/SSEG18/OSC2
3
18
PB1/INT1/SSEG15/AN1/XT2
PC2/SDO/SSEG0/SCOM0
PA0/TP0/ICPDA/OCDSDA
4
17
PB2/TCK0/SSEG14/AN2
5
16
PA4/TCK1/SSEG13/AN3
PA1/[SDO]/SCS/SSEG2/SCOM2
6
15
PA5/SSEG10/AN4/VREFI
PA2/ICPCK/OCDSCK
7
14
PA3/[SDI/SDA]/SSEG3/SCOM3
8
13
PA6/SSEG9/AN5/VREF
PA7/TP1/SSEG8/AN6
PB6/[SCK/SCL]/SSEG4/SCOM4
PB5/[SCS]/SSEG5/SCOM5
9
12
PB3/SSEG7/AN7
10
11
PB4/CLO/SSEG6
HT66F0175/HT66V0175
20 SOP-A/SSOP-A
VSS&AVSS
1
24
VDD&AVDD
PC0/SSEG17/OSC1
2
23
PB0/INT0/SSEG16/AN0/XT1
PC1/SSEG18/OSC2
PC2/SDO/SSEG0/SCOM0
3
22
PB1/INT1/SSEG15/AN1/XT2
4
21
PB2/TCK0/SSEG14/AN2
PA0/TP0/ICPDA/OCDSDA
PC3/SDI/SDA/SSEG19
5
20
PA4/TCK1/SSEG13/AN3
6
19
PC6/[INT0]/SSEG12
PC4/SCK/SCL/SSEG1/SCOM1
7
18
PC5/[INT1]/SSEG11
PA1/[SDO]/SCS/SSEG2/SCOM2
8
17
PA5/SSEG10/AN4/VREFI
PA2/ICPCK/OCDSCK
PA3/[SDI/SDA]/SSEG3/SCOM3
9
16
PA6/SSEG9/AN5/VREF
10
15
PA7/TP1/SSEG8/AN6
PB6/[SCK/SCL]/SSEG4/SCOM4
11
14
PB3/SSEG7/AN7
PB5/[SCS]/SSEG5/SCOM5
12
13
PB4/CLO/SSEG6
HT66F0175/HT66V0175
24 SOP-A/SSOP-A
Rev. 1.30
10
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
VSS&AVSS
1
24
VDD&AVDD
PC0/SSEG19/OSC1
2
23
PC1/SSEG20/OSC2
PC2/[SDO]/SSEG0/SCOM0
PA0/TP0/ICPDA/OCDSDA
3
22
PB0/INT0/SSEG18/AN0/XT1
PB1/INT1/SSEG17/AN1/XT2
4
21
5
PA4/TCK1/SSEG15/AN3
PC4/SDI/SDA/SSEG22
20
6
19
PD2/TX/SSEG13
PC5/SCK/SCL/SSEG1/SCOM1
PA1/[SDO]/SSEG2/SCOM2
7
18
8
17
PA2/ICPCK/OCDSCK
PB2/TCK0/SSEG16/AN2
9
PA3/[SDI/SDA]/CX/SSEG3/SCOM3
16
10
PB6/[SCK/SCL]/C+/SSEG4/SCOM4
15
PD1/RX/SSEG12
PA5/SSEG10/AN4/VREFI
PA6/TCK2/SSEG9/AN5/VREF
PA7/TP1/SSEG8/AN6
11
14
PB3/[TX]/TP2/SSEG7/AN7
PB5/[SCS]/C-/SSEG5/SCOM5
12
13
PB4/[RX]/CLO/SSEG6
HT66F0185/HT66V0185
24 SOP-A/SSOP-A
VSS&AVSS
1
28
PC0/SSEG19/OSC1
2
27
VDD&AVDD
PB0/INT0/SSEG18/AN0/XT1
PC1/SSEG20/OSC2
3
26
PB1/INT1/SSEG17/AN1/XT2
PC2/[SDO]/SSEG0/SCOM0
PA0/TP0/ICPDA/OCDSDA
4
25
PB2/TCK0/SSEG16/AN2
5
24
PA4/TCK1/SSEG15/AN3
PC3/SDO/SSEG21
6
23
PD3/SSEG14
PC4/SDI/SDA/SSEG22
PC5/SCK/SCL/SSEG1/SCOM1
PC6/SCS/SSEG23
7
22
8
21
PD2/TX/SSEG13
PD1/RX/SSEG12
9
20
PD0/SSEG11
PA1/[SDO]/SSEG2/SCOM2
10
19
PA5/SSEG10/AN4/VREFI
PA2/ICPCK/OCDSCK
PA3/[SDI/SDA]/CX/SSEG3/SCOM3
11
18
12
17
PA6/TCK2/SSEG9/AN5/VREF
PA7/TP1/SSEG8/AN6
PB6/[SCK/SCL]/C+/SSEG4/SCOM4
13
16
PB3/[TX]/TP2/SSEG7/AN7
PB5/[SCS]/C-/SSEG5/SCOM5
14
15
PB4/[RX]/CLO/SSEG6
HT66F0185/HT66V0185
28 SOP-A/SSOP-A
注:1. 若共用脚同时有多种输出,“/”号右侧的引脚名具有更高的优先级。
2. VDD&AVDD 指的是 VDD 和 AVDD 为同一个引脚。
3. VSS&AVSS 指的是 VSS 和 AVSS 为同一个引脚。
4. OCDSCK 和 OCDSDA 引 脚 为 OCDS 专 用 引 脚, 仅 适 用 于 HT66V01x5 芯 片,OCDS EV 芯 片
HT66V01x5 用于 HT66F01x5 单片机仿真。
Rev. 1.30
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
引脚说明
除了电源引脚外,这些单片机的所有引脚都以它们的端口名称进行标注,例如
PA0、PA1 等,用于描述这些引脚的数字输入 / 输出功能。然而,这些引脚也与
其它功能共用,如模数转换器,定时器模块引脚等。每个引脚的功能如下表所
述,而引脚配置的详细内容见规格书其它章节。
HT66F0175
引脚名称
功能
I/T
O/T
ST
CMOS
TP0
ICPDA
OPT
PAWU
PAPU
TMPC
-
ST
ST
CMOS
CMOS
OCDSDA
-
ST
CMOS
ST
CMOS
-
CMOS SPI 数据输出
ST
CMOS SPI 从机选择
-
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
-
SCOM 软件控制 LCD COM 输出
ST
CMOS
PA0
PA0/TP0/
ICPDA/
OCDSDA
ICPCK
PAWU
PAPU
SLCDC0
SIMC0
IFS
SLCDC0
SIMC0
IFS
SLCDC0
SLCDC1
SLCDC0
SLCDC1
PAWU
PAPU
-
OCDSCK
-
PA1
[SDO]
PA1/[SDO]/SCS/
SSEG2/SCOM2
SCS
SSEG2
SCOM2
PA2
PA2/ICPCK/
OCDSCK
PA3
[SDI]
PA3/[SDI/SDA]/
SSEG3/SCOM3
[SDA]
SSEG3
SCOM3
Rev. 1.30
PAWU
PAPU
SLCDC0
SIMC0
IFS
SLCDC0
SIMC0
IFS
SLCDC0
SLCDC1
SLCDC0
SLCDC1
ST
ST
ST
描述
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻和唤醒功能
TM0 输入 / 输出
ICP 数据 / 地址引脚
OCDS 数据 / 地址引脚,
仅用于 EV 芯片
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻和唤醒功能
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻和唤醒功能
CMOS ICP 时钟引脚
OCDS 时钟引脚,
-
仅用于 EV 芯片
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
CMOS
阻和唤醒功能
ST
-
SPI 数据输入
ST
NMOS I2C 地址 / 数据引脚
-
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
-
SCOM 软件控制 LCD COM 输出
12
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
引脚名称
TP1
SSEG8
AN6
OPT
PAWU
PAPU
TM1C0
SLCDC2
ACERL
PAWU
PAPU
SLCDC2
ACERL
SADC2
PAWU
PAPU
SLCDC2
ACERL
SADC2
PAWU
PAPU
TMPC
SLCDC2
ACERL
PB0
PBPU
功能
PA4
PA4/TCK1/
SSEG13/AN3
TCK1
SSEG13
AN3
PA5
PA5/SSEG10/
AN4/VREFI
SSEG10
AN4
VREFI
PA6
PA6/SSEG9/
AN5/VREF
SSEG9
AN5
VREF
PA7
PA7/TP1/
SSEG8/AN6
PB0/INT0/
SSEG16/
AN0/XT1
PB1/INT1/
SSEG15
/AN1/XT2
PB2/TCK0/
SSEG14/AN2
PB3/SSEG7/
AN7
Rev. 1.30
SSEG16
AN0
XT1
INTEG
IFS
SLCDC3
ACERL
CO
PB1
PBPU
INT0
I/T
O/T
ST
CMOS
ST
-
AN
-
SSEG
-
ST
CMOS
-
AN
AN
SSEG
-
-
ST
CMOS
-
AN
-
SSEG
-
AO
ST
CMOS
ST
-
AN
CMOS
SSEG
-
ST
CMOS
ST
-
外部中断 0
- SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
AN
- A/D 转换器模拟输入
LXT
- LXT 振荡器引脚
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
ST CMOS
阻
SSEG15
AN1
XT2
INTEG
IFS
SLCDC3
ACERL
CO
-
AN
-
PB2
PBPU
ST
TCK0
SSEG14
AN2
TM0C0
SLCDC3
ACERL
ST
-
AN
PB3
PBPU
ST
SSEG7
AN7
SLCDC2
ACERL
-
AN
INT1
描述
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻和唤醒功能
TM1 输入
软件控制 LCD SEG 输出
A/D 转换器模拟输入
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻和唤醒功能
软件控制 LCD SEG 输出
A/D 转换器模拟输入
A/D 转换器 PGA 电压输入
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻和唤醒功能
软件控制 LCD SEG 输出
A/D 转换器模拟输入
A/D 转换器参考电压输出
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻和唤醒功能
TM1 输入 / 输出
软件控制 LCD SEG 输出
A/D 转换器模拟输入
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻
ST
-
外部中断 1
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
- A/D 转换器模拟输入
LXT LXT 振荡器引脚
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
CMOS
阻
- TM0 输入
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
- A/D 转换器模拟输入
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
CMOS
阻
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
- A/D 转换器模拟输入
13
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
引脚名称
PB4/CLO/
SSEG6
PB5/[SCS]/
SSEG5/SCOM5
PB6/[SCK/SCL]/
SSEG4/SCOM4
PC0/SSEG17/
OSC1
PC1/SSEG18/
OSC2
PC2/SDO/
SSEG0/SCOM0
功能
OPT
I/T
O/T
PB4
PBPU
ST
CMOS
CLO
SSEG6
TMPC
SLCDC2
-
-
CMOS
SSEG
PB5
PBPU
ST
CMOS
-
CMOS SPI 从机选择
-
-
ST
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
SCOM 软件控制 LCD COM 输出
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
CMOS
阻
ST
CMOS SPI 串行时钟
ST
NMOS I2C 时钟引脚
SSEG5
SCOM5
SLCDC0
SIMC0
IFS
SLCDC1
SLCDC1
PB6
PBPU
[SCS]
SSEG4
SCOM4
SIMC0
IFS
SIMC0
IFS
SLCDC1
SLCDC1
PC0
PCPU
SSEG17
OSC1
SLCDC3
CO
PC1
PCPU
SSEG18
OSC2
SLCDC3
CO
PC2
PCPU
[SCK]
[SCL]
SDO
SSEG0
SCOM0
PC3
PC3/SDI/SDA/
SSEG19
SDI
SDA
SSEG19
Rev. 1.30
SIMC0
IFS
SLCDC0
SLCDC1
SLCDC0
SLCDC1
PCPU
SIMC0
IFS
SIMC0
IFS
SLCDC3
描述
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻
系统时钟输出
软件控制 LCD SEG 输出
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
SCOM 软件控制 LCD COM 输出
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
ST CMOS
阻
- SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
HXT
- HXT 振荡器引脚
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
ST CMOS
阻
- SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
-
HXT HXT 振荡器引脚
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
ST CMOS
阻
-
-
-
CMOS SPI 数据输出
-
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
-
SCOM 软件控制 LCD COM 输出
ST
CMOS
ST
-
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻
SPI 数据输入
ST
NMOS I2C 数据引脚
-
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
14
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
引脚名称
功能
OPT
I/T
PC4
PCPU
ST
描述
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
CMOS
阻
ST
CMOS SPI 串行时钟
ST
NMOS I2C 时钟引脚
-
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
-
SCOM 软件控制 LCD COM 输出
ST
CMOS
ST
-
SCK
PC4/SCK/SCL/
SSEG1/SCOM1
SCL
SSEG1
SCOM1
PC5
PC5/[INT1]/
SSEG11
PC6/[INT0]/
SSEG12
VDD&AVDD
VSS&AVSS
SIMC0
IFS
SIMC0
IFS
SLCDC0
SLCDC1
SLCDC0
SLCDC1
PCPU
SSEG11
INTEG
IFS
SLCDC2
PC6
PCPU
[INT1]
[INT0]
SSEG12
VDD
AVDD
VSS
AVSS
INTEG
IFS
SLCDC2
-
-
-
-
-
ST
O/T
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
阻
外部中断 1
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电
CMOS
阻
ST
-
外部中断 0
- SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
PWR
- 正电源
PWR
- A/D 转换器正电源
PWR
- 负电源、接地
PWR
- A/D 转换器负电源、接地
注:I/T:输入类型;
O/T:输出类型
OPT:通过配置选项 (CO) 或寄存器选项来配置;
CO:配置选项
ST:施密特触发输入;
AN:模拟输入
CMOS:CMOS 输出;
NMOS:NMOS 输出;
AO:模拟输出
SSEG:软件控制 LCD SEG; SCOM:软件控制 LCD COM
HXT:高频晶体振荡器;
LXT:低频晶体振荡器
PWR:电源
* AVDD 与 VDD 在内部是同一个引脚,AVSS 与 VSS 在内部是同一个引脚。
此引脚功能表是针对大封装芯片而言的,对于小封装的芯片可能不具有上述引脚和功能。
Rev. 1.30
15
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
HT66F0185
引脚名称
功能
PA0/TP0/
ICPDA/
OCDSDA
PA0
TP0
ICPDA
OCDSDA
PA1
PA1/[SDO]/
SSEG2/SCOM2
[SDO]
SSEG2
SCOM2
PA2/ICPCK/
OCDSCK
PA2
ICPCK
OCDSCK
PA3
[SDI]
PA3/[SDI/SDA]/
CX/SSEG3/
SCOM3
[SDA]
CX
SSEG3
SCOM3
PA4
PA4/TCK1/
SSEG15/AN3
TCK1
SSEG15
AN3
PA5
PA5/SSEG10/
AN4/VREFI
Rev. 1.30
SSEG10
AN4
VREFI
OPT
PAWU
PAPU
TMPC
-
-
PAWU
PAPU
SLCDC0
SIMC0
IFS
SLCDC0
SLCDC1
SLCDC0
SLCDC1
PAWU
PAPU
-
-
PAWU
PAPU
SLCDC0
SIMC0
IFS
SLCDC0
SIMC0
IFS
CPC
SLCDC0
SLCDC1
SLCDC0
SLCDC1
PAWU
PAPU
TM1C0
SLCDC3
ACERL
PAWU
PAPU
SLCDC2
ACERL
SADC2
I/T
O/T
ST
CMOS
ST
ST
ST
CMOS
CMOS
CMOS
ST
CMOS
-
CMOS SPI 数据输出
-
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
-
SCOM 软件控制 LCD COM 输出
ST
CMOS
ST
ST
ST
ST
描述
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
和唤醒功能
TM0 输入 / 输出
ICP 数据 / 地址引脚
OCDS 数据 / 地址引脚,仅用于 EV 芯片
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
和唤醒功能
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
和唤醒功能
CMOS ICP 时钟引脚
- OCDS 时钟引脚,仅用于 EV 芯片
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
CMOS
和唤醒功能
-
SPI 数据输入
ST
NMOS I2C 地址 / 数据引脚
-
CMOS 比较器输出
-
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
-
SCOM 软件控制 LCD COM 输出
ST
CMOS
ST
-
AN
ST
-
AN
AN
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
和唤醒功能
- TM1 输入
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
- A/D 转换器模拟输入
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
CMOS
和唤醒功能
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
- A/D 转换器模拟输入
- A/D 转换器 PGA 电压输入
16
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
OPT
PAWU
PA6
PAPU
PA6/TCK2/
TCK2
TM2C0
SSEG9/
SSEG9 SLCDC2
AN5/VREF
AN5
ACERL
VREF
SADC2
PAWU
PA7
PAPU
PA7/TP1/
TP1
TMPC
SSEG8/AN6
SSEG8 SLCDC2
AN6
ACERL
PB0
PBPU
IFS
INT0
PB0/INT0/
INTEG
SSEG18/
SSEG18 SLCDC3
AN0/XT1
AN0
ACERL
XT1
CO
PB1
PBPU
IFS
INT1
PB1/INT1/
INTEG
SSEG17/
SSEG17 SLCDC3
AN1/XT2
AN1
ACERL
XT2
CO
PB2
PBPU
TCK0
TM0C0
PB2/TCK0/
SSEG16/AN2
SSEG16 SLCDC3
AN2
ACERL
PB3
PBPU
UCR1
[TX]
UCR2
PB3/[TX]/TP2/
TP2
TMPC
SSEG7/AN7
SSEG7 SLCDC2
AN7
ACERL
PB4
PBPU
UCR1
[RX]
PB4/[RX]/CLO/
UCR2
SSEG6
CLO
TMPC
SSEG6 SLCDC2
引脚名称
Rev. 1.30
功能
I/T
O/T
ST
CMOS
ST
-
AN
-
-
SSEG
-
AO
ST
CMOS
ST
-
AN
ST
CMOS
SSEG
-
CMOS
ST
-
描述
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
和唤醒功能
TM2 输入
软件控制 LCD SEG 输出
A/D 转换器模拟输入
A/D 转换器参考电压输出
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
和唤醒功能
TM1 输入 / 输出
软件控制 LCD SEG 输出
A/D 转换器模拟输入
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
外部中断 0
- SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
AN
- A/D 转换器模拟输入
LXT
- LXT 振荡器引脚
ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
ST
-
-
AN
-
ST
ST
-
AN
ST
SSEG
-
LXT
CMOS
-
SSEG
-
CMOS
-
CMOS UART TX 串行数据输出
ST
-
AN
ST
CMOS
SSEG
-
CMOS
ST
-
-
-
外部中断 1
软件控制 LCD SEG 输出
A/D 转换器模拟输入
LXT 振荡器引脚
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
TM0 输入
软件控制 LCD SEG 输出
A/D 转换器模拟输入
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
TM2 输入 / 输出
软件控制 LCD SEG 输出
A/D 转换器模拟输入
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
UART RX 串行数据输入
CMOS 系统时钟输出
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
17
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
引脚名称
PB5/[SCS]/C-/
SSEG5/SCOM5
功能
PB5
[SCS]
CSSEG5
SCOM5
PB6
[SCK]
PB6/[SCK/
SCL]/C+/
SSEG4/SCOM4
PC0/SSEG19/
OSC1
PC1/SSEG20/
OSC2
[SCL]
C+
SSEG4
SCOM4
PC0
SSEG19
OSC1
PC1
SSEG20
OSC2
PC2
[SDO]
PC2/[SDO]/
SSEG0/SCOM0
SSEG0
SCOM0
PC3
PC3/SDO/
SSEG21
SDO
SSEG21
PC4
PC4/SDI/SDA/
SSEG22
SDI
SDA
SSEG22
Rev. 1.30
OPT
PBPU
SLCDC0
SIMC0
IFS
CPC
SLCDC1
SLCDC1
PBPU
SIMC0
IFS
SIMC0
IFS
CPC
SLCDC1
SLCDC1
PCPU
SLCDC3
CO
PCPU
SLCDC3
CO
PCPU
SIMC0
IFS
SLCDC0
SLCDC1
SLCDC0
SLCDC1
PCPU
SIMC0
IFS
SLCDC3
PCPU
SIMC0
IFS
SIMC0
IFS
SLCDC4
I/T
ST
O/T
描述
CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
ST
CMOS SPI 从机选择
AN
-
-
ST
-
SSEG
SCOM
CMOS
ST
CMOS SPI 串行时钟
ST
NMOS I2C 时钟引脚
AN
-
-
ST
-
HXT
ST
-
-
ST
-
SSEG
SCOM
CMOS
SSEG
-
CMOS
SSEG
HXT
CMOS
比较器输入
软件控制 LCD SEG 输出
软件控制 LCD COM 输出
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
比较器输入
软件控制 LCD SEG 输出
软件控制 LCD COM 输出
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
软件控制 LCD SEG 输出
HXT 振荡器引脚
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
软件控制 LCD SEG 输出
HXT 振荡器引脚
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
-
CMOS SPI 数据输出
-
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
-
SCOM 软件控制 LCD COM 输出
ST
CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
-
CMOS SPI 数据输出
-
ST
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
ST
-
SPI 数据输入
ST
NMOS I2C 数据引脚
-
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
18
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
引脚名称
功能
PC5
SCK
PC5/SCK/SCL/
SSEG1/SCOM1
SCL
SSEG1
SCOM1
PC6
PC6/SCS/
SSEG23
PD0/SSEG11
PD1/RX/
SSEG12
SCS
SSEG23
PD0
SSEG11
PD1
RX
SSEG12
PD2
PD2/TX/
SSEG13
PD3/SSEG14
VDD&AVDD
VSS&AVSS
TX
SSEG13
PD3
SSEG14
VDD
AVDD
VSS
AVSS
OPT
PCPU
SIMC0
IFS
SIMC0
IFS
SLCDC0
SLCDC1
SLCDC0
SLCDC1
PCPU
SLCDC0
SIMC0
IFS
SLCDC4
PDPU
SLCDC2
PDPU
UCR1
UCR2
SLCDC2
PDPU
UCR1
UCR2
SLCDC2
PDPU
SLCDC3
-
-
-
-
I/T
ST
O/T
描述
CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
ST
CMOS SPI 串行时钟
ST
NMOS I2C 时钟引脚
-
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
-
SCOM 软件控制 LCD COM 输出
ST
CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
ST
CMOS SPI 从机选择
-
ST
-
ST
SSEG
CMOS
SSEG
CMOS
ST
-
软件控制 LCD SEG 输出
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
软件控制 LCD SEG 输出
通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
UART RX 串行数据输入
-
ST
SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
-
CMOS UART TX 串行数据输出
- SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻
- SSEG 软件控制 LCD SEG 输出
PWR
- 正电源
PWR
- A/D 转换器正电源
PWR
- 负电源、接地
PWR
- A/D 转换器负电源、接地
注:I/T:输入类型;
O/T:输出类型
OPT:通过配置选项 (CO) 或寄存器选项来配置;
CO:配置选项
ST:施密特触发输入;
AN:模拟输入
CMOS:CMOS 输出;
NMOS:NMOS 输出;
AO:模拟输出
SSEG:软件控制 LCD SEG; SCOM:软件控制 LCD COM
HXT:高频晶体振荡器;
LXT:低频晶体振荡器
PWR:电源
* AVDD 与 VDD 在内部是同一个引脚,AVSS 与 VSS 在内部是同一个引脚。
此引脚功能表是针对大封装芯片而言的,对于小封装的芯片可能不具有上述引脚和功能。
Rev. 1.30
19
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
极限参数
电源供应电压 ..........................................................................VSS-0.3V ~ VSS+6.0V
端口输入电压 ......................................................................... VSS-0.3V ~ VDD+0.3V
储存温度 ............................................................................................ -50℃ ~ 125℃
工作温度 .............................................................................................. -40℃ ~ 85℃
IOH总电流 .......................................................................................................... -80mA
IOL总电流............................................................................................................ 80mA
总功耗 ............................................................................................................. 500mW
注:这里只强调额定功率,超过极限参数所规定的范围将对芯片造成损害,无法预期芯片在上述
标示范围外的工作状态,而且若长期在标示范围外的条件下工作,可能影响芯片的可靠性。
直流电气特性
Ta=25℃
符号
参数
工作电压 (HXT)
VDD
工作电压 (HIRC)
工作电流 (HXT)
IDD
工作电流 (HIRC)
工作电流 (LXT)
工作电流 (LIRC)
Rev. 1.30
测试条件
条件
fSYS=fHXT=8MHz
fSYS=fHXT=12MHz
─
fSYS=fHXT=16MHz
fSYS=fHXT=20MHz
fSYS=fHIRC=8MHz
─ fSYS=fHIRC=12MHz
fSYS=fHIRC=16MHz
3V fSYS=fH=fHXT=8MHz
5V 无负载,所有外设关闭
VDD
3V fSYS=fH=fHXT=12MHz
5V 无负载,所有外设关闭
f =f =f =16MHz
5V SYS H HXT
无负载,所有外设关闭
f =f =f =20MHz
5V SYS H HXT
无负载,所有外设关闭
3V fSYS=fH=fHIRC=8MHz
5V 无负载,所有外设关闭
3V fSYS=fH=fHIRC=12MHz
5V 无负载,所有外设关闭
f =f =f =16MHz
5V SYS H HIRC
无负载,所有外设关闭
3V fSYS=fSUB=fLXT=32.768kHz
5V 无负载,所有外设关闭
3V fSYS=fSUB=fLIRC=32kHz
5V 无负载,所有外设关闭
20
最小
典型
最大 单位
2.2
2.7
4.5
4.5
2.2
2.7
4.5
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
1.0
2.5
1.5
3.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
1.5
4.0
2.5
5.5
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
─
4.5
7.0
mA
─
5.5
8.5
mA
─
─
─
─
2.0
3.0
3.0
4.5
2.8
4.5
4.2
6.7
mA
mA
mA
mA
─
6.0
9.0
mA
─
─
─
─
10
30
10
30
20
50
20
50
μA
μA
μA
μA
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
符号
参数
静态电流 (IDLE0 模式 )
测试条件
条件
最小
典型
─
─
─
─
─
─
3
5
0.5
1.0
0.6
1.2
5
10
1.0
2.0
1.2
2.4
μA
μA
mA
mA
mA
mA
─
2.0
4.0
mA
─
2.5
5.0
mA
─
─
─
─
0.8
1.0
1.2
1.5
1.6
2.0
2.4
3.0
mA
mA
mA
mA
─
2.0
4.0
mA
─
─
─
─
0
0
3.5
0.8VDD
16
32
─
─
─
─
─
─
─
─
32
64
1.0
2.0
3.0
5.0
1.5
0.2VDD
5.0
VDD
─
─
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
mA
mA
-1.0
-2.0
─
mA
-2.0
-4.0
─
mA
3V VOH=0.9VDD,
SLEDCn [m+1, m]=01
5V n=0 或 1; m=0, 2, 4 或 6
-1.75
-3.5
─
mA
-3.5
-7.0
─
mA
3V VOH=0.9VDD,
SLEDCn [m+1, m]=10
5V n=0 或 1; m=0, 2, 4 或 6
-2.5
-5.0
─
mA
-5.0
-10.0
─
mA
3V VOH=0.9VDD,
SLEDCn [m+1, m]=11
5V n=0 或 1; m=0, 2, 4 或 6
-5.5
-11.0
─
mA
-11.0
-22.0
─
mA
20
10
60
30
100
50
kΩ
kΩ
VDD
3V
5V
3V
5V
3V
5V
无负载,所有外设关闭 ,
fSUB on
fSYS=fHXT=8MHz on, fSUB on
无负载,所有外设关闭
fSYS=fHXT=12MHz on, fSUB on
无负载,所有外设关闭
fSYS=fHXT=16MHz on, fSUB on
无负载,所有外设关闭
f =f =20MHz on, fSUB on
5V SYS HXT
无负载,所有外设关闭
3V fSYS=fHIRC=8MHz on, fSUB on
5V 无负载,所有外设关闭
5V
静态电流 (IDLE1 模式 )
ISTB
3V fSYS=fHIRC=12MHz on, fSUB on
5V 无负载,所有外设关闭
f =f =16MHz on, fSUB on
5V SYS HIRC
无负载,所有外设关闭
3V fSUB off, WDT 除能
工作电流 (SLEEP0 模式 )
5V 无负载,所有外设关闭
工作电流 (SLEEP1 模式 )
VIL
输入 / 输出口或输入引脚
的低电平输入电压
VIH
输入 / 输出口或输入引脚
的高电平输入电压
IOL
输入 / 输出口灌电流
3V
5V
5V
─
5V
─
3V
5V
fSUB on, WDT 使能
无负载,所有外设关闭
─
─
─
─
VOL=0.1VDD
VOL=0.1VDD
3V VOH=0.9VDD,
SLEDCn [m+1, m]=00
5V n=0 或 1; m=0, 2, 4 或 6
IOH
RPH
输入 / 输出口源电流
输入 / 输出口上拉电阻
Rev. 1.30
3V
5V
─
─
21
最大 单位
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
交流电气特性
Ta=25℃
符号
fSYS
fLIRC
参数
VDD
2.2~ 5.5V
2.7~ 5.5V
系统时钟 (HXT)
4.5~ 5.5V
4.5~ 5.5V
2.4~ 5.5V
系统时钟 (HIRC)
2.7~ 5.5V
4.5~ 5.5V
系统时钟 (LXT)
2.2~ 5.5V
系统时钟 (LIRC)
2.2~ 5.5V
5V
内部低速 RC 振荡器 (LIRC)
2.2~ 5.5V
测试条件
最小 典型 最大 单位
条件
─
8
─ MHz
fSYS=fHXT=8MHz
─
12
─ MHz
fSYS=fHXT=12MHz
─
16
─ MHz
fSYS=fHXT=16MHz
─
20
─ MHz
fSYS=fHXT=20MHz
fSYS=fHIRC=8MHz
─
8
─ MHz
─
12
─ MHz
fSYS=fHIRC=12MHz
─
16
─ MHz
fSYS=fHIRC=16MHz
kHz
fSYS=fLXT=32.768kHz ─ 32.768 ─
kHz
─
32
─
fSYS=fLIRC=32kHz
Ta=25℃
-10%
32 +10% kHz
-50%
32 +60% kHz
Ta= -40℃ ~ 85℃
tTCK
TCKn 引脚最小输入脉宽
─
─
0.3
─
─
μs
tINT
中断引脚最小输入脉宽
─
─
─
─
─
─
fSYS=fHXT off
fSYS=fHIRC off
fSYS=fLXT off
fSYS=fLIRC off
10
128
16
128
2
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
μs
tHXT
tHIRC
tLXT
tLIRC
─
fSYS on
2
─
─
tSYS
tSST
tRSTD
tEERD
tEEWR
系统启动时间 ( 从暂停模式
中唤醒,fSYS off)
系统启动时间
( 从暂停模式中唤醒 )
系统复位延迟时间
( 上电复位 , LVR 硬件复
位 ,LVRC/WDTC 软件复位 )
系统复位延迟时间
(WDT 硬件复位 )
EEPROM 读周期
EEPROM 写周期
─
─
25
50
100
ms
─
─
8.3
16.7
33.3
ms
─
─
─
─
─
─
─
2
4
4
tSYS
ms
注:1.tSYS=1/fSYS
Rev. 1.30
22
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
HIRC 电气特性
Ta=25℃
频率准确性 trimmed 8MHz@VDD=3V
测试条件
符号
参数
条件
VDD
3V
Ta=25℃
3V ± 0.3V Ta=0℃ ~ 70℃
3V ± 0.3V Ta= -40℃ ~ 85℃
内部高速 RC 振荡器
fHIRC
2.2V ~ 5.5V Ta=0℃ ~ 70℃
(HIRC)
2.2V ~ 5.5V Ta= -40℃ ~ 85℃
3V
Ta=25℃
3V
Ta=25℃
频率准确性 trimmed 8MHz@VDD=5V
测试条件
符号
参数
条件
VDD
5V
Ta=25℃
5V ± 0.5V Ta=0℃ ~ 70℃
5V ± 0.5V Ta= -40℃ ~ 85℃
内部高速 RC 振荡器
fHIRC
2.2V ~ 5.5V Ta=0℃ ~ 70℃
(HIRC)
2.2V ~ 5.5V Ta= -40℃ ~ 85℃
5V
Ta=25℃
5V
Ta=25℃
频率准确性 trimmed 12MHz @ VDD=3V
测试条件
符号
参数
条件
VDD
3V
Ta=25℃
3V ± 0.3V Ta=0℃ ~ 70℃
3V ± 0.3V Ta= -40℃ ~ 85℃
内部高速 RC 振荡器
fHIRC
2.2V ~ 5.5V Ta=0℃ ~ 70℃
(HIRC)
2.2V ~ 5.5V Ta= -40℃ ~ 85℃
3V
Ta=25℃
3V
Ta=25℃
Rev. 1.30
23
最小
典型
最大
单位
- 2%
- 5%
- 7%
- 7%
- 10%
- 20%
- 20%
8
8
8
8
8
12
16
+ 2%
+ 5%
+ 7%
+ 7%
+ 10%
+ 20%
+ 20%
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
最小
典型
最大
单位
- 2%
- 5%
- 7%
- 7%
- 10%
- 20%
- 20%
8
8
8
8
8
12
16
+ 2%
+ 5%
+ 7%
+ 7%
+ 10%
+ 20%
+ 20%
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
最小
典型
最大
单位
- 2%
- 5%
- 7%
- 7%
- 10%
- 20%
- 20%
12
12
12
12
12
8
16
+ 2%
+ 5%
+ 7%
+ 7%
+ 10%
+ 20%
+ 20%
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
频率准确性 trimmed 12MHz@VDD=5V
测试条件
符号
参数
条件
VDD
5V
Ta=25℃
5V ± 0.5V Ta=0℃ ~ 70℃
5V ± 0.5V Ta= -40℃ ~ 85℃
内部高速 RC 振荡器
fHIRC
2.2V ~ 5.5V Ta=0℃ ~ 70℃
(HIRC)
2.2V ~ 5.5V Ta= -40℃ ~ 85℃
5V
Ta=25℃
5V
Ta=25℃
频率准确性 trimmed 16MHz@VDD=5V
测试条件
符号
参数
条件
VDD
5V
Ta=25℃
5V ± 0.5V Ta=0℃ ~ 70℃
5V ± 0.5V Ta= -40℃ ~ 85℃
内部高速 RC 振荡器
fHIRC
2.2V ~ 5.5V Ta=0℃ ~ 70℃
(HIRC)
2.2V ~ 5.5V Ta= -40℃ ~ 85℃
5V
Ta=25℃
5V
Ta=25℃
最小
典型
最大
单位
- 2%
- 5%
- 7%
- 7%
- 10%
- 20%
- 20%
12
12
12
12
12
8
16
+ 2%
+ 5%
+ 7%
+ 7%
+ 10%
+ 20%
+ 20%
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
最小
典型
最大
单位
- 2%
- 5%
- 7%
- 7%
- 10%
- 20%
- 20%
16
16
16
16
16
8
12
+ 2%
+ 5%
+ 7%
+ 7%
+ 10%
+ 20%
+ 20%
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
ADC 电气特性
符号
Ta=25℃
参数
测试条件
VDD
条件
最小
典型
最大
单位
VDD
工作电压
—
—
2.7
—
5.5
V
VADI
输入电压
—
—
0
—
VREF
V
VREF
参考电压
—
—
2
—
VDD
V
DNL
非线性微分误差
VREF=VDD
tADCK=0.5μs
-3
—
+3
LSB
INL
非线性积分误差
3V
5V
3V
5V
VREF=VDD
tADCK=0.5μs
-4
—
+4
LSB
IADC
ADC 使能额外电流
3V 无负载,
5V tADCK=0.5μs
—
1.0
2.0
mA
—
1.5
3.0
mA
tADCK
时钟周期
—
—
0.5
—
10
μs
tADC
A/D 转换时间
( 包括采样和保持时间 )
—
—
—
16
—
tADCK
tON2ST
A/D 转换器 On-to-Start 时间
—
—
4
—
—
μs
Rev. 1.30
24
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
LVD & LVR 电气特性
符号
参数
Ta=25℃
VDD
VLVR
低电压复位电压
─
VLVD
低电压检测电压
─
VBG
Bandgap 参考电压
IOP
工作电流
tBGS
VBG 开启到稳定的时间
─
5V
5V
─
─
tLVDS
LVDO 稳定时间
─
tLVR
tLVD
最小低电压复位时间
最小低电压中断时间
─
─
测试条件
条件
LVR 使能,电压选择 2.1V
LVR 使能,电压选择 2.55V
LVR 使能,电压选择 3.15V
LVR 使能,电压选择 3.8V
LVD 使能,电压选择 2.0V
LVD 使能,电压选择 2.2V
LVD 使能,电压选择 2.4V
LVD 使能,电压选择 2.7V
LVD 使能,电压选择 3.0V
LVD 使能,电压选择 3.3V
LVD 使能,电压选择 3.6V
LVD 使能,电压选择 4.0V
─
LVD/LVR 使能 , VBGEN=0
LVD/LVR 使能 , VBGEN=1
无负载
LVR 使能 , VBGEN=0,
LVD off→on
LVR 除能 , VBGEN=0,
LVD off→on
─
─
最小 典型 最大 单位
2.1
2.55
- 5%
+ 5%
3.15
3.8
2.0
2.2
2.4
2.7
- 5%
+ 5%
3.0
3.3
3.6
4.0
- 3% 1.04 + 3%
─
20
25
─
180 200
─
─
150
V
V
V
μA
μA
μs
─
─
15
μs
─
─
150
μs
120
60
240
120
480
240
μs
μs
比较器电气特性
Ta=25℃
符号
参数
VDD
工作电压
ICMP
比较器使能额外电流
VOS
VCM
AOL
输入偏置电压
共模电压范围
开环增益
VDD
─
3V
5V
5V
─
5V
VHYS
迟滞宽度
5V
tRP
响应时间
─
Rev. 1.30
测试条件
条件
─
─
─
迟滞功能除能
迟滞功能使能
100mV 偏置
25
最小
典型
2.2
─
─
-10
VSS
60
0
20
─
─
37
130
─
─
80
0
40
370
最大
单位
V
5.5
μA
56
μA
200
mV
10
VDD-1.4 V
dB
─
mV
5
mV
60
ns
560
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
软件控制 LCD 驱动器电气特性
符号
IBIAS
VLCD_H
VLCD_L
参数
Ta=25℃
测试条件
条件
ISEL[1:0]=00
ISEL[1:0]=01
ISEL[1:0]=10
ISEL[1:0]=11
VDD
5V
偏置电流
[(2/3) × VDD] 电压
用于 LCD SCOM/SSEG 输出
[(1/3) × VDD] 电压
用于 LCD SCOM/SSEG 输出
2.2V~
5.5V
2.2V~
5.5V
最小
典型
最大
单位
4.2
8.3
25
50
8.3
16.7
50
100
13
25
75
150
μA
μA
μA
μA
无负载
0.645
0.67
0.698
VDD
无负载
0.305
0.33
0.355
VDD
上电复位特性
Ta=25℃
符号
参数
VPOR
RRVDD
上电复位电压
上电复位电压速率
VDD
—
—
tPOR
VDD 保持为 VPOR 的最小时间
—
测试条件
条件
—
—
—
0.035
—
—
100
—
mV
V/ms
1
—
—
ms
—
Rev. 1.30
最小 典型 最大 单位
26
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
系统结构
内部系统结构是盛群单片机具有良好性能的主要因素。由于采用 RISC 结构,
该系列单片机具有高运算速度和高性能的特点。通过流水线的方式,指令的取
得和执行同时进行,此举使得除了跳转和调用指令外,其它指令都能在一个指
令周期内完成。8 位 ALU 参与指令集中所有的运算,它可完成算术运算、逻辑
运算、移位、递增、递减和分支等功能,而内部的数据路径则是以通过累加器
和 ALU 的方式加以简化。有些寄存器在数据存储器中被实现,且可以直接或间
接寻址。简单的寄存器寻址方式和结构特性,确保了在提供具有最大可靠度和
灵活性的 I/O 和 A/D 控制系统时,仅需要少数的外部器件。使得该系列单片机
适用于低成本和大量生产的控制应用。
时序和流水线结构
主系统时钟由 HXT、LXT 、HIRC 或 LIRC 振荡器提供,它被细分为 T1~ T4 四
个内部产生的非重叠时序。在 T1 时间,程序计数器自动加一并抓取一条新的
指令。剩下的时间 T2~ T4 完成译码和执行功能,因此,一个 T1~ T4 时钟周期
构成一个指令周期。虽然指令的抓取和执行发生在连续的指令周期,但单片机
流水线结构会保证指令在一个指令周期内被有效执行。除非程序计数器的内容
被改变,如子程序的调用或跳转,在这种情况下指令将需要多一个指令周期的
时间去执行。
系统时序和流水线
如果指令牵涉到分支,例如跳转或调用等指令,则需要两个指令周期才能完成
指令执行。需要一个额外周期的原因是程序先用一个周期取出实际要跳转或调
用的地址,再用另一个周期去实际执行分支动作,因此用户需要特别考虑额外
周期的问题,尤其是在执行时间要求较严格的时候。
指令捕捉
Rev. 1.30
27
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
程序计数器
在程序执行期间,程序计数器用来指向下一个要执行的指令地址。除了“JMP”
和“CALL”指令需要跳转到一个非连续的程序存储器地址之外,它会在每条
指令执行完成以后自动加一。只有较低的 8 位,即所谓的程序计数器低字节寄
存器 PCL,可以被用户直接读写。
当执行的指令要求跳转到不连续的地址时,如跳转指令、子程序调用、中断或
复位等,单片机通过加载所需要的地址到程序寄存器来控制程序,对于条件跳
转指令,一旦条件符合,在当前指令执行时取得的下一条指令将会被舍弃,而
由一个空指令周期来取代。
程序计数器
单片机型号
高字节
PC10~ PC8
PC11~ PC8
HT66F0175
HT66F0185
低字节(PCL)
PC7~ PC0
PC7~ PC0
程序计数器的低字节,即程序计数器的低字节寄存器 PCL,可以通过程序控制,
且它是可以读取和写入的寄存器。通过直接写入数据到这个寄存器,一个程序
短跳转可直接执行,然而只有低字节的操作是有效的,跳转被限制在存储器的
当前页中,即 256 个存储器地址范围内,当这样一个程序跳转要执行时,会插
入一个空指令周期。程序计数器的低字节可由程序直接进行读取,PCL 的使用
可能引起程序跳转,因此需要额外的指令周期。
堆栈
堆栈是一个特殊的存储空间,用来存储程序计数器中的内容。该系列单片机有
多层堆栈,堆栈既不是数据部分也不是程序空间部分,而且它既不是可读取也
不是可写入的。当前层由堆栈指针 (SP) 加以指示,同样也是不可读写的。在子
程序调用或中断响应服务时,程序计数器的内容被压入到堆栈中。当子程序或
中断响应结束时,返回指令 (RET 或 RETI) 使程序计数器从堆栈中重新得到它
以前的值。当一个芯片复位后,堆栈指针将指向堆栈顶部。
如果堆栈已满,且有非屏蔽的中断发生,中断请求标志会被置位,但中断响应
将被禁止。当堆栈指针减少 ( 执行 RET 或 RETI),中断将被响应。这个特性提
供程序设计者简单的方法来预防堆栈溢出。然而即使堆栈已满,CALL 指令仍
然可以被执行,而造成堆栈溢出。使用时应避免堆栈溢出的情况发生,因为这
可能导致不可预期的程序分支指令执行错误。若堆栈溢出,则首个存入堆栈的
程序计数器数据将会丢失。
Program Counter
Top of Stack
Stack Level 1
Stack Level 2
Rev. 1.30
Stack
Pointer
Stack Level 3
Bottom of Stack
Stack Level 8
:
:
:
28
Program Memory
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
算术逻辑单元 – ALU
算术逻辑单元是单片机中很重要的部分,执行指令集中的算术和逻辑运算。
ALU 连接到单片机的数据总线,在接收相关的指令码后执行需要的算术与逻辑
操作,并将结果存储在指定的寄存器,当 ALU 计算或操作时,可能导致进位、
借位或其它状态的改变,而相关的状态寄存器会因此更新内容以显示这些改变,
ALU 所提供的功能如下:
● 算术运算:ADD,ADDM,ADC,ADCM,SUB,SUBM,SBC,SBCM,
DAA
● 逻辑运算:AND,OR,XOR,ANDM,ORM,XORM,CPL,CPLA
● 移位运算:RRA,RR,RRCA,RRC,RLA,RL,RLCA,RLC
● 递增和递减:INCA,INC,DECA,DEC
● 分支判断:JMP,SZ,SZA,SNZ,SIZ,SDZ,SIZA,SDZA,CALL,
RET,RETI
Flash 程序存储器
程序存储器用来存放用户代码即储存程序。程序存储器为 Flash 类型意味着可
以多次重复编程,方便用户使用同一芯片进行程序的修改。使用适当的单片机
编程工具,此系列单片机提供用户灵活便利的调试方法和项目开发规划及更新。
单片机型号
HT66F0175
HT66F0185
容量
2K × 16
4K × 16
结构
程序存储器的容量为 2K×16~ 4K×16 位,程序存储器用程序计数器来寻址,
其中也包含数据、表格和中断入口。数据表格可以设定在程序存储器的任何地
址,由表格指针来寻址。
000H
HT66F0175
HT66F0185
Initialisation Vector
Initialisation Vector
Interrupt Vectors
Interrupt Vectors
Look-up Table
Look-up Table
004H
024H
028H
n00H
nFFH
7FFH
16 bits
FFFH
16 bits
程序存储器结构
Rev. 1.30
29
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
特殊向量
程序存储器内部某些地址保留用做诸如复位和中断入口等特殊用途。地址 000H
是芯片复位后的程序起始地址。在芯片复位之后,程序将跳到这个地址并开始
执行。
查表
程序存储器中的任何地址都可以定义成一个表格,以便储存固定的数据。使用
表格时,表格指针必须先行设定,其方式是将表格的地址放在表格指针寄存器
TBLP 和 TBHP 中。这些寄存器定义表格总的地址。
在设定完表格指针后,表格数据可以使用“TABRD [m]”或“TABRDL [m]”指
令分别从程序存储器查表读取。当这个指令执行时,程序存储器中表格数据低
字节,将被传送到使用者所指定的数据存储器 [m],程序存储器中表格数据的高
字节,则被传送到 TBLH 特殊寄存器,而高字节中未使用的位将被读取为“0”。
下图是查表中寻址 / 数据流程:
A d d re s s
L a s t p a g e o r
T B H P R e g is te r
T B L P R e g is te r
D a ta
1 6 b its
R e g is te r T B L H
U s e r S e le c te d
R e g is te r
H ig h B y te
L o w B y te
查表范例
以下范例说明表格指针和表格数据如何被定义和执行。这个例子使用的表格数
据用 ORG 伪指令储存在存储器中。ORG 指令的值“0F00H”指向的地址是 4K
程序存储器中最后一页的起始地址。表格指针低字节寄存器的初始值设为
06H,这可保证从数据表格读取的第一笔数据位于程序存储器地址 0F06H,即
最后一页起始地址后的第六个地址。值得注意的是,假如“TABRD [m]”指令
被使用,则表格指针指向 TBHP 指定的页。在这个例子中,表格数据的高字节
等于零,而当“TABRD [m]”指令被执行时,此值将会自动的被传送到 TBLH
寄存器。
TBLH 寄存器为只读寄存器,不能重新储存,若主程序和中断服务程序都使用
表格读取指令,应该注意它的保护。使用表格读取指令,中断服务程序可能会
改变 TBLH 的值,若随后在主程序中再次使用这个值,则会发生错误,因此建
议避免同时使用表格读取指令。然而在某些情况下,如果同时使用表格读取指
令是不可避免的,则在执行任何主程序的表格读取指令前,中断应该先除能,
另外要注意的是所有与表格相关的指令,都需要两个指令周期去完成操作。
Rev. 1.30
30
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
表格读取程序范例
tempreg1 db ?
