低電流、高性能NPNシリコン・バイ ポーラ・トランジスタ
AT-32032
特 長
● 低電流、低電圧用高性能トランジス タ ● 900MHz,5mA,2.7Vで特性を保証 NF: 1.3dB(最大)、1.0dB(標準) Ga: 13.5dB(最小)、15dB(標準) P1dB: +13dBm(標準)@20mA,2.7V ● SOT-323(SC-70 3ピン相当)表面 実装プラスチック・パッケージ ● テープ・リール・オプションを用意
3-Lead SC-70 (SOT-323) Surface Mount Plastic Package
概 要
A T - 3 2 0 3 2 は低電圧動作用に最適化さ れた高性能N P N バイポーラ・トラン ジスタです。パッケージはS O T - 3 2 3 (SC-70 3ピン相当)の表面実装プラ スチック・パッケージです。 2 . 7 V で特性を最適化しているため、 900MHz,1.9GHz,2.4GHzでのLNA、ゲ イン・ステージ、バッファ、発振 器、またはアクティブ・ミキサなど
応 用
● PDC、PHS、CDMAなどの移動体 通信端末およびワイヤレスLANなど のデータ通信機器
Pin Configuration
COLLECTOR
のようなバッテリ動作に最適で、セ ルラやPCSのハンドセットやISMバン ドのシステムに使用可能です。 900MHzでは、2.7V,5mAのバイアス で1.0dB(標準)NF、15dB(標準) のゲインが得られます。また、比較 的入力整合に影響を受けずに、良好 な雑音特性が得られます。1V,1mAで も高ゲインなので、9 0 0 M H z のペー ジャにも使用することができます。 中程度の出力パワー(+13dBm P1dB)と 低雑音により、低電流で広いダイナ ミック・レンジに対応するデバイス です。
32Y
BASE EMITTER
注:“Y”はデートコードを表わします。
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AT-32032 Absolute Maximum Ratings
Symbol VEBO VCBO VCEO IC PT Tj TSTG Parameter Emitter-Base Voltage Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Collector Current Power Dissipation[2, 3] Junction Temperature Storage Temperature Units V V V mA mW °C °C Absolute Maximum[1] 1.5 11 5.5 32 200 150 -65 to 150 Thermal Resistance[2] : θjc=350°C/W
注 1:これらのパラメータのいずれかを超 える状態でデバイスを動作させる と、永久的な損傷を受ける可能性 があります。 注 2:TMOUNTING SURFACE=25℃。 注 3:TC>80℃の場合は、2.86mW/℃の割 合で定格を下げてください。
Electrical Specifications, TA=25°C
Symbol NF GA hFE ICBO IEBO Parameters and Test Conditions Noise Figure f=0.9 GHz VCE=2.7V, IC=5mA f=1.8 GHz Associated Gain f=0.9 GHz VCE=2.7V, IC=5mA f=1.8 GHz Forward Current Transfer Ratio VCE=2.7V, IC=5mA Collector Cutoff Current VCB=3V Emitter Cutoff Current VEB=1V Units dB dB Min. Typ. 1.0 1.25 15 10.5 Max. 1.3
13.5
– µA µA
70
300 0.2 1.5
AT-32032 Characterization Information, TA=25°C
Symbol P1dB G1dB IP3 |S21|E2 Parameters and Test Conditions Power at 1 dB Gain Compression (opt tuning) VCE=2.7V, IC=20mA f=0.9 GHz Gain at 1 dB Gain Compression (opt tuning) VCE=2.7V, IC=20mA f=0.9GHz Output Third Order Intercept Point (opt turning) VCE=2.7V, IC=20mA f=0.9 GHz Gain in 50 Ω System VCE=2.7V, IC=2mA f=0.9 GHz Units dBm dB dBm dB Typ. 13 15.5 23 11.5
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AT-32032 Typical Performance
2.5 2.5 2.5
2.0
2.0
2.0
NOISE FIGURE (dB)
NOISE FIGURE (dB)
1.5
1.5
NOISE FIGURE (dB)
2 mA 5 mA 10 mA 0 1.0 2.0 3.0 4.0
1.5
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
2 mA 5 mA 10 mA 0 1.0 2.0 3.0 4.0
0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 FREQUENCY (GHz)
0 FREQUENCY (GHz)
0 FREQUENCY (GHz)
Figure 1. AT-32032 Typical Noise Figure vs. Frequency at 1V, 1 mA.
