1. 物料型号：
- 型号为HBD438T。
2. 器件简介：
- HBD438T是一款硅外延平面PNP功率晶体管，采用TO-126塑料封装，适用于中等功率的线性和开关应用。对应的互补NPN型号为HBD437T。
3. 引脚分配：
- 引脚1：发射极（Emitter）
- 引脚2：集电极（Collector）
- 引脚3：基极（Base）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- VCBO：-45V
- VCES：-45V
- VCEO：-45V
- VEBO：-5V
- IC：-4A
- ICM：-7A（峰值，S10ms）
- IB：-1A
- PD：25W（Tc=25°C时的总耗散）
- Tstg：-55至150°C（存储温度）
- Tj：150°C（最大运行结温）
- 热阻：
- Rthj-case：最大6°C/W
- Rthj-amb：最大96°C/W
- 电性特征（Ta=25°C，除非另有说明）：
- ICBO：-100μA（VCB=-45V时的集电极截止电流）
- ICES：-100μA（VBE=0时的集电极截止电流）
- IEBO：-1mA（VEB=-5V时的发射极截止电流）
- VCEO(sus)：-45V（IB=0时的集电极-发射极维持电压）
- VCE(sat)：-0.2V至-0.6V（IC=-2A，IB=-0.2A时的集电极-发射极饱和电压）
- VBE：-0.58V至-1.2V（不同IC下的基极-发射极电压）
- hFE：30至140（不同IC下的直流电流增益）
- fT：3MHz（IC=-0.25A，VCE=-1V时的转换频率）
5. 功能详解：
- 该器件为PNP型功率晶体管，适用于中等功率的线性和开关应用。其主要功能是在电路中作为放大器或开关使用。
6. 应用信息：
- 适用于中等功率的线性和开关应用。
7. 封装信息：
- 采用3引脚的TO-126塑料封装，HSMC封装代码为T。
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