BZX84C2V7CAW

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HTSEMI(金誉)
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BZX84C2V7CAW - SILICON PLANAR ZENER DIODES - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

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BZX84C…CAW Series SILICON PLANAR ZENER DIODES 3 1 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Symbol PD T j ,T S 1. Cathode 2. Cathode 3. Anode Value 200 - 55 to + 150 Unit mW O C Electrical Characteristics at Ta = 25 OC (VF = 0.9 V Max. at IF = 10 mA) Type BZX84C2V4CAW BZX84C2V7CAW BZX84C3V0CAW BZX84C3V3CAW BZX84C3V6CAW BZX84C3V9CAW BZX84C4V3CAW BZX84C4V7CAW BZX84C5V1CAW BZX84C5V6CAW BZX84C6V2CAW BZX84C6V8CAW BZX84C7V5CAW BZX84C8V2CAW BZX84C9V1CAW BZX84C10CAW BZX84C11CAW BZX84C12CAW BZX84C13CAW BZX84C15CAW BZX84C16CAW BZX84C18CAW BZX84C20CAW BZX84C22CAW BZX84C24CAW BZX84C27CAW BZX84C30CAW BZX84C33CAW BZX84C36CAW BZX84C39CAW 1) Marking Code BE BF BH BJ BK BM BN BP BR BX BY BZ CA CB CC CD CE CF CH CJ CK CM CN CP CR CX CY CZ DE DF Zener Voltage Range 1) VZ Min.(V) 2.2 2.5 2.8 3.1 3.4 3.7 4 4.4 4.8 5.2 5.8 6.4 7 7.7 8.5 9.4 10.4 11.4 12.4 13.8 15.3 16.8 18.8 20.8 22.8 25.1 28 31 34 37 Max.(V) 2.6 2.9 3.2 3.5 3.8 4.1 4.6 5 5.4 6 6.6 7.2 7.9 8.7 9.6 10.6 11.6 12.7 14.1 15.6 17.1 19.1 21.2 23.3 25.6 28.9 32 35 38 41 at lZT mA 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 2 2 ZZT Max.(Ω) 100 100 95 95 90 90 90 80 60 40 10 15 15 15 15 20 20 25 30 30 40 45 55 55 70 80 80 80 90 130 Dynamic Resistance at lZT mA 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 2 2 ZZK Max.(Ω) 600 600 600 600 600 600 600 600 500 480 400 150 80 80 80 100 150 150 150 170 200 200 225 225 250 250 300 300 325 350 at IZK mA 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 Reverse Current IR Max.(µA) 50 20 20 5 5 3 3 3 2 1 3 2 1 0.7 0.5 0.2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 at VR V 1 1 1 1 1 1 1 2 2 2 4 4 5 5 6 7 8 8 8 10.5 11.2 12.6 14 15.4 16.8 18.9 21 23.1 25.2 27.3 Tested with pulses tp = 20 ms. １　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ BZX84C…CAW Series Electrical Characteristics at Ta = 25 OC (VF = 0.9 V Max. at IF = 10 mA) Type BZX84C43CAW BZX84C47CAW BZX84C51CAW BZX84C56CAW BZX84C62CAW BZX84C68CAW BZX84C75CAW 1) Marking Code DH DJ DK DM DN DP DR Zener Voltage Range 1) VZ Min.(V) 40 44 48 52 58 64 70 Max.(V) 46 50 54 60 66 72 79 at lZT mA 2 2 2 2 2 2 2 ZZT Max.(Ω) 150 170 180 200 215 240 255 Dynamic Resistance at lZT mA 2 2 2 2 2 2 2 ZZK Max.(Ω) 375 375 400 425 450 475 500 at IZK mA 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 Reverse Current IR Max.(µA) 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 at VR V 30.1 32.9 35.7 39.2 43.4 47.6 52.5 Tested with pulses tp = 20 ms. ２ JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５

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BZX84C2V7CAW

1. 物料型号： - 型号包括BZX84C43CAW、BZX84C47CAW、BZX84C51CAW、BZX84C56CAW、BZX84C62CAW、BZX84C68CAW、BZX84C75CAW等。

2. 器件简介： - 该系列为硅平面齐纳二极管，用于电压稳定和过压保护。

3. 引脚分配： - 1. 阴极（Cathode） - 2. 阴极（Cathode） - 3. 阳极（Anode）

4. 参数特性： - 最大耗散功率（Power Dissipation）：200mW - 工作结和存储温度范围（Operating Junction and Storage Temperature Range）：-55至+150摄氏度

5. 功能详解： - 这些二极管在正常工作条件下，齐纳电压（Zener Voltage）范围从40V至75V不等，动态电阻（Dynamic Resistance）和反向电流（Reverse Current）等参数随型号不同而有所差异。

6. 应用信息： - 适用于电压稳定和过压保护应用，具体应用场景未在文档中详述。

7. 封装信息： - 封装形式为SOT-323塑料封装。

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