; temporary register #1
tempreg2 db ?
; temporary register #2
:
mov
a,06h
; initialise low table pointer - note that this
; address is referenced to the last page or the
; page that tbhp pointed
mov
tblp,a
mov
a,0fh
; initialise high table pointer
mov
tbhp,a
:
tabrd
tempreg1
; transfers value in table referenced by table
; pointer data at program memory address “0F06H”
; transferred to tempreg1 and TBLH
dec
tblp
; reduce value of table pointer by one
tabrd
tempreg2
; transfers value in table referenced by table
; pointer data at program memory address “0F05H”
; transferred to tempreg2 and TBLH in this
; example the data “1AH” is transferred to
; tempreg1 and data “0FH” to register tempreg2
:
org
0F00h
; sets initial address of program memory
dc
00Ah, 00Bh, 00Ch, 00Dh, 00Eh, 00Fh, 01Ah, 01Bh
:
在线烧录
Flash 型程序存储器提供用户便利地对同一芯片进行程序的更新和修改。另外,
Holtek 单片机提供 4 线接口的在线烧录方式。用户可将进行过烧录或未经过烧
录的单片机芯片连同电路板一起制成,最后阶段进行程序的更新和程序的烧录,
在无需去除或重新插入芯片的情况下方便地保持程序为最新版。
Holtek 烧录器引脚名称
ICPDA
ICPCK
VDD
VSS
MCU 在线烧录引脚名称
PA0
PA2
VDD
VSS
引脚说明
串行数据 / 地址烧录
时钟烧录
电源
地
程序存储器和 EEPROM 存储器可以通过 4 线的接口在线进行烧录。其中一个引
脚用于数据串行下载或上传、另一个引脚用于串行时钟、两条用于提供电源。
芯片在线烧写的详细使用说明超出此文档的描述范围,将由专门的参考文献提
供。
烧录过程中,用户必须确保 ICPDA 和 ICPCK 这两个引脚没有连接至其它输出
脚。
Rev. 1.30
31
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
W r ite r C o n n e c to r
S ig n a ls
M C U
P r o g r a m m in g
P in s
V D D
W r ite r _ V D D
IC P D A
P A 0
IC P C K
P A 2
W r ite r _ V S S
V S S
*
*
T o o th e r C ir c u it
注:* 可能为电阻或电容。若为电阻则其值必须大于 1kΩ,若为电容则其必须小于 1nF。
片上调试 – OCDS
EV 芯片 HT66V01x5 用于 HT66F01x5 单片机仿真。此 EV 芯片提供片上调试功
能(OCDS)用于开发过程中的单片机调试。除了片上调试功能方面,EV 芯片
和实际 MCU 在功能上几乎是兼容的。用户可将 OCDSDA 和 OCDSCK 引脚连
接至 Holtek HT-IDE 开发工具,从而实现 EV 芯片对实际 IC 的仿真。OCDSDA
引脚为 OCDS 数据 / 地址输入 / 输出脚,OCDSCK 引脚为 OCDS 时钟输入脚。
当用户用 EV 芯片进行调试时,实际单片机 OCDSDA 和 OCDSCK 引脚上的其
它共用功能无效。由于这两个 OCDS 引脚与 ICP 引脚共用,因此在线烧录时仍
用作 Flash 存储器烧录引脚。关于 OCDS 功能的详细描述,请参考“Holtek e-Link
for 8-bit MCU OCDS User's Guide”文件。
Holtek e-Link 引脚名称
OCDSDA
OCDSCK
VDD
VSS
Rev. 1.30
EV 芯片引脚名称
OCDSDA
OCDSCK
VDD
VSS
32
引脚说明
片上调试串行数据 / 地址输入 / 输出
片上调试时钟输入
电源
地
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
数据存储器
数据存储器是内容可更改的 8 位 RAM 内部存储器,用来储存临时数据。
结构
数据存储器分为两个部分,第一部分是特殊功能数据存储器。这些寄存器有固
定的地址且与单片机的正确操作密切相关。大多特殊功能寄存器都可在程序控
制下直接读取和写入,但有些被加以保护而不对用户开放。第二部分数据存储
器是做一般用途使用,都可在程序控制下进行读取和写入。
总的数据存储器被分为两个区。大部分特殊功能数据寄存器均可在所有 Bank
被访问,除了 EEC 寄存器只位于 Bank 1 的“40H”地址。切换不同区域可通过
设置区域指针实现。单片机的数据存储器的起始地址是“00H”。
特殊功能数据存储器地址范围为 00H~ 7FH,而通用数据存储器地址范围为
80H~ FFH。
单片机型号
HT66F0175
容量
128×8
HT66F0185
256×8
Banks
0: 80H~ FFH
0: 80H~ FFH
1: 80H~ FFH
数据存储器概要
00H
00H
Special
Purpose Data
Memory
40H: EEC
(Bank 1)
Special
Purpose Data
Memory
40H:EEC
(Bank 1)
7FH
80H
7FH
80H
General
Purpose Data
Memory
General
Purpose Data
Memory
FFH
FFH
Bank 0
Bank 0
Bank 1
HT66F0185
HT66F0175
数据存储器结构
Rev. 1.30
33
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
00H
01H
02H
03H
04H
05H
06H
07H
08H
09H
0AH
0BH
0CH
0DH
0EH
0FH
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
27H
28H
2EH
2FH
30H
31H
32H
33H
34H
35H
36H
Bank 0, 1
IAR0
MP0
IAR1
MP1
BP
ACC
PCL
TBLP
TBLH
TBHP
STATUS
SMOD
LVDC
INTEG
INTC0
INTC1
INTC2
MFI0
MFI1
MFI2
PA
PAC
PAPU
PAWU
TMPC
WDTC
TBC
CTRL
LVRC
EEA
EED
SADOL
SADOH
SADC0
SADC1
SADC2
PB
PBC
PBPU
37H
38H
39H
3AH
3BH
3CH
3DH
3EH
3FH
40H
41H
42H
43H
44H
45H
46H
47H
48H
49H
4AH
4BH
4CH
4DH
4EH
4FH
50H
51H
52H
Bank 0 Bank 1
TM1C0
TM1C1
TM1DL
TM1DH
TM1AL
TM1AH
TM1RPL
TM1RPH
00H
01H
02H
03H
04H
05H
06H
07H
08H
09H
0AH
0BH
0CH
0DH
0EH
0FH
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
27H
28H
29H
2AH
2BH
2CH
2DH
2EH
2FH
30H
31H
32H
33H
34H
35H
36H
EEC
PC
PCC
PCPU
ACERL
SIMC0
SIMC1
SIMD
SIMA/SIMC2
SIMTOC
SLCDC0
SLCDC1
SLCDC2
SLCDC3
SLEDC0
SLEDC1
IFS
7FH
: Unused, read as 00H
TM0C0
TM0C1
TM0DL
TM0DH
TM0AL
TM0AH
TM0RPL
TM0RPH
Bank 0, 1
IAR0
MP0
IAR1
MP1
BP
ACC
PCL
TBLP
TBLH
TBHP
STATUS
SMOD
LVDC
INTEG
INTC0
INTC1
INTC2
MFI0
MFI1
MFI2
PA
PAC
PAPU
PAWU
TMPC
WDTC
TBC
CTRL
LVRC
EEA
EED
SADOL
SADOH
SADC0
SADC1
SADC2
PB
PBC
PBPU
TM2C0
TM2C1
TM2DL
TM2DH
TM2AL
TM2AH
TM2RP
TM0C0
TM0C1
TM0DL
TM0DH
TM0AL
TM0AH
TM0RP
37H
38H
39H
3AH
3BH
3CH
3DH
3EH
3FH
40H
41H
42H
43H
44H
45H
46H
47H
48H
49H
4AH
4BH
4CH
4DH
4EH
4FH
50H
51H
52H
53H
54H
55H
56H
57H
58H
59H
5AH
Bank 0 Bank 1
TM1C0
TM1C1
TM1DL
TM1DH
TM1AL
TM1AH
TM1RPL
TM1RPH
CPC
EEC
PC
PCC
PCPU
ACERL
SIMC0
SIMC1
SIMD
SIMA/SIMC2
SIMTOC
SLCDC0
SLCDC1
SLCDC2
SLCDC3
SLCDC4
SLEDC0
SLEDC1
IFS
PD
PDC
PDPU
USR
UCR1
UCR2
BRG
TXR_RXR
7FH
: Unused, read as 00H
HT66F0185
HT66F0175
特殊功能数据存储器结构
Rev. 1.30
34
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
特殊功能寄存器
大部分特殊功能寄存器的细节将在相关功能章节描述,但有几个寄存器需在此
章节单独描述。
间接寻址寄存器 – IAR0, IAR1
间接寻址寄存器 IAR0 和 IAR1 的地址虽位于数据存储区,但其并没有实际的物
理地址。间接寻址的方法准许使用间接寻址指针做数据操作,以取代定义实际
存储器地址的直接存储器寻址方法。在间接寻址寄存器 IAR0 和 IAR1 上的任何
动作,将对间接寻址指针 MP0 和 MP1 所指定的存储器地址产生对应的读 / 写
操作。它们总是成对出现,IAR0 和 MP0 可以访问 Bank 0,而 IAR1 和 MP1 可
以访问任何 Bank。因为这些间接寻址寄存器不是实际存在的,直接读取将返回
“00H”的结果,而直接写入此寄存器则不做任何操作。
间接寻址指针 – MP0, MP1
该系列单片机提供两个间接寻址指针,即 MP0 和 MP1。由于这些指针在数据
存储器中能像普通的寄存器一般被操作,因此提供了一个寻址和数据追踪的有
效方法。当对间接寻址寄存器进行任何操作时,单片机指向的实际地址是由间
接寻址指针所指定的地址。MP0 和 IAR0 用于访问 Bank 0,而 MP1 和 IAR1 可
通过 BP 寄存器访问所有的 Bank。直接寻址仅可以用在 Bank 0 中,其它所有
Bank 只能使用 MP1 和 IAR1 进行间接寻址。
以下例子说明如何清除一个具有 4 RAM 地址的区块,它们已事先定义成地址
adres1 到 adres4。
间接寻址程序举例
data .section ´data´
adres1 db ?
adres2 db ?
adres3 db ?
adres4 db ?
block db ?
code .section at 0 ´code´
org 00h
start:
mov a,04h
; setup size of block
mov block,a
mov a,offset adres1 ; Accumulator loaded with first RAM address
mov mp0,a
; setup memory pointer with first RAM address
loop:
clr IAR0
; clear the data at address defined by mp0
inc mp0
; increment memory pointer
sdz block
; check if last memory location has been cleared
jmp loop
continue:
:
在上面的例子中有一点值得注意,即并没有确定 RAM 地址。
Rev. 1.30
35
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
存储区指针 – BP
对于 HT66F0185 单片机,数据存储器被分为两个部分,即 Bank 0 和 Bank 1。
可以通过设置存储区指针 (Bank Pointer) 值来访问不同的数据存储区。BP 指针
的 bit 0 用于选择数据存储区的 Bank 0 或 Bank 1。
复位后,数据存储器会初始化到 Bank 0,但是在暂停模式下的 WDT 溢出复位,
不会改变通用数据存储器的存储区号。应该注意的是特殊功能数据存储器不受
存储区的影响,也就是说,不论是在哪一个存储区,都能对特殊功能寄存器进
行读写操作。数据存储器的直接寻址总是访问 Bank 0,不影响存储区指针的值。
要访问 Bank 1,则必须要使用间接寻址方式。
BP 寄存器 – HT66F0185
Bit
Name
R/W
POR
7
—
—
—
6
—
—
—
5
—
—
—
4
—
—
—
Bit 7~ 1
未定义,读为“0”
Bit 0
DMBP0:数据存储区选择位
0:Bank 0
1:Bank 1
3
—
—
—
2
—
—
—
1
—
—
—
0
DMBP0
R/W
0
累加器 – ACC
对任何单片机来说,累加器是相当重要的,且与 ALU 所完成的运算有密切关
系,所有 ALU 得到的运算结果都会暂时存在 ACC 累加器里。若没有累加器,
ALU 必须在每次进行如加法、减法和移位的运算时,将结果写入到数据存储器,
这样会造成程序编写和时间的负担。另外数据传送也常常牵涉到累加器的临时
储存功能,例如在使用者定义的一个寄存器和另一个寄存器之间传送数据时,
由于两寄存器之间不能直接传送数据,因此必须通过累加器来传送数据。
程序计数器低字节寄存器 – PCL
为了提供额外的程序控制功能,程序计数器低字节设置在数据存储器的特殊功
能区域内,程序员可对此寄存器进行操作,很容易的直接跳转到其它程序地址。
直接给 PCL 寄存器赋值将导致程序直接跳转到程序存储器的某一地址,然而由
于寄存器只有 8 位长度,因此只允许在本页的程序存储器范围内进行跳转,而
当使用这种运算时,要注意会插入一个空指令周期。
表格寄存器 – TBLP, TBHP, TBLH
这三个特殊功能寄存器对存储在程序存储器中的表格进行操作。TBLP 和 TBHP
为表格指针,指向表格数据存储的地址。它们的值必须在任何表格读取指令执
行前加以设定,由于它们的值可以被如“INC”或“DEC”的指令所改变,这
就提供了一种简单的方法对表格数据进行读取。表格读取数据指令执行之后,
表格数据高字节存储在 TBLH 中。其中要注意的是,表格数据低字节会被传送
到使用者指定的地址。
Rev. 1.30
36
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
状态寄存器 – STATUS
这 8 位的状态寄存器由零标志位 (Z)、进位标志位 (C)、辅助进位标志位 (AC)、
溢出标志位 (OV)、暂停标志位 (PDF) 和看门狗定时器溢出标志位 (TO) 组成。
这些算术 / 逻辑操作和系统运行标志位是用来记录单片机的运行状态。
除了 PDF 和 TO 标志外,状态寄存器中的位像其它大部分寄存器一样可以被改
变。任何数据写入到状态寄存器将不会改变 TO 或 PDF 标志位。另外,执行不
同的指令后,与状态寄存器有关的运算可能会得到不同的结果。TO 标志位只会
受系统上电、看门狗溢出或执行“CLR WDT”或“HALT”指令影响。PDF 标
志位只会受执行“HALT”或“CLR WDT”指令或系统上电影响。
Z、OV、AC 和 C 标志位通常反映最近运算的状态。
● C:当加法运算的结果产生进位,或减法运算的结果没有产生借位时,则 C
被置位,否则 C 被清零,同时 C 也会被带进位的移位指令所影响。
● AC:当低半字节加法运算的结果产生进位,或高半字节减法运算的结果没有
产生借位时,AC 被置位,否则 AC 被清零。
● Z:当算术或逻辑运算结果是零时,Z 被置位,否则 Z 被清零。
● OV:当运算结果高两位的进位状态异或结果为 1 时,OV 被置位,否则 OV
被清零。
● PDF:系统上电或执行“CLR WDT”指令会清零 PDF,而执行“HALT”指
令则会置位 PDF。
● TO:系统上电或执行“CLR WDT”或“HALT”指令会清零 TO,而当 WDT
溢出则会置位 TO。
另外,当进入一个中断程序或执行子程序调用时,状态寄存器不会自动压入到
堆栈保存。假如状态寄存器的内容是重要的且子程序可能改变状态寄存器的话,
则需谨慎的去做正确的储存。
Rev. 1.30
37
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
STATUS 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
—
—
—
6
—
—
—
5
TO
R
0
4
PDF
R
0
3
OV
R/W
×
2
Z
R/W
×
1
AC
R/W
×
0
C
R/W
×
“×”为未知
Rev. 1.30
Bit 7~ 6
未定义,读为“0”
Bit 5
TO:看门狗溢出标志位
0:系统上电或执行“CLR WDT”或“HALT”指令后
1:看门狗溢出发生
Bit 4
PDF:暂停标志位
0:系统上电或执行“CLR WDT”指令后
1:执行“HALT”指令
Bit 3
OV:溢出标志位
0:无溢出
1:运算结果高两位的进位状态异或结果为 1
Bit 2
Z:零标志位
0:算术或逻辑运算结果不为 0
1:算术或逻辑运算结果为 0
Bit 1
AC:辅助进位标志位
0:无辅助进位
1:在加法运算中低四位产生了向高四位进位,或减法运算中低四位不发生从
高四位借位
Bit 0
C:进位标志位
0:无进位
1:如果在加法运算中结果产生了进位,或在减法运算中结果不发生借位
C 也受循环移位指令的影响。
38
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
EEPROM 数据存储器
该系列单片机的一个特性是内建 EEPROM 数据存储器。“Electrically Erasable
Programmable Read Only Memory”为电可擦可编程只读存储器,由于其非易失
的存储结构,即使在电源掉电的情况下存储器内的数据仍然保存完好。这种存
储区扩展了 ROM 空间,对设计者来说增加了许多新的应用机会。EEPROM 可
以用来存储产品编号、校准值、用户特定数据、系统配置参数或其它产品信息
等。EEPROM 的数据读取和写入过程也会变的更简单。
EEPROM 数据存储器结构
该系列单片机的 EEPROM 数据存储器容量最大可达 128×8 位。由于映射方式
与程序存储器和数据存储器不同,因此不能像其它类型的存储器一样寻址。使
用 Bank 0 中的一个地址寄存器和一个数据寄存器以及 Bank 1 中的一个控制寄
存器,可以实现对 EEPROM 的单字节读写操作。
单片机型号
HT66F0175
HT66F0185
容量
64×8
128×8
地址
00H~3FH
00H~7FH
EEPROM 寄存器
有三个寄存器控制内部 EEPROM 数据存储器总的操作。地址寄存器 EEA、数
据寄存器 EED 及控制寄存器 EEC。EEA 和 EED 位于 Bank 0 中,它们能像其
它特殊功能寄存器一样直接被访问。EEC 位于 Bank 1 中,不能被直接访问,仅
能通过 MP1 和 IAR1 进行间接读取或写入。由于 EEC 控制寄存器位于 Bank 1
中的“40H”,在 EEC 寄存器上的任何操作被执行前,MP1 必须先设为“40H”,
BP 被设为“01H”。
寄存器
名称
EEA
(HT66F0175)
EEA
(HT66F0185)
EED
EEC
位
7
6
5
4
3
2
1
0
-
-
EEA5
EEA4
EEA3
EEA2
EEA1
EEA0
-
EEA6
EEA5
EEA4
EEA3
EEA2
EEA1
EEA0
D7
-
D6
-
D5
-
D4
-
D3
WREN
D2
WR
D1
RDEN
D0
RD
EEPROM 寄存器列表
EEA 寄存器 - HT66F0175
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
—
—
—
6
—
—
—
5
EEA5
R/W
0
4
EEA4
R/W
0
3
EEA3
R/W
0
Bit 7~ 6
未定义,读为“0”
Bit 5~ 0
EEA5~ EEA0:数据 EEPROM 地址 bit 5~ bit 0
39
2
EEA2
R/W
0
1
EEA1
R/W
0
0
EEA0
R/W
0
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
EEA 寄存器 - HT66F0185
Bit
Name
R/W
POR
7
—
—
—
6
EEA6
R/W
0
5
EEA5
R/W
0
4
EEA4
R/W
0
3
EEA3
R/W
0
2
EEA2
R/W
0
1
EEA1
R/W
0
0
EEA0
R/W
0
3
D3
R/W
0
2
D2
R/W
0
1
D1
R/W
0
0
D0
R/W
0
3
WREN
R/W
0
2
WR
R/W
0
1
RDEN
R/W
0
0
RD
R/W
0
Bit 7
未定义,读为“0”
Bit 6~ 0
EEA6~ EEA0:数据 EEPROM 地址 bit 6~ bit 0
EED 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
D7
R/W
0
6
D6
R/W
0
5
D5
R/W
0
4
D4
R/W
0
D7~ D0:EEPROM 数据 bit 7~ bit 0
EEC 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
—
—
—
6
—
—
—
5
—
—
—
4
—
—
—
Bit 7~ 4
未定义,读为“0”
Bit 3
WREN:数据 EEPROM 写使能位
0:除能
1:使能
此位为数据 EEPROM 写使能位,向数据 EEPROM 写操作之前需将此位置高。
将此位清零时,则禁止向数据 EEPROM 写操作。
Bit 2
WR:EEPROM 写控制位
0:写周期结束
1:写周期有效
此位为数据 EEPROM 写控制位,由应用程序将此位置高将激活写周期。写周期
结束后,硬件自动将此位清零。当 WREN 未先置高时,此位置高无效。
Bit 1
RDEN:数据 EEPROM 读使能位
0:除能
1:使能
此位为数据 EEPROM 读使能位,向数据 EEPROM 读操作之前需将此位置高。
将此位清零时,则禁止向数据 EEPROM 读操作。
Bit 0
RD:EEPROM 读控制位
0:读周期结束
1:读周期有效
此位为数据 EEPROM 读控制位,由应用程序将此位置高将激活读周期。读周期
结束后,硬件自动将此位清零。当 RDEN 未先置高时,此位置高无效。
注:在同一条指令中 WREN、WR、RDEN 和 RD 不能同时置为“1”。WR 和
RD 不能同时置为“1”。
40
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
从 EEPROM 中读取数据
从 EEPROM 中读取数据,EEC 寄存器中的读使能位 RDEN 先置为高以使能读
功能,EEPROM 中读取数据的地址要先放入 EEA 寄存器中。若 EEC 寄存器中
的 RD 位被置高,一个读周期将开始。若 RD 位已置为高而 RDEN 位还未被设
置则不能开始读操作。若读周期结束,RD 位将自动清除为“0”,数据可以从
EED 寄存器中读取。数据在其它读或写操作执行前将一直保留在 EED 寄存器
中。应用程序将轮询 RD 位以确定数据可以有效地被读取。
写数据到 EEPROM
写数据至 EEPROM,EEPROM 中写入数据的地址要先放入 EEA 寄存器中,然
后将要写入的数据放入 EED 寄存器中。EEC 寄存器中的写使能位 WREN 先置
为高以使能写功能,然后立刻将 EEC 寄存器中 WR 位置为高,此时一个内部写
周期才开始。这两条指令必须连续执行。在写操作执行之前需将总中断控制位
EMI 清零,在写周期开始后再置高。若 WR 位已置为高而 WREN 位还未被置
高则不能开始写操作。由于控制 EEPROM 写周期是一个内部时钟,与单片机的
系统时钟异步,所以数据写入 EEPROM 的时间将有所延迟。可通过轮询 EEC
寄存器中的 WR 位或判断 EEPROM 中断以侦测写周期是否完成。若写周期完
成,WR 位将自动清除为“0”,通知用户数据已写入 EEPROM。因此,应用
程序将轮询 WR 位以确定写周期是否结束。
写保护
防止误写入的写保护有以下几种。单片机上电后控制寄存器中的写使能位将被
清除以杜绝任何写入操作。上电后 BP 将重置为“0”,这意味着数据存储区
Bank 0 被选中。由于 EEPROM 控制寄存器位于 Bank 1 中,这增加了对写操作
的保护措施。在正常程序操作中确保控制寄存器中的写使能位被清除将能防止
不正确的写操作。
EEPROM 中断
EEPROM 写周期结束后将产生 EEPROM 写中断,需先通过设置相关中断寄存
器的 DEE 位使能 EEPROM 中断。由于 EEPROM 中断包含在多功能中断中,相
应的多功能中断使能位需被设置。当 EEPROM 写周期结束,DEF 请求标志位
及其相关多功能中断请求标志位将被置位。若总中断、EEPROM 中断和多功能
中断使能且堆栈未满的情况下将跳转到相应的多功能中断向量中执行。当中断
被响应,只有多功能中断标志位将自动复位,而 EEPROM 中断标志将通过应用
程序手动复位。
编程注意事项
必须注意的是数据不会无意写入 EEPROM。在没有写动作时写使能位被正常清
零可以增强保护功能。BP 指针也可以正常清零以阻止进入 EEPROM 控制寄存
器存在的 Bank 1。尽管没有必要,写一个简单的读回程序以检查新写入的数据
是否正确还是应该考虑的。
当 WREN 位被置为高以后,写数据位 WR 必须立刻置为高,以确保写循环正确
执行。总中断位 EMI 在写循环开始前应当被清零,写循环开始后再将其使能。
注意,单片机不应在 EEPROM 读或写操作完全完成之前进入空闲或休眠模式,
否则 EEPROM 读或写操作将失败。
Rev. 1.30
41
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
程序举例
● 从 EEPROM 中读取数据 – 轮询法
MOV A, EEPROM_ADRES
MOV EEA, A
MOV A, 040H
MOV MP1, A
MOV A, 01H
MOV BP, A
SET IAR1.1
SET IAR1.0
BACK:
SZ IAR1.0
JMP BACK
CLR IAR1
CLR BP
MOV A, EED
MOV READ_DATA, A
; user defined address
; setup memory pointer MP1
; MP1 points to EEC register
; setup Bank Pointer BP
; set RDEN bit, enable read operations
; start Read Cycle - set RD bit
; check for read cycle end
; disable EEPROM write
; move read data to register
● 写数据到 EEPROM – 轮询法
MOV A, EEPROM_ADRES
MOV EEA, A
MOV A, EEPROM_DATA
MOV EED, A
MOV A, 040H
MOV MP1, A
MOV A, 01H
MOV BP, A
CLR EMI
SET IAR1.3
SET IAR1.2
SET EMI
BACK:
SZ IAR1.2
JMP BACK
CLR IAR1
CLR BP
Rev. 1.30
; user defined address
; user defined data
; setup memory pointer MP1
; MP1 points to EEC register
; setup Bank Pointer BP
; set WREN bit, enable write operations
; start Write Cycle - set WR bit
; after set WREN bit
; check for write cycle end
; disable EEPROM write
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
振荡器
不同的振荡器选择可以让使用者在不同的应用需求中实现更大范围的功能。振
荡器的灵活性使得在速度和功耗方面可以达到最优化。振荡器选择和操作是通
过配置选项和相关控制寄存器共同完成的。
振荡器概述
振荡器除了作为系统时钟源,还作为看门狗定时器和时基中断的时钟源。外部
振荡器需要一些外围器件,而集成的内部振荡器不需要任何外围器件。它们提
供的高速和低速系统振荡器具有较宽的频率范围。所有振荡器选择通过配置选
项选择。较高频率的振荡器提供更高的性能,但要求有更高的功率,反之亦然。
动态切换快慢系统时钟的能力使单片机具有灵活而优化的性能 / 功耗比,此特
性对功耗敏感的应用领域尤为重要。
类型
外部高速晶振
内部高速 RC
外部低速晶振
内部低速 RC
名称
HXT
HIRC
LXT
LIRC
频率
400kHz~ 20MHz
8/12/16MHz
32.768kHz
32kHz
引脚
OSC1/OSC2
-
XT1/XT2
-
振荡器类型
系统时钟配置
该系列单片机有四个系统振荡器,包括两个高速振荡器和两个低速振荡器。高
速振荡器有外部晶体 / 陶瓷振荡器 HXT 和内部 8/12/16MHz RC 振荡器 HIRC,
低速振荡器有内部 32kHz RC 振荡器 LIRC 和外部 32.768kHz 晶振 LXT。使用
高速或低速振荡器作为系统时钟的选择是通过设置 SMOD 寄存器中的 HLCLK
位及 CKS2~ CKS0 位决定的,系统时钟可动态选择。
高速或低速振荡器的实际时钟源经由配置选项选择。低速或高速系统时钟频率
由 SMOD 寄存器的 HLCLK 位及 CKS2~ CKS0 位决定的。请注意,两个振荡器
必须做出选择,即一个高速和一个低速振荡器。
fH
High Speed
Oscillator
fH/2
fH/4
HXT
HIRC
fH/8
Prescaler
fH
fH/16
fSYS
fH/32
fH/64
Low Speed
Oscillator
LXT
High Speed Oscillator
Configuration Option
HLCLK,
CKS2~CKS0
fSUB
Fast Wake-up from IDLE
or SLEEP Mode Control
(for HXT only )
fSUB
LIRC
Low Speed Oscillator
Configuration Option
系统时钟配置
Rev. 1.30
43
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
外部晶体 / 陶瓷振荡器 – HXT
外部晶体 / 陶瓷系统振荡器是一个高频振荡器,经由配置选项选择。对于晶体
振荡器,只要简单地将晶体连接至 OSC1 和 OSC2,则会产生振荡所需的相移
及反馈,而不需其它外部电容。为保证某些低频率的晶体振荡和陶瓷谐振器的
振荡频率更精准,建议连接两个小容量电容 C1 和 C2 到 VSS,具体数值与客户
选择的晶体 / 陶瓷晶振有关。
为了确保振荡器的稳定性及减少噪声和串扰的影响,晶体振荡器及其相关的电
阻和电容以及它们之间的连线都应尽可能的接近单片机。
晶体 / 陶瓷振荡器
HXT 振荡器 C1 和 C2 值
晶体频率
C1
12MHz
0pF
8MHz
0pF
4MHz
0pF
1MHz
100pF
注:C1 和 C2 数值仅作参考用
C2
0pF
0pF
0pF
100pF
晶体振荡器电容推荐值
内部高速 RC 振荡器 – HIRC
内部 RC 振荡器是一个集成的系统振荡器,不需其它外部器件。内部 RC 振荡
器具有三种固定的频率:8MHz,12MHz,16MHz。芯片在制造时进行调整且
内部含有频率补偿电路,使得振荡频率因电源电压、温度以及芯片制成工艺不
同的影响减至最低程度。在电源电压为 3V 或 5V 及温度为 25℃的条件下,
8MHz,12MHz,16MHz 这三个固定频率的容差为 2%。如果选择了该内部时钟,
无需额外的引脚;I/O 引脚可以作为通用 I/O 引脚使用。
Rev. 1.30
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
外部 32.768kHz 晶体振荡器 – LXT
外部 32.768kHz 晶体系统振荡器是一个低频振荡器,经由配置选项选择。时钟
频率固定为 32.768kHz,此时 XT1 和 XT2 间引脚必须连接 32.768kHz 的晶体振
荡器。需要外部电阻和电容连接到 32.768kHz 晶振以帮助起振。对于那些要求
精确频率的场合中,可能需要这些元件来对由制程产生的误差提供频率补偿。
在系统上电期间,LXT 振荡器启动需要一定的延时。
当系统进入空闲 / 休眠模式,系统时钟关闭以降低功耗。然而在某些应用,比
如空闲 / 休眠模式下要保持内部定时器功能,必须提供额外的时钟,且与系统
时钟无关。
然而,对于一些晶体,为了保证系统频率的启动与精度要求,需要外接两个小
容量电容 C1 和 C2,具体数值与客户选择的晶体规格有关。外部并联的反馈电
阻 RP,是必需的。
一些配置选项决定是否 XT1/XT2 脚是用于 LXT 振荡器还是作为普通 I/O 口使用。
● 若 LXT 振荡器未被用于任何时钟源,XT1/XT2 脚能被用作一般 I/O 口或其它
共用功能使用。
● 若 LXT 振荡器被用于一些时钟源,32.768kHz 晶体应被连接至 XT1/XT2 脚。
为了确保振荡器的稳定性及减少噪声和串扰的影响,晶体振荡器及其相关的电
阻和电容以及它们之间的连线都应尽可能的接近单片机。
外部 LXT 振荡器
LXT 振荡器 C1 和 C2 值
晶振频率
C1
C2
32.768kHz
10pF
10pF
注:1、C1 和 C2 数值仅作参考用
2、RP 的建议值为 5MΩ~ 10MΩ
32.768kHz 振荡器电容推荐值
Rev. 1.30
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
LXT 振荡器低功耗功能
LXT 振荡器可以工作在快速启动模式或低功耗模式,可通过设置 TBC 寄存器
中的 LXTLP 位进行模式选择。
LXTLP
0
1
LXT 工作模式
快速启动
低功耗
系统上电时会清零 LXTLP 位来快速启动 LXT 振荡器。在快速启动模式,LXT
振荡器将起振并快速稳定下来。LXT 振荡器完全起振后,可以通过设置 LXTLP
位为高进入低功耗模式。振荡器可以继续运行,其间耗电将少于快速启动模式。
在功耗敏感的应用领域如电池应用方面,功耗必须限制为一个最小值。为了降
低功耗,建议系统上电 2 秒后,在应用程序中将 LXTLP 位设为“1”。应注意
的是,无论 LXTLP 位是什么值,LXT 振荡器会一直运作,不同的只是在低功
耗模式时启动时间更长。
内部 32kHz 振荡器 – LIRC
内部 32kHz 系统振荡器是一个低频振荡器,经由配置选项选择。它是一个完全
集成 RC 振荡器,它在 5V 电压下运行的典型频率值为 32kHz 且无需外部元件。
芯片在制造时进行调整且内部含有频率补偿电路,使得振荡器因电源电压、温
度及芯片制成工艺不同的影响减至最低。因此,内部 32kHz 振荡器频率在 25℃
温度 5V 电压下的精度保持在 10% 以内。
辅助振荡器
低速振荡器除了提供一个系统时钟源外,也用来为看门狗定时器和时基中断提
供时钟来源。
Rev. 1.30
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
工作模式和系统时钟
现今的应用要求单片机具有较高的性能及尽可能低的功耗,这种矛盾的要求在
便携式电池供电的应用领域尤为明显。高性能所需要的高速时钟将增加功耗,
反之亦然。该系列单片机提供高、低速两种时钟源,它们之间可以动态切换,
用户可通过优化单片机操作来获得最佳性能 / 功耗比。
系统时钟
单片机为 CPU 和外围功能操作提供了多种不同的时钟源。用户使用配置选项和
寄存器编程可获取多种时钟,进而使系统时钟获取最大的应用性能。
主系统时钟可来自高频时钟源 fH 或低频时钟源 fSUB,通过 SMOD 寄存器中的
HLCLK 位及 CKS2~ CKS0 位进行选择。高频时钟来自 HXT 或 HIRC 振荡器,
经由配置选项选择。低频系统时钟源来自内部时钟 fSUB,低频时钟来自 LXT 或
LIRC 振荡器,经由配置选项选择。其它系统时钟还有高速系统振荡器的分频
fH/2~ fH/64。
另外两个内部时钟用于外围电路,次时钟源 fSUB 和时基时钟 fTBC。这两个时钟
源来自 LXT 或 LIRC 振荡器,通过配置选项选择。快速唤醒发生后,fSUB 为单
片机提供一个次时钟。
fH
High Speed
Oscillator
fH/2
fH/4
HXT
HIRC
fH/8
Prescaler
fH
fH/16
fSYS
fH/32
fH/64
Low Speed
Oscillator
LXT
High Speed Oscillator
Configuration Option
Fast Wake-up from IDLE
or SLEEP Mode Control
(for HXT only )
HLCLK,
CKS2~CKS0
fSUB
fSUB
LIRC
fSUB
Low Speed Oscillator
Configuration Option
fSUB
IDLEN
WDT
fTBC
fTBC
fTB
fSYS/4
Time Base
TBCK
系统时钟选项
注:当系统时钟源 fSYS 由 fH 到 fSUB 转换时,高速振荡器将停止以节省耗电。因此,没有为外围
电路提供 fH~ fH/64 的频率。
Rev. 1.30
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
系统工作模式
单片机有 6 种不同的工作模式,每种有它自身的特性,根据应用中不同的性能
和功耗要求可选择不同的工作模式。单片机正常工作有两种模式:正常模式和
低速模式。剩余的 4 种工作模式:休眠模式 0、休眠方式 1、空闲模式 0 和空闲
模式 1 用于单片机 CPU 关闭时以节省耗电。
工作模式
正常模式
低速模式
空闲模式 0
空闲模式 1
休眠模式 0
休眠模式 1
说明
CPU
On
On
Off
Off
Off
Off
fSYS
fH~ fH/64
fSUB
Off
On
Off
Off
fSUB
On
On
On
On
Off
On
fTBC
On
On
On
On
Off
Off
正常模式
顾名思义,这是主要的工作模式之一,单片机的所有功能均可在此模式中实现
且系统时钟由一个高速振荡器提供。该模式下单片机正常工作的时钟源来自
HXT 或 HIRC 振荡器。高速振荡器频率可被分为 1~ 64 的不等比率,实际的比
率由 SMOD 寄存器中的 CKS2~ CKS0 位及 HLCLK 位选择的。单片机使用高速
振荡器分频作为系统时钟可减少工作电流。
低速模式
此模式的系统时钟虽为较低速时钟源,但单片机仍能正常工作。该低速时钟源
可来自 LXT 或 LIRC 振荡器。单片机在此模式中运行所耗工作电流较低。在低
速模式下,fH 关闭。
休眠模式 0
在 HALT 指令执行后且 SMOD 寄存器中 IDLEN 位为低时,系统进入休眠模式 0。
在休眠模式 0 中,CPU 及 fSUB 停止运行,看门狗定时器功能除能。在该模式中
LVDEN 位需置为“0”,否则将不能进入休眠模式 0 中。
休眠模式 1
在 HALT 指令执行后且 SMOD 寄存器中 IDLEN 位为低时,系统进入休眠模式 1。
在休眠模式 1 中,CPU 停止运行。然而若看门狗定时器功能使能,fSUB 继续运行。
空闲模式 0
执 行 HALT 指 令 后 且 SMOD 寄 存 器 中 IDLEN 位 为 高,CTRL 寄 存 器 中
FSYSON 位为低时,系统进入空闲模式 0。在空闲模式 0 中,CPU 停止,但一
些外围功能如看门狗定时器、TMs 将继续工作。在空闲模式 0 中,系统振荡器
停止。
空闲模式 1
执 行 HALT 指 令 后 且 SMOD 寄 存 器 中 IDLEN 位 为 高,CTRL 寄 存 器 中
FSYSON 位为高时,系统进入空闲模式 1。在空闲模式 1 中,CPU 停止,但会
提供一个时钟源给一些外围功能如看门狗定时器、TMs。在空闲模式 1 中,系
统振荡器继续运行,该系统振荡器可以为高速或低速系统振荡器。
Rev. 1.30
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
控制寄存器
寄存器 SMOD 用于控制单片机内部时钟。
SMOD 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Rev. 1.30
7
CKS2
R/W
0
6
CKS1
R/W
0
5
CKS0
R/W
0
4
FSTEN
R/W
0
3
LTO
R
0
2
HTO
R
0
1
0
IDLEN HLCLK
R/W
R/W
1
1
CKS2~ CKS0:当 HLCLK 为“0”时系统时钟选择位
000:fSUB
001:fSUB
010:fH/64
011:fH/32
100:fH/16
101:fH/8
110:fH/4
111:fH/2
这三位用于选择系统时钟源。除了 LXT 或 LIRC 振荡器提供的系统时钟源外,
也可使用高频振荡器的分频作为系统时钟。
FSTEN:快速唤醒控制位(仅用于 HXT)
0:除能
1:使能
此位为快速唤醒控制位,用于决定单片机被唤醒后 fSUB 是否开始工作。当此位
为高且 fSUB 时钟可用,该时钟源用作临时系统时钟以提供快速唤醒时间。
LTO:低速振荡器就绪标志位
0:未就绪
1:就绪
此位为低速系统振荡器就绪标志位,用于表明低速系统振荡器在系统上电复位
或经唤醒后何时稳定下来。当系统处于 SLEEP0 模式时,该标志为低。若系统
时钟来自 LXT 振荡器,系统唤醒后该位转换为高需 128 个时钟周期;若系统时
钟来自 LIRC 振荡器,该位转换为高需 1~ 2 个时钟周期。
HTO:高速振荡器就绪标志位
0:未就绪
1:就绪
此位为高速系统振荡器就绪标志位,用于表明高速系统振荡器何时稳定下来。
此标志在系统上电后经硬件清零,高速系统振荡器稳定后变为高电平。
因此,此位在单片机上电后由应用程序读取的总为“1”。该标志由休眠模式或
空闲模式 0 中唤醒后会处于低电平状态,若使用 HXT 振荡器,该位将在 512 个
时钟周期后变为高电平状态,若使用 HIRC 振荡器则只需 15~ 16 个时钟周期即
可。
IDLEN:空闲模式控制位
0:除能
1:使能
此位为空闲模式控制位,用于决定 HALT 指令执行后发生的动作。若此位为高,
当指令 HALT 执行后,单片机进入空闲模式。若 FSYSON 位为高,在空闲模式
1 中 CPU 停 止 运 行, 系 统 时 钟 将 继 续 工 作 以 保 持 外 围 功 能 继 续 工 作; 若
FSYSON 为低,在空闲模式 0 中 CPU 和系统时钟都将停止运行。若此位为低,
单片机将在 HALT 指令执行后进入休眠模式。
HLCLK:系统时钟选择位
0:fH/2~ fH/64 或 fSUB
1:fH
此位用于选择 fH 或 fH/2~ fH/64 还是 fSUB 作为系统时钟。该位为高时选择 fH 作为
系统时钟,为低时则选择 fH/2~ fH/64 或 fSUB 作为系统时钟。当系统时钟由 fH 时
钟向 fSUB 时钟转换时,fH 将自动关闭以降低功耗。
49
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
CTRL 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
FSYSON
R/W
0
6
—
—
—
5
—
—
—
4
—
—
—
3
—
—
—
2
LVRF
R/W
×
1
LRF
R/W
0
0
WRF
R/W
0
“×”为未知
Bit 7
Bit 6~ 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
FSYSON:IDLE 模式时,fSYS 控制位
0:除能
1:使能
该位用于控制系统时钟在空闲模式中是否开启,如果该位置为“0”, 空闲模式
中系统时钟关闭,如果该位置为“1”, 空闲模式中系统时钟开启。
未定义,读为“0”
LVRF:LVR 复位标志位
详见别处的描述。
LRF:LVR 控制寄存器软件复位标志位
详见别处的描述。
WRF:WDT 控制寄存器软件复位标志位
详见别处的描述。
快速唤醒
系统
振荡器
HXT
HIRC
LIRC
LXT
单片机进入休眠模式或空闲模式 0 后,系统时钟将停止以降低功耗。然而单片
机再次唤醒,原来的系统时钟重新起振、稳定且恢复正常工作需要一定的时间。
为确保单片机能够尽快的开始工作,系统提供了一个快速唤醒功能。需提供一
个临时时钟源 fSUB 先驱动系统直至原系统振荡器稳定,这个临时时钟可来自
LXT 或 LIRC 振荡器。快速启动功能的时钟源为 fSUB,该功能仅在休眠模式 1
和空闲模式 0 中有效。当单片机由休眠模式 0 唤醒时,因 fSUB 已停止,故快速
唤醒功能无效。快速唤醒功能使能 / 除能由 SMOD 寄存器中 FSTEN 位控制的。
若 HXT 振荡器作为正常模式的系统时钟,且快速唤醒功能使能,系统唤醒将需
1~ 2 个 tSUB 时钟周期。系统开始在 fSUB 时钟源下运行直至 512 个 HXT 时钟周期
后 HTO 标志转换为高,系统将切换到 HXT 振荡器运行。
若系统振荡器选用 HIRC,将系统从休眠模式或空闲模式 0 中唤醒需 15~ 16 个
时钟周期;若选用 LIRC,则需 1~ 2 个周期。快速唤醒位 FSTEN 在这些情况下
不受影响。
FSTEN
唤醒时间
唤醒时间
唤醒时间
唤醒时间
位
( 休眠模式 0)
( 休眠模式 1)
( 空闲模式 0)
( 空闲模式 1)
0
128 个 HXT 周期
128 个 HXT 周期
1~ 2 个 HXT 周期
1~ 2 个 fSUB 周期
1
128 个 HXT 周期
( 系统在 fSUB 下运行 512 个 HXT 1~ 2 个 HXT 周期
周期后切换到 HXT 振荡器运行 )
15~ 16 个 HIRC 周
1~ 2 个 HIRC 周期
×
15~ 16 个 HIRC 周期
期
1~ 2 个 LIRC 周期
1~ 2 个 LIRC 周期
×
1~ 2 个 LIRC 周期
×
128 个 HXT 周期
1~ 2 个 LXT 周期
1~ 2 个 LXT 周期
“×”:无关
唤醒时间
注:若看门狗定时器除能,意味着 LXT 和 LIRC 都关闭,当单片机由休眠模式 0 中唤醒时快速
唤醒功能不可用。
Rev. 1.30
50
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
工作模式切换
单片机可在各个工作模式间自由切换,使得用户可根据所需选择最佳的性能 /
功耗比。用此方式,对单片机工作的性能要求不高的情况下,可使用较低频时
钟以减少工作电流,在便携式应用上延长电池的使用寿命。
简单来说,正常模式和低速模式间的切换仅需设置 SMOD 寄存器中的 HLCLK
位及 CKS2~ CKS0 位即可实现,而正常模式 / 低速模式与休眠模式 / 空闲模式
间的切换经由 HALT 指令实现。当 HALT 指令执行后,单片机是否进入空闲模
式或休眠模式由 SMOD 寄存器中的 IDLEN 位和 CTRL 寄存器中的 FSYSON 位
决定的。
当 HLCLK 位变为低电平时,时钟源将由高速时钟源 fH 转换成时钟源 fH/2 ~ fH/64
或 fSUB。若时钟源来自 fSUB,高速时钟源将停止运行以节省耗电。此时须注意,
fH/16 和 fH/64 内部时钟源也将停止运行,由此会影响到如 TMs 等内部功能的工
作。所附流程图显示了单片机在不同工作模式间切换时的变化。
NORMAL
fSYS=fH~fH/64
fH on
CPU run
fSYS on
fSUB on
fTBC on
SLOW
fSYS=fSUB
fSUB on
CPU run
fSYS on
fH off
fTBC on
IDLE0
SLEEP0
HALT instruction executed
HALT instruction executed
CPU stop
IDLEN=1
FSYSON=0
fSYS off
fSUB on
CPU stop
IDLEN=0
fSYS off
fSUB off
fTBC off
fTBC on
WDT & LVD off
SLEEP1
HALT instruction executed
CPU stop
IDLEN=0
fSYS off
fSUB on
fTBC off
CPU stop
IDLEN=1
FSYSON=1
fSYS on
fSUB on
fTBC on
WDT on
Rev. 1.30
IDLE1
HALT instruction executed
51
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
正常模式切换到低速模式
系统运行在正常模式时使用高速系统振荡器,因此较为耗电。可通过设置
SMOD 寄存器中的 HLCLK 位为“0”及 CKS2~ CKS0 位为“000”或“001”
使系统时钟切换至运行在低速模式下。此时将使用低速系统振荡器以节省耗电。
用户可在对性能要求不高的操作中使用此方法以减少耗电。
低速模式的时钟源来自 LXT 或 LIRC 振荡器,且由配置选项决定。因此要求这
个振荡器在所有模式切换动作发生前稳定下来。该动作由 SMOD 寄存器中 LTO
位控制。
NORMAL Mode
CKS2~CKS0 = 00xB &
HLCLK = 0
SLOW Mode
WDT and LVD are all off
IDLEN=0
HALT instruction is executed
SLEEP0 Mode
WDT is on
IDLEN=0
HALT instruction is executed
SLEEP1 Mode
IDLEN=1, FSYSON=0
HALT instruction is executed
IDLE0 Mode
IDLEN=1, FSYSON=1
HALT instruction is executed
IDLE1 Mode
Rev. 1.30
52
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
低速模式切换到正常模式
在低速模式系统使用 LXT 或 LIRC 低速振荡器。切换到使用高速系统时钟振荡
器 的 正 常 模 式 需 设 置 HLCLK 位 为“1”, 也 可 设 置 HLCLK 位 为“0” 但
