低電流、高効率NPNトランジスタ ツイン・タイプSOT-363パッケージ
AT-32063
特 長
●低電流、低電圧用高効率トランジス タ ●900MHzで特性を保証 1.1dB NF(標準),14.5dB GA(標準) ●2.7Vで特性を保証 ●トランジスタ2個入り(パッケージ当 たり) ●SOT-363(SC-70)表面実装プラス チック・パッケージ ●テープ・リール・オプションを用意
概 要
AT-32063は低電圧動作用に最適化され た高効率NPNバイポーラ・トランジス タが2つSOT-363のパッケージに入っ ています。2つのトランジスタはパッ ケージ内で接続されていないため、い ろいろな回路設計に用いることができ ます。ピン配置はアンプのカスケード 接続に便利なように設計されていま す。パッケージは、SOT-363(SC-70)の 表面実装プラスチック・パッケージで す。
流駆動が可能なトランジスタです。 2.7V で特性を最適化しているため、 900MHz, 1.9GHz, 2.4GHzでのLNA、ゲ イン・ステージ、バッファ、発振器、 またはアクティブ・ミキサなどのよう なバッテリ動作に最適で、セルラや PCSのハンドセットやISMバンドのシ ステムに使用可能です。9 0 0 M H z で は、2.7V, 5mAのバイアスで1.1dB(標 準)NF、14.5dB(標準)のGAが得ら れます。また、AT-32063は、比較的入 力整合の影響を受けずに、良好な雑音 特性が得られます。1V,1mAでも高利 得なので、900MHzのページャにも使 用することができます。5Vでの使用に も十分なコレクタ−エミッタ間耐圧を もっています。
Surface Mount Package SOT-363 (SC-70)
3.2mmのエミッタ・ピッチとトランジ スタの寄生成分の低減により、高性能 なトランジスタです。また、エミッ タ・フィンガーが20本あるため、整合 が容易で、中電力、低雑音抵抗、低電
Pin Connections
B1 E1 C2 C1 E2 B2
注: 本製品のピン接続は対称であるため、 180˚回転させて使用しても電気的、機 械的に同様の特性が得られます。
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Absolute Maximum Ratings[1]
Symbol VEBO VCBO VCEO IC PT Tj TSTG Parameter Emitter-Base Voltage Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Collector Current Power Dissipation [2,3,4] Junction Temperature Storage Temperature Units V V V mA mW °C °C Absolute Maximum 1.5 11 5.5 32 150 150 -65 to 150 Thermal Resistance[2]: θjc = 370°C/W
注: 1. これらのパラメータのいずれかを超え る状態でデバイスを動作させると、永 久的な損傷を受ける可能性がありま す. 2. TMOUNTING SURFACE = 25℃. 3. TC > 94.5℃の場合は、2.7mW/℃の割合 で定格を下げてください. 4. 1デバイスあたり150mW.
Electrical Specifications, TA = 25°C
Symbol NF GA hFE ICBO IEBO
注: 1. すべてのデータは各々のトランジスタの特性です. 2. 図1のテスト回路を使用。この数字は回路のロスから計算された値です.図1の回路では入力は0.2dB、出力は0.3dBのロスが存在し ています.
Parameters and Test Conditions Noise Figure; VCE = 2.7 V, IC = 5 mA Associated Gain; VCE = 2.7 V, IC = 5 mA Forward Current Transfer Ratio; VCE = 2.7 V, IC = 5 mA Collector Cutoff Current; VCB = 3 V Noise Figure; VEB = 1 V f = 0.9 GHz f = 0.9 GHz
Units Min. Typ. Max. dB dB − µA µA 50 1.1[2] 12.5[2] 14.5[2] 270 0.2 1.5 1.4[2]
50 Ω W = 10 L = 450 TEST CIRCUIT BOARD MATERIAL = 0.047 GETEK (ε = 4.3) DIMENSIONS IN MILS NOT TO SCALE W = 10 L = 100
50 Ω
W = 20 L = 60
Figure 1. Test circuit for Noise Figure and Associated Gain. この回路は、最適な雑音指数、利得、安定性を考慮し、実用的、 総合的な整合を行なうように構成されています。
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Characterization Information, TA = 25°C
Symbol
P1 dB G1 dB IP3
Parameters and Test Conditions
Power at 1 dB Gain Compression (opt tuning); VCE = 2.7 V, IC = 20 mA Gain at 1 dB Gain Compression (opt tuning); VCE = 2.7 V, IC = 20 mA Output Third Order Intercept Point (opt tuning); VCE = 2.7 V, IC = 20 mA f = 0.9 GHz f = 0.9 GHz f = 0.9 GHz
Units
dBm dB dBm
Typ.
