物料型号：
- 型号：FMMT493
- 互补型号：FMMT593
器件简介：
- 该器件是一个NPN型晶体管，SOT-23封装。
引脚分配：
- 1. BASE（基极）
- 2. EMITTER（发射极）
- 3. COLLECTOR（集电极）
参数特性：
- 最大额定值（25°C环境温度下，除非另有说明）：
- 集-基电压（VCBO）：120V
- 集-射电压（VCEO）：100V
- 发-基电压（VEBO）：5V
- 集电极电流（Ic）：1000mA
- 集电极功耗（Pc）：250mW
- 从结到环境的热阻（RoJA）：500℃/W
- 结温（Tj）：150℃
- 储存温度范围（Tstg）：-55~+150℃
功能详解：
- 电气特性（25°C环境温度下，除非另有说明）：
- 集-基击穿电压（VBRYCBO）：120V（Ic=100μA, IE=0）
- 集-射击穿电压（V(BR)CEO）：100V（Ic=10mA, IE=0）
- 发-基击穿电压（V(BR)EBO）：5V（Ic=100μA, IE=0）
- 集电极截止电流（IcBO）：0.1μA（VcB=100V, IE=0）
- 集电极截止电流（ICES）：0.1μA（VcEs=100V, IE=0）
- 发射极截止电流（IEBO）：0.1μA（VEB=4V, Ic=0）
- 直流电流增益（hFE）：100（Vce=10V, Ic=1mA），60（Vce=10V, Ic=250mA），300（Vce=10V, Ic=0.5A），20（Vce=10V, Ic=1A）
- 集电极发射极饱和电压（VcE(sat)）：0.3V（Ic=500mA, Ie=50mA），0.6V（Ic=1A, Ie=100mA）
- 发射极-基极饱和电压（VBE(sat)）：1.15V（Ic=1A, Is=100mA）
- 发射极-基极电压（VBE）：1V（Vce=10V, Ic=1A）
- 转换频率（fr）：150MHz（Vce=10V, Ic=50mA, f=100MHz）
- 集电极输出电容（Cob）：10pF（VcB=10V, Ie=0, f=1MHz）
应用信息：
- 该晶体管适用于一般的NPN晶体管应用，如放大器、开关等。
封装信息：
- 封装类型：SOT-23
