物料型号:
- 型号为HM3019,是NPN外延平面晶体管。
器件简介:
- 该器件设计用于作为通用放大器和开关使用,要求集电极电流为1A。
引脚分配:
- SOT-89封装,引脚1为基极(Base),引脚2为集电极(Collector),引脚3为发射极(Emitter)。
参数特性:
- 绝对最大额定值:
- 存储温度:-55℃至+150℃
- 结温:+150℃
- 最大总功耗:1.2W(Ta=25℃)
- 最大电压和电流(Ta=25℃):
- VCBO(集电极到基极电压):140V
- VCEO(集电极到发射极电压):80V
- VEBO(发射极到基极电压):7V
- IC(集电极电流):1A
- 特性(Ta=25℃):
- BVCBO:140V(IC=100μA)
- BVCEO:80V(IC=30mA)
- BVEBO:7V(IE=100μA)
- ICBO:50nA(VCB=90V)
- IEBO:50nA(VEB=5V)
- VCE(sat):0.2V(IC=150mA, IB=15mA)
- VBE(sat):1.1V(IC=150mA, IB=15mA)
- hFE(电流增益):有多个测试条件,范围从50到300
- fT:100MHz(IC=50mA, VCE=10V, f=100MHz)
- Cob:12pF(VCE=10V, f=1MHz, IE=0)
功能详解:
- HM3019芯片是一个NPN型晶体管,适用于需要较高集电极电流(1A)的通用放大和开关应用。
应用信息:
- 由于其高电流和电压特性,HM3019适用于需要较大功率处理的应用,例如电源管理、电机控制等。
封装信息:
- 封装类型为3引脚SOT-89塑料表面贴装封装,具体尺寸和公差根据HSMC的规格书。