12 16 24
Typical Performance, TA = 25°C
2.00 20.0 15
NOISE FIGURE (dB)
1.50
15.0
14
P1 dB (dBm)
2.7V/2 mA 2.7V/5 mA 2.7V/20 mA 1.8 FREQUENCY (GHz) 2.4
1.00
Ga (dB)
13
10.0
12
0.50 2.7V/2 mA 2.7V/5 mA 2.7V/20 mA 1.8 FREQUENCY (GHz) 2.4
5.0 11
0 0.9
0 0.9
10 0.9
1.8 FREQUENCY (GHz)
2.4
Figure 2. Minimum Noise Figure vs. Frequency and Current at 2.7 V.
Figure 3. Associated Gain at Optimum Noise Match vs. Frequency and Current at 2.7 V.
25
Figure 4. Power at 1 dB Gain Compression vs. Frequency at 2.7 V and 20 mA.
18 15 12
20
G1 dB (dB)
IP3 (dBm)
15
9 6 3 0 0.9
10 2 mA 5 mA 10 mA 20 mA 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
5 0 1.8 FREQUENCY (GHz) 2.4
FREQUENCY (GHz)
Figure 5. 1 dB Compressed Gain vs. Frequency at 2.7 V and 20 mA.
Figure 6. Third Order Intercept vs. Frequency and Bias at 2.7 V, with Optimal Tuning.
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AT-32063 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 1 V, IC = 1 mA
Freq. GHz 0.1 0.5 0.9 1.0 1.5 1.8 2.0 2.4 3.0 4.0 5.0 Mag 0.98 0.86 0.72 0.69 0.58 0.52 0.49 0.45 0.41 0.42 0.47 S11 Ang -11 -50 -82 -88 -119 -134 -145 -165 166 124 93 dB 11.36 10.14 8.39 7.87 5.87 4.83 4.30 3.16 1.84 0.17 -1.15 S21 Mag 3.70 3.21 2.63 2.48 1.97 1.74 1.64 1.44 1.24 1.02 0.88 Ang 171 138 113 108 85 74 67 55 39 16 -2 dB -34.77 -22.02 -18.97 -18.61 -17.80 -17.72 -17.69 -17.68 -16.99 -13.67 -9.84 S12 Mag 0.02 0.08 0.11 0.12 0.13 0.13 0.13 0.13 0.14 0.21 0.32
25
S22 Ang 83 59 43 41 31 28 28 30 37 45 38 Mag 0.99 0.91 0.82 0.80 0.73 0.70 0.68 0.67 0.64 0.60 0.54 Ang -4 -20 -31 -32 -41 -45 -48 -54 -63 -81 -107
AT-32063 Typical Noise Parameters
Common Emitter, Zo = 50 Ω, VCE = 1 V, IC = 1 mA Freq. GHz 0.9 1.8 2.4 Fmin dB 0.71 1.37 1.80 GA dB 10.4 8.3 7.2 Γopt Mag. 0.760 0.600 0.500 Ang. 50.4 111.7 155.0 Rn/50 0.44 0.24 0.10
GAIN (dB)
20 MSG 15 10 5 S21 0 -5 0.1
MAG MSG
1.1
2.1
3.1
4.1
5.1
FREQUENCY (GHz)
Figure 7. Gain vs. Frequency at 1 V, 1 mA.
AT-32063 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 2 mA
Freq. GHz 0.1 0.5 0.9 1.0 1.5 1.8 2.0 2.4 3.0 4.0 5.0 Mag 0.96 0.77 0.59 0.55 0.42 0.37 0.34 0.29 0.26 0.28 0.33 S11 Ang -12 -55 -87 -93 -121 -135 -145 -164 167 124 94 dB 16.46 14.73 12.37 11.74 9.26 8.01 7.35 6.05 4.54 2.73 1.36 S21 Mag 6.66 5.45 4.15 3.86 2.90 2.52 2.33 2.01 1.69 1.37 1.17 Ang 169 132 107 103 83 73 67 56 41 20 1 dB -37.32 -25.13 -22.42 -22.07 -20.79 -20.13 -19.67 -18.68 -16.95 -13.75 -10.70 S12 Mag 0.014 0.055 0.076 0.079 0.091 0.099 0.104 0.116 0.142 0.205 0.292
30 25
S22 Ang 82 59 48 47 44 45 46 48 50 48 41 Mag 0.98 0.87 0.76 0.74 0.69 0.67 0.66 0.65 0.64 0.61 0.57 Ang -5 -21 -29 -30 -36 -39 -41 -46 -53 -68 -89
Common Emitter, Zo = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 2 mA Freq. GHz 0.9 1.8 2.4 Fmin dB 0.78 1.25 1.57 GA dB 14.3 10.7 9.1 Γopt Mag. 0.650 0.450 0.350 Ang. 49.9 104.6 145.0 Rn/50 0.31 0.20 0.13
GAIN (dB)
AT-32063 Typical Noise Parameters
20 15 10 5 0 0.1
MSG
MAG MSG S21
1.1
2.1
3.1
4.1
5.1
FREQUENCY (GHz)
4
Figure 8. Gain vs. Frequency at 2.7 V, 2 mA.