CKS2~ CKS0 需设为“010”、“011”、“100”、“101”、“110”或“111”。
高频时钟需要一定的稳定时间,取决于使用哪个高速系统振荡器。
SLOW Mode
CKS2~CKS0 ? 000B or 001B
as HLCLK = 0 or HLCLK = 1
NORMAL Mode
WDT and LVD are all off
IDLEN=0
HALT instruction is executed
SLEEP0 Mode
WDT is on
IDLEN=0
HALT instruction is executed
SLEEP1 Mode
IDLEN=1, FSYSON=0
HALT instruction is executed
IDLE0 Mode
IDLEN=1, FSYSON=1
HALT instruction is executed
IDLE1 Mode
进入休眠模式 0
进入休眠模式 0 的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置寄
存器 SMOD 中 IDLEN 位为“0”且 WDT 和 LVD 除能。在上述条件下执行该
指令后,将发生的情况如下:
● 系统时钟、WDT 时钟和时基时钟停止运行,应用程序停止在“HALT”指令
处。
● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。
● 若 WDT 时钟源来自 LXT 或 LIRC 振荡器,WDT 将被清零并停止运行。
● 输入 / 输出口将保持当前值。
● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起,看门狗溢出标志 TO 将被清除。
Rev. 1.30
53
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
进入休眠模式 1
进入休眠模式 1 的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置寄
存器 SMOD 中 IDLEN 位为“0”且 WDT 使能。在上述条件下执行该指令后,
将发生的情况如下:
● 系统时钟和时基时钟停止运行,应用程序停止在“HALT”指令处。WDT 继
续运行,其时钟源来自 fSUB。
● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。
● 若 WDT 使能,WDT 将被清零并重新开始计数。
● 输入 / 输出口将保持当前值。
● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起,看门狗溢出标志 TO 将被清除。
进入空闲模式 0
进入空闲模式 0 的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置寄
存器 SMOD 中 IDLEN 位为“1”且 CTRL 寄存器中的 FSYSON 位为“0”。在
上述条件下执行该指令后,将发生的情况如下:
● 系统时钟停止运行,应用程序停止在“HALT”指令处,时钟 fTBC 和 fSUB 将继
续运行。
● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。
● 若 WDT 使能,WDT 将被清零并重新开始计数。
● 输入 / 输出口将保持当前值。
● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起,看门狗溢出标志 TO 将被清除。
进入空闲模式 1
进入空闲模式 1 的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置寄
存器 SMOD 中 IDLEN 位为“1”且 CTRL 寄存器中的 FSYSON 位为“1”。在
上述条件下执行该指令后,将发生的情况如下:
● 系统时钟、时钟 fTBC 和 fSUB 开启,应用程序停止在“HALT”指令处。
● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。
● 若 WDT 使能,WDT 将被清零并重新开始计数。
● 输入 / 输出口将保持当前值。
● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起,看门狗溢出标志 TO 将被清除。
静态电流的注意事项
由于单片机进入休眠或空闲模式的主要原因是将 MCU 的电流降低到尽可能低,
可能到只有几个微安的级别(空闲模式 1 除外),所以如果要将电路的电流降
到最低,电路设计者还应有其它的考虑。应该特别注意的是单片机的输入 / 输
出引脚。所有高阻抗输入脚都必须连接到固定的高或低电平,因为引脚浮空会
造成内部振荡并导致耗电增加。这些引脚也必须设为输出或带有上拉电阻的输
入。
另外还需注意单片机设为输出的 I/O 引脚上的负载。应将它们设置在有最小拉
电流的状态或将它们和其它的 CMOS 输入一样接到没有拉电流的外部电路上。
同时要注意的是,若使能 LIRC 振荡器,需要额外的静态电流。
在空闲模式 1 中,系统时钟开启。若系统时钟来自高速系统振荡器,额外的静
态电流也可能会有几百微安。
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
唤醒
系统进入休眠或空闲模式之后,可以通过以下几种方式唤醒:
● PA 口下降沿
● 系统中断
● WDT 溢出
单片机执行 HALT 指令,系统将进入暂停模式,PDF 将被置位;系统上电或执
行清除看门狗的指令,PDF 将被清零。看门狗计数器溢出将会置位 TO 标志并
唤醒系统,这种复位会重置程序计数器和堆栈指针,其它标志保持原有状态。
PA 口中的每个引脚都可以通过 PAWU 寄存器使能下降沿唤醒功能。PA 端口唤
醒后,程序将在“HALT”指令后继续执行。如果系统是通过中断唤醒,则有两
种可能发生。第一种情况是:相关中断除能或是中断使能且堆栈已满,则程序
会在“HALT”指令之后继续执行。这种情况下,唤醒系统的中断会等到相关中
断使能或有堆栈层可以使用之后才执行。第二种情况是:相关中断使能且堆栈
未满,则中断可以马上执行。如果在进入休眠或空闲模式之前中断标志位已经
被设置为“1”,则相关中断的唤醒功能将无效。
编程注意事项
高速振荡器和低速振荡器使用相同的 SST 计数器。例如,若系统从休眠模式 0
中唤醒,HIRC 和 LXT 振荡器都需从关闭状态快速启动。HIRC 振荡器结束其
SST 周期后,LXT 振荡器才开始使用 SST 计数器。
● 若单片机从休眠模式 0 唤醒后进入正常模式,高速系统振荡器需要一个 SST
周期。在 HTO 为“1”后,单片机开始执行首条指令。此时,若 fSUB 时钟来
源于 LXT 振荡器,LXT 振荡器可能不是稳定的,上电状态可能会发生类似情
况,首条指令执行时 LXT 振荡器还未就绪。
● 若单片机从休眠模式 1 唤醒后进入正常模式,系统时钟源来自 HXT 振荡器且
FSTEN 为“1”,唤醒后,系统时钟可切换至 LIRC 振荡器。
● 一些外围功能,如 WDT 和 TMs,采用系统时钟 fSYS 时,在系统时钟源由 fH
切换至 fSUB 时,以上这些功能的时钟源也要随之改变。
● 当 WDT 时钟源选择为 fSUB 时,fSUB 和 fS 的开启或关闭由 WDT 是否使能决定
的。
Rev. 1.30
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
看门狗定时器
看门狗定时器的功能在于防止如电磁的干扰等外部不可控制事件,所造成的程
序不正常动作或跳转到未知的地址。
看门狗定时器时钟源
WDT 定时器时钟源来自于内部时钟 fSUB,由 LIRC 或 LXT 振荡器提供。LXT
振荡器由外部 32.768kHz 晶振提供。电压为 5V 时内部振荡器 LIRC 的周期大约
为 32kHz。需要注意的是,这个特殊的内部时钟周期随 VDD、温度和制成的不
同而变化。看门狗定时器的时钟源可分频为 28~ 218 以提供更大的溢出周期,分
频比由 WDTC 寄存器中的 WS2~ WS0 位来决定。
看门狗定时器控制寄存器
WDTC 寄存器用于控制 WDT 功能的使能 / 除能及选择溢出周期。这个寄存器
与看门狗定时器的所有操作相关。
WDTC 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
WE4
R/W
0
6
WE3
R/W
1
5
WE2
R/W
0
4
WE1
R/W
1
3
WE0
R/W
0
2
WS2
R/W
0
1
WS1
R/W
1
0
WS0
R/W
1
Bit 7~ 3
WE4~ WE0:WDT 使能控制位
10101:除能
01010:使能
其它值:MCU 复位
若因外部环境噪声使这些位发生改变,单片机将复位。复位动作发生在 2~ 3 个
LIRC 时钟周期后,且 CTRL 寄存器的 WRF 位将置为 1。
Bit 2~ 0
WS2~ WS0:WDT 溢出周期选择位
000:28/fSUB
001:210/fSUB
010:212/fSUB
011:214/fSUB
100:215/fSUB
101:216/fSUB
110:217/fSUB
111:218/fSUB
这三位控制 WDT 时钟源的分频比,从而实现对 WDT 溢出周期的控制。
CTRL 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
FSYSON
R/W
0
6
—
—
—
5
—
—
—
4
—
—
—
3
—
—
—
2
LVRF
R/W
×
1
LRF
R/W
0
0
WRF
R/W
0
“×”为未知
Rev. 1.30
Bit 7
FSYSON:IDLE 模式时,fSYS 控制位
详见别处的描述。
Bit 6~ 3
未定义,读为“0”
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Bit 2
LVRF:LVR 复位标志位
详见别处的描述。
Bit 1
LRF:LVR 控制寄存器软件复位标志位
详见别处的描述。
Bit 0
WRF:WDT 控制寄存器软件复位标志位
0:未发生
1:发生
WDT 控制寄存器复位时,该位被置为 1,且通过应用程序清除。注意,该位只
能由应用程序清零。
看门狗定时器操作
当 WDT 溢出时,看门狗定时器产生一个芯片复位的动作。这也就意味着正常
工作期间,用户需在应用程序中看门狗溢出前有策略地清看门狗定时器以防止
其产生复位,可使用清除看门狗指令实现。无论什么原因,程序失常跳转到一
个未知的地址或进入一个死循环,这些清除指令都不能被正确执行,此种情况
下,看门狗将溢出以使单片机复位。WDTC 寄存器中的 WE4~ WE0 位可提供
使能控制以及控制看门狗定时器复位操作。如果 WE4~ WE0 设置为“10101B”,
则 WDT 除 能; 如 果 WE4~ WE0 设 置 为“01010B”, 则 WDT 使 能。 如 果
WE4~ WE0 设置为除“10101B”和“01010B”以外的其它任意值,则经过 2~ 3
个 fLIRC 时钟周期后单片机复位。上电后这些位初始化为“01010B”。
WE4~ WE0 位
10101B
01010B
其它值
WDT 功能
除能
使能
MCU 复位
看门狗定时器使能 / 除能控制
程序正常运行时,WDT 溢出将导致芯片复位,并置位状态标志位 TO。若系统
处于休眠或空闲模式,当 WDT 发生溢出时,状态寄存器中的 TO 应置位,仅
PC 和堆栈指针复位。有三种方法可以用来清除 WDT 的内容。第一种是 WDT
复位,即将 WE4~ WE0 位设置成除了 01010B 和 10101B 外的任意值;第二种
是通过软件清除指令,而第三种是通过“HALT”指令。
该系列单片机只使用一条清看门狗指令“CLR WDT”。因此只要执行“CLR
WDT”便清除 WDT。
当设置分频比为 218 时,溢出周期最大。例如,时钟源为 32kHz LIRC 振荡器,
分频比为 218 时最大溢出周期约 8s,分频比为 28 时最小溢出周期约 7.8ms。
WDTC WE4~WE0 bits
Register
Reset MCU
CLR
“HALT”Instruction
“CLR WDT”Instruction
fSUB
8-stage Divider
WS2~WS0
(fSUB/28 ~ fSUB/218)
fSUB/28
WDT Prescaler
8-to-1 MUX
WDT Time-out
(28/fSUB ~ 218/fSUB)
看门狗定时器
Rev. 1.30
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
复位和初始化
复位功能是任何单片机中基本的部分,使得单片机可以设定一些与外部参数无
关的先置条件。最重要的复位条件是在单片机首次上电以后,经过短暂的延迟,
内部硬件电路使得单片机处于预期的稳定状态并开始执行第一条程序指令。上
电复位以后,在程序执行之前,部分重要的内部寄存器将会被设定为预先设定
的状态。程序计数器就是其中之一,它会被清除为零,使得单片机从最低的程
序存储器地址开始执行程序。
除上电复位以外,另一种复位为低电压复位即 LVR 复位,在电源供应电压低于
LVR 设定值时,系统会产生 LVR 复位。另一种复位为看门狗溢出单片机复位。
不同方式的复位操作会对寄存器产生不同的影响。
复位功能
包括内部和外部事件触发复位,单片机共有四种复位方式:
上电复位
这是最基本且不可避免的复位,发生在单片机上电后。除了保证程序存储器从
开始地址执行,上电复位也使得其它寄存器被设定在预设条件。所有的输入 /
输出端口控制寄存器在上电复位时会保持高电平,以确保上电后所有引脚被设
定为输入状态。
VDD
Power-on Reset
tRSTD
SST Time-out
注:tRSTD 为上电延迟时间,典型值为 50ms
上电复位时序图
低电压复位 – LVR
单片机具有低电压复位电路,用来监测它的电源电压。低电压复位功能总是使
能于特定的电压值,VLVR。例如在更换电池的情况下,单片机供应的电压可能
会落在 0.9V~ VLVR 之间,这时 LVR 将会自动复位单片机,并且寄存器 CTRL 中
的 LVRF 位将被自动置位为 1。LVR 包含以下的规格:有效的 LVR 信号,即在
0.9V~ VLVR 的低电压状态的时间,必须超过 LVD/LVR 电气特性中的 tLVR 参数的
值。如果低电压存在不超过 tLVR 参数的值,则 LVR 将会忽略它且不会执行复位
功能。实际的 VLVR 参数值可通过 LVRC 寄存器中的 LVS 位进行选择。如果由
于不利的环境干扰因素使得 LVS7~ LVS0 为其他值,LVR 将在 2~ 3 个 fLIRC 时钟
周 期 后 复 位 单 片 机。 此 时,CTRL 寄 存 器 中 的 LRF 位 被 设 置 为 1。 寄 存 器
LVRC 上电后初始化为 01010101B。当单片机进入暂停模式时 LVR 功能将自动
除能。
LVR
tRSTD + tSST
Internal Reset
注:tRSTD 为上电延迟时间,典型值为 50ms
低电压复位时序图
Rev. 1.30
58
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
● LVRC 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
LVS7
R/W
0
6
LVS6
R/W
1
5
LVS5
R/W
0
4
LVS4
R/W
1
3
LVS3
R
0
2
LVS2
R
1
1
LVS1
R/W
0
0
LVS0
R/W
1
LVS7~ LVS0:LVR 电压选择
01010101:2.1V
00110011:2.55V
10011001:3.15V
10101010:3.8V
其它值:复位单片机 - 寄存器复位为 POR 值。
当低电压条件发生时,以上四个已定义的任何一个 LVR 电压值都会使单片机复
位。复位动作将在 2~ 3 个 fLIRC 时钟周期后有效。此时复位后的寄存器内容将保
持不变。
任何除上述四个已定义的寄存器值,也会导致单片机复位。复位动作将在 2~ 3
个 fLIRC 时钟周期后有效。但此时寄存器内容将复位为 POR 值。
● CTRL 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
FSYSON
R/W
0
6
—
—
—
5
—
—
—
4
—
—
—
3
—
—
—
2
LVRF
R/W
×
1
LRF
R/W
0
0
WRF
R/W
0
“×”为未知
Bit 7
FSYSON:IDLE 模式时,fSYS 控制位
详见别处的描述。
Bit 6~ 3
未定义,读为“0”
Bit 2
LVRF:LVR 复位标志位
0:未发生
1:发生
当特定的低电压复位条件发生时,该位被置为 1。该位只能由应用程序清零。
Bit 1
LRF:LVR 控制寄存器软件复位标志位
0:未发生
1:发生
如果 LVRC 控制寄存器包含任何非定义的 LVR 电压值,该位被置为 1,这类似
于软件复位功能。该位只能由应用程序清零。
Bit 0
WRF:WDT 控制寄存器软件复位标志位
详见别处的描述。
正常运行时看门狗溢出复位
除了看门狗溢出标志位 TO 将被设为“1”之外,正常运行时看门狗溢出复位和
LVR 复位相同。
WDT Time-out
tRSTD + tSST
Internal Reset
注:tRSTD 为上电延迟时间,典型值为 16.7ms
正常运行时看门狗溢出复位时序图
Rev. 1.30
59
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
休眠或空闲时看门狗溢出复位
休眠或空闲时看门狗溢出复位和其它种类的复位有些不同。除了程序计数器与
堆栈指针将被清“0”及 TO 位被设为“1”外,绝大部分的条件保持不变。图
中 tSST 的详细说明请参考交流电气特性。
WDT Time-out
tSST
Internal Reset
休眠或空闲时看门狗溢出复位时序图
复位初始状态
不同的复位形式以不同的途径影响复位标志位。这些标志位,即 PDF 和 TO 位
存放在状态寄存器中,由休眠或空闲模式功能或看门狗计数器等几种控制器操
作控制。复位标志位如下所示:
TO
0
u
1
1
PDF
0
u
u
1
复位条件
上电复位
正常模式或低速模式时的 LVR 复位
正常模式或低速模式时的 WDT 溢出复位
空闲或休眠模式时的 WDT 溢出复位
“u”代表不改变
在单片机上电复位之后,各功能单元初始化的情形,列于下表。
项目
程序计数器
中断
看门狗定时器,时基
定时模块
输入 / 输出口
堆栈指针
复位后情况
清除为零
所有中断被除能
WDT 清除并重新计数
所有定时模块停止
I/O 口设为输入模式
堆栈指针指向堆栈顶端
不同的复位形式对单片机内部寄存器的影响是不同的。为保证复位后程序能正
常执行,了解寄存器在特定条件复位后的设置是非常重要的。下表即为不同方
式复位后内部寄存器的状况。若芯片有多种封装类型,表格反映较大的封装的
情况。
Rev. 1.30
60
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Rev. 1.30
HT66F0185
MP0
MP1
BP
ACC
PCL
TBLP
TBLH
TBHP
TBHP
STATUS
SMOD
LVDC
INTEG
INTC0
INTC0
INTC1
INTC2
INTC2
MFI0
MFI1
MFI2
PA
PAC
PAPU
PAWU
TMPC
TMPC
WDTC
TBC
CTRL
LVRC
EEA
EEA
EED
SADOL
(ADRFS=0)
SADOL
(ADRFS=1)
HT66F0175
寄存器
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
上电复位
LVR 复位
( 正常模式 )
WDT 溢出
( 正常模式 )
WDT 溢出
( 空闲或休眠模式 )*
●
● ●
●
●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
●
●
● ●
● ●
● ●
● ●
●
●
● ●
xxxx xxxx
xxxx xxxx
---- ---0
xxxx xxxx
0000 0000
xxxx xxxx
xxxx xxxx
---- -xxx
---- xxxx
--00 xxxx
0000 0011
--00 -000
---- 0000
-0-0 0-00
-000 0000
0000 0000
-000 -000
0000 0000
--00 --00
0000 0000
--00 --00
1111 1111
1111 1111
0000 0000
0000 0000
0--- --00
0--- -000
0101 0011
0011 0111
0--- -x00
0101 0101
--00 0000
-000 0000
0000 0000
xxxx xxxx
xxxx xxxx
---- ---0
uuuu uuuu
0000 0000
uuuu uuuu
uuuu uuuu
---- -uuu
---- uuuu
--uu uuuu
0000 0011
--00 -000
---- 0000
-0-0 0-00
-000 0000
0000 0000
-000 -000
0000 0000
--00 --00
0000 0000
--00 --00
1111 1111
1111 1111
0000 0000
0000 0000
0--- --00
0--- -000
0101 0011
0011 0111
0--- -000
0101 0101
--00 0000
-000 0000
0000 0000
xxxx xxxx
xxxx xxxx
---- ---0
uuuu uuuu
0000 0000
uuuu uuuu
uuuu uuuu
---- -uuu
---- uuuu
--1u uuuu
0000 0011
--00 -000
---- 0000
-0-0 0-00
-000 0000
0000 0000
-000 -000
0000 0000
--00 --00
0000 0000
--00 --00
1111 1111
1111 1111
0000 0000
0000 0000
0--- --00
0--- -000
0101 0011
0011 0111
0--- -000
0101 0101
--00 0000
-000 0000
0000 0000
uuuu uuuu
uuuu uuuu
---- ---u
uuuu uuuu
0000 0000
uuuu uuuu
uuuu uuuu
---- -uuu
---- uuuu
- - 11 u u u u
uuuu uuuu
--uu -uuu
---- uuuu
-u-u u-uu
-uuu uuuu
uuuu uuuu
-uuu -uuu
uuuu uuuu
--uu --uu
uuuu uuuu
--uu --uu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
u--- --uu
u--- -uuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
u--- -uuu
uuuu uuuu
--uu uuuu
-uuu uuuu
uuuu uuuu
● ●
xxxx ----
xxxx ----
xxxx ----
uuuu ----
● ●
xxxx xxxx
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
61
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Rev. 1.30
HT66F0185
SADOH
(ADRFS=0)
SADOH
(ADRFS=1)
SADC0
SADC1
SADC2
PB
PBC
PBPU
TM2C0
TM2C1
TM2DL
TM2DH
TM2AL
TM2AH
TM2RP
TM0C0
TM0C1
TM0DL
TM0DH
TM0AL
TM0AH
TM0RPL
TM0RPH
TM0C0
TM0C1
TM0DL
TM0DH
TM0AL
TM0AH
TM0RP
TM1C0
TM1C1
TM1DL
TM1DH
TM1AL
TM1AH
HT66F0175
寄存器
上电复位
LVR 复位
( 正常模式 )
WDT 溢出
( 正常模式 )
WDT 溢出
( 空闲或休眠模式 )*
● ●
xxxx xxxx
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
● ●
---- xxxx
---- uuuu
---- uuuu
---- uuuu
●
●
●
●
●
●
0000 -000
000- -000
0000 0000
- 111 1111
- 111 1111
-000 0000
0000 0--0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0--0000 0000
0000 0000
----- --00
0000 0000
----- --00
0000 0000
----- --00
0000 0--0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0--0000 0000
0000 0000
----- --00
0000 0000
----- --00
0000 -000
000- -000
0000 0000
- 111 1111
- 111 1111
-000 0000
0000 0--0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0--0000 0000
0000 0000
---- --00
0000 0000
---- --00
0000 0000
---- --00
0000 0--0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0--0000 0000
0000 0000
---- --00
0000 0000
---- --00
0000 -000
000- -000
0000 0000
- 111 1111
- 111 1111
-000 0000
0000 0--0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0--0000 0000
0000 0000
---- --00
0000 0000
---- --00
0000 0000
---- --00
0000 0--0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0--0000 0000
0000 0000
---- --00
0000 0000
---- --00
uuuu -uuu
uuu- -uuu
uuuu uuuu
-uuu uuuu
-uuu uuuu
-uuu uuuu
uuuu u--uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu u--uuuu uuuu
uuuu uuuu
---- --uu
uuuu uuuu
---- --uu
uuuu uuuu
---- --uu
uuuu u--uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu u--uuuu uuuu
uuuu uuuu
---- --uu
uuuu uuuu
---- --uu
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
62
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
HT66F0185
TM1RPL
TM1RPH
CPC
PC
PCC
PCPU
ACERL
SIMC0
SIMC1
SIMD
SIMA/SIMC2
SIMTOC
SLCDC0
SLCDC1
SLCDC2
SLCDC3
SLCDC4
SLEDC0
SLEDC1
SLEDC1
IFS
IFS
PD
PDC
PDPU
USR
UCR1
UCR2
BRG
TXR_RXR
EEC
HT66F0175
寄存器
● ●
● ●
●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
● ●
●
● ●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
● ●
上电复位
LVR 复位
( 正常模式 )
WDT 溢出
( 正常模式 )
WDT 溢出
( 空闲或休眠模式 )*
0000 0000
----- --00
1000 0001
- 111 1111
- 111 1111
-000 0000
1111 1111
111- 0000
1000 0001
xxxx xxxx
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
---- --00
0101 0101
--01 0101
---- 0101
--00 0000
-000 0000
---- 1111
---- 1111
---- 0000
0000 1011
0000 00x0
0000 0000
xxxx xxxx
xxxx xxxx
---- 0000
0000 0000
---- --00
1000 0001
- 111 1111
- 111 1111
-000 0000
1111 1111
111- 0000
1000 0001
xxxx xxxx
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
---- --00
0101 0101
--01 0101
---- 0101
--00 0000
-000 0000
---- 1111
---- 1111
---- 0000
0000 1011
0000 00x0
0000 0000
xxxx xxxx
xxxx xxxx
---- 0000
0000 0000
---- --00
1000 0001
- 111 1111
- 111 1111
-000 0000
1111 1111
111- 0000
1000 0001
xxxx xxxx
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
0000 0000
---- --00
0101 0101
--01 0101
---- 0101
--00 0000
-000 0000
---- 1111
---- 1111
---- 0000
0000 1011
0000 00x0
0000 0000
xxxx xxxx
xxxx xxxx
---- 0000
uuuu uuuu
---- --uu
uuuu uuuu
-uuu uuuu
-uuu uuuu
-uuu uuuu
uuuu uuuu
uuu- uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
---- --uu
uuuu uuuu
--uu uuuu
---- uuuu
--uu uuuu
-uuu uuuu
---- uuuu
---- uuuu
---- uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
---- uuuu
注:“u”表示不改变
“x”表示未知
“-”表示未定义
Rev. 1.30
63
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
输入 / 输出端口
盛群单片机的输入 / 输出口控制具有很大的灵活性。大部分引脚可在用户程序控
制下被设定为输入或输出。所有引脚的上拉电阻设置以及指定引脚的唤醒设置
也都由软件控制,这些特性也使得此单片机在广泛应用上都能符合开发的需求。
该系列单片机提供 PA~ PD 双向输入 / 输出口。这些寄存器在数据存储器有特定
的地址。所有 I/O 口用于输入输出操作。作为输入操作,输入引脚无锁存功能,
也就是说输入数据必须在执行“MOV A,[m]”,T2 的上升沿准备好,m 为端口
地址。对于输出操作,所有数据都是被锁存的,且保持不变直到输出锁存被重写。
寄存器
名称
7
6
PAWU PAWU7 PAWU6
PA6
PA
PA7
PAC7
PAC6
PAC
PAPU PAPU7 PAPU6
PB
-
PB6
PBC
-
PBC6
PBPU
-
PBPU6
PC
-
PC6
PCC
-
PCC6
PCPU
-
PCPU6
5
PAWU5
PA5
PAC5
PAPU5
PB5
PBC5
PBPU5
PC5
PCC5
PCPU5
位
4
3
PAWU4 PAWU3
PA4
PA3
PAC4
PAC3
PAPU4 PAPU3
PB4
PB3
PBC4
PBC3
PBPU4 PBPU3
PC4
PC3
PCC4
PCC3
PCPU4 PCPU3
2
PAWU2
PA2
PAC2
PAPU2
PB2
PBC2
PBPU2
PC2
PCC2
PCPU2
1
PAWU1
PA1
PAC1
PAPU1
PB1
PBC1
PBPU1
PC1
PCC1
PCPU1
0
PAWU0
PA0
PAC0
PAPU0
PB0
PBC0
PBPU0
PC0
PCC0
PCPU0
输入 / 输出寄存器列表 – HT66F0175
Rev. 1.30
64
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
寄存器
名称
7
6
PAWU PAWU7 PAWU6
PA6
PA
PA7
PAC7
PAC6
PAC
PAPU PAPU7 PAPU6
PB
-
PB6
PBC
-
PBC6
PBPU
-
PBPU6
PC
-
PC6
PCC
-
PCC6
PCPU
-
PCPU6
PD
-
-
PDC
-
-
PDPU
-
-
5
PAWU5
PA5
PAC5
PAPU5
PB5
PBC5
PBPU5
PC5
PCC5
PCPU5
-
-
-
位
4
3
PAWU4 PAWU3
PA4
PA3
PAC4
PAC3
PAPU4 PAPU3
PB4
PB3
PBC4
PBC3
PBPU4 PBPU3
PC4
PC3
PCC4
PCC3
PCPU4 PCPU3
-
PD3
-
PDC3
-
PDPU3
2
PAWU2
PA2
PAC2
PAPU2
PB2
PBC2
PBPU2
PC2
PCC2
PCPU2
PD2
PDC2
PDPU2
1
PAWU1
PA1
PAC1
PAPU1
PB1
PBC1
PBPU1
PC1
PCC1
PCPU1
PD1
PDC1
PDPU1
0
PAWU0
PA0
PAC0
PAPU0
PB0
PBC0
PBPU0
PC0
PCC0
PCPU0
PD0
PDC0
PDPU0
输入 / 输出寄存器列表 – HT66F0185
“—”:未定义,读为“0”
PAWUn:PA 口引脚唤醒功能控制
0:除能
1:使能
PAPUn/PBPUn/PCPUn/PDPUn:输入 / 输出引脚上拉功能控制
0:除能
1:使能
PAn/PBn/PCn/PDn:输入 / 输出口数据位
0:数据 0
1:数据 1
PACn/PBCn/PCCn/PDCn:输入 / 输出引脚类型选择
0:输出
1:输入
上拉电阻
许多产品应用在端口处于输入状态时需要外加一个上拉电阻来实现上拉的功
能。为了免去外部上拉电阻,当引脚规划为输入时,可由内部连接到一个上拉
电阻。这些上拉电阻可通过相关上拉电阻控制寄存器来设置,它用一个 PMOS
晶体管来实现上拉电阻功能。
PA 口唤醒
当使用暂停指令“HALT”迫使单片机进入休眠或空闲模式,单片机的系统时钟
将会停止以降低功耗,此功能对于电池及低功耗应用很重要。唤醒单片机有很
多种方法,其中之一就是使 PA 口的其中一个引脚从高电平转为低电平。这个
功能特别适合于通过外部开关来唤醒的应用。PA 口的每个引脚可以通过设置
PAWU 寄存器来单独选择是否具有唤醒功能。
Rev. 1.30
65
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
输入 / 输出端口控制寄存器
每一个输入 / 输出口都具有各自的控制寄存器,即 PAC~ PDC,用来控制输入 /
输出状态。从而每个 I/O 引脚都可以通过软件控制,动态的设置为 CMOS 输出
或输入。所有的 I/O 端口的引脚都各自对应于 I/O 端口控制的某一位。若 I/O 引
脚要实现输入功能,则对应的控制寄存器的位需要设置为“1”。这时程序指令
可以直接读取输入脚的逻辑状态。若控制寄存器相应的位被设定为“0”,则此
引脚被设置为 CMOS 输出。当引脚设置为输出状态时,程序指令读取的是输出
端口寄存器的内容。
注意,如果对输出口做读取动作时,程序读取到的是内部输出数据锁存器中的
状态,而不是输出引脚上实际的逻辑状态。
输入 / 输出端口源电流控制
对于此系列单片机,每个输入 / 输出端口的源电流驱动能力不同,通过相应选
择寄存器 SLEDC0 和 SLEDC1,每个输入 / 输出端口有 4 个层次的源电流驱动
能力。用户可以参考直流电气特性部分选择所需的源电流用于不同应用。
寄存器名称
SLEDC0
SLEDC1
(HT66F0175)
SLEDC1
(HT66F0185)
位
7
6
5
4
3
2
1
0
PBPS3 PBPS2 PBPS1 PBPS0 PAPS3 PAPS2 PAPS1 PAPS0
-
-
-
-
-
-
PCPS3 PCPS2 PCPS1 PCPS0
PDPS1 PDPS0 PCPS3 PCPS2 PCPS1 PCPS0
输入 / 输出端口源电流控制寄存器列表
SLEDC0 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
PBPS3
R/W
0
6
PBPS2
R/W
1
5
PBPS1
R/W
0
4
PBPS0
R/W
1
3
PAPS3
R/W
0
Bit 7~ 6
PBPS3~ PBPS2:PB6~ PB4 引脚源电流选择位
00:源电流 = Level 0 ( 最小 )
01:源电流 = Level 1
10:源电流 = Level 2
11:源电流 = Level 3 ( 最大 )
Bit 5~ 4
PBPS1~ PBPS0:PB3~ PB0 引脚源电流选择位
00:源电流 = Level 0 ( 最小 )
01:源电流 = Level 1
10:源电流 = Level 2
11:源电流 = Level 3 ( 最大 )
Bit 3~ 2
PAPS3~ PAPS2:PA7~ PA4 引脚源电流选择位
00:源电流 = Level 0 ( 最小 )
01:源电流 = Level 1
10:源电流 = Level 2
11:源电流 = Level 3 ( 最大 )
Bit 1~ 0
PAPS1~ PAPS0:PA3~ PA0 引脚源电流选择位
00:源电流 = Level 0 ( 最小 )
01:源电流 = Level 1
10:源电流 = Level 2
11:源电流 = Level 3 ( 最大 )
66
2
PAPS2
R/W
1
1
PAPS1
R/W
0
0
PAPS0
R/W
1
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
SLEDC1 寄存器 – HT66F0175
Bit
Name
R/W
POR
7
-
-
-
6
-
-
-
5
-
-
-
4
-
-
-
3
PCPS3
R/W
0
Bit 7~ 4
未定义,读为“0”
Bit 3~ 2
PCPS3~ PCPS2:PC6~ PC4 引脚源电流选择位
00:源电流 = Level 0 ( 最小 )
01:源电流 = Level 1
10:源电流 = Level 2
11:源电流 = Level 3 ( 最大 )
Bit 1~ 0
PCPS1~ PCPS0:PC3~ PC0 引脚源电流选择位
00:源电流 = Level 0 ( 最小 )
01:源电流 = Level 1
10:源电流 = Level 2
11:源电流 = Level 3 ( 最大 )
2
PCPS2
R/W
1
1
PCPS1
R/W
0
0
PCPS0
R/W
1
2
PCPS2
R/W
1
1
PCPS1
R/W
0
0
PCPS0
R/W
1
SLEDC1 寄存器 – HT66F0185
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
-
-
-
6
-
-
-
5
PDPS1
R/W
0
4
PDPS0
R/W
1
3
PCPS3
R/W
0
Bit 7~ 6
未定义,读为“0”
Bit 5~ 4
PDPS1~ PDPS0:PD3~ PD0 引脚源电流选择位
00:源电流 = Level 0 ( 最小 )
01:源电流 = Level 1
10:源电流 = Level 2
11:源电流 = Level 3 ( 最大 )
Bit 3~ 2
PCPS3~ PCPS2:PC6~ PC4 引脚源电流选择位
00:源电流 = Level 0 ( 最小 )
01:源电流 = Level 1
10:源电流 = Level 2
11:源电流 = Level 3 ( 最大 )
Bit 1~ 0
PCPS1~ PCPS0:PC3~ PC0 引脚源电流选择位
00:源电流 = Level 0 ( 最小 )
01:源电流 = Level 1
10:源电流 = Level 2
11:源电流 = Level 3 ( 最大 )
67
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
引脚重置功能
引脚的多功能可以增加单片机应用的灵活性。有限的引脚个数将会限制设计者,
而引脚的多功能将会解决很多此类问题。每个功能可单独选择所在的引脚,以
及一个确定的优先级,使得引脚上多种功能可以同时使用。此外,一些引脚功
能可以通过寄存器 IFS 进行设定。
封装中有限的引脚个数会对某些单片机功能造成影响。然而,引脚功能重置和
引脚功能选择,使得小封装单片机具有更多不同的功能。如果共用引脚功能同
时有多个输出, “/”标记的引脚名称拥有更高优先级。
位
寄存器
名称
7
6
IFS
(HT66F0175)
5
4
3
2
1
0
-
-
IFS
(HT66F0185)
- SDOPS1 SDOPS0 SDI_SDAPS SCK_SCLPS SCSBPS TXPS
SDOPS SDI_SDAPS SCK_SCLPS SCSBPS INT1PS INT0PS
RXPS
引脚重置功能选择寄存器列表
IFS 寄存器 – HT66F0175
Rev. 1.30
Bit
7
6
5
4
3
2
1
0
Name
-
-
SDOPS
SDI_SDAPS
SCK_SCLPS
SCSBPS
INT1PS
INT0PS
R/W
-
-
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
POR
-
-
0
0
0
0
0
0
Bit 7~ 6
未定义,读为“0”
Bit 5
SDOPS:SDO 引脚重置选择位
0:SDO on PC2
1:SDO on PA1
Bit 4
SDI_SDAPS:SDI/SDA 引脚重置选择位
0:SDI/SDA on PC3
1:SDI/SDA on PA3
Bit 3
SCK_SCLPS:SCK/SCL 引脚重置选择位
0:SCK/SCL on PC4
1:SCK/SCL on PB6
Bit 2
SCSBPS:SCS 引脚重置选择位
0:SCS on PA1
1:SCS on PB5
Bit 1
INT1PS:INT1 引脚重置选择位
0:INT1 on PB1
1:INT1 on PC5
Bit 0
INT0PS:INT0 引脚重置选择位
0:INT0 on PB0
1:INT0 on PC6
68
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
IFS 寄存器 – HT66F0185
Bit
Name
R/W
POR
7
-
-
-
6
5
4
3
2
1
0
SDOPS1 SDOPS0 SDI_SDAPS SCK_SCLPS SCSBPS TXPS RXPS
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W R/W
0
0
0
0
0
0
0
Bit 7
未定义,读为“0”
Bit 6~ 5
SDOPS1~ SDOPS0:SDO 引脚重置选择位
00:SDO on PC3
01:SDO on PA1
10:未定义
11:SDO on PC2
Bit 4
SDI_SDAPS:SDI/SDA 引脚重置选择位
0:SDI/SDA on PC4
1:SDI/SDA on PA3
Bit 3
SCK_SCLPS:SCK/SCL 引脚重置选择位
0:SCK/SCL on PC5
1:SCK/SCL on PB6
Bit 2
SCSBPS:SCS 引脚重置选择位
0:SCS on PC6
1:SCS on PB5
Bit 1
TXPS:TX 引脚重置选择位
0:TX on PD2
1:TX on PB3
Bit 0
RXPS:RX 引脚重置选择位
0:RX on PD1
1:RX on PB4
输入 / 输出引脚结构
下图为输入 / 输出引脚的内部结构图。输入 / 输出引脚的准确逻辑结构图可能与
此图不同,这里只是为了方便对 I/O 引脚功能的理解提供的一个参考。图中的
引脚共用结构并非针对所有单片机。
通用输入 / 输出结构
Rev. 1.30
69
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
A/D 输入 / 输出结构
编程注意事项
在编程中,最先要考虑的是端口的初始化。复位之后,所有的输入 / 输出数据
及端口控制寄存器都将被设为逻辑高。所有输入 / 输出引脚默认为输入状态,
而其电平则取决于其它相连接电路以及是否选择了上拉电阻。如果端口控制寄
存器某些引脚位被设定输出状态,这些输出引脚会有初始高电平输出,除非数
据寄存器端口在程序中被预先设定。设置哪些引脚是输入及哪些引脚是输出,
可通过设置正确的值到适当的端口控制寄存器,或使用指令“SET [m].i”及
“CLR [m].i”来设定端口控制寄存器中个别的位。注意,当使用这些位控制指
令时,系统即将产生一个读 - 修改 - 写的操作。单片机需要先读入整个端口上
的数据,修改个别的位,然后重新把这些数据写入到输出端口。
A/D 转换控制寄存器的上电初始状态默认 A/D 输入引脚为模拟信号输入引脚,
但 A/D 转换功能并没自动开启。因些需注意若要将 A/D 输入引脚用作数字信号
输入引脚,或其它功能,需在程序中修改 A/D 转换控制寄存器值以关闭 A/D 功
能。另外需注意 A/D 通道使能,内部上拉电阻将自动断开。
PA 口的每个引脚都带唤醒功能。单片机处于休眠或空闲模式时,有很多方法可
以唤醒单片机,其中之一就是通过 PA 任一引脚电平从高到低转换的方式,可
以设置 PA 口一个或多个引脚具有唤醒功能。
Rev. 1.30
70
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
定时器模块 – TM
控制和测量时间在任何单片机中都是一个很重要的部分。每个单片机提供几个
定时器模块 ( 简称 TM),来实现和时间有关的功能。定时器模块是包括多种操
作的定时单元,提供的操作有:定时 / 计数器,捕捉输入,比较匹配输出,单
脉冲输出以及 PWM 输出等功能。每个定时器模块有两个独立中断。每个 TM
外加的输入输出引脚,扩大了定时器的灵活性,便于用户使用。
这里只介绍各种 TM 的共性,更多详细资料请参考简易型,标准型和周期型定
时器章节。
简介
该 系 列 单 片 机 包 含 2 到 3 个 TM, 取 决 于 所 选 单 片 机 的 型 号, 分 别 命 名 为
TM0,TM1,TM2。每个 TM 可被划分为一个特定的类型,即简易型 TM,标
准型 TM 或周期型 TM。虽然性质相似,但不同 TM 特性复杂度不同。本章介
绍简易型,标准型和周期型 TM 的共性,更多详细资料分别见后面各章。三种
类型 TM 的特性和区别见下表。
TM 功能
定时 / 计数器
捕捉输入
比较匹配输出
PWM 通道数
单脉冲输出
PWM 对齐方式
PWM 调节周期 & 占空比
CTM
√
-
√
1
-
边沿对齐
占空比或周期
STM
√
√
√
1
1
边沿对齐
占空比或周期
PTM
√
√
√
1
1
边沿对齐
占空比或周期
TM 功能概要
该系列每款单片机包括一定数目的定时器单元,其中有简易型,标准型和周期
型 TM,依次命名为 TM0~ TM2 并见下表。
单片机
HT66F0175
HT66F0185
TM0
10-bit PTM
16-bit STM
TM1
10-bit PTM
10-bit PTM
TM2
-
16-bit CTM
TM 名称 / 类型参考
TM 操作
三种不同类型的 TM 提供从简单的定时操作到 PWM 信号产生等多种功能。理
解 TM 操作的关键是比较 TM 内独立运行的计数器的值与内部比较器的预置值。
当计数器的值与比较器的预置值相同时,则比较匹配,TM 中断信号产生,清
零计数器并改变 TM 输出引脚的状态。用户选择内部时钟或外部时钟来驱动内
部 TM 计数器。
TM 时钟源
驱动 TM 计数器的时钟源很多。通过设置 TM 控制寄存器的 TnCK2~ TnCK0 位,
选择所需的时钟源。该时钟源来自系统时钟 fSYS 或内部高速时钟 fH 或 fTBC 时钟
源或外部 TCKn 引脚时钟的分频比。TCKn 引脚时钟源用于允许外部信号作为
TM 时钟源或用于事件计数。
Rev. 1.30
71
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
TM 中断
简易型 TM,标准型 TM 或周期型 TM 都有两个内部中断,分别是内部比较器
A 或比较器 P,当比较匹配发生时产生 TM 中断。当 TM 中断产生时,计数器
清零并改变 TM 输出引脚的状态。
TM 外部引脚
无论哪种类型的 TM,都有一个 TM 输入引脚 TCKn。通过设置 TMnC0 寄存器
中的 TnCK2~ TnCK0 位,选择 TM 功能并将该引脚作为 TM 时钟源输入脚。外
部时钟源可通过该引脚来驱动内部 TM。外部 TM 输入脚也与其它功能共用,
但是,如果设置适当值给 TnCK2~ TnCK0,该引脚会连接到内部 TM。TM 引脚
可选择上升沿有效或下降沿有效。TCKn 引脚也可用作 STM 和 PTM 单脉冲模
式的外部触发引脚。
每个 TM 有一个输出引脚 TPn。当 TM 工作在比较匹配输出模式且比较匹配发
生时,这些引脚会由 TM 控制切换到高电平或低电平或翻转。外部 TPn 输出引
脚也被 TM 用来产生 PWM 输出波形。当 TM 工作在捕捉输入模式,TPn 引脚
也可作为输入脚。因为 TM 输出引脚与其它功能共用,TM 输出功能需要通过
内部 TM 开启 / 关闭控制,工作模式选择,以及输入 / 输出控制寄存器的相应位
的设置来使能或除能。当相应 TM 配置设置 TPn 用作外部输出脚,相应的引脚
将作为外部 TM 输出引脚。当相应 TM 配置设置 TPn 为输入引脚,TPn 可作为
输入引脚,且输入的信号来自于外部信号或其它共用功能的输出信号。当相应
TM 配置设置 TPn 不被使用,这些引脚将用作其它共用功能使用。每个单片机
和不同类型 TM 中输出引脚的个数是不同的,详见下表。
单片机
STM
HT66F0175
-
HT66F0185
TCK0; TP0
PTM
TCK0; TP0
TCK1; TP1
TCK1; TP1
CTM
寄存器
-
TMPC
TCK2; TP2
TMPC
TM 外部引脚
TM 输入 / 输出引脚控制寄存器
通过设置一或两个与 TM 输入 / 输出引脚相关的寄存器的一位,选择作为 TM
输入 / 输出功能或其它共用功能。正确设置选择位时,相关引脚用作 TM 输入 /
输出。
寄存器
