BC817-16

厂商：
HTSEMI(金誉)
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BC817-16 - TRANSISTOR (NPN) - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

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BC871 TRANSISTOR (NPN) BC817-16 BC817-25 BC817-40 FEATURES For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BC807 (PNP) 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR SOT-23 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Value 50 45 5 0.5 0.3 150 -55-150 Units V V V A W ℃ ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collecter capactiance Transition frequency Symbol VCBO VCEO VEBO ICBO IEBO hFE(1) hFE(2) VCE(sat) VBE(sat) VBE Cob fT Test conditions MIN 50 45 5 0.1 0.1 100 40 0.7 1.2 1.2 10 100 V V V pF MHz 600 MAX UNIT V V V μA μA IC= 10μA, IE=0 IC= 10mA, IB=0 IE= 1μA, IC=0 VCB= 45 V , IE=0 VEB= 4V, IC=0 VCE= 1V, IC= 100mA VCE= 1V, IC= 500mA IC= 500mA, IB= 50mA IC= 500mA, IB= 50mA VCE= 1 V, IC= 500mA VCB=10V ,f=1MHz VCE= 5 V, f=100MHz IC= 10mA CLASSIFICATION OF Rank Range Marking hFE (1) BC817-16 100-250 6A BC817-25 160-400 6B BC817-40 250-600 6C １　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ BC871 Typical Characteristics ２　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５

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BC817-16

1. 物料型号： - BC817-16 - BC817-25 - BC817-40

2. 器件简介： - 这些是NPN型晶体管，用于一般音频频率（AF）应用。 - 具有高集电极电流、高电流增益和低集电极发射极饱和电压。 - 互补类型为BC807（PNP型）。

3. 引脚分配： - 1. 基极（BASE） - 2. 发射极（EMITTER） - 3. 集电极（COLLECTOR）

4. 参数特性： - 最大额定值（假设环境温度为25°C）： - 集电极-基极电压（VCBO）：50V - 集电极-发射极电压（VCEO）：45V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 集电极电流（Ic）：0.5A - 集电极功耗（Pc）：0.3W - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55至150°C

5. 功能详解： - 电气特性（环境温度为25°C）： - 集电极-基极击穿电压（VcBO）：50V - 集电极-发射极击穿电压（VCEO）：45V - 发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V - 集电极截止电流（IcBO）：0.1uA - 发射极截止电流（IEBO）：0.1A - DC电流增益（hFE）：在不同条件下有不同的范围，例如hFE(1)在100mA时为100至600，hFE(2)在500mA时为40至600。 - 集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）：0.7V - 基极-发射极饱和电压（VBe(sat)）：1.2V - 基极-发射极电压（VBE）：1.2V - 集电极电容（Cob）：10pF - 过渡频率（fr）：100MHz

6. 应用信息： - 这些晶体管适用于一般音频频率应用，具有高电流增益和低饱和电压，适合用于放大电路。

7. 封装信息： - SOT-23封装。

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