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AT-32063 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 5 mA
Freq. GHz 0.1 0.5 0.9 1.0 1.5 1.8 2.0 2.4 3.0 4.0 5.0 Mag 0.87 0.52 0.34 0.31 0.22 0.19 0.17 0.14 0.12 0.16 0.22 S11 Ang -19 -72 -101 -106 -129 -141 -150 -169 160 117 93 dB 23.36 19.21 15.40 14.60 11.54 10.12 9.33 7.95 6.34 4.46 3.15 S21 Mag 14.72 9.13 5.89 5.37 3.77 3.21 2.93 2.50 2.08 1.67 1.44 Ang 162 116 94 90 74 66 61 52 39 20 2 dB -37.77 -27.03 -24.01 -23.41 -20.85 -19.52 -18.72 -17.22 -15.25 -12.40 -10.03 S12 Mag 0.013 0.045 0.063 0.067 0.091 0.106 0.116 0.138 0.173 0.240 0.315
35 30
S22 Ang 80 60 58 58 58 58 57 56 52 44 33 Mag 0.96 0.72 0.62 0.61 0.58 0.57 0.57 0.57 0.56 0.53 0.48 Ang -9 -25 -28 -29 -33 -36 -38 -42 -49 -63 -82
AT-32063 Typical Noise Parameters
GAIN (dB)
25 20 15 10
Common Emitter, Zo = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 5 mA Freq. GHz 0.9 1.8 2.4 Fmin dB 0.98 1.50 1.77 GA dB 16.4 11.6 10.1 Γopt Mag. 0.447 0.292 0.334 Ang. 51.0 100.1 153.4 Rn/50 0.23 0.16 0.11
MSG
MAG S21 MSG
5 0 0.1 1.1 2.1 3.1 4.1 5.1
FREQUENCY (GHz)
Figure 9. Gain vs. Frequency at 2.7 V, 5 mA.
AT-32063 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 20 mA
Freq. GHz 0.1 0.5 0.9 1.0 1.5 1.8 2.0 2.4 3.0 4.0 5.0 Mag 0.55 0.20 0.13 0.13 0.10 0.09 0.09 0.08 0.10 0.15 0.21 S11 Ang -41 -107 -137 -141 -164 -178 172 152 127 101 86 dB 30.48 21.24 16.48 15.60 12.26 10.78 9.93 8.52 6.85 4.92 3.59 S21 Mag 33.40 11.53 6.66 6.02 4.10 3.46 3.14 2.67 2.20 1.76 1.51 Ang 143 97 82 79 67 60 56 48 36 18 0 dB -39.81 -29.18 -24.63 -23.79 -20.43 -18.88 -17.98 -16.39 -14.40 -11.68 -9.52 S12 Mag 0.010 0.035 0.059 0.065 0.095 0.114 0.126 0.151 0.191 0.261 0.334
40 35
S22 Ang 74 72 72 71 68 66 64 60 54 43 31 Mag 0.83 0.56 0.53 0.53 0.52 0.53 0.53 0.53 0.52 0.48 0.44 Ang -15 -20 -22 -22 -27 -31 -34 -39 -47 -61 -79
AT-32063 Typical Noise Parameters
GAIN (dB)
30 25 20
MSG
Common Emitter, Zo = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 20 mA Freq. GHz 0.9 1.8 2.4 Fmin dB 1.51 1.78 1.96 GA dB 17.9 12.7 10.6 Γopt Mag. 0.134 0.202 0.282 Ang. 88.0 177.9 235.0 Rn/50 0.20 0.13 0.08
MAG 15 10 S21 5 0 0.1 1.1 2.1 3.1 4.1 5.1 MSG
FREQUENCY (GHz)
5
Figure 10. Gain vs. Frequency at 2.7 V, 20 mA.