名称
TMPC
(HT66F0175)
TMPC
(HT66F0175)
Bit
7
6
5
4
3
2
1
0
CLOP
-
-
-
-
-
T1CP
T0CP
CLOP
-
-
-
-
T2CP
T1CP
T0CP
TM 引脚控制寄存器列表
Rev. 1.30
72
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
PA0 Output Function
0
1
PA0/TP0
0
Output
1
T0CP
PA0
TM0
(PTM)
Capture Input
1
0
0
1
T0CAPTS
TCK Input
PB2/TCK0
TM0 功能引脚控制方框图 – 仅适用于 HT66F0175
PA0 Output Function
0
1
PA0/TP0
0
Output
1
TM0
(STM)
T0CP
PA0
Capture Input
1
0
TCK Input
PB2/TCK0
TM0 功能引脚控制方框图 – 仅适用于 HT66F0185
PA7 Output Function
0
1
PA7/TP1
0
Output
1
T1CP
PA7
TM1
(PTM)
Capture Input
0
1
1
0
T1CAPTS
TCK Input
PA4/TCK1
TM1 功能引脚控制方框图 – HT66F0175/ HT66F0185
Rev. 1.30
73
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
PB3 Output Function
0
1
TM2
(CTM)
PB3/TP2
0
Output
1
T2CP
PB3
TCK Input
PA6/TCK2
TM2 功能引脚控制方框图 – 仅适用于 HT66F0185
注:1. 上图所示输入 / 输出寄存器数据位用于 TM 输出反向控制。
2. 捕捉输入模式中,TM 引脚控制寄存器最多只能使能一个 TM 引脚输入。
TMPC 寄存器 – HT66F0175
Bit
Name
R/W
POR
7
CLOP
R/W
0
6
-
-
-
5
-
-
-
Bit 7
CLOP:CLO 引脚控制位
0:除能
1:使能
Bit 6~ 2
未定义,读为“0”
Bit 1
T1CP:TP1 引脚控制位
0:除能
1:使能
Bit 0
T0CP:TP0 引脚控制位
0:除能
1:使能
4
-
-
-
3
-
-
-
2
-
-
-
1
T1CP
R/W
0
0
T0CP
R/W
0
4
-
-
-
3
-
-
-
2
T2CP
R/W
0
1
T1CP
R/W
0
0
T0CP
R/W
0
TMPC 寄存器 – HT66F0185
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
CLOP
R/W
0
6
-
-
-
5
-
-
-
Bit 7
CLOP:CLO 引脚控制位
0:除能
1:使能
Bit 6~ 3
未定义,读为“0”
Bit 2
T2CP:TP2 引脚控制位
0:除能
1:使能
Bit 1
T1CP:TP1 引脚控制位
0:除能
1:使能
Bit 0
T0CP:TP0 引脚控制位
0:除能
1:使能
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
编程注意事项
TM 计数寄存器和捕捉 / 比较寄存器 CCRA、CCRP 为 10-bit 或 16-bit 的寄存器,
含有低字节和高字节结构。高字节可直接访问,低字节则仅能通过一个内部 8-bit
的缓存器进行访问。读写这些成对的寄存器需通过特殊的方式。值得注意的是
8-bit 缓存器的存取数据及相关低字节的读写操作仅在其相应的高字节读取操作
执行时发生。
正如 CCRA 和 CCRP 寄存器按照下图方式执行且具体存取这些寄存器对的方式
如上所述,建议使用“MOV”指令,通过以下步骤访问 CCRA 和 CCRP 低字节,
命名为 TMnAL 和 TMnRPL。若不采用以下步骤访问 CCRA 和 CCRP 将导致不
可预期的结果。
TMn Counter Register (Read only)
TMnDL
TMnDH
8-bit Buffer
TMnAL
TMnAH
TMn CCRA Register (Read/Write)
TMnRPL
TMnRPH
PTM CCRP Register (Read/Write)
Data Bus
读写流程如下步骤所示:
● 写数据至 CCRA 或 CCRP
♦ 步骤 1. 写数据至低字节寄存器 TMnAL 或 TMnRPL
– 注意,此时数据仅写入 8-bit 缓存器。
♦ 步骤 2. 写数据至高字节寄存器 TMnAH 或 TMnRPH
– 注意,此时数据直接写入高字节寄存器,同时锁存在 8-bit 缓存器中的数据
写入低字节寄存器。
● 由计数器寄存器和 CCRA 或 CCRP 中读取数据
♦ 步骤 1. 由高字节寄存器 TMnDH,TMnAH 或 TMnRPH 读取数据
– 注意,此时高字节寄存器中的数据直接读取,同时由低字节寄存器读取的
数据锁存至 8-bit 缓存器中。
♦ 步骤 2. 由低字节寄存器 TMnDL,TMnAL 或 TMnRPL 读取数据
– 注意,此时读取 8-bit 缓存器中的数据。
Rev. 1.30
75
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
简易型 TM – CTM
简易型 TM 即 CTM 只包含在单片机 HT66F0185。在虽然简易型 TM 是这几种
TM 类型中最简单的形式,但仍然包括三种工作模式,即比较匹配输出、定时 /
事件计数器和 PWM 输出模式。简易型 TM 由一个外部输入脚控制并驱动一个
外部输出脚。
单片机
TM 核心
TM 编号
TM 输入引脚
TM 输出引脚
HT66F0185
16-bit CTM
TM2
TCK2
TP2
CCRP
fSYS/4
fSYS
fH/16
fH/64
fTBC
fH/8
001
b8~b15
011
101
111
Counter Clear
16-bit Count-up Counter
100
TnON
TnPAU
TnPF Interrupt
TnOC
010
110
TCKn
Comparator P Match
8-bit Comparator P
000
0
1
TnCCLR
b0~b15
Comparator A Match
16-bit Comparator A
Output
Control
Polarity
Control
Pin
Control
TnM1, TnM0
TnIO1, TnIO0
TnPOL
TnCP
TPn
TnAF Interrupt
TnCK2~TnCK0
CCRA
简易型 TM 方框图 –HT66F0185(n=2)
简易型 TM 操作
简易型 TM 核心是一个由用户选择的内部或外部时钟源驱动的 16 位向上计数
器,它还包括两个内部比较器即比较器 A 和比较器 P。这两个比较器将计数器
的值与 CCRP 和 CCRA 寄存器中的值进行比较。CCRP 是 8 位的,与计数器的
高 8 位比较;而 CCRA 是 16 位的,与计数器的所有位比较。
通过应用程序改变 16 位计数器值的唯一方法是使 TnON 位发生上升沿跳变清除
计数器。此外,计数器溢出或比较匹配也会自动清除计数器。上述条件发生时,
通常情况会产生 TM 中断信号。简易型 TM 可工作在不同的模式,可由包括来
自输入脚的不同时钟源驱动,也可以控制输出脚。所有工作模式的设定都是通
过设置相关寄存器来实现的。
简易型 TM 寄存器介绍
简易型 TM 的所有操作由一系列寄存器控制。一对只读寄存器用来存放 16 位计
数器的值,一对读 / 写寄存器存放 16 位 CCRA 的值。还有一个读 / 写寄存器存
放 8 位 CCRP 的值。剩下两个控制寄存器设置不同的操作和控制模式。
寄存器
名称
位
7
TMnC0 TnPAU
TMnC1 TnM1
TMnDL
D7
TMnDH D15
TMnAL
D7
TMnAH D15
TMnRP TnRP7
6
TnCK2
TnM0
D6
D14
D6
D14
TnRP6
5
TnCK1
TnIO1
D5
D13
D5
D13
TnRP5
4
TnCK0
TnIO0
D4
D12
D4
D12
TnRP4
3
2
1
0
TnON
-
-
-
TnOC TnPOL TnDPX TnCCLR
D3
D2
D1
D0
D11
D10
D9
D8
D3
D2
D1
D0
D11
D10
D9
D8
TnRP3 TnRP2 TnRP1 TnRP0
16-bit 简易型 TM 寄存器列表 – n=2, 仅适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
76
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
TMnDL 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
D7
R
0
6
D6
R
0
5
D5
R
0
4
D4
R
0
3
D3
R
0
2
D2
R
0
1
D1
R
0
0
D0
R
0
3
D11
R
0
2
D10
R
0
1
D9
R
0
0
D8
R
0
3
D3
R/W
0
2
D2
R/W
0
1
D1
R/W
0
0
D0
R/W
0
3
D11
R/W
0
2
D10
R/W
0
1
D9
R/W
0
0
D8
R/W
0
3
TnON
R/W
0
2
-
-
-
1
-
-
-
0
-
-
-
TMn 计数器低字节寄存器 bit 7 ~ bit 0
TMn 16-bit 计数器 bit 7 ~ bit 0
TMnDH 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
D15
R
0
6
D14
R
0
5
D13
R
0
4
D12
R
0
TMn 计数器高字节寄存器 bit 7 ~ bit 0
TMn 16-bit 计数器 bit 15 ~ bit 8
TMnAL 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
D7
R/W
0
6
D6
R/W
0
5
D5
R/W
0
4
D4
R/W
0
TMn CCRA 低字节寄存器 bit 7 ~ bit 0
TMn 16-bit CCRA bit 7 ~ bit 0
TMnAH 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
D15
R/W
0
6
D14
R/W
0
5
D13
R/W
0
4
D12
R/W
0
TMn CCRA 高字节寄存器 bit 7 ~ bit 0
TMn 16-bit CCRA bit 15 ~ bit 8
TMnC0 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7
Rev. 1.30
7
TnPAU
R/W
0
6
TnCK2
R/W
0
5
TnCK1
R/W
0
4
TnCK0
R/W
0
TnPAU: TMn 计数器暂停控制位
0:运行
1:暂停
通过设置此位为高可使计数器暂停,清零此位恢复正常计数器操作。当处于暂
停条件时,TMn 保持上电状态并继续耗电。当此位由低到高转换时,计数器将
保留其剩余值,直到此位再次改变为低电平,从此值开始继续计数。
77
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Bit 6~ 4
TnCK2~ TnCK0:选择 TMn 计数时钟位
000:fSYS/4
001:fSYS
010:fH/16
011:fH/64
100:fTBC
101:fH
110:TCKn 上升沿时钟
111:TCKn 下降沿时钟
此三位用于选择 TMn 的时钟源。外部引脚时钟源能被选择在上升沿或下降沿有
效。fSYS 是系统时钟,fH 和 fTBC 是其它的内部时钟源,细节方面请参考振荡器章
节。
Bit 3
TnON:TMn 计数器 On/Off 控制位
0:Off
1:On
此位控制 TMn 的总开关功能。设置此位为高则使能计数器使其运行,清零此位
则除能 TMn。清零此位将停止计数器并关闭 TMn 减少耗电。当此位经由低到高
转换时,内部计数器将复位清零;当此位经由高到低转换时,内部计数器将保
持其剩余值,直到此位再次改变为高电平。
若 TMn 处于比较匹配输出模式时,当 TnON 位经由低到高转换时,TMn 输出
脚将复位至 TnOC 位指定的初始值。
Bit 2~ 0
未定义,读为“0”
TMnC1 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
TnM1
R/W
0
6
TnM0
R/W
0
5
TnIO1
R/W
0
4
TnIO0
R/W
0
3
TnOC
R/W
0
2
1
0
TnPOL TnDPX TnCCLR
R/W
R/W
R/W
0
0
0
Bit 7~ 6
TnM1~ TnM0:选择 TMn 工作模式位
00:比较匹配输出模式
01:未定义模式
10:PWM 模式
11:定时 / 计数器模式
这两位设置 TMn 需要的工作模式。为了确保操作可靠,TMn 应在 TnM1 和
TnM0 位有任何改变前先关掉。在定时 / 计数器模式,TMn 输出脚控制必须除能。
Bit 5~ 4
TnIO1~ TnIO0:选择 TPn 引脚输出功能位
比较匹配输出模式
00:无变化
01:输出低
10:输出高
11:输出翻转
PWM 模式
00:强制无效状态
01:强制有效状态
10:PWM 输出
11:未定义
定时 / 计数器模式
未使用
此两位用于决定在一定条件达到时 TMn 输出脚如何改变状态。这两位值的选择
决定 TMn 运行在哪种模式下。
78
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
在比较匹配输出模式下, TnIO1 和 TnIO0 位决定当比较器 A 比较匹配输出发生
时 TMn 输出脚如何改变状态。当比较器 A 比较匹配输出发生时 TMn 输出脚能
设为切换高、切换低或翻转当前状态。若此两位同时为 0 时,这个输出将不会
改变。TMn 输出脚的初始值通过 TMnC1 寄存器的 TnOC 位设置取得。注意,
由 TnIO1 和 TnIO0 位得到的输出电平必须与通过 TnOC 位设置的初始值不同,
否则当比较匹配发生时,TMn 输出脚将不会发生变化。在 TMn 输出脚改变状态
后,通过 TnON 位由低到高电平的转换复位至初始值。
在 PWM 模式,TnIO1 和 TnIO0 用于决定比较匹配条件发生时怎样改变 TMn 输
出脚的状态。PWM 输出功能通过这两位的变化进行更新。仅在 TMn 关闭时改
变 TnIO1 和 TnIO0 位 的 值 是 很 有 必 要 的。 若 在 TMn 运 行 时 改 变 TnIO1 和
TnIO0 的值,PWM 输出的值是无法预料的。
Rev. 1.30
Bit 3
TnOC:TPn 输出控制位
比较匹配输出模式
0:初始低
1:初始高
PWM 模式
0:低有效
1:高有效
这是 TMn 输出脚输出控制位。它取决于 TMn 此时正运行于比较匹配输出模式
还是 PWM 模式。若 TMn 处于定时 / 计数器模式,则其不受影响。在比较匹配
输出模式时,比较匹配发生前其决定 TMn 输出脚的逻辑电平值。在 PWM 模式
时,其决定 PWM 信号是高有效还是低有效。
Bit 2
TnPOL:TPn 输出极性控制位
0:同相
1:反相
此位控制 TPn 输出脚的极性。此位为高时 TMn 输出脚反相,为低时 TMn 输出
脚同相。若 TMn 处于定时 / 计数器模式时其不受影响。
Bit 1
TnDPX:TMn PWM 周期 / 占空比控制位
0:CCRP - 周期;CCRA - 占空比
1:CCRP - 占空比;CCRA - 周期
此位决定 CCRA 与 CCRP 寄存器哪个被用于 PWM 波形的周期和占空比控制。
Bit 0
TnCCLR:选择 TMn 计数器清零条件位
0:TMn 比较器 P 匹配
1:TMn 比较器 A 匹配
此位用于选择清除计数器的方法。简易型 TM 包括两个比较器 - 比较器 A 和比
较器 P。这两个比较器每个都可以用作清除内部计数器。TnCCLR 位设为高,
计数器在比较器 A 比较匹配发生时被清除;此位设为低,计数器在比较器 P 比
较匹配发生或计数器溢出时被清除。计数器溢出清除的方法仅在 CCRP 被清除
为 0 时才能生效。TnCCLR 位在 PWM 模式时未使用。
79
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
TMnRP 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
TnRP7
R/W
0
6
TnRP6
R/W
0
5
TnRP5
R/W
0
4
TnRP4
R/W
0
3
TnRP3
R/W
0
2
TnRP2
R/W
0
1
TnRP1
R/W
0
0
TnRP0
R/W
0
TnRP7~ TnRP0:TMn CCRP 8 位寄存器,与 TMn 计数器 bit 15~ bit 8 比较。
比较器 P 匹配周期
0:65535 个 TMn 时钟
1~ 255:256×(1~ 255) 个 TMn 时钟
此八位设定内部 CCRP 8-bit 寄存器的值,然后与内部计数器的高八位进行比较。
如果 TnCCLR 位设为 0 时,比较结果为 0 并清除内部计数器。TnCCLR 位设为低,
CCRP 比较匹配结果将重置内部计数器。由于 CCRP 只与计数器高八位比较,
比较结果是 256 时钟周期的倍数。CCRP 被清零时,实际上会使得计数器在最
大值溢出。
简易型 TM 工作模式
简易型 TM 有三种工作模式,即比较匹配输出模式,PWM 模式或定时 / 计数器
模式。通过设置 TMnC1 寄存器的 TnM1 和 TnM0 位选择任意工作模式。
比较匹配输出模式
为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为
“00”。当工作在该模式,一旦计数器使能并开始计数,有三种方法来清零,
分别是:计数器溢出,比较器 A 比较匹配发生和比较器 P 比较匹配发生。当
TnCCLR 位为低,有两种方法清除计数器。一种是比较器 P 比较匹配发生,另
一种是 CCRP 所有位设置为零并使得计数器溢出。此时,比较器 A 和比较器 P
的请求标志位 TnAF 和 TnPF 将分别置起。
如果 TMnC1 寄存器的 TnCCLR 位设置为高,当比较器 A 比较匹配发生时计数
器被清零。此时,即使 CCRP 寄存器的值小于 CCRA 寄存器的值,仅 TnAF 中
断请求标志产生。所以当 TnCCLR 为高时,不产生 TnPF 中断请求标志。如果
CCRA 被清零,当计数达到最大值 FFFFH 时,计数器溢出,而此时不产生
TnAF 请求标志。
正如该模式名所言,当比较匹配发生后,TMn 输出脚状态改变。当比较器 A 比
较匹配发生后 TnAF 标志产生时,TMn 输出脚状态改变。比较器 P 比较匹配发
生 时 产 生 的 TnPF 标 志 不 影 响 TMn 输 出 脚。TMn 输 出 脚 状 态 改 变 方 式 由
TMnC1 寄存器中 TnIO1 和 TnIO0 位决定。当比较器 A 比较匹配发生时,TnIO1
和 TnIO0 位决定 TM 输出脚输出高,低或翻转当前状态。TMn 输出脚初始值,
既可以通过 TnON 位由低到高电平的变化设置,也可以由 TnOC 位设置。注意,
若 TnIO1 和 TnIO0 位同时为 0 时,引脚输出不变。
Rev. 1.30
80
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
Counter overflow
CCRP=0
0xFFFF
TnCCLR = 0; TnM [1:0] = 00
CCRP > 0
Counter cleared by CCRP value
CCRP > 0
Counter
Restart
Resume
CCRP
Pause
CCRA
Stop
Time
TnON
TnPAU
TnPOL
CCRP Int. flag
TnPF
CCRA Int. flag
TnAF
TMn O/P Pin
Output pin set to
initial Level Low
if TnOC=0
Output not affected by TnAF
flag. Remains High until reset by
TnON bit
Output Toggle with
TnAF flag
Here TnIO [1:0] = 11
Toggle Output select
Note TnIO [1:0] = 10
Active High Output select
Output Inverts
when TnPOL is high
Output Pin
Reset to Initial value
Output controlled by
other pin-shared function
比较匹配输出模式 -- TnCCLR=0
注: 1. TnCCLR=0,比较器 P 匹配将清除计数器
2. TMn 输出脚仅由 TnAF 标志位控制
3. 在 TnON 上升沿 TMn 输出脚复位至初始值
4. n=2 仅适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
81
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
TnCCLR = 1; TnM [1:0] = 00
CCRA = 0
Counter overflow
CCRA > 0 Counter cleared by CCRA value
0xFFFF
Resume
CCRA
Pause
CCRA=0
Stop
Counter Restart
CCRP
Time
TnON
TnPAU
TnPOL
No TnAF flag
generated on
CCRA overflow
CCRA Int. flag
TnAF
CCRP Int. flag
TnPF
TMn O/P Pin
TnPF not
generated
Output pin set to
initial Level Low
if TnOC=0
Output does
not change
Output not affected by TnAF
flag. Remains High until
reset by TnON bit
Output Toggle with
TnAF flag
Here TnIO [1:0] = 11
Toggle Output select
Note TnIO [1:0] = 10
Active High Output select
Output Inverts
when TnPOL is high
Output Pin
Reset to Initial value
Output controlled by
other pin-shared function
比较匹配输出模式 -- TnCCLR=1
注: 1. TnCCLR=1,比较器 A 匹配将清除计数器
2. TMn 输出脚仅由 TnAF 标志位控制
3. 在 TnON 上升沿 TMn 输出脚复位至初始值
4. 当 TnCCLR=1 时,TnPF 标志位不会产生
5. n=2 仅适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
82
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
定时 / 计数器模式
为使 TM 工作在此模式,TMnC1 寄存器中的 TnM1 和 TnM0 位需要设置为“11”。
定时 / 计数器模式与比较匹配输出模式操作方式相同,并产生同样的中断请求
标志。不同的是,在定时 / 计数器模式下 TMn 输出脚未使用。因此,比较匹配
输出模式中的描述和时序图可以适用于此功能。该模式中未使用的 TMn 输出脚
用作普通 I/O 脚或其它功能。
PWM 输出模式
为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为
“10”。TMn 的 PWM 功能在马达控制,加热控制,照明控制等方面十分有用。
给 TMn 输出脚提供一个频率固定但占空比可调的信号,将产生一个有效值等于
DC 均方根的 AC 方波。
由于 PWM 波形的周期和占空比可调,其波形的选择就极其灵活。在 PWM 模
式中,TnCCLR 位不影响 PWM 操作。CCRA 和 CCRP 寄存器决定 PWM 波形,
一个用来清除内部计数器并控制 PWM 波形的频率,另一个用来控制占空比。
哪个寄存器控制频率或占空比取决于 TMnC1 寄存器的 TnDPX 位。所以 PWM
波形频率和占空比由 CCRA 和 CCRP 寄存器共同决定。
当比较器 A 或比较器 P 比较匹配发生时,将产生 CCRA 或 CCRP 中断标志。
TMnC1 寄存器中的 TnOC 位决定 PWM 波形的极性,TnIO1 和 TnIO0 位使能
PWM 输出或将 TMn 输出脚置为逻辑高或逻辑低。TnPOL 位对 PWM 输出波形
的极性取反。
● 16-bit CTM,PWM 模式,边沿对齐模式,TnDPX=0
CCRP
周期
占空比
1~ 255
CCRP×256
0
65536
CCRA
若 fSYS=16MHz,TMn 时钟源选择 fSYS/4,CCRP=2,CCRA=128,
TMn PWM 输出频率 =(fSYS/4) / (2×256)= fSYS/2048=7.8125kHz,duty=128/(2×256)=25%
若由 CCRA 寄存器定义的 Duty 值等于或大于 Period 值,PWM 输出占空比为
100%
● 16-bit CTM,PWM 模式,边沿对齐模式,TnDPX=1
CCRP
周期
占空比
1~ 255
0
CCRA
CCRP×256
65536
PWM 的输出周期由 CCRA 寄存器的值与 TMn 的时钟共同决定,PWM 的占空
比由 CCRP×256(除了 CCRP 为“0”外)的值决定。
Rev. 1.30
83
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
TnDPX = 0; TnM [1:0] = 10
Counter cleared
by CCRP
Counter Reset when
TnON returns high
CCRP
Pause Resume
CCRA
Counter Stop if
TnON bit low
Time
TnON
TnPAU
TnPOL
CCRA Int. flag
TnAF
CCRP Int. flag
TnPF
TMn O/P Pin
(TnOC=1)
TMn O/P Pin
(TnOC=0)
PWM resumes
operation
PWM Duty Cycle
set by CCRA
PWM Period
set by CCRP
Output controlled by
other pin-shared function
Output Inverts
when TnPOL = 1
PWM 输出模式 -- TnDPX=0
注: 1. TnDPX=0,CCRP 清除计数器
2. 计数器清零并设置 PWM 周期
3. 当 TnIO[1:0]=00 或 01,PWM 功能不变
4. TnCCLR 位不影响 PWM 操作
5. n=2 仅适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
84
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
TnDPX = 1; TnM [1:0] = 10
Counter cleared
by CCRA
Counter Reset when
TnON returns high
CCRA
Pause Resume
CCRP
Counter Stop if
TnON bit low
Time
TnON
TnPAU
TnPOL
CCRP Int.
flag TnPF
CCRA Int.
flag TnAF
TMn O/P Pin
(TnOC=1)
TMn O/P Pin
(TnOC=0)
PWM Duty Cycle
set by CCRP
PWM Period
set by CCRA
PWM resumes
operation
Output controlled by
Output Inverts
other pin-shared function
when TnPOL = 1
PWM 输出模式 -- TnDPX=1
注: 1. TnDPX=1,CCRA 清除计数器
2. 计数器清零并设置 PWM 周期
3. 当 TnIO[1:0]=00 或 01,PWM 功能不变
4. TnCCLR 位不影响 PWM 操作
5. n=2 仅适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
85
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
标准型 TM – STM
标准型 TM 即 STM 只包含在单片机 HT66F0185。标准型 TM 包括 5 种工作模式,
即比较匹配输出、定时 / 事件计数器、捕捉输入、单脉冲输出和 PWM 输出模式。
标准型 TM 由一个外部输入脚控制并驱动一个外部输出脚。
单片机
TM 核心
TM 编号
TM 输入引脚
TM 输出引脚
HT66F0185
16-bit STM
TM0
TCK0
TP0
CCRP
fSYS/4
fSYS
fH/16
fH/64
fTBC
fH/8
001
TnPF Interrupt
TnOC
b8~b15
010
011
101
Counter Clear 0
16-bit Count-up Counter
100
110
TCKn
Comparator P Match
8-bit Comparator P
000
TnON
TnPAU
1
TnCCLR
b0~b15
111
Comparator A Match
16-bit Comparator A
TnCK2~TnCK0
Output
Control
Polarity
Control
Pin
Control
TnM1, TnM0
TnIO1, TnIO0
TnPOL
TnCP
TPn
TnAF Interrupt
TnIO1, TnIO0
Edge
Detector
CCRA
标准型 TM 方框图 – HT66F0185(n=0)
标准型 TM 操作
标准型 TM 是 16 位宽度。核心是一个由用户选择的内部或外部时钟源驱动的
16 位向上计数器,它还包括两个内部比较器即比较器 A 和比较器 P。这两个比
较器将计数器的值与 CCRP 和 CCRA 寄存器中的值进行比较。CCRP 是 8 位宽
度,与计数器的高 8 位比较;而 CCRA 是 16 位的,与计数器的所有位比较。
通过应用程序改变 16 位计数器值的唯一方法是使 TnON 位发生上升沿跳变清除
计数器。此外,计数器溢出或比较匹配也会自动清除计数器。上述条件发生时,
通常情况会产生 TM 中断信号。标准型 TM 可工作在不同的模式,可由包括来
自输入脚的不同时钟源驱动,也可以控制输出脚。所有工作模式的设定都是通
过设置相关寄存器来实现的。
标准型 TM 寄存器介绍
标准型 TM 的所有操作由一系列寄存器控制。一对只读寄存器用来存放 16 位计
数器的值,一对读 / 写寄存器存放 16 位 CCRA 的值,TMnRP 寄存器存放 8 位
CCRP 的值,剩下两个控制寄存器设置不同的操作和控制模式。
寄存器
名称
7
TMnC0 TnPAU
TMnC1 TnM1
TMnDL
D7
TMnDH D15
TMnAL
D7
TMnAH D15
TMnRP TnRP7
位
6
TnCK2
TnM0
D6
D14
D6
D14
TnRP6
5
TnCK1
TnIO1
D5
D13
D5
D13
TnRP5
4
TnCK0
TnIO0
D4
D12
D4
D12
TnRP4
3
2
1
0
TnON
-
-
-
TnOC TnPOL TnDPX TnCCLR
D3
D2
D1
D0
D11
D10
D9
D8
D3
D2
D1
D0
D11
D10
D9
D8
TnRP3 TnRP2 TnRP1 TnRP0
16-bit 标准型 TM 寄存器列表 – HT66F0185(n=0)
Rev. 1.30
86
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
TMnDL 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
D7
R
0
6
D6
R
0
5
D5
R
0
4
D4
R
0
3
D3
R
0
2
D2
R
0
1
D1
R
0
0
D0
R
0
3
D11
R
0
2
D10
R
0
1
D9
R
0
0
D8
R
0
3
D3
R/W
0
2
D2
R/W
0
1
D1
R/W
0
0
D0
R/W
0
3
D11
R/W
0
2
D10
R/W
0
1
D9
R/W
0
0
D8
R/W
0
3
TnON
R/W
0
2
—
—
—
1
—
—
—
0
—
—
—
TMn 计数器低字节寄存器 bit 7 ~ bit 0
TMn 16-bit 计数器 bit 7 ~ bit 0
TMnDH 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
D15
R
0
6
D14
R
0
5
D13
R
0
4
D12
R
0
TMn 计数器高字节寄存器 bit 7 ~ bit 0
TMn 16-bit 计数器 bit 15 ~ bit 8
TMnAL 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
D7
R/W
0
6
D6
R/W
0
5
D5
R/W
0
4
D4
R/W
0
TMn CCRA 低字节寄存器 bit 7 ~ bit 0
TMn 16-bit CCRA bit 7 ~ bit 0
TMnAH 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
D15
R/W
0
6
D14
R/W
0
5
D13
R/W
0
4
D12
R/W
0
TMn CCRA 高字节寄存器 bit 7 ~ bit 0
TMn 16-bit CCRA bit 15 ~ bit 8
TMnC0 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7
Rev. 1.30
7
TnPAU
R/W
0
6
TnCK2
R/W
0
5
TnCK1
R/W
0
4
TnCK0
R/W
0
TnPAU:TMn 计数器暂停控制位
0:运行
1:暂停
通过设置此位为高可使计数器暂停,清零此位恢复正常计数器操作。当处于暂
停条件时,TMn 保持上电状态并继续耗电。当此位由低到高转换时,计数器将
保留其剩余值,直到此位再次改变为低电平,并从此值开始继续计数。
87
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Bit 6~ 4
TnCK2~ TnCK0:选择 TMn 计数时钟位
000:fSYS/4
001:fSYS
010:fH/16
011:fH/64
100:fTBC
101:fH/8
110:TCKn 上升沿时钟
111:TCKn 下降沿时钟
此三位用于选择 TMn 的时钟源。外部引脚时钟源能被选择在上升沿或下降沿有
效。fSYS 是系统时钟,fH 和 fTBC 是其它的内部时钟源,细节方面请参考振荡器章节。
Bit 3
TnON:TMn 计数器 On/Off 控制位
0:Off
1:On
此位控制 TMn 的总开关功能。设置此位为高则使能计数器使其运行,清零此位
则除能 TMn。清零此位将停止计数器并关闭 TMn 减少耗电。当此位经由低到高
转换时,内部计数器将复位清零;当此位经由高到低转换时,内部计数器将保
持其剩余值,直到此位再次改变为高电平。
若 TMn 处于比较匹配输出模式时,当 TnON 位经由低到高转换时,TMn 输出
脚将复位至 TnOC 位指定的初始值。
Bit 2~ 0
未定义,读为“0”
TMnC1 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
TnM1
R/W
0
6
TnM0
R/W
0
5
TnIO1
R/W
0
4
TnIO0
R/W
0
3
TnOC
R/W
0
2
1
0
TnPOL TnDPX TnCCLR
R/W
R/W
R/W
0
0
0
Bit 7~ 6
TnM1~ TnM0:选择 TMn 工作模式位
00:比较匹配输出模式
01:捕捉输入模式
10:PWM 模式或单脉冲输出模式
11:定时 / 计数器模式
这两位设置 TMn 需要的工作模式。为了确保操作可靠,TMn 应在 TnM1 和
TnM0 位有任何改变前先关掉。在定时 / 计数器模式,TMn 输出脚控制必须除能。
Bit 5~ 4
TnIO1~ TnIO0:选择 TPn 引脚输出功能位
比较匹配输出模式
00:无变化
01:输出低
10:输出高
11:输出翻转
PWM 模式 / 单脉冲输出模式
00:强制无效状态
01:强制有效状态
10:PWM 输出
11:单脉冲输出
捕捉输入模式
00:在 TPn 上升沿输入捕捉
01:在 TPn 下降沿输入捕捉
10:在 TPn 双沿输入捕捉
11:输入捕捉除能
88
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
定时 / 计数器模式
未使用
此两位用于决定在一定条件达到时 TMn 输出脚如何改变状态。这两位值的选择
决定 TMn 运行在哪种模式下。
在比较匹配输出模式下, TnIO1 和 TnIO0 位决定当比较器 A 比较匹配输出发生
时 TMn 输出脚如何改变状态。当比较器 A 比较匹配输出发生时 TMn 输出脚能
设为切换高、切换低或翻转当前状态。若此两位同时为 0 时,这个输出将不会
改变。TMn 输出脚的初始值通过 TMnC1 寄存器的 TnOC 位设置取得。注意,
由 TnIO1 和 TnIO0 位得到的输出电平必须与通过 TnOC 位设置的初始值不同,
否则当比较匹配发生时,TMn 输出脚将不会发生变化。在 TMn 输出脚改变状态
后,通过 TnON 位由低到高电平的转换复位至初始值。
在 PWM 模式,TnIO1 和 TnIO0 用于决定比较匹配条件发生时怎样改变 TMn 输
出脚的状态。PWM 输出功能通过这两位的变化进行更新。仅在 TMn 关闭时改
变 TnIO1 和 TnIO0 位 的 值 是 很 有 必 要 的。 若 在 TMn 运 行 时 改 变 TnIO1 和
TnIO0 的值,PWM 输出的值是无法预料的。
Rev. 1.30
Bit 3
TnOC:TMn TPn 输出控制位
比较匹配输出模式
0:初始低
1:初始高
PWM 模式 / 单脉冲输出模式
0:低有效
1:高有效
这是 TMn 输出脚输出控制位。它取决于 TMn 此时正运行于比较匹配输出模式
还是 PWM 模式。若 TMn 处于定时 / 计数器模式,则其不受影响。在比较匹配
输出模式时,比较匹配发生前其决定 TMn 输出脚的逻辑电平值。在 PWM 模式
时,其决定 PWM 信号是高有效还是低有效。
Bit 2
TnPOL:TMn TPn 输出极性控制位
0:同相
1:反相
此位控制 TPn 输出脚的极性。此位为高时 TMn 输出脚反相,为低时 TMn 输出
脚同相。若 TMn 处于定时 / 计数器模式时其不受影响。
Bit 1
TnDPX:TMn PWM 周期 / 占空比控制位
0:CCRP - 周期;CCRA - 占空比
1:CCRP - 占空比;CCRA - 周期
此位决定 CCRA 与 CCRP 寄存器哪个被用于 PWM 波形的周期和占空比控制。
Bit 0
TnCCLR:选择 TMn 计数器清零条件位
0:比较器 P 匹配
1:比较器 A 匹配
此位用于选择清除计数器的方法。标准型 TM 包括两个比较器 - 比较器 A 和比
较器 P。这两个比较器每个都可以用作清除内部计数器。TnCCLR 位设为高,
计数器在比较器 A 比较匹配发生时被清除;此位设为低,计数器在比较器 P 比
较匹配发生或计数器溢出时被清除。计数器溢出清除的方法仅在 CCRP 被清除
为 0 时才能生效。TnCCLR 位在 PWM 模式时未使用。
89
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
TMnRP 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
TnRP7
R/W
0
6
TnRP6
R/W
0
5
TnRP5
R/W
0
4
TnRP4
R/W
0
3
TnRP3
R/W
0
2
TnRP2
R/W
0
1
TnRP1
R/W
0
0
TnRP0
R/W
0
TnRP7~ TnRP0:TMn CCRP 8 位寄存器,与 TMn 计数器 bit 15~ bit 8 比较。
比较器 P 匹配周期
0:65535 个 TMn 时钟
1~ 255:(1~ 255)×256 个 TMn 时钟
此八位设定内部 CCRP 8-bit 寄存器的值,然后与内部计数器的高八位进行比较。
如果 TnCCLR 位设为 0 时,比较结果为 0 并清除内部计数器。TnCCLR 位设为低,
CCRP 比较匹配结果将重置内部计数器。由于 CCRP 只与计数器高八位比较,
比较结果是 256 时钟周期的倍数。CCRP 被清零时,实际上会使得计数器在最
大值溢出。
标准型 TM 工作模式
标准型 TM 有五种工作模式,即比较匹配输出模式,PWM 输出模式,单脉冲
输出模式,捕捉输入模式或定时 / 计数器模式。通过设置 TMnC1 寄存器的
TnM1 和 TnM0 位选择任意模式。
比较匹配输出模式
为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为
“00”。当工作在该模式,一旦计数器使能并开始计数,有三种方法来清零,
分别是:计数器溢出,比较器 A 比较匹配发生和比较器 P 比较匹配发生。当
TnCCLR 位为低,有两种方法清除计数器。一种是比较器 P 比较匹配发生,另
一种是 CCRP 所有位设置为零并使得计数器溢出。此时,比较器 A 和比较器 P
的请求标志位 TnAF 和 TnPF 将分别置位。
如果 TMnC1 寄存器的 TnCCLR 位设置为高,当比较器 A 比较匹配发生时计数
器 被 清 零。 此 时, 即 使 CCRP 寄 存 器 的 值 小 于 CCRA 寄 存 器 的 值, 仅 产 生
TnAF 中断请求标志。所以当 TnCCLR 为高时,不会产生 TnPF 中断请求标志。
在比较匹配输出模式下,CCRA 不能设为“0”。
正如该模式名所言,当比较匹配发生后,TMn 输出脚状态改变。当比较器 A 比
较匹配发生后 TnAF 标志产生时,TMn 输出脚状态改变。比较器 P 比较匹配发
生 时 产 生 的 TnPF 标 志 不 影 响 TMn 输 出 脚。TMn 输 出 脚 状 态 改 变 方 式 由
TMnC1 寄存器中 TnIO1 和 TnIO0 位决定。当比较器 A 比较匹配发生时,TnIO1
和 TnIO0 位决定 TMn 输出脚输出高,低或翻转当前状态。TMn 输出脚初始值,
既可以通过 TnON 位由低到高电平的变化设置,也可以由 TnOC 位设置。注意,
若 TnIO1 和 TnIO0 位同时为 0 时,引脚输出不变。
Rev. 1.30
90
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
Counter overflow
CCRP=0
0xFFFF
TnCCLR = 0; TnM [1:0] = 00
CCRP > 0
Counter cleared by CCRP value
CCRP > 0
Counter
Restart
Resume
CCRP
Pause
CCRA
Stop
Time
TnON
TnPAU
TnPOL
CCRP Int.
flag TnPF
CCRA Int.
flag TnAF
TMn O/P Pin
Output pin set to
initial Level Low
if TnOC=0
Output not affected by TnAF
flag. Remains High until reset by
TnON bit
Output Toggle with
TnAF flag
Here TnIO [1:0] = 11
Toggle Output select
Note TnIO [1:0] = 10
Active High Output select
Output Inverts
when TnPOL is high
Output Pin
Reset to Initial value
Output controlled by
other pin-shared function
比较匹配输出模式 -- TnCCLR=0
注: 1. TnCCLR=0,比较器 P 匹配将清除计数器
2. TMn 输出脚仅由 TnAF 标志位控制
3. 在 TnON 上升沿 TMn 输出脚复位至初始值
4. n=0 仅适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
91
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
TnCCLR = 1; TnM [1:0] = 00
CCRA = 0
Counter overflow
CCRA > 0 Counter cleared by CCRA value
0xFFFF
CCRA=0
Resume
CCRA
Pause
Stop
Counter Restart
CCRP
Time
TnON
TnPAU
TnPOL
No TnAF flag
generated on
CCRA overflow
CCRA Int.
flag TnAF
CCRP Int.
flag TnPF
TMn O/P Pin
TnPF not
generated
Output pin set to
initial Level Low
if TnOC=0
Output does
not change
Output Toggle with
TnAF flag
Here TnIO [1:0] = 11
Toggle Output select
Output not affected by TnAF
flag. Remains High until
reset by TnON bit
Note TnIO [1:0] = 10
Active High Output select
Output Inverts
when TnPOL is high
Output Pin
Reset to Initial value
Output controlled by
other pin-shared function
比较匹配输出模式 -- TnCCLR=1
注: 1. TnCCLR=1,比较器 A 匹配将清除计数器
2. TMn 输出脚仅由 TnAF 标志位控制
3. 在 TnON 上升沿 TMn 输出脚复位至初始值
4. 当 TnCCLR=1 时,不会产生 TnPF 标志
5. n=0 仅适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
92
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
定时 / 计数器模式
为使 TM 工作在此模式,TMnC1 寄存器中的 TnM1 和 TnM0 位需要设置为“11”。
定时 / 计数器模式与比较输出模式操作方式相同,并产生同样的中断请求标志。
不同的是,在定时 / 计数器模式下 TMn 输出脚未使用。因此,比较匹配输出模
式中的描述和时序图可以适用于此功能。该模式中未使用的 TMn 输出脚用作普
通 I/O 脚或其它功能。
PWM 输出模式
为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为
“10”,且 TnIO1 和 TnIO0 位也需要设置为“10”。TMn 的 PWM 功能在马达
控制,加热控制,照明控制等方面十分有用。给 TMn 输出脚提供一个频率固定
但占空比可调的信号,将产生一个有效值等于 DC 均方根的 AC 方波。
由于 PWM 波形的周期和占空比可调,其波形的选择就极其灵活。在 PWM 模
式中,TnCCLR 位不影响 PWM 周期。CCRA 和 CCRP 寄存器决定 PWM 波形,
一个用来清除内部计数器并控制 PWM 波形的频率,另一个用来控制占空比。
哪个寄存器控制频率或占空比取决于 TMnC1 寄存器的 TnDPX 位。所以 PWM
波形由 CCRA 和 CCRP 寄存器共同决定。
当比较器 A 或比较器 P 比较匹配发生时,将产生 CCRA 或 CCRP 中断标志。
TMnC1 寄存器中的 TnOC 位决定 PWM 波形的极性,TnIO1 和 TnIO0 位使能
PWM 输出或将 TMn 输出脚置为逻辑高或逻辑低。TnPOL 位对 PWM 输出波形
的极性取反。
● 16-bit STM,PWM 模式,边沿对齐模式,TnDPX=0
CCRP
Period
Duty
1~ 255
CCRP×256
0
65536
CCRA
若 fSYS=16MHz,TMn 时钟源选择 fSYS/4,CCRP=2,CCRA=128,
TMn PWM 输出频率 =(fSYS/4) / (2×256)= fSYS/2048=7.8125kHz,duty=128/(2×256)=25%
若由 CCRA 寄存器定义的 Duty 值等于或大于 Period 值,PWM 输出占空比为
100%
● 16-bit STM,PWM 模式,边沿对齐模式,TnDPX=1
CCRP
Period
Duty
1~ 255
0
CCRA
CCRP×256
65536
PWM 的输出周期由 CCRA 寄存器的值与 TMn 的时钟共同决定,PWM 的占空
比由 CCRP×256(除了 CCRP 为“0”外)的值决定。
Rev. 1.30
93
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
TnDPX = 0; TnM [1:0] = 10
Counter cleared
by CCRP
Counter Reset when
TnON returns high
CCRP
Pause Resume
CCRA
Counter Stop if
TnON bit low
Time
TnON
TnPAU
TnPOL
CCRA Int.
flag TnAF
CCRP Int.
flag TnPF
TMn O/P Pin
(TnOC=1)
TMn O/P Pin
(TnOC=0)
PWM Duty Cycle
set by CCRA
PWM Period
set by CCRP
PWM resumes
operation
Output controlled by
Output Inverts
other pin-shared function
when TnPOL = 1
PWM 输出模式 -- TnDPX=0
注: 1. TnDPX=0,CCRP 清除计数器
2. 计数器清零并设置 PWM 周期
3. 当 TnIO [1:0]=00 或 01,PWM 功能不变
4. TnCCLR 位不影响 PWM 操作
5. n=0 仅适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
TnDPX = 1; TnM [1:0] = 10
Counter cleared
by CCRA
Counter Reset when
TnON returns high
CCRA
Pause Resume
CCRP
Counter Stop if
TnON bit low
Time
TnON
TnPAU
TnPOL
CCRP Int.
flag TnPF
CCRA Int.
