KTA2014

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HTSEMI(金誉)
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KTA2014 - TRANSISTOR (PNP) - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

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KTA2014 TRANSISTOR (PNP) SOT-323 FEATURES Low frequency power amplifier application Power switching application 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC* TJ Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current –Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Value -50 -50 -5 150 100 150 -55-150 Units V V V mA mW ℃ ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off Emitter cut-off current current Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) fT Cob NF Test conditions IE=0 MIN -50 -50 -5 -0.1 -0.1 70 400 -0.3 80 7 10 V MHz pF dB TYP MAX UNIT V V V μA μA IC=- 0.1mA, IC= -1mA, IB=0 IE=-0.1mA, IC=0 VCB=-50V, IE=0 VEB= -5V, IC=0 VCE=-6V,IC=-2mA IC=-100mA, IB= -10mA VCE=-10V, IC=-1mA, VCB=-10V, IE=0 f=1MHz VCE=-6V, IC=-0.1mA f=1KHz,Rg=10KΩ DC current gain Collector-emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance Noise Figure CLASSIFICATION OF hFE Rank Range MARKING O(2) 70-140 SO Y(4) 120-240 SY GR(6) 200-400 SG １　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ KTA2014 Typical Characteristics ２　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ KTA2014 ３　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５

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KTA2014

1. 物料型号：KTA2014

2. 器件简介： - KTA2014是一款PNP型晶体管，适用于低频功率放大器应用和功率开关应用。

3. 引脚分配： - 1. BASE（基极） - 2. EMITTER（发射极） - 3. COLLECTOR（集电极）

4. 参数特性： - 最大额定值（Ta=25°C除非另有说明）： - VcBO（集电极-基极电压）：-50V - VCEO（集电极-发射极电压）：-50V - VEBO（发射极-基极电压）：-5V - Ic（集电极电流-连续）：150mA - Pc（集电极功率耗散）：100mW - TJ（结温）：150℃ - Tstg（存储温度）：-55至150℃

5. 功能详解： - 电气特性（环境温度25°C除非另有说明）： - V(BR)CBO（集电极-基极击穿电压）：Ic=-0.1mA, Ib=0时，最小值-50V - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：Ic=-1mA, Ib=0时，最小值-50V - VBREBO（发射极-基极击穿电压）：Ic=-0.1mA, Ic=0时，最小值-5V - IcBO（集电极截止电流）：VcB=-50V, IE=0时，最大值-0.1A - IEBO（发射极截止电流）：VEB=-5V, Ic=0时，最大值-0.1A - hFE（直流电流增益）：Vce=-6V, Ic=-2mA时，最小值70，典型值未给出，最大值400 - Vce(sat)（集电极-发射极饱和电压）：Ic=-100mA, Ib=-10mA时，最大值-0.3V - fr（过渡频率）：VcE=-10V, Ic=-1mA时，典型值80MHz - Cob（集电极输出电容）：VcB=-10V, IE=0, f=1MHz时，最大值7pF - NF（噪声系数）：VcE=-6V, Ic=-0.1mA, f=1KHz, Rg=10KΩ时，最大值10dB

6. 应用信息： - 适用于低频功率放大器应用和功率开关应用。

7. 封装信息： - SOT-323封装。

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