Figure 2. AT-32032 Typical Noise Figure vs. Frequency and Current at 2.7V.
20.0
Figure 3. AT-32032 Typical Noise Figure vs. Frequency and Current at 5V.
20.0
12.0
9.0
15.0
GAIN (dB) GAIN (dB)
15.0
GAIN (dB)
6.0
10.0
10.0
3.0
5.0 2 mA 5 mA 10 mA
5.0 2 mA 5 mA 10 mA 0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 FREQUENCY (GHz) FREQUENCY (GHz)
0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 FREQUENCY (GHz)
0
Figure 4. AT-32032 Associated Gain vs. Frequency at 1V, 1 mA.
Figure 5. AT-32032 Associated Gain vs. Frequency and Current at 2.7V.
Figure 6. AT-32032 Associated Gain vs. Frequency and Current at 5V.
20 15
Po -1 dB (dBm) G 1 dB (dBm)
20
16
16
G 1 dB (dBm)
12
10 5 0 -5 -10 0 5 10 15 20 25 COLLECTOR CURRENT (mA) 1V 2.7 V 5V
12
8
8
4 4 1V 2.7 V 5V 0 0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10 COLLECTOR CURRENT (mA) COLLECTOR CURRENT (mA) 1V 2.7 V 5V
0
Figure 7. AT-32032 P 1 dB vs. Collector Current and Voltage (valid up to 2.4GHz).
Figure 8a. G1 dB vs. Collector Current and Voltage (at 900MHz).
Figure 8b. G1 dB vs. Collector Current and Voltage (at 1.8 GHz).
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AT-32032 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Z O = 50 Ω, VCE = 1 V, IC = 1 mA
Freq. GHz 0.5 0.75 1.0 1.5 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 Mag 0.852 0.760 0.655 0.523 0.451 0.403 0.419 0.459 0.497 0.529 0.561 0.590 0.626 S11 Ang -51 -74 -94 -130 -161 147 104 69 45 27 13 -2 -17 dB
9.61 8.68 7.68 5.75 4.11 1.76 0.20 -0.92 -1.56 -1.84 -2.07 -2.34 -2.74
S21 Mag 3.024 2.717 2.420 1.939 1.606 1.224 1.023 0.899 0.836 0.809 0.788 0.764 0.729 Ang 137 119 104 79 60 30 7 -11 -26 -41 -56 -72 -87 dB
-20.65 -18.39 -17.35 -16.68 -16.52 -14.42 -10.21 -6.58 -4.22 -2.85 -2.33 -2.28 -2.57
S12 Mag 0.093 0.120 0.136 0.147 0.149 0.190 0.309 0.469 0.615 0.720 0.765 0.769 0.744 Ang 59 48 40 32 31 43 42 26 5 -18 -40 -60 -79 Mag 0.895 0.821 0.756 0.665 0.615 0.565 0.527 0.478 0.411 0.379 0.425 0.495 0.555
S22 Ang -21 -29 -35 -44 -52 -71 -96 -127 -168 141 96 63 38
AT-32032 Typical Noise Parameters,
Freq. GHz
0.9 1.8 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 1 V, IC = 1 mA Fmin dB
1.1 1.3 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
Γopt Mag 0.48 0.51 0.52 0.54 0.57 0.61 0.65 Ang 63 129 143 177 -153 -125 -102
20
1.25
Rn ohms
14.5 6.8 5.2 2.9 4.9 12.7 26.0
Gassoc dB
11.5 8.3 7.4 6.4 5.7 5.0 4.2
GAIN (dB)
15
1
10
0.75
k
5
0.5
0
-5 0
gmax dB(S[2,1]) k 1 2 3 4 5 FREQUENCY (GHz)
0.25
0 6