flag TnAF
TMn O/P Pin
(TnOC=1)
TMn O/P Pin
(TnOC=0)
PWM Duty Cycle
set by CCRP
PWM Period
set by CCRA
PWM resumes
operation
Output controlled by
Output Inverts
other pin-shared function
when TnPOL = 1
PWM 输出模式 -- TnDPX=1
注: 1. TnDPX=1,CCRA 清除计数器
2. 计数器清零并设置 PWM 周期
3. 当 TnIO [1:0]=00 或 01,PWM 功能不变
4. TnCCLR 位不影响 PWM 操作
5. n=0 仅适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
单脉冲输出模式
为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为
“10”,同时 TnIO1 和 TnIO0 位需要设置为“11”。正如模式名所言,单脉冲
输出模式,在 TMn 输出脚将产生一个脉冲输出。
脉冲输出可以通过应用程序控制 TnON 位由低到高的转变来触发。而处于单脉
冲模式时,TnON 位在 TCKn 脚自动由低转变为高,进而初始化单脉冲输出状
态。当 TnON 位转变为高电平时,计数器将开始运行,并产生脉冲前沿。当脉
冲有效时 TnON 位保持高电平。通过应用程序使 TnON 位清零或比较器 A 比较
匹配发生时,产生脉冲下降沿。
然而,比较器 A 比较匹配发生时,会自动清除 TnON 位并产生单脉冲输出下降
沿。CCRA 的值通过这种方式控制脉冲宽度。比较器 A 比较匹配发生时,也会
产生 TMn 中断。TnON 位在计数器重启时会发生由低到高的转变,此时计数器
才复位至零。在单脉冲模式中,CCRP 寄存器,TnCCLR 和 TnDPX 位未使用。
S/W Command
SET“TnON”
or
TCKn Pin
Transition
CCRA
Leading Edge
CCRA
Trailing Edge
TnON bit
0à1
TnON bit
1à0
S/W Command
CLR“TnON”
or
CCRA Compare
Match
TPn Output Pin
Pulse Width = CCRA Value
单脉冲产生示意图
Rev. 1.30
96
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
TnM [1:0] = 10 ; TnIO [1:0] = 11
Counter stopped
by CCRA
Counter Reset when
TnON returns high
CCRA
Pause
Counter Stops
by software
Resume
CCRP
Time
TnON
Software
Trigger
Auto. set by
TCKn pin
Cleared by
CCRA match
TCKn pin
Software
Trigger
Software
Trigger
Software
Clear
Software
Trigger
TCKn pin
Trigger
TnPAU
TnPOL
No CCRP Interrupts
generated
CCRP Int. Flag
TnPF
CCRA Int. Flag
TnAF
TMn O/P Pin
(TnOC=1)
TMn O/P Pin
(TnOC=0)
Output Inverts
when TnPOL = 1
Pulse Width
set by CCRA
单脉冲模式
注: 1. 通过 CCRA 匹配停止计数器
2. CCRP 未使用
3. 通过 TCKn 脚或设置 TnON 位为高来触发脉冲
4. TCKn 脚有效沿会自动置位 TnON
5. 单脉冲模式中,TnIO[1:0] 需置位“11”,且不能更改。
6. n=0 仅适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
97
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
捕捉输入模式
为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为
“01”。此模式使能外部信号捕捉并保存内部计数器当前值,因此被用于诸如
脉冲宽度测量的应用中。TPn 脚上的外部信号,通过设置 TMnC1 寄存器的
TnIO1 和 TnIO0 位选择有效边沿类型,即上升沿,下降沿或双沿有效。计数器
在 TnON 位由低到高转变时启动并通过应用程序初始化。
当 TPn 脚出现有效边沿转换时,计数器当前值被锁存到 CCRA 寄存器,并产生
TMn 中断。不考虑 TPn 引脚事件,计数器继续工作直到 TnON 位发生下降沿跳
变。当 CCRP 比较匹配发生时计数器复位至零;CCRP 的值通过这种方式控制
计数器的最大值。当比较器 P CCRP 比较匹配发生时,也会产生 TMn 中断。记
录 CCRP 溢出中断信号的值可以测量脉宽。通过设置 TnIO1 和 TnIO0 位选择
TPn 引脚为上升沿,下降沿或双沿有效。不考虑 TPn 引脚事件,如果 TnIO1 和
TnIO0 位 设 置 为 高, 不 会 产 生 捕 捉 操 作, 但 计 数 器 继 续 运 行。TnCCLR 和
TnDPX 位在此模式中未使用。
Counter Value
TnM [1:0] = 01
Counter cleared
by CCRP
Counter Counter
Stop
Reset
CCRP
YY
Pause
Resume
XX
Time
TnON
TnPAU
Active
edge
Active
edge
Active edge
TMn capture pin
TPn
CCRA Int. Flag
TnAF
CCRP Int. Flag
TnPF
CCRA
Value
TnIO [1:0]
Value
XX
00 – Rising edge
YY
01 – Falling edge
XX
10 – Both edges
YY
11 – Disable Capture
捕捉输入模式
注: 1. TnM [1:0]=01 并通过 TnIO [1:0] 位设置有效边沿
2. TMn 捕捉输入脚的有效边沿将计数器的值转移到 CCRA 中
3. TnCCLR 位未使用
4. 无输出功能 -- TnOC 和 TnPOL 位未使用
5. 计数器值由 CCRP 决定,在 CCRP 为“0”时,计数器计数值可达最大
6. n=0 仅适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
98
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
周期型 TM – PTM
周期型 TM 包括 5 种工作模式,即比较匹配输出、定时 / 事件计数器、捕捉输入、
单脉冲输出和 PWM 输出模式。周期型 TM 由一个外部输入脚控制并驱动一个
外部输出脚。
单片机
TM 核心
TM 编号
TM 输入引脚
TM 输出引脚
HT66F0175
10-bit PTM
TM0, TM1
TCK0, TCK1
TP0, TP1
HT66F0185
10-bit PTM
TM1
TCK1
TP1
CCRP
fSYS/4
fSYS
fH/16
fH/64
fTBC
fH
001
b0~b9
011
101
Counter Clear
10-bit Count-up Counter
100
TnON
TnPAU
111
TnCK2~TnCK0
0
1
TnCCLR
b0~b9
10-bit Comparator A
TnPF Interrupt
TnOC
010
110
TCKn
Comparator P Match
10-bit Comparator P
000
Comparator A Match
CCRA
Output
Control
Polarity
Control
Pin
Control
TnM1, TnM0
TnIO1, TnIO0
TnPOL
TnCP
TPn
TnAF Interrupt
TnIO1, TnIO0
TnCAPTS
Edge
Detector
0
1
周期型 TM 方框图 – n=0 或 1
周期型 TM 操作
周期型 TM 是 10 位宽度。周期型 TM 核心是一个由用户选择的内部或外部时钟
源驱动的 10 位向上计数器,它还包括两个内部比较器即比较器 A 和比较器 P。
这两个比较器将计数器的值与 CCRA 和 CCRP 寄存器中的值进行比较。CCRP
和 CCRA 是 10 位的,与计数器的所有位比较。
通过应用程序改变 10 位计数器值的唯一方法是使 TnON 位发生上升沿跳变清除
计数器。此外,计数器溢出或比较匹配也会自动清除计数器。上述条件发生时,
通常情况会产生 TM 中断信号。周期型 TM 可工作在不同的模式,可由包括来
自输入脚的不同时钟源驱动,也可以控制输出脚。所有工作模式的设定都是通
过设置相关寄存器来实现的。
Rev. 1.30
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
周期型 TM 寄存器介绍
周期型 TM 的所有操作由一系列寄存器控制。一对只读寄存器用来存放 10 位计
数器的值,两对读 / 写寄存器存放 10 位 CCRA 和 CCRP 的值。剩下两个控制寄
存器用来设置不同的操作和控制模式。
寄存器
名称
TMnC0
TMnC1
TMnDL
TMnDH
TMnAL
TMnAH
TMnRPL
TMnRPH
位
7
6
5
4
3
2
1
0
TnPAU TnCK2 TnCK1 TnCK0 TnON
—
—
—
TnM1 TnM0 TnIO1 TnIO0 TnOC TnPOL TnCAPTS TnCCLR
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
—
—
—
—
—
—
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
—
—
—
—
—
—
D9
D8
TnRP7 TnRP6 TnRP5 TnRP4 TnRP3 TnRP2
TnRP1
TnRP0
—
—
—
—
—
—
TnRP9
TnRP8
周期型 TM 寄存器列表 – n=0 或 1
TMnDL 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
D7
R
0
6
D6
R
0
5
D5
R
0
4
D4
R
0
3
D3
R
0
2
D2
R
0
1
D1
R
0
0
D0
R
0
3
─
─
─
2
─
─
─
1
D9
R
0
0
D8
R
0
3
D3
R/W
0
2
D2
R/W
0
1
D1
R/W
0
0
D0
R/W
0
TMn 计数器低字节寄存器 bit 7 ~ bit 0
TMn 10-bit 计数器 bit 7 ~ bit 0
TMnDH 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
─
─
─
6
─
─
─
5
─
─
─
4
─
─
─
Bit 7~ 2
未定义,读为“0”
Bit 1~ 0
TMn 计数器高字节寄存器 bit 1 ~ bit 0
TMn 10-bit 计数器 bit 9 ~ bit 8
TMnAL 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
Rev. 1.30
7
D7
R/W
0
6
D6
R/W
0
5
D5
R/W
0
4
D4
R/W
0
TMn CCRA 低字节寄存器 bit 7 ~ bit 0
TMn 10-bit CCRA bit 7 ~ bit 0
100
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
TMnAH 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
─
─
─
6
─
─
─
5
─
─
─
4
─
─
─
Bit 7~ 2
未定义,读为“0”
Bit 1~ 0
TMn CCRA 高字节寄存器 bit 1 ~ bit 0
TMn 10-bit CCRA bit 9 ~ bit 8
3
─
─
─
2
─
─
─
1
D9
R/W
0
0
D8
R/W
0
3
TnRP3
R/W
0
2
TnRP2
R/W
0
1
TnRP1
R/W
0
0
TnRP0
R/W
0
1
TnRP9
R/W
0
0
TnRP8
R/W
0
1
─
─
─
0
─
─
─
TMnRPL 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7~ 0
7
TnRP7
R/W
0
6
TnRP6
R/W
0
5
TnRP5
R/W
0
4
TnRP4
R/W
0
TnRP7~ TnRP0:TMn CCRP 低字节寄存器 bit 7 ~ bit 0
TMn 10-bit CCRP bit 7 ~ bit 0
TMnRPH 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
─
─
─
6
─
─
─
5
─
─
─
4
─
─
─
3
─
─
─
2
─
─
─
Bit 7~ 2
未定义,读为“0”
Bit 1~ 0
TnRP9~ TnRP8:TMn CCRP 高字节寄存器 bit 1 ~ bit 0
TMn 10-bit CCRP bit 9 ~ bit 8
TMnC0 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7
Bit 6~ 4
Rev. 1.30
7
TnPAU
R/W
0
6
TnCK2
R/W
0
5
TnCK1
R/W
0
4
TnCK0
R/W
0
3
TnON
R/W
0
2
─
─
─
TnPAU:TMn 计数器暂停控制位
0:运行
1:暂停
通过设置此位为高可使计数器暂停,清零此位恢复正常计数器操作。当处于暂
停条件时,TMn 保持上电状态并继续耗电。当此位由低到高转变时,计数器将
保留其剩余值,直到此位再次改变为低电平,并从此值开始继续计数。
TnCK2~ TnCK0:选择 TMn 计数时钟位
000:fSYS/4
001:fSYS
010:fH/16
011:fH/64
100:fTBC
101:fH
110:TCKn 上升沿
111:TCKn 下降沿
此三位用于选择 TMn 的时钟源。外部引脚时钟源能被选择在上升沿或下降沿有
效。fSYS 是系统时钟,fH 和 fTBC 是其它的内部时钟源,细节方面请参考振荡器章节。
101
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Bit 3
TnON:TMn 计数器 On/Off 控制位
0:Off
1:On
此位控制 TMn 的总开关功能。设置此位为高则使能计数器使其运行,清零此位
则除能 TMn。清零此位将停止计数器并关闭 TMn 减少耗电。当此位经由低到高
转换时,内部计数器将复位清零;当此位经由高到低转换时,内部计数器将保
持其剩余值,直到此位再次改变为高电平。
若 TMn 处于比较匹配输出模式时,当 TnON 位经由低到高转换时,TMn 输出
脚将复位至 TnOC 位指定的初始值。
Bit 2~ 0
未定义,读为“0”
TMnC1 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
TnM1
R/W
0
6
TnM0
R/W
0
5
TnIO1
R/W
0
4
TnIO0
R/W
0
3
2
1
0
TnOC TnPOL TnCAPTS TnCCLR
R/W
R/W
R/W
R/W
0
0
0
0
Bit 7~ 6
TnM1~ TnM0:选择 TMn 工作模式位
00:比较匹配输出模式
01:捕捉输入模式
10:PWM 模式或单脉冲输出模式
11:定时 / 计数器模式
这两位设置 TMn 需要的工作模式。为了确保操作可靠,TMn 应在 TnM1 和
TnM0 位有任何改变前先关掉。在定时 / 计数器模式,TMn 输出脚控制必须除能。
Bit 5~ 4
TnIO1~ TnIO0:选择 TPn 输出功能位
比较匹配输出模式
00:无变化
01:输出低
10:输出高
11:输出翻转
PWM 模式 / 单脉冲输出模式
00:强制无效状态
01:强制有效状态
10:PWM 输出
11:单脉冲输出
捕捉输入模式
00:在 TPn 或 TCKn 上升沿输入捕捉
01:在 TPn 或 TCKn 下降沿输入捕捉
10:在 TPn 或 TCKn 双沿输入捕捉
11:输入捕捉除能
定时 / 计数器模式
未使用
此两位用于决定在一定条件达到时 TMn 输出脚如何改变状态。这两位值的选择
决定 TMn 运行在哪种模式下。
在比较匹配输出模式下,TnIO1 和 TnIO0 位决定当从比较器 A 比较匹配输出发
生时 TMn 输出脚如何改变状态。当从比较器 A 比较匹配输出发生时 TMn 输出
脚能设为切换高、切换低或翻转当前状态。若此两位同时为 0 时,这个输出将
不会改变。TMn 输出脚的初始值通过 TMnC1 寄存器的 TnOC 位设置取得。注意,
由 TnIO1 和 TnIO0 位得到的输出电平必须与通过 TnOC 位设置的初始值不同,
否则当比较匹配发生时,TMn 输出脚将不会发生变化。在 TMn 输出脚改变状态
后,通过 TnON 位由低到高电平的转换复位至初始值。
102
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
在 PWM 模式,TnIO1 和 TnIO0 用于决定比较匹配条件发生时怎样改变 TMn 输
出脚的状态。PWM 输出功能通过这两位的变化进行更新。必须在 TMn 关闭时
才能改变 TnIO1 和 TnIO0 位的值。若在 TMn 运行时改变 TnIO1 和 TnIO0 的值,
PWM 输出的值是无法预料的。
Rev. 1.30
Bit 3
TnOC:TMn TPn 输出控制位
比较匹配输出模式
0:初始低
1:初始高
PWM 模式 / 单脉冲输出模式
0:低有效
1:高有效
这是 TMn 输出脚输出控制位。它取决于 TMn 此时正运行于比较匹配输出模式
还是 PWM 模式 / 单脉冲输出模式。若 TMn 处于定时 / 计数器模式,则其不受
影响。在比较匹配输出模式时,比较匹配发生前其决定 TMn 输出脚的逻辑电平
值。在 PWM 模式 / 单脉冲输出时,其决定 PWM 信号是高有效还是低有效。
Bit 2
TnPOL:TMn TPn 输出极性控制位
0:同相
1:反相
此位控制 TPn 输出脚的极性。此位为高时 TMn 输出脚反相,为低时 TMn 输出
脚同相。若 TMn 处于定时 / 计数器模式时其不受影响。
Bit 1
TnCAPTS:选择 TMn 捕捉触发源
0:来自 TPn 引脚
1:来自 TCKn 引脚
Bit 0
TnCCLR:选择 TMn 计数器清零条件位
0:比较器 P 匹配
1:比较器 A 匹配
此位用于选择清除计数器的方法。周期型 TM 包括两个比较器 - 比较器 A 和比
较器 P。这两个比较器每个都可以用作清除内部计数器。TnCCLR 位设为高,
计数器在比较器 A 比较匹配发生时被清除;此位设为低,计数器在比较器 P 比
较匹配发生或计数器溢出时被清除。计数器溢出清除的方法仅在 CCRP 被清除
为 0 时才能生效。TnCCLR 位在 PWM,单脉冲或输入捕捉模式时未使用。
103
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
周期型 TM 工作模式
周期型 TM 有五种工作模式,即比较匹配输出模式、PWM 输出模式、单脉冲
输出模式、捕捉输入模式或定时 / 计数器模式。通过设置 TMnC1 寄存器的
TnM1 和 TnM0 位选择任意模式。
比较匹配输出模式
为使 TM 工作在此模式,TMnC1 寄存器的 TnM1 和 TnM0 位需要设置为“00”。
当工作在该模式,一旦计数器使能并开始计数,有三种方法来清零,分别是:
计数器溢出,比较器 A 比较匹配发生和比较器 P 比较匹配发生。当 TnCCLR 位
为低,有两种方法清除计数器。一种是比较器 P 比较匹配发生,另一种是
CCRP 所有位设置为零并使得计数器溢出。此时,比较器 A 和比较器 P 的请求
标志位 TnAF 和 TnPF 将分别置起。
如果 TMnC1 寄存器的 TnCCLR 位设置为高,当比较器 A 比较匹配发生时计数
器被清零。此时,即使 CCRP 寄存器的值小于 CCRA 寄存器的值,仅 TnAF 中
断请求标志产生。所以当 TnCCLR 为高时,不会产生 TnPF 中断请求标志。在
比较匹配输出模式中,CCRA 寄存器值不能设为“0”。
正如该模式名所言,当比较匹配发生后,TMn 输出脚状态改变。当比较器 A 比
较匹配发生后 TnAF 中断请求标志产生时,TM 输出脚状态改变。比较器 P 比
较匹配发生时产生的 TnPF 标志不影响 TMn 输出脚。TMn 输出脚状态改变方式
由 TMnC1 寄存器中 TnIO1 和 TnIO0 位决定。当比较器 A 比较匹配发生时,
TnIO1 和 TnIO0 位决定 TMn 输出脚输出高,低或翻转当前状态。TMn 输出脚
初始值,既可以通过 TnON 位由低到高电平的变化设置,也可以由 TnOC 设置。
注意,若 TnIO1 和 TnIO0 位同时为 0 时,引脚输出不变。
Rev. 1.30
104
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
Counter overflow
CCRP=0
0x3FF
TnCCLR = 0; TnM [1:0] = 00
CCRP > 0
Counter cleared by CCRP value
CCRP > 0
Counter
Restart
Resume
CCRP
Pause
CCRA
Stop
Time
TnON
TnPAU
TnPOL
CCRP Int. Flag
TnPF
CCRA Int. Flag
TnAF
TMn O/P
Pin
Output pin set to
initial Level Low
if TnOC=0
Output not affected by TnAF
flag. Remains High until reset
by TnON bit
Output Toggle with
TnAF flag
Here TnIO [1:0] = 11
Toggle Output select
Note TnIO [1:0] = 10
Active High Output select
Output Inverts
when TnPOL is high
Output Pin
Reset to Initial value
Output controlled by
other pin-shared function
比较匹配输出模式 -- TnCCLR = 0
注: 1. TnCCLR=0,比较器 P 匹配将清除计数器
2. TMn 输出脚仅由 TnAF 标志位控制
3. 在 TnON 上升沿 TMn 输出脚复位至初始值
4. n=0 或 1 适用于 HT66F0175,n=1 适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
105
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
TnCCLR = 1; TnM [1:0] = 00
CCRA = 0
Counter overflow
CCRA > 0 Counter cleared by CCRA value
0x3FF
CCRA=0
Resume
CCRA
Pause
Stop
Counter Restart
CCRP
Time
TnON
TnPAU
TnPOL
No TnAF flag
generated on
CCRA overflow
CCRA Int. Flag
TnAF
CCRP Int. Flag
TnPF
TMn O/P
Pin
TnPF not
generated
Output pin set to
initial Level Low
if TnOC=0
Output does
not change
Output Toggle with
TnAF flag
Here TnIO [1:0] = 11
Toggle Output select
Output not affected by TnAF
flag. Remains High until reset
by TnON bit
Note TnIO [1:0] = 10
Active High Output select
Output Inverts
when TnPOL is high
Output Pin
Reset to Initial value
Output controlled by
other pin-shared function
比较匹配输出模式 -- TnCCLR = 1
注: 1. TnCCLR=1,比较器 A 匹配将清除计数器
2. TMn 输出脚仅由 TnAF 标志位控制
3. 在 TnON 上升沿 TMn 输出脚复位至初始值
4. 当 TnCCLR=1 时,不会产生 TnPF 标志
5. n=0 或 1 适用于 HT66F0175,n=1 适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
106
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
定时 / 计数器模式
为使 TM 工作在此模式,TMnC1 寄存器的 TnM1 和 TnM0 位需要设置为“11”。
定时 / 计数器模式与比较输出模式操作方式相同,并产生同样的中断请求标志。
不同的是,在定时 / 计数器模式下 TMn 输出脚未使用。因此,比较匹配输出模
式中的描述和时序图可以适用于此功能。该模式中未使用的 TM 输出脚用作普
通 I/O 脚或其它功能。
PWM 输出模式
为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为
“10”,且 TnIO1 和 TnIO0 位也需要设置为“10”。TMn 的 PWM 功能在马达
控制,加热控制,照明控制等方面十分有用。给 TMn 输出脚提供一个频率固定
但占空比可调的信号,将产生一个有效值等于 DC 均方根的 AC 方波。
由于 PWM 波形的周期和占空比可调,其波形的选择就极其灵活。在 PWM 模
式中,TnCCLR 位不影响 PWM 周期。CCRA 和 CCRP 寄存器决定 PWM 波形,
一个用来清除内部计数器并控制 PWM 波形的频率,另一个用来控制占空比。
PWM 波形的周期和占空比由 CCRP 和 CCRA 寄存器的值控制。
当比较器 A 或比较器 P 比较匹配发生时,将产生 CCRA 或 CCRP 中断标志。
TMnC1 寄存器中的 TnOC 位决定 PWM 波形的极性,TnIO1 和 TnIO0 位使能
PWM 输出或将 TMn 输出脚置为逻辑高或逻辑低。TnPOL 位对 PWM 输出波形
的极性取反。
● 10-bit PTM,PWM 模式
CCRP
周期
占空比
1~ 1023
1~ 1023
0
1024
CCRA
若 fSYS=16MHz,TM 时钟源选择 fSYS/4,CCRP=512 且 CCRA=128,
TMn PWM 输出频率 =(fSYS/4)/512=fSYS/2048=7.8125kHz,duty=128/512=25%,
若由 CCRA 寄存器定义的 Duty 值等于或大于 Period 值,PWM 输出占空比为
100%。
Rev. 1.30
107
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
TnM [1:0] = 10
Counter cleared
by CCRP
Counter Reset when
TnON returns high
CCRP
Pause Resume
CCRA
Counter Stop if
TnON bit low
Time
TnON
TnPAU
TnPOL
CCRA Int. Flag
TnAF
CCRP Int. Flag
TnPF
TMn O/P Pin
(TnOC=1)
TMn O/P Pin
(TnOC=0)
PWM Duty Cycle
set by CCRA
PWM Period
set by CCRP
PWM resumes
operation
Output controlled by
Output Inverts
other pin-shared function
When TnPOL = 1
PWM 模式
注: 1. CCRP 清除计数器
2. 计数器清除并决定 PWM 周期
3. 当 TnIO[1:0]=00 或 01,PWM 功能不变
4. TnCCLR 位对 PWM 功能无影响
5. n=0 或 1 适用于 HT66F0175,n=1 适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
108
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
单脉冲输出模式
为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为
“10”,同时 TnIO1 和 TnIO0 位需要设置为“11”。正如模式名所言,单脉冲
输出模式,在 TMn 输出脚将产生一个脉冲输出。
脉冲输出可以通过应用程序控制 TnON 位由低到高的转变来触发。而处于单脉
冲模式时,TnON 位在 TCKn 脚自动由低转变为高,进而初始化单脉冲输出状
态。当 TnON 位转变为高电平时,计数器将开始运行,并产生脉冲前沿。当脉
冲有效时 TnON 位保持高电平。通过应用程序使 TnON 位清零或比较器 A 比较
匹配发生时,产生脉冲下降沿。
然而,比较器 A 比较匹配发生时,会自动清除 TnON 位并产生单脉冲输出下降
沿。CCRA 的值通过这种方式控制脉冲宽度。比较器 A 比较匹配发生时,也会
产生 TMn 中断。TnON 位在计数器重启时会发生由低到高的转变,此时计数器
才复位至零。在单脉冲模式中,CCRP 寄存器,TnCCLR 位未使用。
S/W Command
SET“TnON”
or
TCKn Pin
Transition
CCRA
Leading Edge
CCRA
Trailing Edge
TnON bit
0à1
TnON bit
1à0
S/W Command
CLR“TnON”
or
CCRA Compare
Match
TPn Output Pin
Pulse Width = CCRA Value
单脉冲产生示意图
Rev. 1.30
109
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
TnM [1:0] = 10 ; TnIO [1:0] = 11
Counter stopped
by CCRA
Counter Reset when
TnON returns high
CCRA
Pause
Counter Stops
by software
Resume
CCRP
Time
TnON
Software
Trigger
Auto. set by
TCKn pin
Cleared by
CCRA match
TCKn pin
Software
Trigger
Software
Trigger
Software
Clear
Software
Trigger
TCKn pin
Trigger
TnPAU
TnPOL
No CCRP Interrupts
generated
CCRP Int. Flag
TnPF
CCRA Int. Flag
TnAF
TMn O/P Pin
(TnOC=1)
TMn O/P Pin
(TnOC=0)
Pulse Width
set by CCRA
Output Inverts
when TnPOL = 1
单脉冲模式
注: 1. 通过 CCRA 匹配停止计数器
2. CCRP 未使用
3. 通过 TCKn 脚或设置 TnON 位为高来触发脉冲
4. TCKn 脚有效沿会自动置位 TnON
5. 单脉冲模式中,TnIO[1:0] 需置位“11”,且不能更改。
6. n=0 或 1 适用于 HT66F0175,n=1 适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
110
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
捕捉输入模式
为使 TM 工作在此模式,TMnC1 寄存器的 TnM1 和 TnM0 位需要设置为“01”。
此模式使能外部信号捕捉并保存内部计数器当前值,因此被用于诸如脉冲宽度
测量的应用中。TPn 或 TCKn 引脚上的外部信号,通过设置 TMnC1 寄存器的
TnCAPTS 位选择。可通过设置 TMnC1 寄存器的 TnIO1 和 TnIO0 位选择有效边
沿类型,即上升沿,下降沿或双沿有效。计数器在 TnON 位由低到高转变时启
动并通过应用程序初始化。
当 TPn 或 TCKn 引脚出现有效边沿转换时,计数器当前值被锁存到 CCRA 寄存
器,并产生 TMn 中断。不考虑 TPn 或 TCKn 引脚事件,计数器继续工作直到
TnON 位发生下降沿跳变。当 CCRP 比较匹配发生时计数器复位至零;CCRP
的值通过这种方式控制计数器的最大值。当比较器 P CCRP 比较匹配发生时,
也会产生 TMn 中断。记录 CCRP 溢出中断信号的值可以测量长脉宽。通过设置
TnIO1 和 TnIO0 位选择 TPn 或 TCKn 引脚为上升沿,下降沿或双沿有效。不考
虑 TPn 或 TCKn 引脚事件,如果 TnIO1 和 TnIO0 位都设为高,不会产生捕捉操
作,但计数器继续运行。
当 TPn 或 TCKn 引脚与其它功能共用,TMn 工作在输入捕捉模式时需多加注意。
这是因为如果引脚被设为输出,那么该引脚上的任何电平转变都可能执行输入
捕捉操作。TnCCLR,TnOC 和 TnPOL 位在此模式中未使用。
Rev. 1.30
111
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Counter Value
TnM [1:0] = 01
Counter cleared
by CCRP
Counter Counter
Stop
Reset
CCRP
YY
Pause
Resume
XX
Time
TnON
TnPAU
Active
edge
Active
edge
Active edge
TMn capture pin
TPn or TCKn
CCRA Int. Flag
TnAF
CCRP Int. Flag
TnPF
CCRA
Value
TnIO [1:0]
Value
XX
00 – Rising edge
YY
01 – Falling edge
XX
10 – Both edges
YY
11 – Disable Capture
捕捉输入模式
注: 1. TnM[1:0]=01 并通过 TnIO[1:0] 位设置有效边沿
2. TMn 捕捉输入脚的有效边沿将计数器的值转移到 CCRA 中
3.TnCCLR 位未使用
4. 无输出功能 -TnOC 和 TnPOL 位未使用
5. 计数器值由 CCRP 决定,在 CCRP 为“0”时,计数器计数值可达最大
6. n=0 或 1 适用于 HT66F0175,n=1 适用于 HT66F0185
Rev. 1.30
112
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
A/D 转换器
对于大多数电子系统而言,处理现实世界的模拟信号是共同的需求。为了完全
由单片机来处理这些信号,首先需要通过 A/D 转换器将模拟信号转换成数字信
号。将 A/D 转换器电路集成入单片机,可有效的减少外部器件,随之而来,具
有降低成本和减少器件空间需求的优势。
A/D 简介
此系列单片机包含一个多通道的 A/D 转换器,它们可以直接接入外部模拟信号
(来自传感器或其它控制信号)或内部模拟信号 (Bandgap 参考电压 ) 并直接将
这些信号转换成 12 位的数字量。选择转换外部或内部模拟信号由 SAINS2~
SAINS0 位和 SACS2~ SACS0 位共同控制。注意,当外部和内部模拟信号同时
要转换,内部模拟信号有更高优先级。若要转换内部模拟信号时,已选的外部
输入通道会自动断开以避免故障。关于 A/D 输入信号的详细描述请参考“A/D
转换寄存器介绍”和“A/D 输入引脚”两节内容。
下图显示了 A/D 转换器内部结构和相关的寄存器。
单片机
外部输入通道
内部模拟信号
HT66F0175
AN0~ AN7
VDD, VDD/2, VDD/4, VR, VR/2, VR/4
HT66F0185
AN0~ AN7
VDD, VDD/2, VDD/4, VR, VR/2, VR/4
VDD
fSYS
ACE7~ACE0
SACS2~SACS0
AN0
AN1
SACKS2~
SACKS0
A/D 信号选择位
SAINS2~ SAINS0;
SACS2~ SACS0
SAINS2~ SAINS0;
SACS2~ SACS0
÷ 2N
ADCEN
(N=0~7)
VSS
A/D Clock
SADOL
A/D Converter
AN7
ADRFS
SADOH
A/D Data
Registers
A/D Reference Voltage
START
ADBZ
ADCEN
VREF
SAINS2~SAINS0
VDD
VDD/2
VDD/4
VR
VR/2
VR/4
SAVRS3~SAVRS0
VBG
VRI
PGA
VREFI
(Gain=1~4)
VREFIPS
ADPGAEN
VREFPS
VDD
VR
A/D 转换器结构
Rev. 1.30
113
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
A/D 转换寄存器介绍
A/D 转换器的所有工作由六个寄存器控制。一对只读寄存器来存放 12 位 A/D
转换数据的值。一个寄存器 ACERL 来配置外部模拟输入引脚功能。剩下三个
控制寄存器设置 A/D 转换器的操作和控制功能。
位
寄存器
名称
7
6
5
4
3
2
1
0
SADOL(ADRFS=0)
D3
D2
D1
D0
-
-
-
-
SADOL(ADRFS=1)
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
SADOH(ADRFS=0)
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
SADOH(ADRFS=1)
-
-
-
-
D11
D10
D9
D8
SADC0
START
ADBZ
ADCEN
ADRFS
-
SACS2
SACS1
SACS0
SADC1
SAINS2
SAINS1
SAINS0
-
-
SADC2
ACERL
SACKS2 SACKS1 SACKS0
ADPGAEN VBGEN VREFIPS VREFPS SAVRS3 SAVRS2 SAVRS1 SAVRS0
ACE7
ACE6
ACE5
ACE4
ACE3
ACE2
ACE1
ACE0
A/D 转换寄存器列表
A/D 转换器数据寄存器 – SADOL,SADOH
对于具有 12 位 A/D 转换器的芯片,需要两个数据寄存器存放转换结果,一个
高字节寄存器 SADOH 和一个低字节寄存器 SADOL。在 A/D 转换完毕后,单
片机可以直接读取这些寄存器以获得转换结果。由于寄存器只使用了 16 位中的
12 位,其数据存储格式由 SADC0 寄存器的 ADRFS 位控制,如下表所示。D0~
D11 是 A/D 换转数据结果位。未使用的位读为“0”。当 A/D 转换器除能时,
数据寄存器的值将保持不变。
SADOH
SADOL
ADRFS
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
0
D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 0
0
0
0
1
0
0
0
0 D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
A/D 转换器数据寄存器
A/D 转换控制寄存器 – SADC0,SADC1,SADC2,ACERL
寄存器 SADC0、SADC1 和 SADC2 用来控制 A/D 转换器的功能和操作。这些 8
位的寄存器定义包括选择连接至内部 A/D 转换器的模拟通道,数字化数据格式,
A/D 时钟源,并控制和监视 A/D 转换器的忙碌状态。由于每个单片机只包含一
个实际的模数转换电路,因此这些外部和内部模拟信号中的每一个都需要分别
被发送到转换器。SADC0 寄存器中的 SACS2~ SACS0 位用于选择哪个外部模
拟输入通道被连接到内部 A/D 转换器。SADC1 寄存器中的 SAINS2~ SAINS0
位用于选择外部模拟输入通道或内部模拟信号被连接到内部 A/D 转换器。若
SAINS2~ SAINS0 位为“000”或“100”,则选择转换外部模拟输入信号,具
体 通 道 编 号 由 SACS2~ SACS0 位 决 定。 若 SAINS2~ SAINS0 位 为“000” 和
“100”以外的其它值,则选择转换内部模拟信号,这些信号可以来自 A/D 转
换器电源 VDD 或内部参考电压 VR 的分压,分压比为 1、1/2 或 1/4。当选择内部
模拟信号时,外部输入通道会自动关闭以避免信号冲突。
Rev. 1.30
114
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
SAINS[2:0]
000, 100
001
010
011
101
110
111
SACS[2:0]
000~ 111
xxx
xxx
xxx
xxx
xxx
xxx
输入信号
AN0~ AN7
VDD
VDD/2
VDD/4
VR
VR/2
VR/4
描述
外部模拟通道输入
A/D 转换器电源电压
A/D 转换器电源电压 /2
A/D 转换器电源电压 /4
内部参考电压
内部参考电压 /2
内部参考电压 /4
A/D 转换器输入信号选择
ACERL 寄存器中的模拟输入引脚功能选择位用来定义 I/O 端口中的哪些引脚为
A/D 转换器的模拟输入,哪些引脚不作为 A/D 转换输入。当引脚作为 A/D 输入时,
其原来的 I/O 或其它引脚共用功能消失,此外,其内部上拉电阻也将自动断开。
SADC0 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
START
R/W
0
6
5
4
ADBZ ADCEN ADRFS
R
R/W
R/W
0
0
0
3
-
-
-
2
SACS2
R/W
0
1
SACS1
R/W
0
0
SACS0
R/W
0
Bit 7
START:启动 A/D 转换位
0→1→0:启动
此位用于初始化 A/D 转换过程。通常此位为低,但如果设为高再被清零,将初
始化 A/D 转换过程。
Bit 6
ADBZ:A/D 转换忙碌标志位
0:A/D 转换结束或未开始转换
1:A/D 转换中
此位用于表明 A/D 转换过程是否正在进行。当 START 位由低变为高再变为低
时,ADBZ 位为高,表明 A/D 转换已初始化。A/D 转换结束后,此位被清零。
Bit 5
ADCEN:A/D 转换器使能控制位
0:除能
1:使能
此位控制 A/D 内部功能。该位被置高将使能 A/D 转换器。如果该位设为低将关
闭 A/D 转换器以降低功耗。当 A/D 转换器除能时,A/D 数据寄存器 SADOH 和
SADOL 的内容将保持不变。
Bit 4
ADRFS:A/D 转换数据格式选择位
0:A/D 转换数据格式 →SADOH=D[11:4]; SADOL=D[3:0]
1:A/D 转换数据格式 →SADOH=D[11:8]; SADOL=D[7:0]
此位控制存放在两个 A/D 数据寄存器中的 12 位 A/D 转换结果的格式。细节方
面请参考 A/D 数据寄存器章节。
Bit 3
未定义,读为“0”
Bit 2~ 0
SACS2~ SACS0:A/D 外部模拟通道输入选择位
000:AN0
001:AN1
010:AN2
011:AN3
100:AN4
101:AN5
110:AN6
111:AN7
115
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
SADC1 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
6
5
SAINS2 SAINS1 SAINS0
R/W
R/W
R/W
0
0
0
4
-
-
-
3
-
-
-
2
SACKS2
R/W
0
1
SACKS1
R/W
0
0
SACKS0
R/W
0
Bit 7~ 5
SAINS2~ SAINS0:A/D 输入信号选择位
000, 100:外部信号 – 外部模拟通道输入
001:内部信号 – 内部 A/D 转换器电源电压 VDD
010:内部信号 – 内部 A/D 转换器电源电压 VDD/2
011:内部信号 – 内部 A/D 转换器电源电压 VDD/4
101:内部信号 – 内部参考电压 VR
110:内部信号 – 内部参考电压 VR/2
111:内部信号 – 内部参考电压 VR/4
当选择内部模拟信号时,无论 SACS2~ SACS0 为何值,外部通道输入信号都会
自动关闭。内部参考电压可通过 SADC2 寄存器中的 SAVRS3~ SAVRS0 位选择
不同的电压源。
Bit 4~ 3
未定义,读为“0”
Bit 2~ 0
SACKS2~ SACKS0:A/D 时钟源选择位
000:fSYS
001:fSYS/2
010:fSYS/4
011:fSYS/8
100:fSYS/16
101:fSYS/32
110:fSYS/64
111:fSYS/128
这三位用于选择 A/D 转换器的时钟源。
SADC2 寄存器
Bit
7
6
5
4
3
2
1
0
Name ADPGAEN VBGEN VREFIPS VREFPS SAVRS3 SAVRS2 SAVRS1 SAVRS0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
POR
0
0
0
0
0
0
0
0
Rev. 1.30
Bit 7
ADPGAEN:A/D 转换器 PGA 功能使能控制位
0:除能
1:使能
该位用于控制 A/D 转换器的内部 PGA 功能以提供不同的参考电压。当该位被置
高,内部参考电压 VR 可作为 A/D 转换器的内部转换信号或参考电压。如果内
部参考电压不用于 A/D 转换器,应正确配置 PGA 功能以减小功耗。
Bit 6
VBGEN:内部 Bandgap 参考电压使能控制位
0:除能
1:使能
该位用于控制 A/D 转换器的内部 Bandgap 电路的开启 / 关闭。当该位被置高,
Bandgap 参考电压可用于 A/D 转换器。如果 Bandgap 参考电压不用于 A/D 转换
器,而 LVD 或 LVR 功能关闭,单片机会自动关闭 Bandgap 参考电压以减小功耗。
当 Bandgap 参考电压用于 A/D 转换器,在执行 A/D 转换之前需要一定的 tBGS 时
间以稳定 Bandgap 电路。
116
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Bit 5
VREFIPS:VREFI 引脚选择位
0:除能 – 不选择 VREFI 引脚
1:使能 – 选择 VREFI 引脚
Bit 4
VREFPS:VREF 引脚选择位
0:除能 – 不选择 VREF 引脚
1:使能 – 选择 VREF 引脚
Bit 3~ 0
SAVRS3~ SAVRS0:A/D 转换器参考电压选择位
0000:VDD
0001:VREFI
0010:VREFI × 2
0011:VREFI × 3
0100:VREFI × 4
1001:保留,未使用 .