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AT-32063 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 2 mA
Freq. GHz 0.1 0.5 0.8 1.0 1.5 1.8 2.0 2.4 3.0 4.0 5.0 Mag 0.961 0.778 0.636 0.555 0.418 0.361 0.330 0.283 0.241 0.254 0.308 S11 Ang -12 -53 -77 -90 -117 -131 -140 -159 171 126 95 dB 16.50 14.84 13.08 11.92 9.46 8.21 7.55 6.24 4.72 2.88 1.49 S21 Mag 6.69 5.52 4.51 3.94 2.97 2.57 2.38 2.05 1.72 1.39 1.19 Ang 169 133 114 104 84 74 68 57 43 21 3 dB -38.44 -26.20 -23.90 -23.04 -21.71 -21.04 -20.56 -19.54 -17.76 -14.47 -11.32 S12 Mag 0.012 0.049 0.064 0.070 0.082 0.089 0.094 0.105 0.129 0.189 0.272
30 25
S22 Ang 82 60 52 49 46 47 48 50 53 52 45 Mag 0.98 0.88 0.81 0.77 0.72 0.70 0.69 0.69 0.68 0.66 0.63 Ang -5 -19 -25 -28 -33 -36 -39 -43 -50 -64 -83
AT-32063 Typical Noise Parameters
GAIN (dB)
Common Emitter, Zo = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 2 mA Freq. GHz 0.9 1.8 2.4 Fmin dB 0.75 1.26 1.60 GA dB 13.7 10.8 9.6 Γopt Mag. 0.74 0.55 0.45 Ang. 46.8 101.0 139.4 Rn/50 0.37 0.22 0.13
20 15 10
MSG
MAG MSG
S21 5 0 0.1
1.1
2.1
3.1
4.1
5.1
FREQUENCY (GHz)
Figure 11. Gain vs. Frequency at 5 V, 2 mA.
AT-32063 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 20 mA
Freq. GHz 0.1 0.5 0.9 1.0 1.5 1.8 2.0 2.4 3.0 4.0 5.0 Mag 0.61 0.22 0.13 0.12 0.08 0.06 0.06 0.04 0.05 0.10 0.16 S11 Ang -36 -91 -115 -118 -137 -148 -159 175 131 99 86 dB 30.56 21.75 17.02 16.14 12.80 11.31 10.46 9.02 7.35 5.39 4.05 S21 Mag 33.74 12.23 7.10 6.41 4.36 3.68 3.33 2.83 2.33 1.86 1.60 Ang 145 98 83 81 68 62 58 50 39 21 3 dB -40.46 -29.90 -25.40 -24.56 -21.23 -19.69 -18.79 -17.21 -15.22 -12.48 -10.27 S12 Mag 0.01 0.03 0.05 0.06 0.09 0.10 0.12 0.14 0.17 0.24 0.31
40 35
S22 Ang 75 72 72 71 69 66 65 61 56 46 34 Mag 0.86 0.60 0.57 0.57 0.57 0.57 0.57 0.57 0.56 0.54 0.50 Ang -14 -19 -21 -21 -26 -30 -32 -37 -45 -58 -75
AT-32063 Typical Noise Parameters
Freq. GHz 0.9 1.8 2.4 Fmin dB 1.50 1.78 1.96 GA dB 18.6 13.3 11.3 Γopt Mag. 0.183 0.190 0.239 Ang. 71.1 146.6 197.5 Rn/50 0.20 0.16 0.14
GAIN (dB)
30 25 20
MSG
Common Emitter, Zo = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 20 mA
MAG 15 10 S21 5 0 0.1 1.1 2.1 3.1 4.1 5.1 MSG
FREQUENCY (GHz)
6
Figure 12. Gain vs. Frequency at 5 V, 20 mA.
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Page 6
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Package Dimensions
Outline 63 (SOT-363/SC-70)
1.30 (0.051) REF. PACKAGE MARKING CODE & DATE CODE
Package Characteristics
Lead Material ............................. Copper Lead Finish ................. Tin-Lead 85/15% Maximum Soldering Temperature ................... 260°C for 5 seconds Minimum Lead Strength .............................. 2 pounds pull Typical Package Inductance ......... 2 nH Typical Package Capacitance
2.20 (0.087) 2.00 (0.079)
IIY
2.20 (0.087) 1.80 (0.071)
1.35 (0.053) 1.15 (0.045)
0.650 BSC (0.026) 0.425 (0.017) TYP.
............ 0.08 pF (opposite leads)
0.10 (0.004) 0.00 (0.00)