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1 gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1 k = stability factor S MAG = 21 (k ± √k2–1) S12 MSG = |S21| / |S12| k= 1 – |S11| 2 – |S22| 2 + |D|2 ; D = S 11S22 – S12 S21 2 * |S12| |S21|
Figure 9. Gain vs. Frequency at 1 V, 1 mA. Note: dB(|S 21|) = 20 * log(|S 21|)
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AT-32032 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Z O = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 2 mA
Freq. GHz 0.5 0.75 1.0 1.5 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 Mag 0.744 0.609 0.489 0.351 0.280 0.236 0.258 0.317 0.387 0.455 0.516 0.563 0.610 S11 Ang -57 -78 -96 -129 -158 149 105 72 51 34 19 3 -14 dB
14.37 12.86 11.40 8.86 6.93 4.28 2.58 1.36 0.43 -0.24 -0.80 -1.39 -2.00
S21 Mag 5.232 4.394 3.714 2.774 2.221 1.636 1.346 1.170 1.051 0.973 0.913 0.852 0.794 Ang 130 112 98 77 61 34 11 -8 -26 -42 -58 -74 -89 dB
-23.72 -21.73 -20.58 -19.05 -17.56 -14.08 -10.62 -7.54 -5.11 -3.28 -2.24 -1.86 -2.00
S12 Mag
0.065 0.082 0.094 0.112 0.133 0.198 0.295 0.420 0.555 0.686 0.772 0.807 0.795
S22 Ang 60 52 49 48 49 50 44 30 13 -8 -30 -52 -73 Mag
0.839 0.755 0.694 0.625 0.592 0.561 0.541 0.510 0.447 0.373 0.367 0.431 0.504
Ang -22 -28 -31 -37 -43 -59 -78 -103 -135 -178 129 86 55
AT-32032 Typical Noise Parameters,
Freq. GHz
0.9 1.8 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 2 mA Fmin dB
0.9 1.2 1.2 1.4 1.6 1.8 2.1
Γopt Mag 0.38 0.41 0.42 0.44 0.47 0.52 0.57 Ang 57 124 136 176 -152 -123 -100
Rn ohms
10.6 6.2 5.3 3.4 4.9 10.5 20.6
Gassoc dB
14.0 10.5 9.4 8.4 7.5 6.9 6.2
GAIN (dB)
20
1.25
16
1
12
0.75
k
8
0.5
4
0 0
gmax dB(S[2,1]) k 1 2 3 4 5 FREQUENCY (GHz)
0.25
0 6
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1 gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1 k = stability factor S MAG = 21 (k ± √k2–1) S12 MSG = |S21| / |S12| k= 1 – |S11| 2 – |S22| 2 + |D|2 ; D = S 11S22 – S12 S21 2 * |S12| |S21|
Figure 10. Gain vs. Frequency at 2.7 V, 2 mA. Note: dB(|S 21|) = 20 * log(|S 21|)
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AT-32032 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 5 mA
Freq. GHz 0.5 0.75 1.0 1.5 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 Mag 0.484 0.344 0.257 0.165 0.124 0.112 0.144 0.209 0.296 0.394 0.489 0.564 0.627 S11 Ang -70 -88 -103 -130 -160 143 100 72 57 43 28 10 -9 dB
18.65 16.04 13.98 10.90 8.76 5.93 4.19 3.01 2.14 1.43 0.70 -0.12 -1.05
S21 Mag 8.559 6.339 5.000 3.509 2.740 1.979 1.620 1.414 1.279 1.179 1.084 0.986 0.886 Ang 113 98 87 70 57 33 13 -7 -25 -43 -61 -78 -94 dB
