CXT5401

厂商：
HTSEMI(金誉)
封装：
描述：
CXT5401 - TRANSISTOR (PNP) - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

数据手册：

下载CXT5401.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

CXT5401 数据手册

CXT5401 TRANSISTOR (PNP) SOT-89 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Value -160 -150 -5 -0.5 0.5 150 -55-150 Units V V V A W ℃ ℃ FEATURE Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony Low current(max. 500mA) High voltage(max.160v) 1 2 2 3 1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE(1) DC current gain hFE(2) hFE(3) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) VCE(sat) VBE(sat) VBE(sat) fT Cob NF Test conditions MIN -160 -150 -5 -50 -50 50 60 50 -0.2 -0.5 -1 -1 100 300 6 8 V V V V MHz pF dB 300 TYP MAX UNIT V V V nA nA IC= -100μA, IE=0 IC = -1mA, IB=0 IE = -10μA, IC=0 VCB = -120 V, IE=0 VEB= -3V, IC=0 VCE= -5V, IC=-1 mA VCE= -5V, IC= -10 mA VCE= -5V, IC=-50 mA IC= -10 mA, IB= -1 mA IC= -50 mA, IB= -5 mA IC= -10 mA, IB= -1 mA IC= -50 mA, IB= -5 mA VCE= -10V, IC= -10mA, f = 100MHz VCB=-10V, IE= 0,f=1MHz VCE= -5.0V, IC= -200μA, RS= 10Ω,f =10Hz to15.7kHz Base-emitter saturation voltage Transition frequency Output Capacitance Noise Figure １　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ CXT5401 Typical Characteristics ２　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５

下载 PDF

CXT5401

1. 物料型号：CXT5401

2. 器件简介： - CXT5401是一款PNP型晶体管，主要用于高压应用中的开关和放大，例如电话通信。 - 该器件支持低电流（最大500mA）和高电压（最大160V）。

3. 引脚分配： - 1. BASE（基极） - 2. COLLECTOR（集电极） - 3. EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - 最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO（集电-基电压）：-160V - VCEO（集电-发电压）：-150V - VEBO（发-基电压）：-5V - Ic（集电极电流-连续）：-0.5A - Pc（集电极功率耗散）：0.5W - TJ（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-55至150°C

5. 功能详解： - 电气特性（环境温度25°C）： - 集电-基击穿电压（V(BR)CBO）：-160V - 集电-发击穿电压（V(BR)CEO）：-150V - 发-基击穿电压（V(BREBO）：-5V - 集电极截止电流（ICBO）：-50nA - 发射极截止电流（IEBO）：-50nA - DC电流增益（hFE）：50至300 - 集电-发饱和电压（VcE(sat)）：-0.2至-0.5V - 基-发饱和电压（VBE(sat)）：-1V - 转换频率（fr）：100至300MHz - 输出电容（Cob）：6pF - 噪声系数（NF）：8dB

6. 应用信息： - 适用于高电压应用，如电话通信，以及需要低电流和高电压的其他应用。

7. 封装信息： - SOT-89封装。

CXT5401 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“CXT5401”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

CXT5401

相关技术文章