1. 物料型号：BRS33
2. 器件简介：BRS33是一款PNP型晶体管，具有低电压高电流的特点，适用于中等功率的晶体管应用。
3. 引脚分配：
- 1. BASE（基极）
- 2. COLLECTOR（集电极）
- 3. EMITTER（发射极）
4. 参数特性：
- 最大额定值（在25°C环境温度下，除非另有说明）：
- 集-基电压（VCBO）：-90V
- 集-发电压（VCEO）：-80V
- 发-基电压（VEBO）：-5V
- 集电极电流（Ic）：-1A
- 集电极功耗（Pc）：500mW
- 热阻（RBJA）：250°C/W
- 结温（T1）：150°C
- 储存温度（Tstg）：-55°C至+150°C
5. 功能详解：
- 电气特性（在25°C环境温度下，除非另有说明）：
- 集-基击穿电压（V(BR)CBO）：-90V
- 集-发击穿电压（V(BR)CEO）：-80V
- 发-基击穿电压（V(BR)EBO）：-5V
- 集电极截止电流（IcBO）：-100nA
- 发射极截止电流（IEBO）：-100nA
- DC电流增益（hFE）：
- hFE(1)：在VcE=-5V, Ic=0.1mA时，最小值为30
- hFE(2)：在VcE=-5V, Ic=-100mA时，最小值为100，最大值为300
- hFE(3)：在VcE=-5V, Ic=-500mA时，最小值为50
- 集-发饱和电压（VCE(sat)）：
- 在Ic=-500mA, Ie=-50mA时，最小值为0.25V，最大值为0.5V
- 发-基饱和电压（VBE(sat)）：
- 在Ic=-150mA, Ie=-15mA时，最小值为-1V，最大值为-1.2V
- 过渡频率（fr）：在VcE=-10V, Ic=-50mA, f=100MHz时，为100MHz
6. 应用信息：适用于中等功率晶体管的应用。
7. 封装信息：SOT-89-3L封装。
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