-25.51 -23.25 -21.46 -18.59 -16.29 -12.69 -9.89 -7.55 -5.58 -3.94 -2.79 -2.18 -2.10
S12 Mag 0.053 0.069 0.085 0.118 0.153 0.232 0.320 0.419 0.526 0.636 0.725 0.778 0.786 Ang 62 61 61 60 57 48 37 24 8 -10 -30 -50 -71 Mag 0.680 0.602 0.561 0.522 0.502 0.477 0.454 0.418 0.353 0.275 0.270 0.355 0.455
S22 Ang -26 -28 -29 -33 -39 -55 -73 -95 -124 -166 137 91 58
AT-32032 Typical Noise Parameters,
Freq. GHz
0.9 1.8 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Common Emitter, Z O = 50 Ω, VCE = 2.7 V, I C = 5 mA Fmin dB
0.9 1.2 1.2 1.3 1.5 1.7 1.9
Γopt Mag
0.23 0.295 0.31 0.35 0.41 0.47 0.54
Ang
71 138 152 -173 -142 -114 -93
Rn ohms
7.5 5.1 4.6 4.1 5.8 11.0 20.0
Gassoc dB
15.6 11.5 10.4 9.1 8.2 7.4 6.7
GAIN (dB)
25
1.25
20
1
15
0.75
k
10
0.5
5
0 0
gmax dB(S[2,1]) k 1 2 3 4 5 FREQUENCY (GHz)
0.25
0 6
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1 gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1 k = stability factor S MAG = 21 (k ± √k2–1) S12 MSG = |S21| / |S12| k= 1 – |S11| 2 – |S22| 2 + |D|2 ; D = S11S22 – S12 S21 2 * |S12| |S21|
Figure 11. Gain vs. Frequency at 2.7 V, 5 mA. Note: dB(|S 21|) = 20 * log(|S 21|)
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AT-32032 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Z O = 50 Ω, VCE = 2. 7 V, IC = 10 mA
Freq. GHz 0.5 0.75 1.0 1.5 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 Mag 0.292 0.194 0.139 0.081 0.057 0.064 0.103 0.169 0.258 0.362 0.466 0.553 0.628 S11 Ang -76.768 -89.611 -100.612 -126.165 -160.808 131.034 91.686 69.993 58.339 46.145 31.083 13.235 -5.840 dB 20.197 17.121 14.850 11.624 9.409 6.523 4.750 3.580 2.719 2.042 1.334 0.533 -0.404 S21 Mag 10.230 7.179 5.527 3.813 2.954 2.119 1.728 1.510 1.368 1.265 1.166 1.063 0.955 Ang 102.252 90.014 81.084 66.997 54.862 33.080 13.099 -5.823 -24.160 -42.430 -60.668 -78.273 -95.268 dB -26.558 -23.688 -21.463 -18.160 -15.735 -12.174 -9.551 -7.424 -5.668 -4.173 -3.083 -2.402 -2.236 S12 Mag 0.047 0.065 0.085 0.124 0.163 0.246 0.333 0.425 0.521 0.619 0.701 0.758 0.773 Ang 68.475 68.467 67.769 64.256 59.458 48.003 35.089 21.009 5.600 -11.469 -30.211 -50.020 -69.960 Mag 0.577 0.528 0.504 0.481 0.467 0.443 0.418 0.378 0.309 0.224 0.217 0.307 0.419 S22 Ang -23.850 -24.315 -25.449 -30.013 -36.600 -52.023 -70.196 -92.177 -119.643 -160.597 138.234 91.480 58.813
AT-32032 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 10 mA Γopt Freq. Fmin Rn GHz dB ohms Mag Ang
0.9 1.8 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 1.1 1.3 1.4 1.5 1.7 1.9 2.0 0.15 0.23 0.26 0.32 0.38 0.45 0.52 87 159 173 -156 -128 -105 -84 7.6 5.6 5.3 5.7 8.6 14.8 25.0