0.30 REF.
PC Board Footprints SOT-363
0.026
1.00 (0.039) 0.80 (0.031) 0.25 (0.010) 0.15 (0.006)
10°
0.30 (0.012) 0.10 (0.004)
0.20 (0.008) 0.10 (0.004)
0.075
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS (INCHES)
0.035
0.016
Part Number Ordering Information
Part Number AT-32063-TR1 AT-32063-BLK No. of Devices 3000 100 Container 7" Reel antistatic bag
Tape Dimensions and Product Orientation
Device Orientation
REEL TOP VIEW 4 mm END VIEW
CARRIER TAPE USER FEED DIRECTION COVER TAPE
8 mm
###
###
###
###
7
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Page 7
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Tape Dimensions and Product Orientation, Continued
For Outline 63 (SC-70 6 Leads)
P P0 E F C W 5° MAX. B0 D P2
Tt (COVER TAPE THICKNESS)
D1 t1 (CARRIER TAPE THICKNESS) 8° MAX. A0
K0
DESCRIPTION CAVITY LENGTH WIDTH DEPTH PITCH BOTTOM HOLE DIAMETER DIAMETER PITCH POSITION WIDTH THICKNESS WIDTH TAPE THICKNESS CAVITY TO PERFORATION (WIDTH DIRECTION) CAVITY TO PERFORATION (LENGTH DIRECTION)
SYMBOL A0 B0 K0 P D1 D P0 E W t1 C Tt F P2
SIZE (mm) 2.24 ± 0.10 2.34 ± 0.10 1.22 ± 0.10 4.00 ± 0.10 1.00 + 0.25 1.55 ± 0.05 4.00 ± 0.10 1.75 ± 0.10 8.00 ± 0.30 0.255 ± 0.013 5.4 ± 0.10 0.062 ± 0.001 3.50 ± 0.05 2.00 ± 0.05
SIZE (INCHES) 0.088 ± 0.004 0.092 ± 0.004 0.048 ± 0.004 0.157 ± 0.004 0.039 + 0.010 0.061 ± 0.002 0.157 ± 0.004 0.069 ± 0.004 0.315 ± 0.012 0.010 ± 0.0005 0.205 ± 0.004 0.0025 ± 0.00004 0.138 ± 0.002 0.079 ± 0.002
PERFORATION
CARRIER TAPE COVER TAPE DISTANCE
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当社半導体部品のご使用にあたって
仕様及び仕様書に関して
・本仕様は製品改善および技術改良等により予告なく変更する場合があります。 ご使用の際には最 新の仕様を問い合わせの上、用途のご確認をお願いいたします。 ・本仕様記載内容を無断で転載または複写することは禁じられております。 ・本仕様内でご紹介している応用例 (アプリケーション) は当社製品がご使用できる代表的なもの です。 ご使用において第三者の知的財産権などの保証または実施権の許諾に対して問題が発生し た場合、当社はその責任を負いかねます。 ・仕様書はメーカとユーザ間で交わされる製品に関する使用条件や誤使用防止事項を言及するもの です。仕様書の条件外で保存、使用された場合に動作不良、機械不良が発生しても当社は責任を 負いかねます。ただし、当社は納品後 1 年以内に当社の責任に帰すべき理由で、不良或いは故障 が発生した場合、無償で製品を交換いたします。 ・仕様書の製品が製造上および政策上の理由で満足できない場合には変更の権利を当社が有し、 そ の交渉は当社の要求によりすみやかに行われることとさせて頂きます。 なお、 基本的に変更は3ヶ 月前、廃止は 1 年前にご連絡致しますが、例外もございますので予めご了承ください。
ご使用用途に関して
・当社の製品は、一般的な電子機器(コンピュータ、OA 機器、通信機器、AV 機器、家電製品、ア ミューズメント機器、 計測機器、 一般産業機器など) の一部に組み込まれて使用されるものです。 極めて高い信頼性と安全性が要求される用途(輸送機器、航空・宇宙機器、海底中継器、原子力 制御システム、 生命維持のための医療機器などの財産・環境もしくは生命に悪影響を及ぼす可能 性を持つ用途)を意図し、設計も製造もされているものではありません。それゆえ、本製品の安 全性、品質および性能に関しては、仕様書(又は、カタログ)に記載してあること以外は明示的 にも黙示的にも一切の保証をするものではありません。
回路設計上のお願い
・当社は品質、信頼性の向上に努力しておりますが、一般的に半導体製品の誤動作や、故障の発生 は避けられません。本製品の使用に附随し、或いはこれに関連する誤動作、故障、寿命により、 他人の生命又は財産に被害や悪影響を及ぼし、 或いは本製品を取り付けまたは使用した設備、 施 設または機械器具に故障が生じ一般公衆に被害を起こしても、当社はその内容、程度を問わず、 一切の責任を負いかねます。 お客様の責任において、装置の安全設計をお願いいたします。
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