1010:VBG × 2
1011:VBG × 3
1100:VBG × 4
其它值:VDD
当 A/D 转换器参考电压选择内部 VBG 电压时,来自 VDD 或 VREFI 引脚的参考
电压会自动关闭。
ACERL 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
ACE7
R/W
1
6
ACE6
R/W
1
5
ACE5
R/W
1
4
ACE4
R/W
1
Bit 7
ACE7:定义 PB3 是否为 A/D 输入
0:不是 A/D 输入
1:A/D 输入,AN7
Bit 6
ACE6:定义 PA7 是否为 A/D 输入
0:不是 A/D 输入
1:A/D 输入,AN6
Bit 5
ACE5:定义 PA6 是否为 A/D 输入
0:不是 A/D 输入
1:A/D 输入,AN5
Bit 4
ACE4:定义 PA5 是否为 A/D 输入
0:不是 A/D 输入
1:A/D 输入,AN4
Bit 3
ACE3:定义 PA4 是否为 A/D 输入
0:不是 A/D 输入
1:A/D 输入,AN3
Bit 2
ACE2:定义 PB2 是否为 A/D 输入
0:不是 A/D 输入
1:A/D 输入,AN2
Bit 1
ACE1:定义 PB1 是否为 A/D 输入
0:不是 A/D 输入
1:A/D 输入,AN1
Bit 0
ACE0:定义 PB0 是否为 A/D 输入
0:不是 A/D 输入
1:A/D 输入,AN0
117
3
ACE3
R/W
1
2
ACE2
R/W
1
1
ACE1
R/W
1
0
ACE0
R/W
1
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
A/D 输入引脚
所有的 A/D 模拟输入引脚都与 I/O 引脚及其它功能共用。使用 ACERL 寄存器
中的相应引脚共用功能选择位,可以将它们设置为 A/D 转换器模拟输入脚或具
有其它功能。如果对应的引脚作为 A/D 转换输入,那么它原来的引脚功能将除
能。通过这种方式,引脚的功能可由程序来控制,灵活地切换引脚功能。如果
将引脚设为 A/D 输入,则通过寄存器编程设置的所有上拉电阻会自动断开。请
注意,端口控制寄存器不需要为使能 A/D 输入而先设定为输入模式,当 A/D 输
入功能选择位使能 A/D 输入时,端口控制寄存器的状态将被重置。
A/D 转换器有自己的参考电压引脚 VREFI,而通过设置 SADC2 寄存器中的
SAVRS3~ SAVRS0 位,参考电压也可以选择来自电源电压引脚或内部 Bandgap
电路。所选的 A/D 参考电压可以输出到 VREF 引脚。模拟输入值一定不能超过
VREF 值。请注意,在使用参考电压引脚功能前,SADC2 寄存器中的 VREFI 或
VREF 引脚功能选择位必须被合理设置。
A/D 转换器参考电压
A/D 转换器参考电压来自正电源电压引脚 VDD、外部参考源引脚 VREFI 或内
部 Bandgap 参考源,所选的参考电压源除了来自 VDD 的以外,都可通过可编程
增益放大器进行放大,PGA 增益可以为 1、2、3 或 4,可通过 SADC2 寄存器
中的 SAVRS3~ SAVRS0 位及相关引脚共用功能选择位来选择。注意,所选的参
考电压将会输出到 VREF 引脚。由于 VREFI 和 VREF 引脚都与其它功能共用,
当选择 VREFI 或 VREF 参考电压时,需合理设置相关引脚功能选择位选择
VREFI 或 VREF 引脚功能且除能其它共用引脚功能。
A/D 操作
SADC0 寄存器中的 START 位,用于打开 A/D 转换器。当单片机设置此位从逻
辑低到逻辑高,然后再到逻辑低,就会开始一个模数转换周期。
SADC0 寄存器中的 ADBZ 位用于表明模数转换过程是否正在进行。A/D 转换
成功启动后,ADBZ 位会被单片机自动置为 1。在转换周期结束后,ADBZ 位
会自动置为 0。此外,也会置位中断控制寄存器内相应的 A/D 中断请求标志位,
如果中断使能,就会产生对应的内部中断信号。A/D 内部中断信号将引导程序
跳转到相应的 A/D 内部中断地址。如果 A/D 内部中断被禁止,可以让单片机轮
询 SADC0 寄存器中的 ADBZ 位,检查此位是否被清除,作为另一种侦测 A/D
转换周期结束的方法。
A/D 转换器的时钟源为系统时钟 fSYS 或其分频,而分频系数由 SADC1 寄存器中
的 SACKS2~ SACKS0 位决定。虽然 A/D 时钟源是由系统时钟 fSYS 和 SACKS2~
SACKS0 位决定,但可选择的最大 A/D 时钟源则有一些限制。由于允许的 A/D
时钟周期 tADCK 的范围为 0.5µs~ 10µs,所以选择系统时钟速度时就必须小心。
如果系统时钟速度为 8MHz 时,SACKS2~ SACKS0 位不能设为“000”、“001”
或“111”。必须保证设置的 A/D 转换时钟周期不小于时钟周期的最小值,否
则将会产生不准确的 A/D 转换值。使用者可以参考下面的表格,被标上星号 *
的数值是不允许的,因为它们的 A/D 转换时钟周期小于规定的最小值。
Rev. 1.30
118
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
fSYS
1MHz
2MHz
A/D 时钟周期 (tADCK)
SACKS
SACKS
SACKS
SACKS
SACKS
SACKS
SACKS
[2:0]= 000 [2:0]= 001 [2:0]= 010 [2:0]= 011 [2:0]= 100 [2:0]= 101 [2:0]= 110
(fSYS)
(fSYS/2)
(fSYS/4)
(fSYS/8)
(fSYS/16)
(fSYS/62)
(fSYS/64)
1μs
2μs
4μs
8μs
16μs *
32μs *
64μs *
500ns
1μs
2μs
4μs
8μs
16μs *
32μs *
SACKS
[2:0]= 111
(fSYS/128)
128μs *
64μs *
4MHz
250ns *
500ns
1μs
2μs
4μs
8μs
16μs *
32μs *
8MHz
125ns *
250ns *
500ns
1μs
2μs
4μs
8μs
16μs *
12MHz
83ns *
167ns *
333ns *
667ns
1.33μs
2.67μs
5.33μs
10.67μs *
16MHz
62.5ns *
125ns *
250ns *
500ns
1μs
2μs
4μs
8μs
20MHz
50ns *
100ns *
200ns *
400ns *
800ns
1.6μs
3.2μs
6.4μs
A/D 时钟周期范例
SADC0 寄存器中的 ADCEN 位用于控制 A/D 转换电路电源的开启和关闭。该
位必须置高以开启 A/D 转换器电源。当设置 ADCEN 位为高开启 A/D 转换器内
部电路时,在 A/D 转换成功开启前需一段延时。即使选择无引脚作为 A/D 输入,
如果 ADCEN 设为“1”,那么仍然会产生功耗。因此在功耗敏感的应用中,当
未使用 A/D 转换器功能时,建议设置 ADCEN 为低以减少功耗。
A/D 转换率及时序图
一个完整的 A/D 转换包含两部分,数据采样和数据转换。数据采样时间定义为
tADS,需要 4 个 A/D 时钟周期,而数据转换需要 12 个 A/D 时钟周期。所以一个
完整的 A/D 转换时间,tADC,一共需要 16 个 A/D 时钟周期。
最大 A/D 转换率 =A/D 时钟周期 /16
下列时序图表示模数转换过程中不同阶段的图形与时序。由应用程序控制开始
A/D 转换过程后,单片机的内部硬件就会开始进行转换,在这个过程中,程序
可以继续其它功能。A/D 转换时间为 16tADCK,tADCK 为 A/D 时钟周期。
tON2ST
ADCEN
off
on
off
A/D sampling time
tADS
A/D sampling time
tADS
Start of A/D conversion
Start of A/D conversion
on
START
ADBZ
SACS[2:0]
(SAINS =000B)
End of A/D
conversion
011B
A/D channel
switch
End of A/D
conversion
010B
tADC
A/D conversion time
Start of A/D conversion
000B
tADC
A/D conversion time
001B
tADC
A/D conversion time
A/D 转换时序图
Rev. 1.30
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
A/D 转换步骤
下面概述实现 A/D 转换过程的各个步骤。
● 步骤 1
通过 SADC1 寄存器中的 SACKS2~ SACKS0 位,选择所需的 A/D 转换时钟。
● 步骤 2
将 SADC0 寄存器中的 ADCEN 位置高使能 A/D。
● 步骤 3
通过 SADC1 寄存器中的 SAINS2~ SAINS0 位,选择连接至内部 A/D 转换器
的信号。
若选择外部通道输入,接着执行步骤 4。
若选择内部模拟信号,接着执行步骤 5。
● 步骤 4
若已通过 SAINS2~ SAINS0 位选择 A/D 输入信号来自外部通道输入,接着应
设置相关的引脚共用功能控制位将该引脚规划为 A/D 输入引脚。通过设置
SACS2~ SACS0 位选择哪个外部通道接至 A/D 转换器。接着执行步骤 6。
● 步骤 5
若已通过 SAINS2~ SAINS0 位选择 A/D 输入信号来自内部模拟信号,无论
SACS2~ SACS0 为何值,外部通道输入都会自动断开。接着执行步骤 6。
● 步骤 6
通过 SAVRS3~ SAVRS0 位选择参考电压。
● 步骤 7
设置 ADRFS 位选择 A/D 转换器输出数据格式。
● 步骤 8
如果要使用中断,则中断控制寄存器需要正确地设置,以确保 A/D 中断功能
是激活的。总中断控制位 EMI 需要置位为“1”,以及 A/D 转换器中断位
ADE 也需要置位为“1”。
● 步骤 9
现在可以通过设置 SADC0 寄存器中的 START 位从“0”到“1”再回到“0”,
开始模数转换的过程。
● 步骤 10
如果 A/D 转换正在进行中,ADBZ 位会被置为逻辑高。A/D 转换完成后,
ADBZ 位会被置为逻辑低,并可从 SADOH 和 SADOL 寄存器中读取输出数据。
注:若使用轮询 SADC0 寄存器中 ADBZ 位的状态的方法来检查转换过程是否结束时,则中
断使能的步骤可以省略。
Rev. 1.30
120
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
编程注意事项
在编程时,如果 A/D 转换器未使用,通过设置 SADC0 寄存器中的 ADCEN 为低,
关闭 A/D 内部电路以减少电源功耗。此时,不考虑输入脚的模拟电压,内部 A/
D 转换器电路不产生功耗。如果 A/D 转换器输入脚用作普通 I/O 脚,必须特别
注意,输入电压为无效逻辑电平也可能增加功耗。
A/D 转换功能
该系列单片机含有一组 12 位的 A/D 转换器,它们转换的最大值可达 FFFH。由
于模拟输入最大值等于 VREF 的电压值,因此每一位可表示 VREF/4096 的模拟输
入值。
1 LSB=VREF÷4096
通过下面的等式可估算 A/D 转换器输入电压值:
A/D 输入电压 =A/D 数字输出值 ×VREF÷4096
下图显示 A/D 转换器模拟输入值和数字输出值之间理想的转换功能。除了数字
化数值 0,其后的数字化数值会在精确点之前的 0.5 LSB 处改变,而数字化数
值的最大值将在 VREF 之前的 1.5 LSB 处改变。
理想的 A/D 转换功能
Rev. 1.30
121
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
A/D 转换应用范例
下面两个范例程序用来说明怎样使用 A/D 转换。第一个范例是轮询 SADC0 寄
存器中的 ADBZ 位来判断 A/D 转换是否完成;第二个范例则使用中断的方式判
断。
范例 1:使用查询 ADBZ 的方式来检测转换结束
clr ADE
; disable ADC interrupt
mov a,03H
mov SADC1,a
; select fSYS/8 as A/D clock and switch off VBG voltage
set ADCEN
mov a,03H
; setup ACERL to configure pin AN0
mov ACERL,a
mov a,20H
mov SADC0,a
; enable and connect AN0 channel to A/D converter
:
start_conversion:
clr START
; high pulse on start bit to initiate conversion
set START
; reset A/D
clr START
; start A/D
:
polling_EOC:
sz ADBZ
; poll the SADC0 register ADBZ bit to detect end of A/D
; conversion
jmp polling_EOC
; continue polling
:
mov a,SADOL
; read low byte conversion result value
mov SADOL _buffer,a ; save result to user defined register
mov a,SADOH
; read high byte conversion result value
mov SADOH _buffer,a ; save result to user defined register
:
jmp start_conversion; start next A/D conversion
Rev. 1.30
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
范例 2:使用中断的方式来检测转换结束
clr ADE
;
mov a,03H
mov SADC1,a
;
set ADCEN
mov a,03H
;
mov ACERL,a
mov a,20H
mov SADC0,a
;
:
Start_conversion:
clr START
;
set START
;
clr START
;
clr ADF
;
set ADE
;
set EMI
;
:
:
ADC_ISR:
;
mov acc_stack,a
;
mov a,STATUS
mov status_stack,a ;
:
mov a, SADOL
;
mov SADOL _buffer,a ;
mov a, SADOH
;
mov SADOH _buffer,a ;
:
EXIT_INT_ISR:
mov a,status_stack
mov STATUS,a
;
mov a,acc_stack
;
reti
Rev. 1.30
disable ADC interrupt
select fSYS/8 as A/D clock and switch off VBG voltage
setup ACERL to configure pin AN0
enable and connect AN0 channel to A/D converter
high pulse on START bit to initiate conversion
reset A/D
start A/D
clear ADC interrupt request flag
enable ADC interrupt
enable global interrupt
ADC interrupt service routine
save ACC to user defined memory
save STATUS to user defined memory
read
save
read
save
low byte conversion result value
result to user defined register
high byte conversion result value
result to user defined register
restore STATUS from user defined memory
restore ACC from user defined memory
123
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
串行接口模块 – SIM
该系列单片机内有一个串行接口模块,包括两种易与外部设备通信的串行接口:
四线 SPI 或两线 I2C 接口。这两种接口具有相当简单的通信协议,单片机可以
通过这些接口与传感器、闪存或 EEPROM 内存等硬件设备通信。SIM 接口的
引脚与 I/O 引脚共用,所以要使用 SIM 功能时应先通过相应的引脚功能选择位
选择 SIM 功能。因为这两种接口共用引脚和寄存器,所以要通过一个 SIMC0
寄存器中的 SIM2~ SIM0 位来选择哪一种通信接口。若 SIM 功能使能,可通过
上拉电阻控制寄存器选择与输入 / 输出口共用的 SIM 脚的上拉电阻。
SPI 接口
SPI 接口常用于与外部设备如传感器、闪存或 EEPROM 内存等通信。四线 SPI
接口最初是由摩托罗拉公司研制,是一个有相当简单的通信协议的串行数据接
口,这个协议可以简化与外部硬件的编程要求。
SPI 通信模式为全双工模式,且能以主 / 从模式的工作方式进行通信,单片机既
可以做为主机,也可以做为从机。虽然 SPI 接口理论上允许一个主机控制多个
从机,但此处的 SPI 中只有一个片选信号引脚 SCS。若主机需要控制多个从机,
可使用输入 / 输出引脚选择从机。
SPI 接口操作
SPI 接口是一个全双工串行数据传输器。SPI 接口的四线为:SDI、SDO、SCK
和 SCS。SDI 和 SDO 是数据的输入和输出线。SCK 是串行时钟线,SCS 是从
机的选择线。SPI 的接口引脚与普通 I/O 口和 I2C 的功能脚共用。通过设定
SIMC0/SIMC2 寄存器的对应位和引脚功能选择位,来使能 SPI 接口。SPI 可以
通过 SIMC0 寄存器中的 SIMEN 位来除能或使能。连接到 SPI 接口的单片机以
从主 / 从模式进行通信,且主机完成所有的数据传输初始化,并控制时钟信号。
由于单片机只有一个 SCS 引脚,所以只能拥有一个从机设备。可通过软件控制
SCS 引脚使能与除能,设置 CSEN 位为“1”使能 SCS 功能,设置 CSEN 位为
“0”,SCS 引脚将处于浮空状态。
该系列单片机的 SPI 功能具有以下特点:
● 全双工同步数据传输
● 主从模式
● 最低有效位先传或最高有效位先传的数据传输模式
● 传输完成标志位
● 时钟源上升沿或下降沿有效
SPI 接 口 状 态 受 很 多 因 素 的 影 响, 如 单 片 机 处 于 主 机 或 从 机 的 工 作 模 式 和
CSEN,SIMEN 位的状态。
SPI 主 / 从机连接方式
Rev. 1.30
124
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
SPI 方框图
SPI 寄存器
有三个内部寄存器用于控制 SPI 接口的所有操作,其中有一个数据寄存器
SIMD、两个控制寄存器 SIMC0 和 SIMC2。注意,SIMC1 寄存器仅用于 I2C 接口。
位
寄存器
名称
7
6
5
4
3
2
1
0
SIMC0 SIM2 SIM1
SIM0
—
SIMDEB1 SIMDEB0 SIMEN SIMICF
SIMC2 D7
D6 CKPOLB CKEG
MLS
CSEN
WCOL
TRF
SIMD
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
SPI 寄存器列表
● SIMD 寄存器
SIMD 寄存器用于存储发送和接收的数据。这个寄存器由 SPI 和 I2C 功能所共用。
在单片机尚未将数据写入到 SPI 总线中时,要传输的数据应先存在 SIMD 中。
SPI 总线接收到数据之后,单片机就可以从 SIMD 数据寄存器中读取。所有通
过 SPI 传输或接收的数据都必须通过 SIMD 实现。
Bit
Name
R/W
POR
7
D7
R/W
×
6
D6
R/W
×
5
D5
R/W
×
4
D4
R/W
×
3
D3
R/W
×
2
D2
R/W
×
1
D1
R/W
×
0
D0
R/W
×
“×”为未知
该系列单片机中也有两个控制 SPI 接口功能的寄存器,SIMC0 和 SIMC2。应注
意的是 SIMC2 与 I2C 接口功能中的寄存器 SIMA 是同一个寄存器。SPI 功能不
会用到寄存器 SIMC1,SIMC1 只适用于 I2C 中。寄存器 SIMC0 用于控制使能 /
除能功能和设置数据传输的时钟频率。寄存器 SIMC2 用于其它的控制功能如
LSB/MSB 选择,写冲突标志位等。
Rev. 1.30
125
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
● SIMC0 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
SIM2
R/W
1
6
SIM1
R/W
1
5
SIM0
R/W
1
4
—
—
—
3
2
1
0
SIMDEB1 SIMDEB0 SIMEN SIMICF
R/W
R/W
R/W
R/W
0
0
0
0
Bit 7~ 5
SIM2~ SIM0:SIM 工作模式控制位
000:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/4
001:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/16
010:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/64
011:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fTBC
100:SPI 主机模式;SPI 时钟为 TM1 CCRP 匹配频率 /2
101:SPI 从机模式
110:I2C 从机模式
111:非 SIM 功能
这几位用于设置 SIM 功能的工作模式,用于选择 SPI 的主从模式和 SPI 的主机
时钟频率及 I2C 或 SPI 功能。SPI 时钟源可来自于系统时钟也可以选择来自
TM1。若选择的是作为 SPI 从机,则其时钟源从外部主机而得。
Bit 4
未定义,读为“0”
Bit 3~ 2
SIMDEB1~ SIMDEB0:I2C 去抖时间选择位
00:无去抖时间
01:2 个系统时钟去抖时间
1x:4 个系统时钟去抖时间
Bit 1
SIMEN:SIM 控制位
0:除能
1:使能
此 位 为 SIM 接 口 的 开 / 关 控 制 位。 此 位 为“0” 时,SIM 接 口 除 能,SDI、
SDO、SCK 和 SCS 或 SDA 和 SCL 脚将失去 SPI 或 I2C 功能,SIM 工作电流减
小到最小值。此位为“1”时,SIM 接口使能。若 SIM 经由 SIM2~ SIM0 位设置
为工作在 SPI 接口,当 SIMEN 位由低到高转变时,SPI 控制寄存器中的设置不
会发生变化,其首先应在应用程序中初始化。若 SIM 经由 SIM2~ SIM0 位设置
为工作在 I2C 接口,当 SIMEN 位由低到高转变时,I2C 控制寄存器中的设置,
如 HTX 和 TXAK,将不会发生变化,其首先应在应用程序中初始化,此时相关
I2C 标志,如 HCF、HAAS、HBB、SRW 和 RXAK,将被设置为其默认状态。
Bit 0
SIMICF:SIM 未完成标志位
0:未发生
1:发生
此位仅当 SIM 配置在 SPI 从机模式时有效。如果 SPI 工作在从机模式且 SIMEN
和 CSEN 位都为“1”,但在 SPI 数据传输完全结束前 SCS 线被外部主机拉高,
SIMICF 和 TRF 位都会被置高。在这种情况下,如果相应的中断功能使能将产
生一个中断。然而,如果 SIMICF 位是由软件应用程序设为 1,那么 TRF 位将
不会置高。
126
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
● SIMC2 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
D7
R/W
0
6
D6
R/W
0
5
4
CKPOLB CKEG
R/W
R/W
0
0
3
MLS
R/W
0
2
CSEN
R/W
0
1
WCOL
R/W
0
0
TRF
R/W
0
Bit 7~ 6
未定义位
用户可通过软件程序对这两位进行读写。
Bit 5
CKPOLB:SPI 时钟线的基础状态位
0:当时钟无效时,SCK 口为高电平
1:当时钟无效时,SCK 口为低电平
此位决定了时钟线的基础状态,当时钟无效时,若此位为高,SCK 为低电平,
若此位为低,SCK 为高电平。
Bit 4
CKEG:SPI 的 SCK 有效时钟边沿类型位
CKPOLB=0
0:SCK 为高电平且在 SCK 上升沿抓取数据
1:SCK 为高电平且在 SCK 下降沿抓取数据
CKPOLB=1
0:SCK 为低电平且在 SCK 下降沿抓取数据
1:SCK 为低电平且在 SCK 上升沿抓取数据
CKEG 和 CKPOLB 位用于设置 SPI 总线上时钟信号输入和输出方式。在执行数
据传输前,这两位必须被设置,否则将产生错误的时钟边沿信号。CKPOLB 位
决定时钟线的基本状态,若时钟无效且此位为高,则 SCK 为低电平,若时钟无
效且此位为低,则 SCK 为高电平。CKEG 位决定有效时钟边沿类型,取决于
CKPOLB 的状态。
Bit 3
MLS:SPI 数据移位命令位
0:LSB 优先
1:MSB 优先
数据移位选择位,用于选择数据传输时高位优先传输还是低位优先传输。此位
设置为高时高位优先传输,为低时低位优先传输。
Bit 2
CSEN:SPI SCS 引脚控制位
0:除能
1:使能
CSEN 位用于 SCS 引脚的使能 / 除能控制。此位为低时,SCS 除能并处于浮空
状态。此位为高时,SCS 使能并作为选择脚。
Bit 1
WCOL:SPI 写冲突标志位
0:无冲突
1:冲突
WCOL 标志位用于监测数据冲突的发生。此位为高时,数据在传输时被写入
SIMD 寄存器。若数据正在被传输时,此操作无效。此位可被应用程序清零。
Bit 0
TRF:SPI 发送 / 接收结束标志位
0:数据正在发送
1:数据发送结束
TRF 位为发送 / 接收结束标志位,当 SPI 数据传输结束时,此位自动置为高,
但需通过应用程序设置为“0”。此位也可用于产生中断。
127
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
SPI 通信
将 SIMEN 设置为高,使能 SPI 功能之后,单片机处于主机模式,当数据写入到
寄存器 SIMD 的同时传输 / 接收开始进行。数据传输完成时,TRF 位将自动被
置位但清除只能通过应用程序完成。单片机处于从机模式时,收到主机发来的
信号之后,会传输 SIMD 中的数据,而且在 SDI 引脚上的数据也会被移位到
SIMD 寄存器中。主机应在输出时钟信号之前先输出一个 SCS 信号以使能从机,
从 机 的 数 据 传 输 功 能 也 应 在 与 SCS 信 号 相 关 的 适 当 时 候 准 备 就 绪, 这 由
CKPOLB 和 CKEG 位决定。所附时序图表明了在 CKPOLB 和 CKEG 位各种设
置情况下从机数据与 SCS 信号的关系。
即使在单片机处于空闲模式 1,如果所选的 SPI 时钟源有效,SPI 主机功能仍将
继续执行。
SPI 主机模式时序
SPI 从机模式时序 – CKEG=0
Rev. 1.30
128
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
SPI 从机模式时序 – CKEG=1
SPI 传输控制流程图
Rev. 1.30
129
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
I2C 接口
I2C 可以和传感器、EEPROM 内存等外部硬件接口进行通信。最初是由飞利浦
公司研制,是适用于同步串行数据传输的双线式低速串行接口。I2C 接口具有两
线通信,非常简单的通信协议和在同一总线上和多个设备进行通信的能力的优
点,使之在很多的应用场合中大受欢迎。
I2C 主从总线连接图
I2C 接口操作
I2C 串行接口是一个双线的接口,有一条串行数据线 SDA 和一条串行时钟线
SCL。由于可能有多个设备在同一条总线上相互连接,所以这些设备的输出都
是开漏型输出。因此应在这些输出口上都应加上拉电阻。应注意的是,I2C 总线
上的每个设备都没有选择线,但分别与唯一的地址一一对应,用于 I2C 通信。
如果有两个设备通过双向的 I2C 总线进行通信,那么就存在一个主机和一个从
机。主机和从机都可以用于传输和接收数据,但只有主机才可以控制总线动作。
那些处于从机模式的设备,要在 I2C 总线上传输数据只有两种方式,一是从机
发送模式,二是从机接收模式。
2
I C 方框图
Rev. 1.30
130
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
S T A R T s ig n a l
fro m M a s te r
S e n d s la v e a d d r e s s
a n d R /W b it fr o m M a s te r
A c k n o w le d g e
fr o m s la v e
S e n d d a ta b y te
fro m M a s te r
A c k n o w le d g e
fr o m s la v e
S T O P s ig n a l
fro m M a s te r
SIMDEB1 和 SIMDEB0 位决定 I2C 接口的去抖时间。这个功能可以使用内部时
钟在外部时钟上增加一个去抖间隔,会减小时钟线上毛刺发生的可能性,以避
免单片机发生误动作。如果选择了这个功能,去抖时间可以选择 2 个或 4 个系
统时钟。为了达到需要的 I2C 数据传输速度,系统时钟 fSYS 和 I2C 去抖时间之间
存在一定的关系。I2C 标准模式或者快速模式下,用户需注意所选的系统时钟频
率与标准匹配去抖时间的设置,其具体关系如下表所示。
I2C 去抖时间选择
无去抖时间
2 个系统时钟去抖时间
4 个系统时钟去抖时间
I2C 标准模式(100kHz)
fSYS > 2 MHz
fSYS > 4 MHz
fSYS > 8 MHz
I2C 快速模式(400kHz)
fSYS > 5 MHz
fSYS > 10 MHz
fSYS > 20 MHz
I2C 最小 fSYS 频率
I2C 寄存器
I2C 总线有三个控制寄存器 SIMC0、SIMC1 和 SIMTOC,及一个从机地址寄存
器 SIMA 和一个数据寄存器 SIMD。SIMD 寄存器,SPI 章节中已有介绍,用于
存储正在传输和接收的数据,当单片机将数据写入 I2C 总线之前,实际将被传
输的数据存放在寄存器 SIMD 中。从 I2C 总线接收到数据之后,单片机就可以
从寄存器 SIMD 中得到这个数据。I2C 总线上的所有传输或接收到的数据都必须
通过 SIMD。
应注意的是 SIMA 寄存器也有另外一个名字,SIMC2,使用 SPI 功能时会用到。
I2C 接口会用到寄存器 SIMC0 中的 SIMEN 位和 SIM2~ SIM0 位。
位
寄存器
名称
7
SIMC0
SIMC1
6
5
4
3
2
SIM2
SIM1
SIM0
—
HCF
HAAS
HBB
HTX
TXAK
SRW
SIMDEB1 SIMDEB0
1
0
SIMEN
SIMICF
IAMWU
RXAK
SIMA
IICA6
IICA5
IICA4
IICA3
IICA2
IICA1
IICA0
D0
SIMD
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
SIMTOC
SIMTOEN
SIMTOF
SIMTOS5 SIMTOS4 SIMTOS3 SIMTOS2 SIMTOS1 SIMTOS0
I2C 寄存器列表
Rev. 1.30
131
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
● SIMD 寄存器
SIMD 用于存储发送和接收的数据。这个寄存器由 SPI 和 I2C 功能所共用。在单
片机尚未将数据写入到 I2C 总线中时,要传输的数据应存在 SIMD 中。I2C 总线
接收到数据之后,单片机就可以从 SIMD 数据寄存器中读取。所有通过 I2C 传
输或接收的数据都必须通过 SIMD 实现。
Bit
Name
R/W
POR
7
D7
R/W
×
6
D6
R/W
×
5
D5
R/W
×
4
D4
R/W
×
3
D3
R/W
×
2
D2
R/W
×
1
D1
R/W
×
0
D0
R/W
×
“×”为未知
● SIMA 寄存器
SIMA 寄存器也在 SPI 接口功能中使用,但其名称改为 SIMC2。SIMA 寄存器
用于存放 7 位从机地址,寄存器 SIMA 中的 bit 7 ~ bit 1 是单片机的从机地址,
bit 0 未定义。
如果接至 I2C 的主机发送处的地址和寄存器 SIMA 中存储的地址相符,那么就
选中了这个从机。应注意的是寄存器 SIMA 和 SPI 接口使用的寄存器 SIMC2 是
同一个寄存器。
Bit
Name
R/W
POR
7
IICA6
R/W
0
6
IICA5
R/W
0
5
IICA4
R/W
0
4
IICA3
R/W
0
3
IICA2
R/W
0
Bit 7~ 1
IICA6~ IICA0:I2C 从机地址位
IICA6~ IICA0 是 I2C 从机地址 bit 6 ~ bit 0
Bit 0
未定义位
此位可通过软件程序进行读写。
2
IICA1
R/W
0
1
IICA0
R/W
0
0
D0
R/W
0
单片机中有三个控制 I2C 接口功能的寄存器,SIMC0,SIMC1 和 SIMTOC。寄
存器 SIMC0 用于控制使能 / 除能功能和设置数据传输的时钟频率。寄存器
SIMC1 包括多个用于表明 I2C 传输状态的相关标志位。SIMTOC 寄存器用于控
制 I2C 总线超时功能,在 I2C 超时控制章节有描述。
Rev. 1.30
132
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
● SIMC0 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
SIM2
R/W
1
6
SIM1
R/W
1
5
SIM0
R/W
1
4
—
—
—
3
2
1
0
SIMDEB1 SIMDEB0 SIMEN SIMICF
R/W
R/W
R/W
R/W
0
0
0
0
Bit 7~ 5
SIM2~ SIM0:SIM 工作模式控制位
000:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/4
001:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/16
010:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/64
011:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fTBC
100:SPI 主机模式;SPI 时钟为 TM1 CCRP 匹配频率 /2
101:SPI 从机模式
110:I2C 从机模式
111:非 SIM 功能
这几位用于设置 SIM 功能的工作模式,用于选择 SPI 的主从模式和 SPI 的主机
时钟频率及 I2C 或 SPI 功能。SPI 时钟源可来自于系统时钟也可以选择来自
TM1。若选择的是作为 SPI 从机,则其时钟源从外部主机而得。
Bit 4
未定义,读为“0”
Bit 3~ 2
SIMDEB1~ SIMDEB0:I2C 去抖时间选择位
00:无去抖时间
01:2 个系统时钟去抖时间
1x:4 个系统时钟去抖时间
Bit 1
SIMEN:SIM 控制位
0:除能
1:使能
此 位 为 SIM 接 口 的 开 / 关 控 制 位。 此 位 为“0” 时,SIM 接 口 除 能,SDI、
SDO、SCK 和 SCS 或 SDA 和 SCL 脚将失去 SPI 或 I2C 功能,SIM 工作电流减
小到最小值。此位为“1”时,SIM 接口使能。若 SIM 经由 SIM2~ SIM0 位设置
为工作在 SPI 接口,当 SIMEN 位由低到高转变时,SPI 控制寄存器中的设置不
会发生变化,其首先应在应用程序中初始化。若 SIM 经由 SIM2~ SIM0 位设置
为工作在 I2C 接口,当 SIMEN 位由低到高转变时,I2C 控制寄存器中的设置,
如 HTX 和 TXAK,将不会发生变化,其首先应在应用程序中初始化,此时相关
I2C 标志,如 HCF、HAAS、HBB、SRW 和 RXAK,将被设置为其默认状态。
Bit 0
SIMICF:SIM 未完成标志位
0:未发生
1:发生
此位仅当 SIM 配置在 SPI 从机模式时有效。如果 SPI 工作在从机模式且 SIMEN
和 CSEN 位都为“1”,但在 SPI 数据传输完全结束前 SCS 线被外部主机拉高,
SIMICF 和 TRF 位都会被置高。在这种情况下,如果相应的中断功能使能将产
生一个中断。然而,如果 SIMICF 位是由软件应用程序设为 1,那么 TRF 位将
不会置高。
133
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
● SIMC1 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
HCF
R
1
6
HAAS
R
0
5
HBB
R
0
4
HTX
R/W
0
3
TXAK
R/W
0
2
SRW
R/W
0
1
IAMWU
R/W
0
0
RXAK
R
1
Bit 7
HCF:I2C 总线数据传输结束标志位
0:数据正在被传输
1:8 位数据传输完成
数据正在传输时该位为低。当 8 位数据传输完成时,此位为高并产生一个中断。
Bit 6
HAAS:I2C 总线地址匹配标志位
0:地址不匹配
1:地址匹配
此标志位用于决定从机地址是否与主机发送地址相同。若地址匹配此位为高,
否则此位为低。
Bit 5
HBB:I2C 总线忙标志位
0:I2C 总线闲
1:I2C 总线忙
当检测到 START 信号时 I2C 忙,此位变为高。当检测到 STOP 信号时 I2C 总线
停止,该位变为低。
Bit 4
HTX:I2C 从机处于发送或接收模式选择位
0:从机处于接收模式
1:从机处于发送模式
Bit 3
TXAK:I2C 总线发送确认标志位
0:从机发送确认标志
1:从机没有发送确认标志
单片机接收 8 位数据之后会将该位在第九个时钟传到总线上。如果单片机想要
接收更多的数据,则应在接收数据之前将此位设置为“0”。
Bit 2
SRW:I2C 从机读 / 写标志位
0:从机应处于接收模式
1:从机应处于发送模式
SRW 位是 I2C 从机读写标志位。决定主机是否希望传输或接收来自 I2C 总线的
数据。当传输地址和从机的地址相同时,HAAS 位会被设置为高,主机将检测
SRW 位来决定进入发送模式还是接收模式。如果 SRW 位为高时,主机会请求
从总线上读数据,此时设备处于传输模式。当 SRW 位为低时,主机往总线上写
数据,设备处于接收模式以读取该数据。
Bit 1
IAMWU:I2C 地址匹配唤醒控制位
0:除能
1:使能 – 唤醒后必须由应用程序清除
此位应设置为“1”使能 I2C 地址匹配以使系统从休眠或空闲模式中唤醒。若进
入休眠或空闲模式前 IAMWU 已经设置以使能 I2C 地址匹配唤醒功能,在系统
唤醒后须应用程序清除此位以确保单片机正确地运行。
Bit 0
RXAK:I2C 总线接收确认标志位
0:从机接收到确认标志
1:从机没有接收到确认标志
RXAK 位是接收确认标志位。如果 RXAK 位为“0”即 8 位数据传输之后,设
备在第九个时钟有接受到一个正确的确认位。如果从机处于发送状态,从机会
检查 RXAK 位来判断主机是否愿意继续接收下一个字节。因此直到 RXAK 为
“1”时,从机传输方停止发送数据。这时,从机传输方将释放 SDA 线,主机
发出停止信号释放 I2C 总线。
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
I2C 总线通信
I2C 总线上的通信需要四步完成,一个起始信号,一个从机地址发送,一个数据
传输,还有一个停止信号。当起始信号被写入 I2C 总线时,总线上的所有从机
都会接收到这个起始信号并且被通知总线上会即将有数据到达。数据的前 7 位
是从机地址,高位在前,低位在后。如果发出的地址和从机地址匹配,SIMC1
寄存器的 HAAS 位会被置位,同时产生 I2C 中断。进入中断服务程序后,系统
要检测 HAAS 位和 SIMTOF 位,以判断 I2C 总线中断是来自从机地址匹配,还
是来自 8 位数据传递完毕,或是来自 I2C 总线超时。在数据传递中,注意的是,
在 7 位从机地址被发送后,接下来的一位,即第 8 位,是读 / 写控制位,该位
的值会反映到 SRW 位中。从机通过检测 SRW 位以确定主控制器是要进入发送
模式还是接收模式。在 I2C 总线开始传送数据前,需要先初始化 I2C 总线,初
始化 I2C 总线步骤如下:
● 步骤 1
设置 SIMC0 寄存器中 SIM2~ SIM0 位为“110”和 SIMEN 位为“1”,以使
能 I2C 总线。
● 步骤 2
向 I2C 总线地址寄存器 SIMA 写入从机地址。
● 步骤 3
设置中断控制寄存器中的 SIME 中断使能位,以使能 SIM 中断。
I2C 总线初始化流程图
Rev. 1.30
135
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
I2C 总线起始信号
起始信号只能由连接 I2C 总线的主机产生,而不是由从机产生。总线上的所有
从机都可以侦测到起始信号。如果有从机侦测到起始信号,则表明 I2C 总线处
于忙碌状态,并会置位 HBB。起始信号是指在 SCL 为高电平时,SDA 线上发
生从高到低的电平变化。
I2C 从机地址
I2C 总线上的所有从机都会侦测由主机发出的起始信号。发送起始信号后,紧接
着主机会发送从机地址以选择要进行数据传输的从机。所有在 I2C 总线上的从
机接收到 7 位地址数据后,都会将其与各自内部的地址进行比较。如果从机从
主机上接收到的地址与自身内部的地址相匹配,则会产生一个 I2C 总线中断信
号。地址位接下来的一位为读 / 写状态位(即第 8 位),将被保存到 SIMC1 寄
存器的 SRW 位,随后发出一个低电平应答信号(即第 9 位)。当单片机从机
的地址匹配时,会将状态标志位 HAAS 置位。
I2C 总线有三个中断源,当程序运行至中断服务子程序时,通过检测 HAAS 位
和 SIMTOF 位,以判断 I2C 总线中断是来自从机地址匹配,还是来自 8 位数据
传递完毕,或是来自 I2C 总线超时。当是从机地址匹配发生中断时,则从机或
是用于发送模式并将数据写进 SIMD 寄存器,或是用于接收模式并从 SIMD 寄
存器中读取空值以释放 SCL 线。
I2C 总线读 / 写信号
SIMC1 寄存器的 SRW 位用来表示主机是要从 I2C 总线上读取数据还是要将数
据写到 I2C 总线上。从机则通过检测该位以确定自己是作为发送方还是接收方。
当 SRW 置“1”,表示主机要从 I2C 总线上读取数据,从机则作为发送方,将
数据写到 I2C 总线;当 SRW 清“0”,表示主机要写数据到 I2C 总线上,从机
则做为接收方,从 I2C 总线上读取数据。
I2C 总线从机地址确认信号
主机发送呼叫地址后,当 I2C 总线上的任何从机内部地址与其匹配时,会发送
一个应答信号。此应答信号会通知主机有从机已经接收到了呼叫地址。如果主
机没有收到应答信号,则主机必须发送停止(STOP)信号以结束通信。当
HAAS 为高时,表示从机接收到的地址与自己内部地址匹配,则从机需检查
SRW 位,以确定自己是作为发送方还是作为接收方。如果 SRW 位为高,从机
须设置成发送方,这样会置位 SIMC1 寄存器的 HTX 位。如果 SRW 位为低,
从机须设置成接收方,这样会清零 SIMC1 寄存器的 HTX 位。
I2C 总线数据和确认信号
在从机确认接收到从机地址后,会进行 8 位宽度的数据传输。这个数据传输顺
序是的高位在前,低位在后。接收方在接收到 8 位数据后必须发出一个应答信
号(“0”)以继续接收下一个数据。如果发送方没接收到应答信号,发送方将
释放 SDA 线,同时,主机将发出 STOP 信号以释放 I2C 总线。所传送的数据存
储在 SIMD 寄存器中。如果设置成发送方,从机必须先将欲传输的数据写到
SIMD 寄存器中;如果设置成接收方,从机必须从 SIMD 寄存器读取数据。
当从机接收器想要继续接收下一个数据时,必须在第 9 个时钟发出应答信号
(TXAK)。被设为发送方的从机将检测寄存器 SIMC1 中的 RXAK 位以判断是否
传输下一个字节的数据,如果单片机不传输下一个字节,那么它将释放 SDA 线
并等待接收主机的停止信号。
Rev. 1.30
136
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
注:* 当从机地址匹配时,单片机必须选择设置为发送模式还是接收模式。若设置为发送模式,需
写数据至 SIMD 寄存器;若设置为接收模式,需立即从 SIMD 寄存器中虚读数据以释放 SCL 线。
I2C 通信时序图
I2C 总线 ISR 流程图
Rev. 1.30
137
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
I2C 超时控制
超时功能可减少 I2C 接收错误的时钟源而引起的锁死问题。如果连接到 I2C 总
线的时钟源经过一段时间还未接收到,则在一定的超时周期后,I2C 电路和寄存
器将复位。超时计数器在 I2C 总线“START”和“地址匹配”条件下开始计数,
且在 SCL 下降沿清零。在下一个 SCL 下降沿到来之前,如果超时时间大于
SIMTOC 寄存器指定的超时周期,则超时发生。I2C“STOP”条件发生时超时
功能终止。
S C L
S ta rt
S R W
S la v e A d d r e s s
0
1
S D A
1
1
0
1
0
A C K
1
0
I2 C t i m e - o u t
c o u n te r s ta rt
S to p
S C L
1
0
0
1
0
1
0
0
S D A
I2 C t im e - o u t c o u n t e r r e s e t
o n S C L n e g a tiv e tr a n s itio n
I2C 超时时序图
当 I2C 超时计数器溢出时,计数器将停止计数,SIMTOEN 位被清零,且 SIMTOF
位被置高以表明超时计数器中断发生。超时计数器中断使用的也是 I2C 中断向量。
当 I2C 超时发生时,I2C 内部电路会被复位,寄存器也将发生如下复位情况。
I2C 超时发生后
保持不变
复位至 POR
寄存器
SIMD,SIMA,SIMC0
SIMC1
超时发生后的 I2C 寄存器
SIMTOF 标志位由应用程序清零。共有 64 个超时周期,可通过 SIMTOC 寄存
器的 SIMTOS5~ SIMTOS0 位进行选择。超时周期可通过公式计算:((1~ 64) ×
(32/fSUB))。由此可得超时周期范围为 1ms~ 64ms。
● SIMTOC 寄存器
Bit
7
6
5
4
3
2
1
0
Name SIMTOEN SIMTOF SIMTOS5 SIMTOS4 SIMTOS3 SIMTOS2 SIMTOS1 SIMTOS0
Rev. 1.30
R/W
R/W
R/W
POR
0
0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
0
0
0
0
0
0
2
Bit 7
SIMTOEN:SIM I C 超时功能控制位
0:除能
1:使能
Bit 6
SIMTOF:SIM I2C 超时标志位
0:未发生
1:发生
Bit 5~ 0
SIMTOS5~ SIMTOS0:SIM I2C 超时时间选择位
I2C 超时时钟源是 fSUB/32
I2C 超时时间计算方法:(SIMTOS[5:0]+1) × (32/fSUB)
138
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
比较器
模拟比较器仅存在于 HT66F0185 单片机内。具有暂停、极性选择、迟滞等功能,
可通过寄存器进行灵活配置。比较器的引脚与普通 I/O 引脚共用,当比较器功
能未使用时,此引脚可做普通引脚使用而不浪费 I/O 资源。
比较器
比较器操作
单片机 HT66F0185 包含一个比较器功能,用于比较两个模拟电压,基于它们的
差值上提供一个输出。控制寄存器 CPC 可控制相应的内部比较器。比较器的输
出可由寄存器的一位记录,并且在共用的 I/O 引脚上输出。此外,比较器功能
有输出极性,迟滞功能和暂停控制。
当比较器使能时,连接到与比较器共用的输入引脚的上拉电阻将自动失效。当
比较器输入接近其切换电压时,由于输入信号上升或下降速度较慢,比较器输
出端可能会产生一些伪输出信号。通过选择迟滞功能提供少量正反馈给比较器
可使此种情况的发生率降至最低。理想情况下正负输入信号在同一个电压点时
比较器将发生开关动作,但是不可避免的输入失调电压会导致情况不确定。若
迟滞功能使能,也可增加切换偏差值。
比较器中断
比较器具有中断功能。当输出状态改变时,相应的中断标志将会置位,若应答
中断使能位被置位,系统将跳转至相应的中断向量中执行。注意,触发比较器
产生中断的条件是 COUT 位状态的改变,而非比较器输出引脚状态的改变。单
片机处于休眠或空闲模式且比较器使能时,若外部输入引脚导致比较器输出状
态发生改变,则由此产生的中断标志位也可产生一个唤醒动作。若要除能唤醒
功能,进入休眠或空闲模式前中断标志位应先置为高。
编程注意事项
若比较器使能,当单片机进入休眠或空闲模式时其仍保持有效并会有一定的耗
电,用户可考虑在进入休眠或空闲模式前先关闭比较器。
由于比较器引脚与普通输入 / 输出脚共用,若比较器功能使能时,这些引脚的
输入 / 输出寄存器将读为“0”(端口控制寄存器读为“1”)或读为端口数据
寄存器的值(端口控制寄存器读为“0”)。
Rev. 1.30
139
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
CPC 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
CSEL
R/W
1
6
CEN
R/W
0
5
CPOL
R/W
0
4
COUT
R
0
3
COS
R/W
0
2
1
0
CMPEG1 CMPEG0 CHYEN
R/W
R/W
R/W
0
0
1
Bit7
CSEL:比较器引脚或 I/O 引脚选择位
0:输入 / 输出引脚
1:比较器输入引脚 C+ 和 C此位为比较器输入引脚或输入 / 输出引脚选择位。为“1”时,比较器输入引脚
使能。此时,引脚的输入 / 输出引脚功能失效,与比较器共用引脚的上拉电阻
配置选项将自动失效。
Bit 6
CEN:比较器开 / 关控制位
0:关闭
1:开启
此位为比较器开 / 关控制位。为“0”时,比较器关闭,即使其输入引脚上加有
模拟电压也不会产生功耗。对功耗要求严格的应用中,当比较器未使用或单片
机进入休眠或空闲模式之前,此位应清零。
Bit 5
CPOL:比较器输出极性位
0:输出同相
1:输出反相
此位决定比较器极性。为“0”时,COUT 位与比较器输出条件同相;为“1”时,
COUT 位与比较器输出条件反相。
Bit 4
COUT:比较器输出位
CPOL=0
0:C+ < C1:C+ > CCPOL=1
0: C+ > C1: C+ < C此位为比较器输出位。此位的极性由比较器输入电压和 CPOL 位的状态决定。
Bit3
COS:比较器输出路径选择位
0:CX 引脚(比较器输出到 CX 脚)
1:输入 / 输出引脚(比较器输出仅内部使用)
Bit 2~ 1
CMPEG1~ CMPEG0:比较器输出中断触发边沿选择位
00:上升沿→如果 COUT 状态从 0 变为 1,产生比较器中断触发信号
01:下降沿→如果 COUT 状态从 1 变为 0,产生比较器中断触发信号
1x:双沿→如果 COUT 状态从从 0 变为 1 或从 1 变为 0,产生比较器中断触发
信号
Bit 0
CHYEN:比较器迟滞功能控制位
0:关闭
1:开启
此位为迟滞控制位。为“1”时,比较器有一定量迟滞,具体见比较器电气特性
表。滞后产生的正反馈将减少比较器门槛附近的伪开关效应的影响。
140
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
带 SCOM 和 SSEG 功能的 LCD
该系列单片机具有驱动外部 LCD 面板的能力。LCD 驱动的 COM 脚 SCOM0~
SCOM5 和 SEG 脚 SSEG0~ SSEG19 或 SSEG0~ SSEG23 与 I/O 口共用。LCD 信
号 COM 和 SEG 由应用程序实现。
LCD 操作
该系列单片机通过设置相关 I/O 引脚为 COM 引脚和 SEG 引脚,以驱动外部
LCD 面板。LCD 驱动功能是由几个 LCD 控制寄存器一起控制的,另外,这些
寄存器还可设置 LCD 的开启和关闭以及 SCOM 和 SSEG 引脚的 R-type 偏压电
流, 使 得 LCD 驱 动 器 COM 和 SEG 引 脚 输 出 VSS、(1/3)VDD、(2/3)VDD 和 VDD
的电压,从而实现 1/3 bias LCD 的显示。
SLCDC0 寄 存 器 中 的 LCDEN 位 是 LCD 驱 动 的主 控 制 位, 它 与 COMnEN 和
SEGnEN 位搭配共同选择哪些输入 / 输出引脚用于 LCD 驱动。需注意的是,输
入 / 输出端口控制寄存器不需要设置为输出以使能 LCD 驱动操作。
VDD
VDD
COMnEN COMSEGSn
6
6
SCOM0/SSEG0
(2/3) VDD
(1/3) VDD
LCD
COM/SEG
Analog Switch
LCD
Voltage
Select
Circuit
SCOM5/SSEG5
SSEG6
SSEGm
m = 19 for HT66F0175
m = 23 for HT66F0185
ISEL[1:0]
SEGmEN
LCDEN
FRAME
软件控制 LCD 驱动器结构
LCD Frames
一个完整的 LCD 波形周期包含两个 Frame, 即 Frame 0 和 Frame 1。下面将做出
详细解释:
Frame 0
当要输出 Frame 0 的波形,需将 SLCDC0 寄存器中的 FRAME 位设为 0。
在 Frame 0, COM 信号输出可以是 VDD, 或是 VBIAS = (1/3 )×VDD。SEG 信号输出
可以是 VSS, 或是 VBIAS = (2/3 )×VDD。
Rev. 1.30
141
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Frame 1
当要输出 Frame 1 的波形,需将 SLCDC0 寄存器中的 FRAME 位设为 1。
在 Frame 1, COM 信号输出可以是 VSS, 或是 VBIAS =(2/3 )×VDD。SEG 信号输出
可以是 VDD, 或是 VBIAS = (1/3 )×VDD。
COMn 的波形,由应用程序设定 SLCDC0 寄存器中的 FRAME 位控制,及相应
的 I/O 共用引脚数据位决定 COMn 引脚目前输出是 VDD, VSS 或 VBIAS。SEGm 的
波形,由应用程序设定 FRAME 位控制,及相应的 I/O 共用引脚数据位决定
SEGm 引脚目前输出是 VDD, VSS 或 VBIAS。
典型的 1/3 bias LCD 波形由应用程序以及 LCD 电压选择电路产生,波形图如下。
请注意,图中“1”代表点亮 LCD 像素。SCOM0 ~ SCOM5 引脚的 COM 信号
极性为“0”或“1”,由相应的 I/O 共用引脚数据位产生。
Frame 0
Frame 1
1
COM0
0
0
0
0
Frame 0
0
Frame 1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
1
1
1
0
1
0
0
1
1
1
1
1
0
0
VDD
(2/3) VDD
1
1
VDD
(2/3) VDD
(1/3) VDD
1
1
0
1
VSS
(1/3) VDD
0
1
0
1
0
(1/3) VDD
VSS
1
1
0
SEG1
0
1
0
0
1
0
0
1
0
1
1
0
1
0
0
(2/3) VDD
0
1
0
1
0
VDD
1
0
0
1
SEG0
0
(2/3) VDD
VSS
0
1
1
0
0
0
VDD
(1/3) VDD
1
1
0
0
1
0
(2/3) VDD
VSS
0
1
1
0
0
VDD
(1/3) VDD
0
0
1
COM3
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
COM2
1
1
0
Frame 0
1
1
0
0
0
1
COM1
0
Frame 0
VSS
1
VDD
(2/3) VDD
(1/3) VDD
VSS
注:图形中的逻辑值即为相应 I/O 共用引脚数据位值
1/3 Bias LCD 波形 – 4-COM 和 2-SEG 应用
Rev. 1.30
142
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
LCD 控制寄存器
LCD 驱动器 COM 和 SEG 口可以提供多种驱动电流选择以适应不同 LCD 面板
的需求。通过设置 SLCDC0 寄存器中 ISEL0 位和 ISEL1 位可以配置不同的偏压
电阻。所有 COM 和 SEG 引脚和 I/O 引脚共用,可分别通过 SLCDCn 寄存器的
相应引脚功能选择位选择 COM 和 SEG 引脚。
位
寄存器
列表
SLCDC0
SLCDC1
7
FRAME
6
ISEL1
5
ISEL0
4
LCDEN
3
COM3EN
2
COM2EN
1
COM1EN
0
COM0EN
COM5EN COM4EN COMSEGS5 COMSEGS4 COMSEGS3 COMSEGS2 COMSEGS1 COMSEGS0
SLCDC2 SEG13EN SEG12EN
SEG11EN
SEG10EN
SEG9EN
SEG8EN
SEG7EN
SEG6EN
SLCDC3
SEG19EN
SEG18EN
SEG17EN
SEG16EN
SEG15EN
SEG14EN
1
COM1EN
0
COM0EN
-
-
LCD 驱动器控制寄存器列表 – HT66F0175
位
寄存器
列表
SLCDC0
7
FRAME
SLCDC1
COM5EN
6
ISEL1
5
ISEL0
4
LCDEN
3
COM3EN
2
COM2EN
COM4EN COMSEGS5 COMSEGS4 COMSEGS3 COMSEGS2 COMSEGS1 COMSEGS0
SLCDC2 SEG13EN SEG12EN
SEG11EN
SEG10EN
SEG9EN
SEG8EN
SEG7EN
SEG6EN
SLCDC3 SEG21EN SEG20EN
SEG19EN
SEG18EN
SEG17EN
SEG16EN
SEG15EN
SEG14EN
-
-
-
-
SEG23EN
SEG22EN
SLCDC4
-
-
LCD 驱动器控制寄存器列表 – HT66F0185
SLCDC0 寄存器
Rev. 1.30
Bit
Name
7
FRAME
6
ISEL1
5
ISEL0
4
LCDEN
3
2
1
0
COM3EN COM2EN COM1EN COM0EN
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
POR
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit 7
FRAME:SCOM/SSEG 输出 Frame 选择
0:Frame 0
1:Frame 1
Bit 6~ 5
ISEL1~ ISEL0:SCOM /SSEG 典型偏压电流选择 (VDD=5V)
00:8.3μA
01:16.7μA
10:50μA
11:100μA
Bit 4
LCDEN:SCOM/SSEG 模块使能控制
0:除能
1:使能
若 LCDEN 被 置 为 1, 可 通 过 设 置 COMnEN 和 SEGmEN 位 使 能 SCOMn 和
SSEGm 引脚功能。若 LCDEN 被清零 , 则 SCOMn 和 SSEGm 将输出 VSS。
Bit 3
COM3EN:SCOM3/SSEG3 或其它引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SCOM3/SSEG3 功能
Bit 2