Gassoc dB
16.2 11.9 11.0 9.5 8.4 7.6 6.8
GAIN (dB)
25
1.25
20
1
15
0.75
k
10
0.5
5
0 0
gmax dB(S[2,1]) k 1 2 3 4 5 FREQUENCY (GHz)
0.25
0 6
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1 gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1 k = stability factor S MAG = 21 (k ± √k2–1) S12 MSG = |S21| / |S12| k= 1 – |S11| 2 – |S22| 2 + |D|2 ; D = S 11S22 – S12 S21 2 * |S12| |S21|
Figure 12. Gain vs. Frequency at 2.7 V, 10 mA. Note: dB(|S 21|) = 20 * log(|S 21|)
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AT-32032 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Z O = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 2 mA
Freq. GHz 0.1 0.5 0.9 1.0 1.5 1.8 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 Mag 0.940 0.732 0.518 0.484 0.342 0.291 0.265 0.212 0.238 0.306 0.383 0.456 0.523 0.573 0.620 S11 Ang -13 -56 -87 -93 -124 -142 -153 151 103 70 50 34 19 2 --14 dB
17.5 14.9 12.4 11.6 9.0 7.8 7.1 4.5 2.7 1.5 0.6 -0.1 -0.7 -1.3 -2.0
S21 Mag 7.500 5.588 4.165 3.814 2.824 2.466 2.267 1.670 1.367 1.186 1.067 0.990 0.918 0.857 0.792 Ang 167 129 104 99 78 67 61 34 11 -8 -26 -43 -59 -75 -90 dB
-36.0 -23.8 -21.1 -20.6 -19.0 -18.1 -17.5 -14.0 -10.7 -7.6 -5.2 -3.3 -2.3 -1.9 -2.0
S12 Mag
0.016 0.064 0.088 0.093 0.112 0.125 0.134 0.199 0.293 0.416 0.550 0.682 0.771 0.805 0.791
S22 Ang 83 60 51 50 49 49 50 50 43 30 13 -8 -31 -53 -73 Mag
0.981 0.842 0.714 0.699 0.632 0.606 0.596 0.566 0.549 0.515 0.453 0.375 0.373 0.437 0.515
Ang -5 -22 -29 -30 -36 -40 -43 -58 -77 -102 -134 -177 130 86 54
AT-32032 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, ZO = 50 Ω, 5 V, IC = 2 mA Γopt Freq. Fmin GHz dB Mag Ang
0.9 1.8 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 1.0 1.2 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1 0.48 0.445 0.44 0.43 0.47 0.53 0.58 50 118 134 172 -154 -123 -98
Rn ohms
14.7 7.4 5.8 3.7 5.0 11.3 23.7
Gassoc dB
14.8 10.1 9.5 8.5 7.7 7.0 6.4
GAIN (dB)
25
1.25
20
1
15
0.75
k
10
0.5
5
0 0
gmax dB(S[2,1]) k 1 2 3 4 5 FREQUENCY (GHz)
0.25
0 6
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1 gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1 k = stability factor S MAG = 21 (k ± √k2–1) S12 MSG = |S21| / |S12| k= 1 – |S11| 2 – |S22| 2 + |D|2 ; D = S 11S22 – S12 S21 2 * |S12| |S21|
Figure 13. Gain vs. Frequency at 5 V, 2 mA. Note: dB(|S 21|) = 20 * log(|S 21|)
