1. 物料型号：
- 型号：2SD965
- 封装：SOT-89-3L
2. 器件简介：
- 器件是一个NPN型晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、大集电极功耗和电流，以及小型封装等特点。
3. 引脚分配：
- 1. 基极（BASE）
- 2. 集电极（COLLECTOR）
- 3. 发射极（EMITTER）
4. 参数特性：
- 最大额定值（在25°C环境温度下，除非另有说明）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：40V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：20V
- 发射极-基极电压（VEBO）：7V
- 集电极电流（Ic）：5A
- 集电极功耗（Pc）：750mW
- 从结到环境的热阻（RBJA）：167°C/W
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55°C至+150°C
5. 功能详解：
- 电气特性（在25°C环境温度下，除非另有说明）：
- 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：40V
- 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：20V
- 发射极-基极击穿电压（VBR)EBO）：7V
- 集电极截止电流（IcBO）：0.1A
- 发射极截止电流（IEBO）：0.1A
- DC电流增益（hFE）：在不同条件下有不同的典型值，例如在VcE=2V, Ic=1mA时为200，VcE=2V, Ic=500mA时为230，VcE=2V, Ic=2A时为150。
- 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：1V
- 过渡频率（fT）：150MHz
- 集电极输出电容（Cob）：50pF
6. 应用信息：
- 该器件由金誉半导体生产，适用于需要低饱和电压和大电流处理能力的应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为SOT-89-3L，这是一种小型的表面贴装封装。
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