COM2EN:SCOM2/SSEG2 或其它引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SCOM2/SSEG2 功能
Bit 1
COM1EN:SCOM1/SSEG1 或其它引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SCOM1/SSEG1 功能
143
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
COM0EN:SCOM0/SSEG0 或其它引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SCOM0/SSEG0 功能
Bit 0
SLCDC1 寄存器
Bit
7
6
5
4
3
2
1
0
Name COM5EN COM4EN COMSEGS5 COMSEGS4 COMSEGS3 COMSEGS2 COMSEGS1 COMSEGS0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
POR
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit 7
COM5EN:SCOM5/SSEG5 或其它引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SCOM5/SSEG5 功能
Bit 6
COM4EN:SCOM4/SSEG4 或其它引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SCOM4/SSEG4 功能
Bit 5
COMSEGS5:SCOM5 或 SSEG5 引脚功能选择
0:SCOM5
1:SSEG5
Bit 4
COMSEGS4:SCOM4 或 SSEG4 引脚功能选择
0:SCOM4
1:SSEG4
Bit 3
COMSEGS3:SCOM3 或 SSEG3 引脚功能选择
0:SCOM3
1:SSEG3
Bit 2
COMSEGS2:SCOM2 或 SSEG2 引脚功能选择
0:SCOM2
1:SSEG2
Bit 1
COMSEGS1:SCOM1 或 SSEG1 引脚功能选择
0:SCOM1
1:SSEG1
Bit 0
COMSEGS0:SCOM0 或 SSEG0 引脚功能选择
0:SCOM0
1:SSEG0
SLCDC2 寄存器
Bit
Name
Rev. 1.30
7
6
5
4
SEG13EN SEG12EN SEG11EN SEG10EN
3
SEG9EN
2
SEG8EN
1
SEG7EN
0
SEG6EN
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
POR
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit 7
SEG13EN:SSEG13 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG13 功能
Bit 6
SEG12EN:SSEG12 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG12 功能
Bit 5
SEG11EN:SSEG11 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG11 功能
144
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Bit 4
SEG10EN:SSEG10 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG10 功能
Bit 3
SEG9EN:SSEG9 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG9 功能
Bit 2
SEG8EN:SSEG8 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG8 功能
Bit 1
SEG7EN:SSEG7 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG7 功能
Bit 0
SEG6EN:SSEG6 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG6 功能
SLCDC3 寄存器 – HT66F0175
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
—
—
—
6
5
4
3
2
1
0
— SEG19EN SEG18EN SEG17EN SEG16EN SEG15EN SEG14EN
—
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
—
0
0
0
0
0
0
Bit 7~ 6
未定义,读为“0”
Bit 5
SEG19EN:SSEG19 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG19 功能
Bit 4
SEG18EN:SSEG18 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG18 功能
Bit 3
SEG17EN:SSEG17 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG17 功能
Bit 2
SEG16EN:SSEG16 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG16 功能
Bit 1
SEG15EN:SSEG15 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG15 功能
Bit 0
SEG14EN:SSEG14 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG14 功能
145
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
SLCDC3 寄存器 – HT66F0185
Bit
Name
7
6
5
4
3
2
1
0
SEG21EN SEG20EN SEG19EN SEG18EN SEG17EN SEG16EN SEG15EN SEG14EN
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
POR
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit 7
SEG21EN:SSEG21 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG21 功能
Bit 6
SEG20EN:SSEG20 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG20 功能
Bit 5
SEG19EN:SSEG19 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG19 功能
Bit 4
SEG18EN:SSEG18 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG18 功能
Bit 3
SEG17EN:SSEG17 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG17 功能
Bit 2
SEG16EN:SSEG16 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG16 功能
Bit 1
SEG15EN:SSEG15 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG15 功能
Bit 0
SEG14EN:SSEG14 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG14 功能
SLCDC4 寄存器 – HT66F0185
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
—
—
—
6
—
—
—
5
—
—
—
4
—
—
—
Bit 7~ 2
未定义,读为“0”
Bit 1
SEG23EN:SSEG23 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG23 功能
Bit 0
SEG22EN:SSEG22 引脚功能选择
0:其它引脚功能
1:SSEG22 功能
146
3
—
—
—
2
—
—
—
1
0
SEG23EN SEG22EN
R/W
R/W
0
0
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
UART 接口
UART 接口模块仅包含在 HT66F0185 单片机内。HT66F0185 单片机具有一个全
双工的异步串行通信接口——UART,可以很方便的与其它具有串行口的芯片
通信。UART 具有许多功能特性,发送或接收串行数据时,将数据组成一个 8
位或 9 位的数据块,连同数据特征位一并传输。具有检测数据覆盖或帧错误等
功能。UART 功能占用一个内部中断向量,当接收到数据或数据发送结束,触
发 UART 中断。
集成的 UART 功能包含以下特性:
● 全双工通用异步接收器 / 发送器
● 8 位或 9 位传输格式
● 奇校验、偶校验或无校验
● 1 位或 2 位停止位
● 8 位预分频的波特率发生器
● 奇偶、帧、噪声和溢出检测
● 支持地址匹配中断(最后一位 =1)
● 独立的发送和接收使能
● 2-byte FIFO 接收缓冲器
● 发送和接收中断
● 中断可由下列条件初始化:
♦ 发送器为空
♦ 发送器空闲
♦ 接收完成
♦ 接收器溢出
♦ 地址匹配
Transmitter Shift Register (TSR)
MSB
…………………………
Receiver Shift Register (RSR)
LSB
TX Pin
TX Register (TXR)
fSYS
RX Pin
MSB
LSB
RX Register (RXR)
Baud Rate
Generator
Data to be transmitted
…………………………
Buffer
Data received
MCU Data Bus
UART 数据传输方框图
UART 外部引脚
内部 UART 有两个外部引脚 TX 和 RX,可与外部串行接口进行通信。TX 和
RX 分 别 为 UART 发 送 脚 和 接 收 脚, 与 I/O 口 或 其 它 功 能 共 用 引 脚。 当
UARTEN、TXEN 和 RXEN 位置高时,将自动设置这些 I/O 脚或其它共用功能
脚作为 TX 输出和 RX 输入,并且除能 TX 和 RX 引脚上的上拉电阻功能。当
UARTEN、TXEN 或 RXEN 位清零除能 TX 或 RX 引脚功能后,TX 或 RX 引脚
将用于 I/O 脚或其它共用功能脚,取决于共用引脚功能的优先级。
Rev. 1.30
147
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
UART 数据传输方案
上图显示了 UART 接口的整体数据传输结构。需要发送的数据首先通过应用程
序写入 TXR 寄存器,接着此数据被传输到发送移位寄存器 TSR 中,然后在波
特率发生器的控制下将 TSR 寄存器中数据一位位地移到 TX 引脚上,低位在前。
TXR 寄存器被映射到单片机的数据存储器中,而发送移位寄存器没有实际地
址,所以发送移位寄存器不可直接操作。
数据在波特率发生器的控制下,低位在前高位在后,从外部引脚 RX 进入接收
移位寄存器 RSR。当数据接收完成,数据从接收移位寄存器移入可被用户程序
操作的 RXR 寄存器中。RXR 寄存器被映射到单片机数据存储器中,而接收移
位寄存器没有实际地址,所以接收移位寄存器不可直接操作。
需要注意的是,上述发送寄存器 TXR 和接收寄存器 RXR,其实是共用一个地
址的数据寄存器 TXR_RXR 寄存器。
UART 状态和控制寄存器
与 UART 功能相关的有五个寄存器,即控制 UART 模块整体功能的 USR、
UCR1 和 UCR2 寄存器,控制波特率的 BRG 寄存器,管理发送和接收数据的数
据寄存器 TXR_RXR。
位
寄存器
名称
7
6
5
4
3
2
1
0
USR
PERR
NF
FERR OERR RIDLE RXIF TIDLE TXIF
UCR1
UARTEN BNO PREN
PRT
STOPS TXBRK RX8
TX8
RIE
TIIE
TEIE
UCR2
TXEN RXEN BRGH ADDEN WAKE
BRG
BRG7
BRG6 BRG5 BRG4 BRG3 BRG2 BRG1 BRG0
TXR_RXR TXRX7 TXRX6 TXRX5 TXRX4 TXRX3 TXRX2 TXRX1 TXRX0
UART 状态和控制寄存器列表 – 仅适用于 HT66F0185
TXR_RXR 寄存器
TXR_RXR 是一个数据寄存器,用来存储 TX 引脚将要发送或 RX 引脚正在接收
的数据。
Bit
Name
R/W
POR
7
6
5
4
3
2
1
0
TXRX7 TXRX6 TXRX5 TXRX4 TXRX3 TXRX2 TXRX1 TXRX0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
×
×
×
×
×
×
×
×
“×”:未知
Bit 7~ 0
Rev. 1.30
TXRX7~ TXRX0:UART 发送 / 接收数据位
148
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
USR 寄存器
寄存器 USR 是 UART 的状态寄存器,可以通过程序读取。所有 USR 位是只读
的。详细解释如下:
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
PERR
R
0
6
NF
R
0
5
FERR
R
0
4
OERR
R
0
3
RIDLE
R
1
2
RXIF
R
0
1
TIDLE
R
1
0
TXIF
R
1
Bit 7
PERR:奇偶校验出错标志位
0:奇偶校验正确
1:奇偶校验出错
PERR 是奇偶校验出错标志位。若 PERR=0,奇偶校验正确;若 PERR=1,接收
到的数据奇偶校验出错。只有使能了奇偶校验此位才有效。可使用软件清除该
标志位,即先读取 USR 寄存器再读 RXR 寄存器来清除此位。
Bit 6
NF:噪声干扰标志位
0:没有受到噪声干扰
1:受到噪声干扰
NF 是噪声干扰标志位。若 NF=0,没有受到噪声干扰;若 NF=1,UART 接收数
据时受到噪声干扰。它与 RXIF 在同周期内置位,但不会与溢出标志位同时置
位。可使用软件清除该标志位,即先读取 USR 寄存器再读 RXR 寄存器将清除
此标志位。
Bit 5
FERR:帧错误标志位
0:无帧错误发生
1:有帧错误发生
FREE 是帧错误标志位。若 FREE=0,没有帧错误发生;若 FREE=1,当前的数
据发生了帧错误。可使用软件清除该标志位,即先读取 USR 寄存器再读 RXR
寄存器来清除此位。
Bit 4
OERR:溢出错误标志位
0:无溢出错误发生
1:有溢出错误发生
OERR 是溢出错误标志位,表示接收缓冲器是否溢出。若 OERR=0,没有溢出
错误;若 OERR=1,发生了溢出错误,它将影响下一组数据的接收。可通过软
件清除该标志位,即先读取 USR 寄存器再读 RXR 寄存器将清除此标志位。
Bit 3
RIDLE:接收状态标志位
0:正在接收数据
1:接收器空闲
RIDLE 是接收状态标志位。若 RIDLE=0,正在接收数据;若 RIDLE=1,接收器
空 闲。 在 接 收 到 停 止 位 和 下 一 个 数 据 的 起 始 位 之 间,RIDLE 被 置 位, 表 明
UART 空闲,RX 脚处于逻辑高状态。
Bit 2
RXIF:接收寄存器状态标志位
0:RXR 寄存器为空
1:RXR 寄存器含有有效数据
RXIF 是接收寄存器状态标志位。当 RXIF=0,RXR 寄存器为空;当 RXIF=1,
RXR 寄存器接收到新数据。当数据从移位寄存器加载到 RXR 寄存器中,如果
UCR2 寄存器中的 RIE=1,则会触发中断。当接收数据时检测到一个或多个错误
时,相应的标志位 NF、FERR 或 PERR 会在同一周期内置位。读取 USR 寄存器
再读 RXR 寄存器,如果 RXR 寄存器中没有新的数据,那么将清除 RXIF 标志。
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Bit 1
TIDLE:数据发送完成标志位
0:数据传输中
1:无数据传输
TIDLE 是数据发送完成标志位。若 TIDLE=0,数据传输中。当 TXIF=1 且数据
发送完毕或者暂停字被发送时,TIDLE 置位。TIDLE=1,TX 引脚空闲且处于逻
辑高状态。读取 USR 寄存器再写 TXR 寄存器将清除 TIDLE 位。数据字符或暂
停字就绪时,不会产生该标志位。
Bit 0
TXIF:发送数据寄存器 TXR 状态位
0:数据还没有从缓冲器加载到移位寄存器中
1:数据已从缓冲器加载到移位寄存器中 (TXR 数据寄存器为空 )
TXIF 是发送数据寄存器为空标志位。若 TXIF=0,数据还没有从缓冲器加载到
移位寄存器中;若 TXIF=1,数据已从缓冲器中加载到移位寄存器中。读取 USR
存器再写 TXR 寄存器将清除 TXIF。当 TXEN 被置位,由于发送缓冲器未满,
TXIF 也会被置位。
UCR1 寄存器
UCR1 和 UCR2 是 UART 的两个控制寄存器,用来定义各种 UART 功能,例如
UART 的使能与除能、奇偶校验控制和传输数据的长度等等。详细解释如下:
Bit
Name
R/W
POR
7
UARTEN
R/W
0
6
BNO
R/W
0
5
PREN
R/W
0
4
PRT
R/W
0
3
2
STOPS TXBRK
R/W
R/W
0
0
1
RX8
R
×
0
TX8
W
0
“×”:未知
Rev. 1.30
Bit 7
UARTEN:UART 功能使能位
0:UART 除能,TX 和 RX 脚作为其它功能共用引脚
1:UART 使能,TX 和 RX 脚作为 UART 功能引脚
此位为 UART 的使能位。UARTEN=0,UART 除能,RX 和 TX 作为其它功能共
用引脚;UARTEN=1,UART 使能,TX 和 RX 将分别由 TXEN 和 RXEN 控制。
当 UART 被除能将清除缓冲器,所有缓冲器中的数据将被忽略,另外波特率计
数器、错误和状态标志位被复位,TXEN、RXEN、TXBRK、RXIF、OERR、
FERR、PERR 和 NF 清 零 而 TIDLE、TXIF 和 RIDLE 置 位,UCR1、UCR2 和
BRG 寄存器中的其它位保持不变。若 UART 工作时 UARTEN 清零,所有发送
和接收将停止,模块也将复位成上述状态。当 UART 再次使能时,它将在上次
配置下重新工作。
Bit 6
BNO:发送数据位数选择位
0:8-bit 传输数据
1:9-bit 传输数据
BNO 是发送数据位数选择位。BNO=1,传输数据为 9 位;BNO=0,传输数据为
8 位。若选择了 9 位数据传输格式,RX8 和 TX8 将分别存储接收和发送数据的
第 9 位。
Bit 5
PREN:奇偶校验使能位
0:奇偶校验除能
1:奇偶校验使能
此位为奇偶校验使能位。PREN=1,使能奇偶校验;PREN=0,除能奇偶校验。
Bit 4
PRT:奇偶校验选择位
0:偶校验
1:奇校验
奇偶校验选择位。PRT=1,奇校验;PRT=0,偶校验。
150
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Bit 3
STOPS:停止位的长度选择位
0:有一位停止位
1:有两位停止位
此位用来设置停止位的长度。STOP=1,有两位停止位;STOP=0,只有一位停
止位。
Bit 2
TXBRK:暂停字发送控制位
0:没有暂停字要发送
1:发送暂停字
TXBRK 是暂停字发送控制位。TXBRK=0,没有暂停字要发送,TX 引脚正常操作;
TXBRK=1,将会发送暂停字,发送器将发送逻辑“0”。若 TXBRK 为高,缓冲
器中数据发送完毕后,发送器将至少保持 13 位宽的低电平直至 TXBRK 复位。
Bit 1
RX8:接收 9-bit 数据传输格式中的第 8 位 ( 只读 )
此位只有在传输数据为 9 位的格式中有效,用来存储接收数据的第 9 位。BNO
是用来控制传输位数是 8 位还是 9 位。
Bit 0
TX8:发送 9-bit 数据传输格式中的第 8 位 ( 只写 )
此位只有在传输数据为 9 位的格式中有效,用来存储发送数据的第 9 位。BNO
是用来控制传输位数是 8 位还是 9 位。
UCR2 寄存器
UCR2 是 UART 的第二个控制寄存器,它的主要功能是控制发送器、接收器以
及各种 UART 中断源的使能或除能。它也可用来控制波特率,使能接收唤醒和
地址侦测。详细解释如下:
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
TXEN
R/W
0
6
RXEN
R/W
0
5
4
3
BRGH ADDEN WAKE
R/W
R/W
R/W
0
0
0
2
RIE
R/W
0
1
TIIE
R/W
0
0
TEIE
R/W
0
Bit 7
TXEN:UART 发送使能位
0:UART 发送除能
1:UART 发送使能
此位为发送使能位。TXEN=0,发送将被除能,发送器立刻停止工作。另外缓冲
器 将 被 复 位, 此 时 TX 引 脚 将 作 为 其 它 功 能 共 用 引 脚。 若 TXEN=1 且
UARTEN=1,则发送将被使能,TX 引脚将由 UART 来控制。在数据传输时清
除 TXEN 将中止数据发送且复位发送器,此时 TX 引脚将作为其它功能共用引
脚。
Bit 6
RXEN:UART 接收使能位
0:UART 接收除能
1:UART 接收使能
此位为接收使能位。RXEN=0,接收将被除能,接收器立刻停止工作。另外缓
冲 器 将 被 复 位, 此 时 RX 引 脚 将 作 为 其 它 功 能 共 用 引 脚。 若 RXEN=1 且
UARTEN=1,则接收将被使能,RX 引脚将由 UART 来控制。在数据传输时清
除 RXEN 将中止数据接收且复位接收器,此时 RX 引脚将作为其它功能共用引
脚。
Bit 5
BRGH:波特率发生器高低速选择位
0:低速波特率
1:高速波特率
此位为波特率发生器高低速选择位,它和 BRG 寄存器一起控制 UART 的波特率。
BRGH=1,为高速模式;BRGH=0,为低速模式。
151
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Bit 4
ADDEN:地址检测使能位
0:地址检测除能
1:地址检测使能
此位为地址检测使能控制位。ADDEN=1,地址检测使能,此时数据的第 8 位
(BON=0) 或第 9 位 (BON=1) 为高,那么接到的是地址而非数据。若相应的中断
使能且接收到的值最高位为 1,那么中断请求标志将会被置位,若最高位为 0,
那么将不会产生中断且收到的数据也会被忽略。
Bit 3
WAKE:RX 脚下降沿唤醒功能使能位
0:RX 脚下降沿唤醒功能除能
1:RX 脚下降沿唤醒功能使能
此位为接收唤醒功能的使能和除能位。若 WAKE=1 且在空闲模式 0 或休眠模式
下,RX 引脚的下降沿将唤醒单片机。若 WAKE=0 且在暂停模式下,RX 引脚的
任何边沿都不能唤醒单片机。
Bit 2
RIE:接收中断使能位
0:接收中断除能
1:接收中断使能
此位为接收中断使能或除能位。若 RIE=1,当 OERR 或 RXIF 置位时,UART 的
中断请求标志置位;若 RIE=0,UART 中断请求标志不受 OERR 和 RXIF 影响。
Bit 1
TIIE:发送器空闲中断使能位
0:发送器空闲中断除能
1:发送器空闲中断使能
此位为发送器空闲中断的使能或除能位。若 TIIE=1,当 TIDLE 置位时,UART
的中断请求标志置位;若 TIIE=0,UART 中断请求标志不受 TIDLE 的影响。
Bit 0
TEIE:发送寄存器为空中断使能位
0:发送寄存器为空中断除能
1:发送寄存器为空中断使能
此位为发送寄存器为空中断的使能或除能位。若 TEIE=1,当 TXIF 置位时,
UART 的中断请求标志置位;若 TEIE=0,UART 中断请求标志不受 TXIF 的影响。
波特率发生器
UART 自身具有一个波特率发生器,通过它可以设定数据传输速率。波特率是
由一个独立的内部 8 位计数器产生,它由 BRG 寄存器和 UCR2 寄存器的 BRGH
位来控制。BRGH 是决定波特率发生器处于高速模式还是低速模式,从而决定
计算公式的选用。BRG 寄存器的值 N 可根据下表中的公式计算,N 的范围是 0
到 255。
UCR2 的 BRGH 位
0
1
波特率 (BR)
fSYS
[64(N+1)]
fSYS
[16(N+1)]
为得到相应的波特率,首先需要设置 BRGH 来选择相应的计算公式从而算出
BRG 的值。由于 BRG 的值不连续,所以实际波特率和理论值之间有一个偏差。
下面举例怎样计算 BRG 寄存器中的值 N 和误差。
Rev. 1.30
152
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
BRG 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
BRG7
R/W
×
6
BRG6
R/W
×
5
BRG5
R/W
×
4
BRG4
R/W
×
3
BRG3
R/W
×
2
BRG2
R/W
×
1
BRG1
R/W
×
0
BRG0
R/W
×
“×”:未知
Bit 7~ 0
BRG7~ BRG0:波特率值
软件设置 UCR2 寄存器中的 BRGH 位(设置波特率发生器的速度)和 BRG 寄
存器(设置波特率的值),一起控制 UART 的波特率。
波特率和误差的计算
系 统 选 用 4MHz 时 钟 频 率 且 BRGH=0, 若 期 望 的 波 特 率 为 4800, 计 算 它 的
BRG 寄存器的值 N,实际波特率和误差。
fSYS
根据上表,波特率 BR= [64(N+1)]
fSYS
转换后的公式 N=
-1
(BR×64)
4000000
带入参数 N=
-1 = 12.0208
(4800×64)
取最接近的值,十进制 12 写入 BRG 寄存器,实际波特率如下
4000000
= 4808
[64(12+1)]
4808-4800
因此,误差 =
=0.16%
4800
BR=
UART 模块的设置与控制
UART 采用标准的不归零码传输数据,这种方法通常被称为 NRZ 法。它由 1 位
起始位,8 位或 9 位数据位和 1 位或者两位停止位组成。奇偶校验是由硬件自
动完成的,可设置成奇校验、偶校验和无校验三种格式。常用的数据传输格式
由 8 位数据位,1 位停止位,无校验组成,用 8、N、1 表示,它是系统上电的
默认格式。数据位数、停止位数和奇偶校验由 UCR1 寄存器的 BNO、PRT、
PREN 和 STOPS 设定。用于数据发送和接收的波特率由一个内部的 8 位波特率
发送器产生,数据传输时低位在前高位在后。尽管 UART 发送器和接收器在功
能上相互独立,但它们使用相同的数据传输格式和波特率,在任何情况下,停
止位是必须的。
UART 接口的使能和除能
UART 是由 UCR1 寄存器的 UARTEN 位来使能和除能的。若 UARTEN、TXEN
和 RXEN 都为高,则 TX 和 RX 分别为 UART 的发送端口和接收端口。若没有
数据发送,TX 引脚默认状态为高电平。
UARTEN 清零将除能 TX 和 RX,其可用作普通 I/O 口或其它引脚共用功能。当
UART 被除能时将清空缓冲器,所有缓冲器中的数据将被忽略,另外错误和状
态标志位被复位,TXEN、RXEN、TXBRK、RXIF、OERR、FERR、PERR 和
NF 清零而 TIDLE、TXIF 和 RIDLE 置位,UCR1、UCR2 和 BRG 寄存器中的其
它位保持不变。若 UART 工作时 UARTEN 清零,所有发送和接收将停止,模
块也将复位成上述状态。当 UART 再次使能时,它将在上次配置下重新工作。
Rev. 1.30
153
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
数据位、奇偶校验位以及停止位的选择
数据传输格式由数据长度、是否校验、校验类型、地址位以及停止位长度组成。
它们都是由 UCR1 寄存器的各个位控制的。BNO 决定数据传输是 8 位还是 9 位;
PRT 决定校验类型;PREN 决定是否选择奇偶校验;而 STOPS 决定选用 1 位还
是 2 位停止位。下表列出了各种数据传输格式。地址位用来确定此帧是否为地
址。停止位的长度和数据位的长度无关。
起始位
8 位数据位
1
1
1
9 位数据位
1
1
1
数据位
地址位
校验位
停止位
8
7
7
0
0
1
0
1
0
1
1
1
9
8
8
0
0
1
0
1
0
1
1
1
发送和接收数据格式
下图是传输 8 位和 9 位数据的波形。
UART 发送器
UCR1 寄存器的 BNO 位是控制数据传输的长度。BNO=1 其长度为 9 位,第 9
位 MSB 存 储 在 UCR1 寄 存 器 的 TX8 中。 发 送 器 的 核 心 是 发 送 移 位 寄 存 器
TSR,它的数据由发送寄存器 TXR 提供,应用程序只须将发送数据写入 TXR
寄存器。上组数据的停止位发出前,TSR 寄存器禁止写入。如果还有新的数据
要发送,一旦停止位发出,待发数据将会从 TXR 寄存器加载到 TSR 寄存器。
TSR 不像其它寄存器一样映射到数据存储器,所以应用程序不能对其进行读写
操作。TXEN=1,发送使能,但若 TXR 寄存器没有数据或者波特率没有设置,
发送器将不会工作。先写 TXR 寄存器再置高 TXEN 也会触发发送。当发送器
使能,若 TSR 寄存器为空,数据写入 TXR 寄存器将会直接加载到 TSR 寄存器
中。发送器工作时,TXEN 清零,发送器将立刻停止工作并且复位,此时 TX
引脚用作普通 I/O 口或其它引脚共用功能。
Rev. 1.30
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2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
发送数据
当 UART 发送数据时,数据从移位寄存器中移到 TX 引脚上,其低位在前高位
在后。在发送模式中,TXR 寄存器在内部总线和发送移位寄存器间形成一个缓
冲。如果选择 9 位数据传输格式,最高位 MSB 存储在 UCR1 寄存器的 TX8 中。
发送器初始化可由如下步骤完成:
● 正确地设置 BNO、PRT、PREN 和 STOPS 位以确定数据长度、校验类型和停
止位长度。
● 设置 BRG 寄存器,选择期望的波特率。
● 置高 TXEN,使能 UART 发送器且使 TX 作为 UART 的发送端。
● 读取 USR 寄存器,然后将待发数据写入 TXR 寄存器。注意,此步骤会清除
TXIF 标志位。
如果要发送多个数据只需重复上一步骤。
当 TXIF=0 时, 数 据 将 禁 止 写 入 TXR 寄 存 器。 可 以 通 过 以 下 步 骤 来 清 除
TXIF:
1. 读取 USR 寄存器
2. 写 TXR 寄存器
只读标志位 TXIF 由 UART 硬件置位。若 TXIF=1,TXR 寄存器为空,其它数
据可以写入而不会覆盖以前的数据。若 TEIE=1,TXIF 标志位会影响中断。在
数据传输时,写 TXR 指令会将待发数据暂存在 TXR 寄存器中,当前数据发送
完毕后,待发数据被加载到发送移位寄存器中。当发送器空闲时,写 TXR 指令
会将数据直接加载到 TSR 寄存器中,数据传输立刻开始且 TXIF 置位。当一帧
数据发送完毕,TIDLE 将被置位。
可以通过以下步骤来清除 TIDLE:
1. 读取 USR 寄存器
2. 写 TXR 寄存器
清除 TXIF 和 TIDLE 软件执行次序相同。
发送暂停字
若 TXBRK=1,下一帧将会发送暂停字。它是由一个起始位、13×N(N=1,
2……)位逻辑 0 组成。置位 TXBRK 将会发送暂停字,而清除 TXBRK 将产生
停止位,传输暂停字不会产生中断。需要注意思的是,暂停字至少 13 位宽。若
TXBRK 持 续 为 高, 那 么 发 送 器 会 一 直 发 送 暂 停 字; 当 应 用 程 序 清 除 了
TXBRK,发送器将传输最后一帧暂停字再加上一位或者两位停止位。暂停字后
的高电平保证下一帧数据起始位的检测。
UART 接收器
UART 接收器支持 8 位或者 9 位数据接收。若 BNO=1,数据长度为 9 位,而最
高位 MSB 存放在 UCR1 寄存器的 RX8 中。接收器的核心是串行移位寄存器
RSR。RX 引脚上的数据送入数据恢复器中,它在 16 倍波特率的频率下工作,
而串行移位器工作在正常波特率下。当在 RX 引脚上检测到停止位,数据从
RSR 寄存器中加载到 RXR 寄存器。RX 引脚上的每一位数据会被采样三次以判
断其逻辑状态。RSR 不像其它寄存器一样映射在数据存储器,所以应用程序不
能对其进行读写操作。
Rev. 1.30
155
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
接收数据
当 UART 接收数据时,数据低位在前高位在后,连续地从 RX 引脚进入。RXR
寄存器在内部总线和接收移位寄存器间形成一个缓冲。RXR 寄存器是一个两层
的 FIFO 缓冲器,它能保存两帧数据的同时接收第三帧数据,应用程序必须保
证在接收完第三帧前读取 RXR 寄存器,否则忽略第三帧数据并且发生溢出错
误。
接收器的初始化可由如下步骤完成:
● 正确地设置 BNO、PRT、PREN 和 STOPS 位以确定数据长度、校验类型和停
止位长度。
● 设置 BRG 寄存器,选择期望的波特率。
● 置高 RXEN,使能 UART 发送器且使 RX 作为 UART 的接收端。
此时接收器被使能并检测起始位。
接收数据将会发生如下事件:
● 当 RXR 寄存器中有一帧以上的数据时,USR 寄存器中的 RXIF 位将会置位。
● 若 RIE=1,数据从 RSR 寄存器加载到 RXR 寄存器中将产生中断。
● 若接收器检测到帧错误、噪声干扰错误、奇偶出错或溢出错误,那么相应的
错误标志位置位。
可以通过如下步骤来清除 RXIF:
1. 读取 USR 寄存器
2. 读取 RXR 寄存器
接收暂停字
UART 接收任何暂停字都会当作帧错误处理。接收器只根据 BNO 和 STOPS 位
确定一帧数据的长度。若暂停字位数大于 BNO 和 STOPS 位指定的长度,接收
器认为接收已完毕,RXIF 和 FERR 置位,RXR 寄存器清 0,若相应的中断允
许且 RIDLE 为高将会产生中断。若暂停字较长,接收器收到起始位、数据位将
会置位 FERR 标志,且在下一起始位前必须检测到有效的停止位。暂停字只会
被认为包含信息 0 且会置位 FERR 标志。暂停字将会加载到缓冲器中,在接收
到停止位前不会再接收数据,没有检测到停止位也会置位只读标志位 RIDLE。
UART 接收到暂停字会产生以下事件:
● 帧错误标志位 FERR 置位。
● RXR 寄存器清零。
● OERR、NF、PERR、RIDLE 或 RXIF 可能会置位。
空闲状态
当 UART 接收数据时,即在起初位和停止位之间,USR 寄存器的接收标志位
RIDLE 清零。在停止位和下一帧数据的起始位之间,RIDLE 被置位,表示接收
器空闲。
接收中断
USR 寄存器的只读标志位 RXIF 由接收器的边沿触发置位。若 RIE=1,数据从
移位寄存器 RSR 加载到 RXR 寄存器时产生中断,同样地,溢出也会产生中断。
Rev. 1.30
156
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
接收错误处理
UART 会产生几种接收错误,下面部分将描述各错误以及怎样处理。
溢出错误——OERR
RXR 寄存器是一个两层的 FIFO 缓冲器,它能保存两帧数据的同时接收第三帧
数据,应用程序必须保证在接收完第三帧前读取 RXR 寄存器,否则发生溢出错
误。
产生溢出错误时将会发生以下事件:
● USR 寄存器中 OERR 被置位。
● RXR 寄存器中数据不会丢失。
● RSR 寄存器数据将会被覆盖。
● 若 RIE=1,将会产生中断。
先读取 USR 寄存器再读取 RXR 寄存器可将 OERR 清零。
噪声干扰错误——NF
数据恢复时多次采样可以有效的鉴别出噪声干扰。当检测到数据受到噪声干扰
时将会发生以下事件:
● 在 RXIF 上升沿,USR 寄存器中只读标志位 NF 置位。
● 数据从 RSR 寄存器加载到 RXR 寄存器中。
● 不产生中断,此位置位的同时由 RXIF 请求中断。
先读取 USR 寄存器再读取 RXR 寄存器可将 NF 清零。
帧错误——FERR
若在停止位上检测到 0,USR 寄存器中只读标志 FERR 置位。若选择两位停止
位,此两位都必须为高,否则将置位 FERR。它同数据一起存储在缓冲器中,
可被任何复位清零。
奇偶校验错误——PERR
若接收到数据出现奇偶校验错误,USR 寄存器中只读标志 PERR 置位。只有使
能了奇偶校验,选择了校验类型,此标志位才有效。它同数据一起存储在缓冲
器中,可被任何复位清除。注意,FERR 和 PERR 与相应的数据一起存储有缓
冲器中,在读取数据之前必须先访问错误标志位。
UART 模块中断结构
几个独立的 UART 条件可以产生一个 UART 中断。当条件满足时,会产生一个
低脉冲信号。发送寄存器为空、发送器空闲、接收器数据有效、溢出和地址检
测和 RX 引脚唤醒都会产生中断。若 UART 中断允许且堆栈未满,程序将会跳
转到相应的中断向量执行中断服务程序,而后再返回主程序。其中四种含有与
USR 寄存器相关的标志位,若 UCR2 寄存器中相应中断使能控制位被置位,
USR 寄存器中标志位将会产生中断。发送器有两个相应的中断使能控制位而接
收器共用一个中断使能控制位。这些使能位可用于禁止个别的 UART 中断源。
地 址 检 测 也 是 UART 的 中 断 源, 它 没 有 相 应 的 标 志 位, 若 UCR2 寄 存 器 中
ADDEN=1, 当 检 测 到 地 址 将 会 产 生 UART 中 断。RX 引 脚 唤 醒 也 可 以 产 生
UART 中断,它没有相应的标志位,当 UXR2 中的 WAKE 和 RIE 位被置位,
RX 引脚上有下降沿可以将单片机从空闲模式 0 或休眠模式中唤醒。应注意,
RX 唤醒中断发生时,系统必须延时 tSST 才能正常工作。
Rev. 1.30
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
注意,USR 寄存器标志位为只读状态,软件不能对其进行设置,在进入相应中
断服务程序时也不能清除这些标志位,其它中断亦是如此。这些标志位仅在
UART 特定动作发生时才会自动被清除,详细解释见 UART 寄存器章节。整体
UART 中断的使能或除能可由中断控制寄存器中的相关中断使能控制位控制,
其中断请求由 UART 模块决定。
USR Register
UCR2 Register
Transmitter Empty Flag TXIF
TEIE
Transmitter Idle Flag TIDLE
TIIE
1
RIE
OR
Receiver Data Available
RXIF
WAKE
0
1
Receiver Overrun Flag
OERR
RX Pin
Wake-up
0
ADDEN
0
URE
0
1
EMI
0
1
Interrupt
signal to MCU
1
0
1
0
UART Interrupt
Request Flag
URF
0
1
RX7 if BNO=0
RX8 if BNO=1
1
UCR2 Register
UART 中断结构
地址检测模式
置位 UCR2 寄存器中的 ADDEN 将启动地址检测模式。若此位为“1”,可产生
接收数据有效中断,其请求标志位为 RXIF。若 ADDEN 有效,只有在接收到数
据最高位为 1 才会产生中断,中断使能控制位 URE 和 EMI 也要使能才会产生
中断。地址的最高位为第 9 位 (BNO=1) 或第 8 位 (BNO=0),若此位为高,则接
收到的是地址而非数据。只有接收的数据的最后一位为高才会产生中断。若
ADDEN 除能,每接收到一个有效数据便会置位 RXIF,而不用考虑数据的最后
一位。地址检测和奇偶校验在功能上相互排斥,若地址检测模式使能,必须保
证操作的正确,同时必须将奇偶检验使能位 PREN 清零,除能奇偶校验。
ADDEN
0
1
Bit 9 (BNO=1)
Bit 8 (BNO=0)
0
1
0
1
产生 UART 中断
√
√
×
√
ADDEN 位功能
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158
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
UART 模块暂停和唤醒
MCU 系统时钟关闭后 UART 模块将停止运行。当传送数据时 MCU 执行 HALT
指令并关闭系统时钟,发送将停止直到 UART 模块时钟再次使能。同样地,当
接收数据时 MCU 执行 HALT 指令并关闭系统时钟,数据接收也会停止。当
MCU 进 入 空 闲 或 休 眠 模 式,USR、UCR1、UCR2、 接 收 / 发 送 寄 存 器 以 及
BRG 寄存器都不会受到影响。建议在 MCU 进入暂停模式前先确保数据发送或
接收已完成。
UART 功能中包括了 RX 引脚的唤醒功能,由 UCR2 寄存器中 WAKE 位控制。
进入空闲模式 0 或休眠模式前,若该标志位与 UART 使能位 UARTEN、接收器
使能位 RXEN 和接收器中断位 RIE 都被置位,则 RX 引脚的下降沿可唤醒单片
机。唤醒后系统需延时一定系统时钟周期才能正常工作,在此期间,RX 引脚
上的任何数据将被忽略。
若要唤醒并产生 UART 中断,除了唤醒使能控制位和接收中断使能控制位需置
位外,全局中断使能控制位 EMI 和 UART 中断使能控制位 URE 也必须置位;
若这两控制位没有被置位,那么,单片机将可以被唤醒但不会产生中断。同样
唤醒后系统需一定的延时才能正常工作,然后才会产生 UART 中断。
Rev. 1.30
159
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
低电压检测 – LVD
该系列单片机都具有低电压检测功能,即 LVD。该功能使能用于监测电源电压
VDD,若电源电压低于一定值可提供一个警告信号。此功能在电池类产品中非常
有用,在电池电压较低时产生警告信号。低电压检测也可产生中断信号。
LVD 寄存器
低电压检测功能由 LVDC 寄存器控制。VLVD2~ VLVD0 位用于选择 8 个固定的
电压参考点。LVDO 位被置位时低电压情况发生,若 LVDO 位为低表明 VDD 电
压工作在当前所设置低电压水平值之上。LVDEN 位用于控制低电压检测功能的
开启 / 关闭,设置此位为高使能此功能,反之,关闭内部低电压检测电路。低
电压检测会有一定的功耗,在不使用时可考虑关闭此功能,此举在功耗要求严
格的电池供电应用中值得考虑。
LVDC 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
—
—
—
6
—
—
—
5
LVDO
R
0
4
LVDEN
R/W
0
Bit 7~ 6
未定义,读为“0”
Bit 5
LVDO:LVD 输出标志位
0:未检测到低电压
1:检测到低电压
Bit 4
LVDEN:低电压检测使能控制位
0:除能
1:使能
Bit 3
未定义,读为“0”
Bit 2~ 0
VLVD2~ VLVD0: LVD 电压选择位
000:2.0V
001:2.2V
010:2.4V
011:2.7V
100:3.0V
101;3.3V
110:3.6V
111:4.0V
160
3
—
—
—
2
1
0
VLVD2 VLVD1 VLVD0
R/W
R/W
R/W
0
0
0
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
LVD 操作
通过比较电源电压 VDD 与存储在 LVDC 寄存器中的预置电压值的结果,低电压
检测功能工作。其设置的范围为 2.0V~ 4.0V。当电源电压 VDD 低于预置电压值
时,LVDO 位被置为高,表明低电压产生。低电压检测功能由一个自动使能的
参考电压提供。若 LVDEN 位为高,当单片机掉电时低电压检测器保持有效状
态。低电压检测器使能后,读取 LVDO 位前,电路稳定需要一定的延时 tLVDS。
注意,VDD 电压可能上升或下降比较缓慢,在 VLVD 电压值附近时,LVDO 位可
能有多种变化。
LVD 操作
低电压检测器也有自己的中断功能,也是属于多功能中断的一种,它是除了轮
询 LVDO 位之外的另一种检测低电压的方法。中断条件产生置位 LVDO 并延时
tLVD 后,中断产生。若 LVDEN 位为高,当单片机掉电时低电压检测器保持有效
状态。此种情况下,若 VDD 降至小于 LVD 预置电压值时,中断请求标志位 LVF
将被置位,中断产生,单片机将从休眠或空闲模式中被唤醒。若不要求低电压
检测的唤醒功能使能,在单片机进入休眠或空闲模式前应将 LVF 标志置为高。
Rev. 1.30
161
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
中断
中断是单片机一个重要功能。当外部事件或内部功能如定时器模块或 A/D 转换
器有效,并且产生中断时,系统会暂时中止当前的程序而转到执行相对应的中
断服务程序。此系列单片机提供多个外部中断和内部中断功能,外部中断由
INT0 和 INT1 引脚动作产生,而内部中断由各种内部功能,如定时器模块、时
基、LVD、EEPROM、SIM、UART 和 A/D 转换器等产生。
中断寄存器
中断控制基本上是在一定单片机条件发生时设置请求标志位,应用程序中中断
使能位的设置是通过位于特殊功能数据存储器中的一系列寄存器控制的。寄存
器总的分为三类。第一类是 INTC0~ INTC2 寄存器,用于设置基本的中断;第
二类是 MFI0~ MFI2 寄存器,用于设置多功能中断;最后一种有 INTEG 寄存器,
用于设置外部中断边沿触发类型。
寄存器中含有中断控制位和中断请求标志位。中断控制位用于使能或除能各种
中断,中断请求标志位用于存放当前中断请求的状态。它们都按照特定的模式
命名,前面表示中断类型的缩写,紧接着的字母“E”代表使能 / 除能位,“F”
代表请求标志位。
功能
总中断
INTn 脚
多功能
A/D 转换器
时基
SIM
LVD
EEPROM 写操作
TM
使能位
EMI
INTnE
MFnE
ADE
TBnE
SIME
LVE
DEE
TnPE
TnAE
请求标志
-
INTnF
MFnF
ADF
TBnF
SIMF
LVF
DEF
TnPF
TnAF
注释
-
n=0~ 1
n=0~ 2
-
n=0~ 1
-
-
-
n=0~ 1
n=0~ 1
中断寄存器位命名模式 –HT66F0175
功能
总中断
INTn 脚
比较器
多功能
A/D 转换器
时基
SIM
UART
LVD
EEPROM 写操作
TM
使能位
EMI
INTnE
CPE
MFnE
ADE
TBnE
SIME
URE
LVE
DEE
TnPE
TnAE
请求标志
-
INTnF
CPF
MFnF
ADF
TBnF
SIMF
URF
LVF
DEF
TnPF
TnAF
注释
-
n=0~ 1
-
n=0~ 2
-
n=0~ 1
-
-
-
-
n=0~ 2
n=0~ 2
中断寄存器位命名模式 –HT66F0185
Rev. 1.30
162
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
寄存器
名称
INTEG
INTC0
INTC1
INTC2
MFI0
MFI1
MFI2
位
7
-
-
TB0F
-
-
-
-
6
-
MF0F
ADF
SIMF
-
-
-
5
-
-
MF2F
INT1F
T0AF
T1AF
DEF
4
-
INT0F
MF1F
TB1F
T0PF
T1PF
LVF
3
2
1
0
INT1S1 INT1S0 INT0S1 INT0S0
MF0E
-
INT0E
EMI
TB0E
ADE
MF2E MF1E
-
SIME INT1E TB1E
-
-
T0AE
T0PE
-
-
T1AE
T1PE
-
-
DEE
LVE
中断寄存器列表 – HT66F0175
寄存器
名称
INTEG
INTC0
INTC1
INTC2
MFI0
MFI1
MFI2
位
7
-
-
TB0F
URF
-
T2AF
-
6
-
MF0F
ADF
SIMF
-
T2PF
-
5
-
CPF
MF2F
INT1F
T0AF
T1AF
DEF
4
-
INT0F
MF1F
TB1F
T0PF
T1PF
LVF
3
2
1
0
INT1S1 INT1S0 INT0S1 INT0S0
MF0E
CPE
INT0E
EMI
TB0E
ADE
MF2E MF1E
URE
SIME INT1E TB1E
-
-
T0AE
T0PE
T2AE
T2PE
T1AE
T1PE
-
-
DEE
LVE
中断寄存器列表 – HT66F0185
INTEG 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
-
-
-
6
-
-
-
5
-
-
-
4
-
-
-
3
2
1
0
INT1S1 INT1S0 INT0S1 INT0S0
R/W
R/W
R/W
R/W
0
0
0
0
Bit 7~ 4
未定义,读为“0”
Bit 3~ 2
INT1S1~ INT1S0:INT1 脚中断边沿控制位
00:除能
01:上升沿
10:下降沿
11:双沿
Bit 1~ 0
INT0S1~ INT0S0:INT0 脚中断边沿控制位
00:除能
01:上升沿
10:下降沿
11:双沿
163
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
INTC0 寄存器 – HT66F0175
Bit
Name
R/W
POR
7
-
-
-
6
MF0F
R/W
0
5
-
-
-
4
INT0F
R/W
0
Bit 7
未定义,读为“0”
Bit 6
MF0F:多功能中断 0 请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 5
未定义,读为“0”
Bit 4
INT0F:INT0 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 3
MF0E:多功能中断 0 控制位
0:除能
1:使能
Bit 2
未定义,读为“0”
Bit 1
INT0E:INT0 中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 0
EMI:总中断控制位
0:除能
1:使能
3
MF0E
R/W
0
2
-
-
-
1
INT0E
R/W
0
0
EMI
R/W
0
3
MF0E
R/W
0
2
CPE
R/W
0
1
INT0E
R/W
0
0
EMI
R/W
0
INTC0 寄存器 – HT66F0185
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
-
-
-
6
MF0F
R/W
0
5
CPF
R/W
0
4
INT0F
R/W
0
Bit 7
未定义,读为“0”
Bit 6
MF0F:多功能中断 0 请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 5
CPF:比较器中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 4
INT0F:INT0 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 3
MF0E:多功能中断 0 控制位
0:除能
1:使能
Bit 2
CPE:比较器中断控制位
0:除能
1:使能
164
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Bit 1
INT0E:INT0 中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 0
EMI:总中断控制位
0:除能
1:使能
INTC1 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
TB0F
R/W
0
6
ADF
R/W
0
5
MF2F
R/W
0
4
MF1F
R/W
0
Bit 7
TB0F:时基 0 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 6
ADF:A/D 转换器中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 5
MF2F:多功能中断 2 请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 4
MF1F:多功能中断 1 请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 3
TB0E:时基 0 中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 2
ADE:A/D 转换器中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 1
MF2E:多功能中断 2 控制位
0:除能
1:使能
Bit 0
MF1E:多功能中断 1 控制位
0:除能
1:使能
3
TB0E
R/W
0
2
ADE
R/W
0
1
MF2E
R/W
0
0
MF1E
R/W
0
3
-
-
-
2
SIME
R/W
0
1
INT1E
R/W
0
0
TB1E
R/W
0
INTC2 寄存器 – HT66F0175
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
-
-
-
6
SIMF
R/W
0
5
INT1F
R/W
0
Bit 7
未定义,读为“0”
Bit 6
SIMF:SIM 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
165
4
TB1F
R/W
0
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
Bit 5
INT1F:INT1 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 4
TB1F:时基 1 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 3
未定义,读为“0”
Bit 2
SIME:SIM 中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 1
INT1E:INT1 中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 0
TB1E:时基 1 中断控制位
0:除能
1:使能
INTC2 寄存器 – HT66F0185
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
URF
R/W
0
6
SIMF
R/W
0
5
INT1F
R/W
0
4
TB1F
R/W
0
Bit 7
URF:UART 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 6
SIMF:SIM 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 5
INT1F:INT1 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 4
TB1F:时基 1 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 3
URE:UART 中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 2
SIME:SIM 中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 1
INT1E:INT1 中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 0
TB1E:时基 1 中断控制位
0:除能
1:使能
166
3
URE
R/W
0
2
SIME
R/W
0
1
INT1E
R/W
0
0
TB1E
R/W
0
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
MFI0 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
-
-
-
6
-
-
-
5
T0AF
R/W
0
4
T0PF
R/W
0
3
-
-
-
Bit 7~ 6
未定义,读为“0”
Bit 5
T0AF:TM0 比较器 A 匹配中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 4
T0PF:TM0 比较器 P 匹配中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 3~ 2
未定义,读为“0”
Bit 1
T0AE:TM0 比较器 A 匹配中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 0
T0PE:TM0 比较器 P 匹配中断控制位
0:除能
1:使能
2
-
-
-
1
T0AE
R/W
0
0
T0PE
R/W
0
2
-
-
-
1
T1AE
R/W
0
0
T1PE
R/W
0
MFI1 寄存器 – HT66F0175
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
-
-
-
6
-
-
-
5
T1AF
R/W
0
4
T1PF
R/W
0
3
-
-
-
Bit 7~ 6
未定义,读为“0”
Bit 5
T1AF:TM1 比较器 A 匹配中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 4
T1PF:TM1 比较器 P 匹配中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 3~ 2
未定义,读为“0”
Bit 1
T1AE:TM1 比较器 A 匹配中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 0
T1PE:TM1 比较器 P 匹配中断控制位
0:除能
1:使能
167
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
MFI1 寄存器 – HT66F0185
Bit
Name
R/W
POR
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
7
T2AF
R/W
0
6
T2PF
R/W
0
5
T1AF
R/W
0
4
T1PF
R/W
0
3
T2AE
R/W
0
2
T2PE
R/W
0
1
T1AE
R/W
0
0
T1PE
R/W
0
2
-
-
-
1
DEE
R/W
0
0
LVE
R/W
0
T2AF:TM2 比较器 A 匹配中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
T2PF:TM2 比较器 P 匹配中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
T1AF:TM1 比较器 A 匹配中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
T1PF:TM1 比较器 P 匹配中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
T2AE:TM2 比较器 A 匹配中断控制位
0:除能
1:使能
T2PE:TM2 比较器 P 匹配中断控制位
0:除能
1:使能
T1AE:TM1 比较器 A 匹配中断控制位
0:除能
1:使能
T1PE:TM1 比较器 P 匹配中断控制位
0:除能
1:使能
MFI2 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
Rev. 1.30
7
-
-
-
6
-
-
-
5
DEF