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AT-32032 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Z O = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq. GHz 0.1 0.5 0.9 1.0 1.5 1.8 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 Mag 0.860 0.496 0.298 0.269 0.168 0.133 0.116 0.086 0.121 0.194 0.287 0.390 0.491 0.570 0.640 S11 Ang -19 -67 -90 -96 -119 -135 -146 150 98 70 57 43 28 10 -9 dB
23.8 18.8 14.9 14.1 11.0 9.7 8.9 6.1 4.3 3.1 2.3 1.6 0.8 0 -1.0
S21 Mag
15.523 8.705 5.569 5.067 3.558 3.046 2.782 2.011 1.640 1.434 1.300 1.198 1.101 0.997 0.891
S12 Ang 160 114 92 88 71 63 58 34 13 -6 -25 -44 -62 -79 -95 dB
-36.4 -25.4 -22.0 -21.4 -18.5 -17.1 -16.2 -12.7 -9.9 -7.6 -5.7 -4.0 -2.8 -2.2 -2.1
S22 Ang 80 63 61 61 59 58 57 48 37 23 8 -10 -30 -51 -72 Mag 0.949 0.690 0.580 0.570 0.530 0.514 0.508 0.483 0.461 0.422 0.354 0.274 0.273 0.361 0.464 Ang -9 -25 -28 -29 -33 -36 -39 -54 -72 -95 -124 -166 137 91 57
Mag
0.015 0.054 0.079 0.085 0.119 0.140 0.154 0.232 0.319 0.417 0.521 0.631 0.722 0.774 0.781
AT-32032 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 5 mA Γopt Freq. Fmin Rn GHz dB ohms Mag Ang 0.9 1.0 0.38 52 11.7 1.8 1.2 0.335 124 6.3 2.0 1.3 0.33 140 5.3 2.5 1.4 0.35 179 4.3 3.0 1.6 0.40 -146 5.9 3.5 1.8 0.47 -118 11.5 4.0 2.0 0.54 -92 22.0
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1 gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1 k = stability factor S MAG = 21 (k ± √k2–1) S12 MSG = |S21| / |S12| k= 1 – |S11| 2 – |S22| 2 + |D|2 ; D = S 11S22 – S12 S21 2 * |S12| |S21|
Gassoc dB
16.1 11.2 10.5 9.2 8.2 7.5 6.8
GAIN (dB)
25
1.25
20
1
15
0.75
k
10
0.5
5
0 0
gmax dB(S[2,1]) k 1 2 3 4 5 FREQUENCY (GHz)
0.25
0 6
Figure 14. Gain vs. Frequency at 5 V, 5 mA. Note: dB(|S 21|) = 20 * log(|S 21|)
9
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AT-32032 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Z O = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 10 mA
Freq. GHz 0.1 0.5 0.9 1.0 1.5 1.8 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 Mag 0.751 0.322 0.181 0.160 0.094 0.068 0.055 0.032 0.075 0.148 0.243 0.354 0.464 0.555 0.636 S11 Ang -26 -70 -84 -88 -102 -114 -123 146 86 67 58 47 32 14 -5 dB
27.7 20.3 15.9 15.0 11.8 10.4 9.6 6.7 4.9 3.7 2.9 2.2 1.5 0.7 -0.3
S21 Mag
24.169 10.383 6.208 5.623 3.885 3.304 3.012 2.161 1.759 1.538 1.397 1.292 1.190 1.083 0.967
S12 Ang 152 103 85 82 68 60 56 34 14 -5 -24 -42 -61 -79 -96 dB
-37.1 -26.4 -22.1 -21.3 -18.1 -16.5 -15.6 -12.1 -9.5 -7.5 -5.7 -4.3 -3.2 -2.5 -2.3
S22 Ang 78 68 68 67 64 61 59 47 34 20 5 -12 -31 -51 -71 Mag 0.898 0.584 0.514 0.508 0.483 0.473 0.468 0.444 0.419 0.375 0.301 0.214 0.214 0.311 0.426 Ang -13 -24 -25 -26 -30 -34 -37 -52 -70 -92 -120 -162 136 89 57
