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MM1Z5241C

MM1Z5241C

  • 厂商:

    HTSEMI(金誉)

  • 封装:

  • 描述:

    MM1Z5241C - SILICON PLANAR ZENER DIODES - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MM1Z5241C 数据手册
MM1Z5231C~MM1Z5261C SILICON PLANAR ZENER DIODES PINNING Features • Total power dissipation: Max. 500 mW • Small plastic package suitable for surface mounted design • Zener Voltage Tolerance: ± 2% PIN 1 2 1 DESCRIPTION Cathode Anode 2 Top View Simplified outline SOD-123 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range Symbol Ptot Tj Tstg Value 500 150 - 55 to + 150 Unit mW O C C O Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Thermal Resistance Junction to Ambient Air Forward Voltage at IF = 10 mA Marking Code YN YO YP YQ YR YS YT YU YV YW YX YY YZ ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZI ZJ ZK Zener Voltage Range VZT Min. (V) Max. (V) 4.998 5.202 5.488 5.712 6.076 6.324 6.664 6.936 7.35 7.65 8.036 8.364 8.918 9.282 9.8 10.2 10.78 11.22 11.76 12.24 12.74 13.26 14.7 15.3 15.68 16.32 17.64 18.36 19.6 20.4 21.56 22.44 23.52 24.48 26.46 27.54 29.4 30.6 32.34 33.66 35.28 36.72 38.22 39.78 42.14 43.86 46.06 47.94 1) Symbol RθJA VF Max. 350 0.9 Unit O C/W V Type MM1Z5231C MM1Z5232C MM1Z5234C MM1Z5235C MM1Z5236C MM1Z5237C MM1Z5239C MM1Z5240C MM1Z5241C MM1Z5242C MM1Z5243C MM1Z5245C MM1Z5246C MM1Z5248C MM1Z5250C MM1Z5251C MM1Z5252C MM1Z5254C MM1Z5256C MM1Z5257C MM1Z5258C MM1Z5259C MM1Z5260C MM1Z5261C 1) Vznom V 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 at IZT mA 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 9.5 8.5 7.8 7 6.2 5.6 5.2 4.6 4.2 3.8 3.4 3.2 3 2.7 ZZT Max. (Ω) 17 11 7 5 6 8 10 17 22 30 13 16 17 21 25 29 33 41 49 58 70 80 93 105 Dynamic Impedance at IZT ZZK mA Max. (Ω) 20 1600 20 1600 20 1000 20 750 20 500 20 500 20 600 20 600 20 600 20 600 9.5 600 8.5 600 7.8 600 7 600 6.2 600 5.6 600 5.2 600 4.6 600 4.2 600 3.8 700 3.4 700 3.2 800 3 900 2.7 1000 at IZK mA 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 Reverse Current IR at V R Max. (µA) V 5 2 5 3 5 4 3 5 3 6 3 6.5 3 7 3 8 2 8.4 1 9.1 0.5 9.9 0.1 11 0.1 12 0.1 14 0.1 15 0.1 17 0.1 18 0.1 21 0.1 23 0.1 25 0.1 27 0.1 30 0.1 33 0.1 36 VZ is tested with pulses (20 ms) 1  JinYu semiconductor www.htsemi.com Date:2011/05 MM1Z5231C~MM1Z5261C 2 JinYu semiconductor www.htsemi.com Date:2011/05 MM1Z5231C~MM1Z5261C PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package; 2 leads SOD-123 ∠ ALL ROUND c HE D A E bp UNIT mm A 1.15 1.05 bp 0.6 0.5 c 0.135 0.100 A D 2.7 2.6 E 1.65 1.55 HE 3.9 3.7 v 0.2 ∠ 5 O 3 JinYu semiconductor www.htsemi.com Date:2011/05
MM1Z5241C
PDF文档中包含的物料型号为TPS65131RVER:一款由德州仪器(Texas Instruments)生产的电源管理集成电路,具有高度集成的电源解决方案。

器件简介指出其适用于移动设备和便携式设备。

引脚分配详述了各个引脚的功能,如VCC、GND、SW等。

参数特性包括输入电压范围、输出电压、静态电流等。

功能详解介绍了其升压转换器、降压转换器、线性调节器和开关调节器的功能。

应用信息强调了其在移动设备、便携式设备、LED照明等领域的应用。

封装信息表明该物料采用小型化的QFN封装,以适应空间受限的应用场景。
MM1Z5241C 价格&库存

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