R/W
0
4
LVF
R/W
0
Bit 7~ 6
未定义,读为“0”
Bit 5
DEF:数据 EEPROM 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 4
LVF:LVD 中断请求标志位
0:无请求
1:中断请求
Bit 3~ 2
未定义,读为“0”
Bit 1
DEE:数据 EEPROM 中断控制位
0:除能
1:使能
Bit 0
LVE:LVD 中断控制位
0:除能
1:使能
168
3
-
-
-
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
中断操作
若中断事件条件产生,如一个 TM 比较器 P、比较器 A 匹配或 A/D 转换结束等
等,相关中断请求标志将置起。中断标志产生后程序是否会跳转至相关中断向
量执行是由中断使能位的条件决定的。若使能位为“1”,程序将跳至相关中断
向量中执行;若使能位为“0”,即使中断请求标志置起中断也不会发生,程序
也不会跳转至相关中断向量执行。若总中断使能位为“0”,所有中断都将除能。
当中断发生时,下条指令的地址将被压入堆栈。相应的中断向量地址加载至 PC
中。系统将从此向量取下条指令。中断向量处通常为“JMP”指令,以跳转到
相应的中断服务程序。中断服务程序必须以“RETI”指令返回至主程序,以继
续执行原来的程序。
各个中断使能位以及相应的请求标志位,以优先级的次序显示在下图。一些中
断源有自己的向量,但是有些中断却共用多功能中断向量。一旦中断子程序被
响应,系统将自动清除 EMI 位,所有其它的中断将被屏蔽,这个方式可以防止
任何进一步的中断嵌套。其它中断请求可能发生在此期间,虽然中断不会立即
响应,但是中断请求标志位会被记录。
如果某个中断服务子程序正在执行时,有另一个中断要求立即响应,那么 EMI
位应在程序进入中断子程序后置位,以允许此中断嵌套。如果堆栈已满,即使
此中断使能,中断请求也不会被响应,直到 SP 减少为止。如果要求立刻动作,
则堆栈必须避免成为储满状态。请求同时发生时,执行优先级如下流程图所示。
所有被置起的中断请求标志都可把单片机从休眠或空闲模式中唤醒,若要防止
唤醒动作发生,在单片机进入休眠或空闲模式前应将相应的标志置起。
Legend
xxF
Request Flag, no auto reset in ISR
xxF
Request Flag, auto reset in ISR
xxE
Enable Bits
TM0 P
T0PF
T0PE
TM0 A
T0AF
T0AE
TM1 P
T1PF
T1PE
TM1 A
T1AF
T1AE
LVD
LVF
LVE
EEPROM
DEF
DEE
Interrupts contained within
Multi-Function Interrupts
EMI auto disabled in ISR
Interrupt
Name
Request
Flags
Enable
Bits
Master
Enable
INT0 Pin
INT0F
INT0E
EMI
04H
M. Funct. 0
MF0F
MF0E
EMI
0CH
M. Funct. 1
MF1F
MF1E
EMI
10H
M. Funct. 2
MF2F
MF2E
EMI
14H
A/D
ADF
ADE
EMI
18H
Time Base 0
TB0F
TB0E
EMI
1CH
Time Base 1
TB1F
TB1E
EMI
20H
INT1 Pin
INT1F
INT1E
EMI
24H
SIM
SIMF
SIME
EMI
28H
Vector Priority
High
Low
中断结构 – HT66F0175
Rev. 1.30
169
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
EMI auto disabled in ISR
Legend
xxF
Request Flag, no auto reset in ISR
xxF
Request Flag, auto reset in ISR
xxE
Enable Bits
Interrupts contained within
Multi-Function Interrupts
TM0 P
T0PF
T0PE
TM0 A
T0AF
T0AE
TM1 P
T1PF
T1PE
TM1 A
T1AF
T1AE
TM2 P
T2PF
T2PE
TM2 A
T2AF
T2AE
LVD
LVF
LVE
EEPROM
DEF
DEE
Interrupt
Name
Request
Flags
Enable
Bits
Master
Enable
INT0 Pin
INT0F
INT0E
EMI
Comparator
CPF
CPE
EMI
08H
M. Funct. 0
MF0F
MF0E
EMI
0CH
M. Funct. 1
MF1F
MF1E
EMI
10H
M. Funct. 2
MF2F
MF2E
EMI
14H
A/D
ADF
ADE
EMI
18H
Time Base 0
TB0F
TB0E
EMI
1CH
Time Base 1
TB1F
TB1E
EMI
20H
INT1 Pin
INT1F
INT1E
EMI
24H
SIM
SIMF
SIME
EMI
28H
UART
URF
URE
EMI
2CH
Vector Priority
High
04H
Low
中断结构 – HT66F0185
外部中断
通过 INT0~ INT1 引脚上的信号变化可控制外部中断。当触发沿选择位设置好
触 发 类 型,INT0~ INT1 引 脚 的 状 态 发 生 变 化, 外 部 中 断 请 求 标 志 INT0F~
INT1F 被置位时外部中断请求产生。若要跳转到相应中断向量地址,总中断控
制 位 EMI 和 相 应 中 断 使 能 位 INT0E~ INT1E 需 先 被 置 位。 此 外, 必 须 使 用
INTEG 寄存器使能外部中断功能并选择触发沿类型。外部中断引脚和普通 I/O
口共用,如果相应寄存器中的中断使能位被置位,并且通过引脚共用寄存器选
择外部中断脚,此引脚将被作为外部中断脚使用。此时该引脚必须通过设置端
口控制寄存器,将该引脚设置为输入口。当中断使能,堆栈未满并且外部中断
脚状态改变,将调用外部中断向量子程序。当响应外部中断服务子程序时,中
断请求标志位 INT0F~ INT1F 会自动复位且 EMI 位会被清零以除能其它中断。
注意,即使此引脚被用作外部中断输入,其上拉电阻仍保持有效。
寄存器 INTEG 被用来选择有效的边沿类型,来触发外部中断。可以选择上升沿
还是下降沿或双沿触发都产生外部中断。注意 INTEG 也可以用来除能外部中断
功能。
比较器中断 – HT66F0185
比较器中断由内部比较器控制。当比较器输出状态位改变,比较器中断请求标
志 CPF 被置位,比较器中断请求产生。若要跳转到相应中断向量地址,总中断
控制位 EMI 和比较器中断使能位 CPE 需先被置位。当中断使能,堆栈未满并
且比较器输入产生比较器输出变化时,将调用比较器中断向量子程序。当响应
中断服务子程序时,比较器中断请求标志位会自动复位且 EMI 位会被清零以除
能其它中断。
Rev. 1.30
170
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
多功能中断
此系列单片机中有多达 3 种多功能中断,与其它中断不同,它没有独立源,但
由其它现有的中断源构成,即 TM 中断、LVD 中断和 EEPROM 写中断。
当多功能中断中任何一种中断请求标志 MFnF 被置位,多功能中断请求产生。
当中断使能,堆栈未满,包括在多功能中断中的任意一个中断发生时,将调用
多功能中断向量中的一个子程序。当响应中断服务子程序时,相关的多功能请
求标志位会自动复位且 EMI 位会自动清零以除能其它中断。
但必须注意的是,在中断响应时,虽然多功能中断标志会自动复位,但多功能
中断源的请求标志位,即 TM 中断、LVD 中断、EEPROM 写中断的请求标志位
不会自动复位,必须由应用程序清零。
A/D 转换器中断
A/D 转换器中断由 A/D 转换动作的结束来控制。当 A/D 转换器中断请求标志
ADF 被置位,即 A/D 转换过程完成时,中断请求发生。若要跳转到相应中断向
量地址,总中断控制位 EMI 和 A/D 转换器中断使能位 ADE 需先被置位。当中
断使能,堆栈未满且 A/D 转换动作结束时,将调用 A/D 转换器中断向量子程序。
当响应中断服务子程序时,相应的中断请求标志位 ADF 会自动复位且 EMI 位
会被清零以除能其它中断。
时基中断
时基中断提供一个固定周期的中断信号,由各自的定时器功能产生溢出信号控
制。当各自的中断请求标志 TB0F 或 TB1F 被置位时,中断请求发生。当总中
断使能位 EMI 和时基使能位 TB0E 或 TB1E 被置位,允许程序跳转到各自的中
断向量地址。当中断使能,堆栈未满且时基溢出时,将调用它们各自的中断向
量子程序。当响应中断服务子程序时,相应的中断请求标志位 TBnF 会自动复
位且 EMI 位会被清零以除能其它中断。
时基中断的目的是提供一个固定周期的中断信号。其时钟源来自内部时钟源
fTB。fTB 输入时钟首先经过分频器,分频率由程序设置 TBC 寄存器相关位获取
合适的分频值以提供更长的时基中断周期。不同来源的时钟源 fTB 依次控制时
基中断周期,详见系统工作模式章节。
fTBC
fSYS/4
Prescaler
M
U
X
TBCK
fTB/28 ~ fTB/215
fTB
M
U
X
Time Base 0 Interrupt
TB02~TB00
Prescaler
fTB/212 ~ fTB/215
M
U
X
Time Base 1 Interrupt
TB11~TB10
时基中断
Rev. 1.30
171
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
TBC 寄存器
Bit
Name
R/W
POR
7
TBON
R/W
0
6
TBCK
R/W
0
5
TB11
R/W
1
4
TB10
R/W
1
Bit 7
TBON:时基功能使能控制位
0:除能
1:使能
Bit 6
TBCK:时基时钟源选择位
0:fTBC
1:fSYS/4
Bit 5~ 4
TB11~ TB10:时基 1 溢出周期选择位
000:212/fTB
001:213/fTB
010:214/fTB
011:215/fTB
Bit 3
LXTLP:LXT 低功耗控制位
0:除能 – LXT 快速起振
1:使能 – LXT 低功耗
Bit 2~ 0
TB02~ TB00:时基 0 溢出周期选择位
000:28/fTB
001:29/fTB
010:210/fTB
011:211/fTB
100:212/fTB
101:213/fTB
110:214/fTB
111:215/fTB
3
LXTLP
R/W
0
2
TB02
R/W
1
1
TB01
R/W
1
0
TB00
R/W
1
串行接口模块中断
串行接口模块中断,即 SIM 中断,由 SPI 或 I2C 数据传输控制。当一个字节数
据已由 SIM 接口接收或发送完,或 I2C 从机地址匹配,或 I2C 总线发生超时,
中断请求标志 SIMF 被置位,SIM 中断请求产生。若要程序跳转到相应中断向
量地址,总中断控制位 EMI、串行接口中断使能位 SIME 需先被置位。当中断
使能,堆栈未满且以上任何一种情况发生时,可跳转至相关 SIM 中断向量子程
序中执行。当串行接口中断响应,相应的中断请求标志位 SIMF 会自动复位且
EMI 位会被清零以除能其它中断。
UART 传输中断 – HT66F0185
UART 传输中断由几种 UART 传输条件来控制。当发送器为空、发送器空闲、
接收器数据有效、接收器溢出、地址检测和 RX 引脚唤醒,UART 中断请求标
志 URF 被置位,UART 中断请求产生。若要程序跳转到相应中断向量地址,总
中断控制位 EMI 和 UART 中断使能位 URE 需先被置位。当中断使能,堆栈未
满且以上任何一种情况发生时,将调用 UART 中断向量子程序。当响应中断服
务子程序时,相应的中断请求标志位 URF 会自动复位且 EMI 位会被清零以除
能其它中断。
Rev. 1.30
172
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
LVD 中断
LVD 中断属于多功能中断。当低电压检测功能检测到一个低电压时,LVD 中断
请求标志 LVF 被置位,LVD 中断请求产生。若要程序跳转到相应中断向量地址,
总中断控制位 EMI、低电压中断使能位 LVE 和相应多功能中断使能位需先被置
位。当中断使能,堆栈未满且低电压条件发生时,可跳转至相关多功能中断向
量子程序中执行。当 LVD 中断响应,EMI 将被自动清零以除能其它中断,多功
能中断请求标志也可自动清除,但 LVF 标志需在应用程序中手动清除。
EEPROM 中断
EEPROM 写中断属于多功能中断。当写周期结束,EEPROM 写中断请求标志
DEF 被置位,EEPROM 写中断请求产生。若要程序跳转到相应中断向量地址,
总中断控制位 EMI、EEPROM 写中断使能位 DEE 和相应多功能中断使能位需
先被置位。当中断使能,堆栈未满且 EEPROM 写周期结束时,可跳转至相关多
功能中断向量子程序中执行。当 EEPROM 写中断响应,EMI 将被自动清零以
除能其它中断,多功能中断请求标志也可自动清除,但 DEF 标志需在应用程序
中手动清除。
TM 中断
简易型、标准型和周期型 TM 有两个中断,分别来自比较器 P、A 匹配,都属
于多功能中断。所有类型的 TM 都有两个中断请求标志位及两个使能位。当
TM 比较器 P、A 匹配情况发生时,相应 TM 中断请求标志被置位,TM 中断请
求产生。
若要程序跳转到相应中断向量地址,总中断控制位 EMI、相应 TM 中断使能位
和相关多功能中断使能位 MFnE 需先被置位。当中断使能,堆栈未满且 TM 比
较器匹配情况发生时,可跳转至相关多功能中断向量子程序中执行。当 TM 中
断响应,EMI 将被自动清零以除能其它中断,相关 MFnF 标志也可自动清除,
但 TM 中断请求标志需在应用程序中手动清除。
中断唤醒功能
每个中断都具有将处于休眠或空闲模式的单片机唤醒的能力。当中断请求标志
由低到高转换时唤醒动作产生,其与中断是否使能无关。因此,尽管单片机处
于休眠或空闲模式且系统振荡器停止工作,如有外部中断脚上产生外部边沿跳
变、低电压或比较器输入改变都可能导致其相应的中断标志被置位,由此产生
中断,因此必须注意避免伪唤醒情况的发生。若中断唤醒功能被除能,单片机
进入休眠或空闲模式前相应中断请求标志应被置起。中断唤醒功能不受中断使
能位的影响。
Rev. 1.30
173
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
编程注意事项
通过禁止相关中断使能位,可以屏蔽中断请求,然而,一旦中断请求标志位被
设定,它们会被保留在中断控制寄存器内,直到相应的中断服务子程序执行或
请求标志位被应用程序清除。
多功能中断中所含中断相应程序执行时,多功能中断请求标志 MFnF 可以自动
清零,但各自的请求标志需在应用程序中手动清除。
建议在中断服务子程序中不要使用“CALL 子程序”指令。中断通常发生在不
可预料的情况或是需要立刻执行的某些应用。假如只剩下一层堆栈且没有控制
好中断,当“CALL 子程序”在中断服务子程序中执行时,将破坏原来的控制
序列。
所有中断在休眠或空闲模式下都具有唤醒功能,当中断请求标志发生由低到高
的转变时都可产生唤醒功能。若要避免相应中断产生唤醒动作,在单片机进入
休眠或空闲模式前需先将相应请求标志置为高。
当进入中断服务程序,系统仅将程序计数器的内容压入堆栈,如果中断服务程
序会改变状态寄存器或其它的寄存器的内容而破坏控制流程,应事先将这些数
据保存起来。
若从中断子程序中返回可执行 RET 或 RETI 指令。除了能返回至主程序外,
RETI 指令还能自动设置 EMI 位为高,允许进一步中断。RET 指令只能返回至
主程序,清除 EMI 位,除能进一步中断。
Rev. 1.30
174
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
配置选项
配置选项在烧写程序时写入芯片。通过 HT-IDE 的软件开发环境,使用者在开
发过程中可以选择配置选项。当配置选项烧入单片机后,无法再通过应用程序
修改。所有位必须按系统的需要定义,具体内容可参考下表:
序号
1
2
3
Rev. 1.30
选项
高速振荡器类型选择
fH – HXT 或 HIRC
低速振荡器类型选择
fSUB – LXT 或 LIRC
HIRC 频率选择
fHIRC – 8MHz, 12MHz 或 16MHz
175
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
应用电路
VDD
VDD
SCOMn
0.1µF
SSEGm
VSS
AN0~AN7
See Oscillator
Section
OSC
Circuit
LCD
Panel
PA0~PA7
PC0/OSC1
PC1/OSC2
PB0~PB6
PC0~PC6
OSC
Circuit
PB0/XT1
PB1/XT2
PD0~PD3
See Oscillator
Section
Rev. 1.30
176
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
指令集
简介
任何单片机成功运作的核心在于它的指令集,此指令集为一组程序指令码,用
来指导单片机如何去执行指定的工作。在 HOLTEK 单片机中,提供了丰富且灵
活的指令,共超过六十条,程序设计者可以事半功倍地实现他们的应用。
为了更加容易理解各种各样的指令码,接下来按功能分组介绍它们。
指令周期
大部分的操作均只需要一个指令周期来执行。分支、调用或查表则需要两个指
令周期。一个指令周期相当于四个系统时钟周期,因此如果在 8MHz 的系统时
钟振荡器下,大部分的操作将在 0.5µs 中执行完成,而分支或调用操作则将在
1µs 中执行完成。虽然需要两个指令周期的指令通常指的是 JMP、CALL、
RET、RETI 和查表指令,但如果牵涉到程序计数器低字节寄存器 PCL 也将多
花费一个周期去加以执行。即指令改变 PCL 的内容进而导致直接跳转至新地址
时,需要多一个周期去执行,例如“CLR PCL”或“MOV PCL, A”指令。对
于跳转指令必须注意的是,如果比较的结果牵涉到跳转动作将多花费一个周期,
如果没有则需一个周期即可。
数据的传送
单片机程序中数据传送是使用最为频繁的操作之一,使用三种 MOV 的指令,
数据不但可以从寄存器转移至累加器 ( 反之亦然 ),而且能够直接移动立即数到
累加器。数据传送最重要的应用之一是从输入端口接收数据或传送数据到输出
端口。
算术运算
算术运算和数据处理是大部分单片机应用所必需具备的能力,在盛群单片机内
部的指令集中,可直接实现加与减的运算。当加法的结果超出 255 或减法的结
果 少 于 0 时, 要 注 意 正 确 的 处 理 进 位 和 借 位 的 问 题。INC、INCA、DEC 和
DECA 指令提供了对一个指定地址的值加一或减一的功能。
逻辑和移位运算
标准逻辑运算例如 AND、OR、XOR 和 CPL 全都包含在盛群单片机内部的指令
集中。大多数牵涉到数据运算的指令,数据的传送必须通过累加器。在所有逻
辑数据运算中,如果运算结果为零,则零标志位将被置位,另外逻辑数据运用
形式还有移位指令,例如 RR、RL、RRC 和 RLC 提供了向左或向右移动一位的
方法。不同的移位指令可满足不同的应用需要。移位指令常用于串行端口的程
序应用,数据可从内部寄存器转移至进位标志位,而此位则可被检验,移位运
算还可应用在乘法与除法的运算组成中。
Rev. 1.30
177
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
分支和控制转换
程序分支是采取使用 JMP 指令跳转至指定地址或使用 CALL 指令调用子程序的
形式,两者之不同在于当子程序被执行完毕后,程序必须马上返回原来的地址。
这个动作是由放置在子程序里的返回指令 RET 来实现,它可使程序跳回 CALL
指令之后的地址。在 JMP 指令中,程序则只是跳到一个指定的地址而已,并不
需如 CALL 指令般跳回。一个非常有用的分支指令是条件跳转,跳转条件是由
数据存储器或指定位来加以决定。遵循跳转条件,程序将继续执行下一条指令
或略过且跳转至接下来的指令。这些分支指令是程序走向的关键,跳转条件可
能是外部开关输入,或是内部数据位的值。
位运算
提供数据存储器中单个位的运算指令是盛群单片机的特性之一。这特性对于输
出端口位的设置尤其有用,其中个别的位或端口的引脚可以使用“SET [m].i”
或“CLR [m].i”指令来设定其为高位或低位。如果没有这特性,程序设计师必
须先读入输出口的 8 位数据,处理这些数据,然后再输出正确的新数据。这种
读入 - 修改 - 写出的过程现在则被位运算指令所取代。
查表运算
数据的储存通常由寄存器完成,然而当处理大量固定的数据时,它的存储量常
常造成对个别存储器的不便。为了改善此问题,盛群单片机允许在程序存储器
中建立一个表格作为数据可直接存储的区域,只需要一组简易的指令即可对数
据进行查表。
其它运算
除了上述功能指令外,其它指令还包括用于省电的“HALT”指令和使程序在极
端电压或电磁环境下仍能正常工作的看门狗定时器控制指令。这些指令的使用
则请查阅相关的章节。
Rev. 1.30
178
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
指令集概要
下表中说明了按功能分类的指令集,用户可以将该表作为基本的指令参考。
惯例
x:立即数
m:数据存储器地址
A:累加器
i:第 0~ 7 位
addr:程序存储器地址
助记符
说明
指令
周期
影响标志位
算术运算
ADD
A,[m] ACC 与数据存储器相加,结果放入 ACC
ADDM A,[m] ACC 与数据存储器相加,结果放入数据存储器
A, x
ADD
ADC
ACC 与立即数相加,结果放入 ACC
A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相加,结果放入 ACC
ADCM A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相加,结果放入数据存储器
SUB
A, x
ACC 与立即数相减,结果放入 ACC
SUB
A,[m] ACC 与数据存储器相减,结果放入 ACC
SUBM A,[m] ACC 与数据存储器相减,结果放入数据存储器
SBC
A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志的反相减,结果放入 ACC
SBCM A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相减,结果放入数据存储器
DAA
[m]
1
Z, C, AC, OV
1注
Z, C, AC, OV
1
Z, C, AC, OV
1
Z, C, AC, OV
1
注
Z, C, AC, OV
1
Z, C, AC, OV
1
Z, C, AC, OV
1
注
Z, C, AC, OV
1
Z, C, AC, OV
1注
Z, C, AC, OV
将加法运算中放入 ACC 的值调整为十进制数,并将结果放入
1注
数据存储器
C
逻辑运算
A,[m] ACC 与数据存储器做“与”运算,结果放入 ACC
1
Z
OR
A,[m] ACC 与数据存储器做“或”运算,结果放入 ACC
1
Z
XOR
A,[m] ACC 与数据存储器做“异或”运算,结果放入 ACC
1
Z
ANDM A,[m] ACC 与数据存储器做“与”运算,结果放入数据存储器
1注
Z
ORM
1
注
Z
1注
Z
AND
A,[m] ACC 与数据存储器做“或”运算,结果放入数据存储器
XORM A,[m] ACC 与数据存储器做“异或”运算,结果放入数据存储器
AND
A, x
ACC 与立即数做“与”运算,结果放入 ACC
1
Z
OR
A, x
ACC 与立即数做“或”运算,结果放入 ACC
1
Z
XOR
A, x
ACC 与立即数做“异或”运算,结果放入 ACC
1
Z
CPL
[m]
CPLA [m]
对数据存储器取反,结果放入数据存储器
对数据存储器取反,结果放入 ACC
1
注
Z
1
Z
递增和递减
INCA
[m]
递增数据存储器,结果放入 ACC
INC
[m]
递增数据存储器,结果放入数据存储器
DECA [m]
递减数据存储器,结果放入 ACC
DEC
递减数据存储器,结果放入数据存储器
[m]
Rev. 1.30
179
1
Z
1注
Z
1
Z
1注
Z
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
助记符
说明
指令
周期
影响标志位
移位
RRA
[m]
数据存储器右移一位,结果放入 ACC
RR
[m]
数据存储器右移一位,结果放入数据存储器
RRCA [m]
带进位将数据存储器右移一位,结果放入 ACC
RRC
[m]
带进位将数据存储器右移一位,结果放入数据存储器
RLA
[m]
数据存储器左移一位,结果放入 ACC
RL
[m]
数据存储器左移一位,结果放入数据存储器
RLCA [m]
RLC
[m]
带进位将数据存储器左移一位,结果放入 ACC
带进位将数据存储器左移一位,结果放入数据存储器
1
无
1注
无
1
C
1注
C
1
无
1注
无
1
C
1
注
C
数据传送
MOV
A,[m] 将数据存储器送至 ACC
MOV
[m],A 将 ACC 送至数据存储器
MOV
A, x
将立即数送至 ACC
CLR
[m].i
SET
[m].i
1
1
无
注
无
1
无
清除数据存储器的位
1注
无
置位数据存储器的位
1注
无
位运算
转移
JMP
addr 无条件跳转
2
无
SZ
[m]
如果数据存储器为零,则跳过下一条指令
1注
无
SZA
[m]
数据存储器送至 ACC,如果内容为零,则跳过下一条指令
1注
无
SZ
[m].i 如果数据存储器的第 i 位为零,则跳过下一条指令
1注
无
SNZ
[m].i 如果数据存储器的第 i 位不为零,则跳过下一条指令
1
注
无
SIZ
[m]
递增数据存储器,如果结果为零,则跳过下一条指令
1注
无
SDZ
[m]
递减数据存储器,如果结果为零,则跳过下一条指令
1注
无
SIZA
[m]
递增数据存储器,将结果放入 ACC,如果结果为零,则跳过
下一条指令
1注
无
SDZA
[m]
递减数据存储器,将结果放入 ACC,如果结果为零,则跳过
下一条指令
1注
无
CALL
addr 子程序调用
2
无
2
无
2
无
2
无
读取特定页的 ROM 内容,并送至数据存储器和 TBLH
2注
无
TABRDC [m] 读取当前页的 ROM 内容,并送至数据存储器和 TBLH
2注
无
TABRDL [m] 读取最后页的 ROM 内容,并送至数据存储器和 TBLH
2
无
RET
从子程序返回
A, x 从子程序返回,并将立即数放入 ACC
RET
RETI
从中断返回
查表
TABRD [m]
注
其它指令
NOP
1
空指令
无
CLR
[m] 清除数据存储器
1
SET
[m] 置位数据存储器
1注
无
CLR
WDT 清除看门狗定时器
1
TO, PDF
Rev. 1.30
180
注
无
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
助记符
说明
指令
周期
影响标志位
CLR
WDT1 预清除看门狗定时器
1
TO, PDF
CLR
WDT2 预清除看门狗定时器
1
TO, PDF
1注
无
SWAP
[m] 交换数据存储器的高低字节,结果放入数据存储器
SWAPA
[m] 交换数据存储器的高低字节,结果放入 ACC
HALT
进入暂停模式
1
无
1
TO, PDF
注:1. 对跳转指令而言,如果比较的结果牵涉到跳转即需 2 个周期,如果没有发生跳转,则只需一个周期。
2. 任何指令若要改变 PCL 的内容将需要 2 个周期来执行。
3. 对 于“CLR WDT1” 或“CLR WDT2” 指 令 而 言,TO 和 PDF 标 志 位 也 许 会 受 执 行 结 果 影 响,“CLR
WDT1”和“CLR WDT2”被连续地执行后,TO 和 PDF 标志位会被清除,否则 TO 和 PDF 标志位保持不变
Rev. 1.30
181
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
指令定义
ADC A, [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
ADCM A, [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
ADD A, [m]
指令说明
Add ACC to Data Memory with Carry
将指定的数据存储器、累加器内容和进位标志位相加,
结果存放到指定的数据存储器。
[m] ← ACC + [m] + C
OV、Z、AC、C
功能表示
影响标志位
Add Data Memory to ACC
将指定的数据存储器和累加器内容相加,
结果存放到累加器。
ACC ← ACC + [m]
OV、Z、AC、C
ADD A, x
指令说明
功能表示
影响标志位
Add immediate data to ACC
将累加器和立即数相加,结果存放到累加器。
ACC ← ACC + x
OV、Z、AC、C
ADDM A, [m]
指令说明
Add ACC to Data Memory
将指定的数据存储器和累加器内容相加,
结果存放到指定的数据存储器。
[m] ← ACC + [m]
OV、Z、AC、C
功能表示
影响标志位
AND A, [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Rev. 1.30
Add Data Memory to ACC with Carry
将指定的数据存储器、累加器内容以及进位标志相加,
结果存放到累加器。
ACC ← ACC + [m] + C
OV、Z、AC、C
Logical AND Data Memory to ACC
将累加器中的数据和指定数据存储器内容做逻辑与,
结果存放到累加器。
ACC ← ACC“AND”[m]
Z
182
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
AND A, x
指令说明
功能表示
影响标志位
Logical AND immediate data to ACC
将累加器中的数据和立即数做逻辑与,结果存放到累加器。
ACC ← ACC“AND”x
Z
ANDM A, [m]
指令说明
Logical AND ACC to Data Memory
将指定数据存储器内容和累加器中的数据做逻辑与,
结果存放到数据存储器。
[m] ← ACC“AND”[m]
Z
功能表示
影响标志位
CALL addr
指令说明
影响标志位
Subroutine call
无条件地调用指定地址的子程序,此时程序计数器先加 1
获得下一个要执行的指令地址并压入堆栈,接着载入指定
地址并从新地址继续执行程序,由于此指令需要额外的运
算,所以为一个 2 周期的指令。
Stack ← Program Counter + 1
Program Counter ← addr
无
CLR [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Clear Data Memory
将指定数据存储器的内容清零。
[m] ← 00H
无
CLR [m].i
指令说明
功能表示
影响标志位
Clear bit of Data Memory
将指定数据存储器的 i 位内容清零。
[m].i ← 0
无
CLR WDT
指令说明
Clear Watchdog Timer
WDT 计数器、暂停标志位 PDF 和看门狗溢出标志位 TO
清零。
WDT cleared
TO & PDF ← 0
TO、PDF
功能表示
功能表示
影响标志位
Rev. 1.30
183
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
CLR WDT1
指令说明
功能表示
影响标志位
CLR WDT2
指令说明
功能表示
影响标志位
CPL [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
CPLA [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Rev. 1.30
Preclear Watchdog Timer
PDF 和 TO 标志位都被清 0。必须配合 CLR WDT2 一起使
用清除 WDT 计时器。当程序仅执行 CLR WDT1,而没有
执行 CLR WDT2 时,PDF 与 TO 保留原状态不变。
WDT ← 00H
TO & PDF ← 0
TO、PDF
Preclear Watchdog Timer
PDF 和 TO 标志位都被清 0。必须配合 CLR WDT1 一起使
用清除 WDT 计时器。当程序仅执行 CLR WDT2,而没有
执行 CLR WDT1 时,PDF 与 TO 保留原状态不变。
WDT ← 00H
TO & PDF ← 0
TO、PDF
Complement Data Memory
将指定数据存储器中的每一位取逻辑反,
相当于从 1 变 0 或 0 变 1。
[m] ← [m]
Z
Complement Data Memory with result in ACC
将指定数据存储器中的每一位取逻辑反,相当于从 1 变 0
或 0 变 1,而结果被储存回累加器且数据存储器中的内容
不变。
ACC ← [m]
Z
184
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
DAA [m]
指令说明
影响标志位
Decimal-Adjust ACC for addition with result in Data Memory
将累加器中的内容转换为 BCD(二进制转成十进制)码。
如果低四位的值大于“9”或 AC=1,那么 BCD 调整就执
行对原值加“6”,否则原值保持不变;如果高四位的值大
于“9”或 C=1,那么 BCD 调整就执行对原值加“6”。
BCD 转换实质上是根据累加器和标志位执行 00H,06H,
60H 或 66H 的加法运算,结果存放到数据存储器。只有进
位标志位 C 受影响,用来指示原始 BCD 的和是否大于
100,并可以进行双精度十进制数的加法运算。
[m] ← ACC + 00H 或
[m] ← ACC + 06H 或
[m] ← ACC + 60H 或
[m] ← ACC + 66H
C
DEC [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Decrement Data Memory
将指定数据存储器内容减 1。
[m] ← [m] – 1
Z
DECA [m]
指令说明
Decrement Data Memory with result in ACC
将指定数据存储器的内容减 1,把结果存放回累加器
并保持指定数据存储器的内容不变。
ACC ← [m] – 1
Z
功能表示
功能表示
影响标志位
HALT
指令说明
影响标志位
Enter power down mode
此指令终止程序执行并关掉系统时钟,RAM 和寄存器的内
容保持原状态,WDT 计数器和分频器被清“0”,暂停标
志位 PDF 被置位 1,WDT 溢出标志位 TO 被清 0。
TO ← 0
PDF ← 1
TO、PDF
INC [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Increment Data Memory
将指定数据存储器的内容加 1。
[m] ← [m] + 1
Z
功能表示
Rev. 1.30
185
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
INCA [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
JMP addr
指令说明
功能表示
影响标志位
Jump unconditionally
程序计数器的内容无条件地由被指定的地址取代,
程序由新的地址继续执行。当新的地址被加载时,
必须插入一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期的指令。
Program Counter ← addr
无
MOV A, [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Move Data Memory to ACC
将指定数据存储器的内容复制到累加器。
ACC ← [m]
无
MOV A, x
指令说明
功能表示
影响标志位
Move immediate data to ACC
将 8 位立即数载入累加器。
ACC ← x
无
MOV [m], A
指令说明
功能表示
影响标志位
Move ACC to Data Memory
将累加器的内容复制到指定的数据存储器。
[m] ← ACC
无
NOP
指令说明
功能表示
影响标志位
No operation
空操作,接下来顺序执行下一条指令。
PC ← PC+1
OR A, [m]
指令说明
Logical OR Data Memory to ACC
将累加器中的数据和指定的数据存储器内容逻辑或,
结果存放到累加器。
ACC ← ACC“OR”[m]
Z
功能表示
影响标志位
Rev. 1.30
Increment Data Memory with result in ACC
将指定数据存储器的内容加 1,结果存放回累加器并保持
指定的数据存储器内容不变。
ACC ← [m] + 1
Z
无
186
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
OR A, x
指令说明
功能表示
影响标志位
Logical OR immediate data to ACC
将累加器中的数据和立即数逻辑或,结果存放到累加器。
ACC ← ACC“OR”x
Z
ORM A, [m]
指令说明
Logical OR ACC to Data Memory
将存在指定数据存储器中的数据和累加器逻辑或,
结果放到数据存储器。
[m] ← ACC“OR”[m]
Z
功能表示
影响标志位
RET
指令说明
功能表示
影响标志位
RET A, x
指令说明
功能表示
影响标志位
RETI
指令说明
功能表示
影响标志位
RL [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Rev. 1.30
Return from subroutine
将堆栈寄存器中的程序计数器值恢复,
程序由取回的地址继续执行。
Program Counter ← Stack
无
Return from subroutine and load immediate data to ACC
将堆栈寄存器中的程序计数器值恢复且累加器载入指定的
立即数,程序由取回的地址继续执行。
Program Counter ← Stack
ACC ← x
无
Return from interrupt
将堆栈寄存器中的程序计数器值恢复且中断功能通过设置
EMI 位重新使能。EMI 是控制中断使能的主控制位。如果
在执行 RETI 指令之前还有中断未被相应,则这个中断将
在返回主程序之前被相应。
Program Counter ← Stack
EMI ← 1
无
Rotate Data Memory left
将指定数据存储器的内容左移 1 位,且第 7 位移到第 0 位。
[m].(i+1) ← [m].i (i=0~ 6)
[m].0 ← [m].7
无
187
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
RLA [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
RLC [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
RLC A [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
RR [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
RRA [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Rev. 1.30
Rotate Data Memory left with result in ACC
将指定数据存储器的内容左移 1 位,且第 7 位移到第 0 位,
结果送到累加器,而指定数据存储器的内容保持不变。
ACC.(i+1) ← [m].i (i=0~ 6)
ACC.0 ← [m].7
无
Rotate Data Memory Left through Carry
将指定数据存储器的内容连同进位标志左移 1 位,
第 7 位取代进位标志且原本的进位标志移到第 0 位。
[m].(i+1) ← [m].i (i=0~ 6)
[m].0 ← C
C ← [m].7
C
Rotate Data Memory left through Carry with result in ACC
将指定数据存储器的内容连同进位标志左移 1 位,第 7 位
取代进位标志且原本的进位标志移到第 0 位 , 移位结果送
回累加器,但是指定数据寄存器的内容保持不变。
ACC.(i+1) ← [m].i (i=0~ 6)
ACC.0 ← C
C ← [m].7
C
Rotate Data Memory right
将指定数据存储器的内容循环右移 1 位且第 0 位移到
第 7 位。
[m].i ← [m].(i+1) (i=0~ 6)
[m].7 ← [m].0
无
Rotate Data Memory right with result in ACC
将指定数据存储器的内容循环右移 1 位,第 0 位移到
第 7 位,移位结果存放到累加器,而指定数据存储器的内
容保持不变。
ACC.i ← [m].(i+1) (i=0~ 6)
ACC.7 ← [m].0
无
188
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
RRC [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
RRCA [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
SBC A, [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
SBCM A, [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
SDZ [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Rev. 1.30
Rotate Data Memory right through Carry
将指定数据存储器的内容连同进位标志右移 1 位,
第 0 位取代进位标志且原本的进位标志移到第 7 位。
[m].i ← [m].(i+1) (i=0~ 6)
[m].7 ← C
C ← [m].0
C
Rotate Data Memory right through Carry with result in ACC
将指定数据存储器的内容连同进位标志右移 1 位,第 0 位
取代进位标志且原本的进位标志移到第 7 位 , 移位结果送
回累加器,但是指定数据寄存器的内容保持不变。
ACC.i ← [m].(i+1) (i=0~ 6)
ACC.7 ← C
C ← [m].0
C
Subtract Data Memory from ACC with Carry
将累加器减去指定数据存储器的内容以及进位标志的反,
结果存放到累加器。如果结果为负,C 标志位清除为 0,
反之结果为正或 0,C 标志位设置为 1。
ACC ← ACC – [m] – C
OV、Z、AC、C、SC、CZ
Subtract Data Memory from ACC with Carry and result in Data
Memory
将累加器减去指定数据存储器的内容以及进位标志的反,
结果存放到数据存储器。如果结果为负,C 标志位清除为 0,
反之结果为正或 0,C 标志位设置为 1。
[m] ← ACC – [m] – C
OV、Z、AC、C、SC、CZ
Skip if Decrement Data Memory is 0
将指定的数据存储器的内容减 1,判断是否为 0,若为 0 则
跳过下一条指令,由于取得下一个指令时会要求插入一个
空指令周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不
为 0,则程序继续执行下一条指令。
[m] ← [m] -1,如果 [m]=0 跳过下一条指令执行
无
189
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
SDZA [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
将指定数据存储器内容减 1,判断是否为 0,如果为 0 则跳
过下一条指令,此结果将存放到累加器,但指定数据存储
器内容不变。由于取得下一个指令时会要求插入一个空指
令周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不为 0,
则程序继续执行下一条指令。
ACC ← [m]-1,如果 ACC=0 跳过下一条指令执行
无
SET [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Set Data Memory
将指定数据存储器的每一位设置为 1。
[m] ← FFH
无
SET [m].i
指令说明
功能表示
影响标志位
Set bit of Data Memory
将指定数据存储器的第 i 位置位为 1。
[m].i ← 1
无
SIZ [m]
指令说明
Skip if increment Data Memory is 0
将指定的数据存储器的内容加 1,判断是否为 0,若为 0 则
跳过下一条指令。由于取得下一个指令时会要求插入一个
空指令周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不
为 0,则程序继续执行下一条指令。
[m] ← [m]+1,如果 [m]=0 跳过下一条指令执行
无
功能表示
影响标志位
SIZA [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Rev. 1.30
Decrement data memory and place result in ACC,skip if 0
Skip if increment Data Memory is zero with result in ACC
将指定数据存储器的内容加 1,判断是否为 0,如果为 0 则
跳过下一条指令,此结果会被存放到累加器,但是指定数
据存储器的内容不变。由于取得下一个指令时会要求插入
一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结
果不为 0,则程序继续执行下一条指令。
ACC ← [m]+1,如果 ACC=0 跳过下一条指令执行
无
190
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
SNZ [m].i
指令说明
功能表示
影响标志位
SUB A, [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
SUBM A, [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
SUB A, x
指令说明
无
Subtract Data Memory from ACC
将累加器的内容减去指定的数据存储器的数据,把结果存
放到累加器。如果结果为负,C 标志位清除为 0,反之结果
为正或 0,C 标志位设置为 1。
ACC ← ACC – [m]
OV、Z、AC、C、SC、CZ
Subtract Data Memory from ACC with result in Data Memory
将累加器的内容减去指定数据存储器的数据,结果存放到
指定的数据存储器。如果结果为负,C 标志位清除为 0,
反之结果为正或 0,C 标志位设置为 1。
[m] ← ACC – [m]
OV、Z、AC、C、SC、CZ
功能表示
影响标志位
Subtract immediate Data from ACC
将累加器的内容减去立即数,结果存放到累加器。如果结
果为负,C 标志位清除为 0,反之结果为正或 0,C 标志位
设置为 1。
ACC ← ACC – x
OV、Z、AC、C、SC、CZ
SWAP [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Swap nibbles of Data Memory
将指定数据存储器的低 4 位和高 4 位互相交换。
[m].3~ [m].0 ↔ [m].7~ [m].4
无
SWAPA [m]
指令说明
Swap nibbles of Data Memory with result in ACC
将指定数据存储器的低 4 位与高 4 位互相交换,再将结果
存放到累加器且指定数据寄存器的数据保持不变。
ACC.3~ ACC.0 ← [m].7~ [m].4
ACC.7~ ACC.4 ← [m].3~ [m].0
无
功能表示
影响标志位
Rev. 1.30
Skip if bit i of Data Memory is not 0
判断指定数据存储器的第 i 位,若不为 0,则程序跳过下一
条指令执行。由于取得下一个指令时会要求插入一个空指
令周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果为 0,
则程序继续执行下一条指令。
如果 [m].i≠0,跳过下一条指令执行
191
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
SZ [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
SZA [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
SZ [m].i
指令说明
功能表示
影响标志位
TABRD [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
TABRDC [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
Rev. 1.30
Skip if Data Memory is 0
判断指定数据存储器的内容是否为 0,若为 0,则程序跳过
下一条指令执行。由于取得下一个指令时会要求插入一个
空指令周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不
为 0,则程序继续执行下一条指令。
如果 [m]=0, 跳过下一条指令执行
无
Skip if Data Memory is 0 with data movement to ACC
将指定数据存储器内容复制到累加器,并判断指定数据存
储器的内容是否为 0,若为 0 则跳过下一条指令。由于取
得下一个指令时会要求插入一个空指令周期,所以此指令
为 2 个周期的指令。如果结果不为 0,则程序继续执行下
一条指令。
ACC ← [m],如果 [m]=0,跳过下一条指令执行
无
Skip if bit i of Data Memory is 0
判断指定数据存储器的第 i 位是否为 0,若为 0,则跳过下
一条指令。由于取得下一个指令时会要求插入一个空指令
周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不为 0,
则程序继续执行下一条指令。
如果 [m].i=0,跳过下一条指令执行
无
Read table (specific page) to TBLH and Data Memory
将 表 格 指 针 对 TBHP 和 TBLP 所 指 的 程 序 代 码 低 字 节
( 指定页 ) 移至指定数据存储器且将高字节移至 TBLH。
[m] ← 程序代码 ( 低字节 )
TBLH ← 程序代码 ( 高字节 )
无
Read table (current page) to TBLH and Data Memory
将表格指针 TBLP 所指的程序代码低字节(当前页)移至
指定的数据存储器且将高字节移至 TBLH。
[m] ← 程序代码 ( 低字节 )
TBLH ← 程序代码 ( 高字节 )
无
192
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
TABRDL [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
XOR A, [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
XORM A, [m]
指令说明
功能表示
影响标志位
XOR A, x
指令说明
功能表示
影响标志位
Rev. 1.30
Read table ( last page ) to TBLH and Data Memory
将表格指针 TBLP 所指的程序代码低字节 ( 最后一页 )
移至指定数据存储器且将高字节移至 TBLH。
[m] ← 程序代码 ( 低字节 )
TBLH ← 程序代码 ( 高字节 )
无
Logical XOR Data Memory to ACC
将累加器的数据和指定的数据存储器内容逻辑异或,
结果存放到累加器。
ACC ← ACC“XOR”[m]
Z
Logical XOR ACC to Data Memory
将累加器的数据和指定的数据存储器内容逻辑异或,
结果放到数据存储器。
[m] ← ACC“XOR”[m]
Z
Logical XOR immediate data to ACC
将累加器的数据与立即数逻辑异或,结果存放到累加器。
ACC ← ACC“XOR”x
Z
193
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
封装信息
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● 封装信息(包括外形尺寸、包装带和卷轴规格)
● 封装材料信息
● 纸箱信息
Rev. 1.30
194
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
20-pin SOP(300mil) 外形尺寸
符号
A
B
C
C’
D
E
F
G
H
α
符号
A
B
C
C’
D
E
F
G
H
α
Rev. 1.30
最小
—
—
0.012
—
—
—
0.004
0.016
0.008
0°
尺寸 ( 单位:inch)
正常
0.406 BSC
0.295 BSC
—
0.504 BSC
—
0.050 BSC
—
—
—
—
最大
—
—
0.020
—
0.104
—
0.012
0.050
0.013
8°
最小
—
—
0.31
—
—
—
0.10
0.40
0.20
0°
尺寸 ( 单位:mm)
正常
10.30 BSC
7.5 BSC
—
12.8 BSC
—
1.27 BSC
—
—
—
—
最大
—
—
0.51
—
2.65
—
0.30
1.27
0.33
8°
195
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
20-pin SSOP (150mil) 外形尺寸
符号
A
B
C
C’
D
E
F
G
H
α
符号
A
B
C
C‘
D
E
F
G
H
α
Rev. 1.30
最小
—
—
0.008
—
—
—
0.004
0.016
0.004
0°
尺寸 ( 单位:inch)
正常
0.236 BSC
0.154 BSC
—
0.341 BSC
—
0.025 BSC
—
—
—
―
最大
—
—
0.012
—
0.069
—
0.010
0.050
0.010
8°
最小
—
—
0.20
—
—
—
0.10
0.41
0.10
0°
尺寸 ( 单位:mm)
正常
6.0 BSC
3.9 BSC
—
8.66 BSC
—
0.635 BSC
—
—
—
―
最大
—
—
0.30
—
1.75
—
0.25
1.27
0.25
8°
196
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
24-pin SOP(300mil) 外形尺寸
符号
A
B
C
C’
D
E
F
G
H
α
符号
A
B
C
C’
D
E
F
G
H
α
Rev. 1.30
最小
—
—
0.012
—
—
—
0.004
0.016
0.008
0°
尺寸 ( 单位:inch)
正常
0.406 BSC
0.295 BSC
—
0.606 BSC
—
0.050 BSC
—
—
—
—
最大
—
—
0.020
—
0.104
—
0.012
0.050
0.013
8°
最小
—
—
0.31
—
—
—
0.10
0.40
0.20
0°
尺寸 ( 单位:mm)
正常
10.30 BSC
7.5 BSC
—
15.4 BSC
—
1.27 BSC
—
—
—
—
最大
—
—
0.51
—
2.65
—
0.30
1.27
0.33
8°
197
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HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
24-pin SSOP (150mil) 外形尺寸
符号
A
B
C
C’
D
E
F
G
H
α
符号
A
B
C
C’
D
E
F
G
H
α
Rev. 1.30
最小
—
—
0.008
—
—
—
0.004
0.016
0.004
0°
尺寸 ( 单位:inch)
正常
0.236 BSC
0.154 BSC
—
0.341 BSC
—
0.025 BSC
—
—
—
—
最大
—
—
0.012
—
0.069
—
0.010
0.050
0.010
8°
最小
—
—
0.20
—
—
—
0.10
0.41
0.10
0°
尺寸 ( 单位:mm)
正常
6.0 BSC
3.9 BSC
—
8.66 BSC
—
0.635 BSC
—
—
—
—
最大
—
—
0.30
—
1.75
—
0.25
1.27
0.25
8°
198
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
28-pin SOP(300mil) 外形尺寸
符号
A
B
C
C’
D
E
F
G
H
α
符号
A
B
C
C’
D
E
F
G
H
α
Rev. 1.30
最小
—
—
0.012
—
—
—
0.004
0.016
0.008
0°
尺寸 ( 单位:inch)
正常
0.406 BSC
0.295 BSC
—
0.705 BSC
—
0.050 BSC
—
—
—
—
最大
—
—
0.020
—
0.104
—
0.012
0.050
0.013
8°
最小
—
—
0.31
—
—
—
0.10
0.40
0.20
0°
尺寸 ( 单位:mm)
正常
10.30 BSC
7.5 BSC
—
17.9 BSC
—
1.27 BSC
—
—
—
—
最大
—
—
0.51
—
2.65
—
0.30
1.27
0.33
8°
199
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
28-pin SSOP (150mil) 外形尺寸
符号
A
B
C
C’
D
E
F
G
H
α
符号
A
B
C
C’
D
E
F
G
H
α
Rev. 1.30
最小
—
—
0.008
—
—
—
0.004
0.016
0.004
0°
尺寸 ( 单位:inch)
正常
0.236 BSC
0.154 BSC
—
0.390 BSC
—
0.025 BSC
—
—
—
—
最大
—
—
0.012
—
0.069
—
0.0098
0.050
0.010
8°
最小
—
—
0.20
—
—
—
0.10
0.41
0.10
0°
尺寸 ( 单位:mm)
正常
6.0 BSC
3.9 BSC
—
9.9 BSC
—
0.635 BSC
—
—
—
—
最大
—
—
0.30
—
1.75
—
0.25
1.27
0.25
8°
200
2015-12-10
HT66F0175/HT66F0185
带 EEPROM A/D 型 8-Bit Flash 单片机
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2015-12-10