Mag 0.014 0.048 0.078 0.086 0.125 0.149 0.165 0.248 0.334 0.424 0.517 0.613 0.695 0.751 0.765
AT-32032 Typical Noise Parameters,
Freq. GHz
0.9 1.8 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 10 mA Fmin dB
1.1 1.3 1.4 1.5 1.7 1.9 2.1
Γopt Mag 0.29 0.25 0.26 0.31 0.37 0.45 0.52 Ang 69 143 159 -165 -133 -106 -84
Rn ohms
10.0 6.1 5.6 5.5 8.1 14.6 25.7
Gassoc dB
17.0 11.8 11.0 9.6 8.5 7.7 6.9
GAIN (dB)
25
1.25
20
1
15
0.75
k
10
0.5
5
0 0
gmax dB(S[2,1]) k 1 2 3 4 5 FREQUENCY (GHz)
0.25
0 6
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1 gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1 k = stability factor S MAG = 21 (k ± √k2–1) S12 MSG = |S21| / |S12| k= 1 – |S11| 2 – |S22| 2 + |D|2 ; D = S 11S22 – S12 S21 2 * |S12| |S21|
Figure 15. Gain vs. Frequency at 5 V, 10 mA. Note: dB(|S 21|) = 20 * log(|S 21|)
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AT-32032応用
AT-32032の800-900MHzのLNAとしての 応用についてご紹介します。ここで は、0.032インチ厚のFR-4のPCボードを 用いて設計しています。
PCボードのレイアウトと部品の位置に ついては図18をご覧ください。
AT-3XX32 AT-4XX32 IN
す。850MHzで1.1dBのNFを得ることが できました。図2 1 は入出力のリター ン・ロスです。入力リターン・ ロスは 900MHzで7dBですが、キャパシタ(C2)
02/98 AJW .031 FR-4
の値を大きくすることにより、NFを少 し犠牲にして9dBの入力リターン・ロス を得ることもできます。出力リターン・ ロスは12-15dBです。
OUT
900MHz LNAの設計
このLNAはVceが2.7V、I cが5mAで設 計されているため、3Vの電源電圧で使 用可能です。図16は900MHz LNAの回 路図で、図17は部品表です。
C2 INPUT Zo C1 L2 R5 R1 C4 R2 R4 R3 C5 VCC = 3 V R6 L1 Q1 L3 L4 C3 OUTPUT Zo
Vcc
17 16 15
GAIN (dB)
Figure 18. 1X Artwork showing Component Placement.
入力整合回路は低雑音整合にするた め、並列キャパシタ(C2)と直列インダ クタ(L1)で構成されています。この並 列キャパシタはオープン回路スタブを 用いています。また、直列インダクタ はチップ・インダクタを用いています。 出力整合回路は、直列チップ・インダク タ(L4)を用いています。バイアス回路 はデカップリング用にインダクタ (L2,L3)を用いています。また、バイア ス回路は適切にバイパス(C4,C5)され ス回路の出力側にある抵抗(R5)はバイ アス回路のQを下げて、800-900MHzや 低い周波数での安定性を向上していま す。抵抗(R6)は広帯域の安定性を改善 するもので、特に9-10GHzの周波数帯 で効果があります。 RFグランドがとられています。バイア
14 13 12 11 10 500 600 700 800 900 1000
Figure 16. Schematic Diagram.
FREQUENCY (MHz)
C1,C3 10 pF chip capacitor C2 Open circuited stub .275 inch long C4,C5 1000 pF chip capacitor L1 8 nH chip inductor (Coilcraft 1008CS-080) L2 Optional (see R1) L3 56 nH chip inductor (Coilcraft 1008CS-560) L4 15 nH chip inductor (Coilcraft 1008CS-150) Q1 Hewlett-Packard AT-32032 Silicon Bipolar Transistor R1 10K Ω chip resistor (may want to substitute a 180 nH chip inductor and 50 W resistor for lower noise figure, better low freq stability, the readjust R2) R2 26.1 K Ω chip resistor (adjust for rated Ic) R3 3.32 K Ω chip resistor R4 3.32 K Ω chip resistor R5 51.1 Ω chip resistor R6 13 Ω chip resistor (see text) Zo 50 Ω microstripline
Figure 17. Component Parts List.
Figure 19. Gain vs Frequency.
1.5
1.4
NOISE FIGURE (dB)
1.3
1.2
1.1
1 500
600
700
800
900
1000
バイアス回路
バイアス回路は3Vの電源電圧で使用す るように設計されています。抵抗 (R1,R2)がコレクタ電流を調整します。 抵抗(R4)はR5とC5の接続された場所に 接続され、バイアス点の安定性を向上 します。
FREQUENCY (MHz)
Figure 20. Noise Figure vs Frequency.
測定結果
図19はこのアンプのゲインを測定した 結果です。ゲインは800-900MHzで15.516.5dBです。図20はNFの測定結果で
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0
出力インターセプト・ポイント(IP 3)は 900MHzで+14.3dBmです。このIP3を向 上させる方法は2つあります。1つめは 抵抗R5とR6の値を変えることで、R5を 大きくし、R6を小さくするとIP3が改善 されますが、回路の安定性を犠牲にす ることになります。2つめは出力整合を
Input Output
RETURN LOSS (dB)
-5
-10
-15
最小のVSWRではなく最大パワーに整
800 900 1000
-20 500
600
700
合することです。
FREQUENCY (MHz)
Figure 21. Input/Output Return Loss.
Ordering Information
Part Number AT-32032-BLK AT-32032-TR1 Increment 100 3000 Comments Bulk 7" Reel
Package Dimensions
Outline SOT-323 (SC-70 3 Lead)
2.20 (0.087) 1.80 (0.071) 0.650 BSC (0.026)
PACKAGE MARKING CODE & DATE CODE
注)左図のように置いたとき、 マーキングが正しく読めます。
2.20 (0.087) 2.00 (0.079)
XXY
1.35 (0.053) 1.15 (0.045)
1.30 (0.051) REF.
0.425 (0.017) TYP.
0.10 (0.004) 0.00 (0.00)
0.30 REF.
0.25 (0.010) 0.15 (0.006)
1.00 (0.039) 0.80 (0.031)
10°
0.30 (0.012) 0.10 (0.004)
0.20 (0.008) 0.10 (0.004)
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS (INCHES)
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Tape Dimensions and Device Orientation, continued
For Outline SOT-323 (SC-70 3 Lead)
A0 A1
8° MAX.
K1
t1 (CARRIER TAPE THICKNESS) P2 P0
D
Tt (COVER TAPE THICKNESS)
E F C P D1 K0
SIZE (INCHES)
8° MAX. W B1 B0
DESCRIPTION CAVITY LENGTH WIDTH DEPTH PITCH BOTTOM HOLE DIAMETER PERFORATION DIAMETER PITCH POSITION CARRIER TAPE WIDTH THICKNESS COVER TAPE WIDTH TAPE THICKNESS DISTANCE CAVITY TO PERFORATION (WIDTH DIRECTION) CAVITY TO PERFORATION (LENGTH DIRECTION)
SYMBOL A0 A1 B0 B1 K0 K1 P D1 D P0 E W t1 C Tt F P2
SIZE (MM)
2.41 ± 0.10 0.095 ± 0.004 0.99 0.039 2.41 ± 0.10 0.095 ± 0.004 1.91 0.075 1.19 ± 0.10 0.047 ± 0.004 0.05 0.020 3.99 ± 0.10 0.157 ± 0.004 0.99 ± 0.25 0.039 ± 0.010 1.55 ± 0.05 0.061 ± 0.002 3.99 ± 0.10 0.157 ± 0.004 1.75 ± 0.10 0.069 ± 0.004 0.315 ± 0.012 8.00 ± 0.30 0.254 ± 0.013 0.010 ± 0.0005 5.21 ± 0.10 0.205 ± 0.004 0.063 ± 0.001 0.0025 ± 0.00004 3.51 ± 0.05 0.138 ± 0.002 2.01 ± 0.05 0.079 ± 0.002
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