MM1Z5250C

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HTSEMI(金誉)
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MM1Z5250C - SILICON PLANAR ZENER DIODES - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

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MM1Z5231C~MM1Z5261C SILICON PLANAR ZENER DIODES PINNING Features • Total power dissipation: Max. 500 mW • Small plastic package suitable for surface mounted design • Zener Voltage Tolerance: ± 2% PIN 1 2 1 DESCRIPTION Cathode Anode 2 Top View Simplified outline SOD-123 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range Symbol Ptot Tj Tstg Value 500 150 - 55 to + 150 Unit mW O C C O Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Thermal Resistance Junction to Ambient Air Forward Voltage at IF = 10 mA Marking Code YN YO YP YQ YR YS YT YU YV YW YX YY YZ ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZI ZJ ZK Zener Voltage Range VZT Min. (V) Max. (V) 4.998 5.202 5.488 5.712 6.076 6.324 6.664 6.936 7.35 7.65 8.036 8.364 8.918 9.282 9.8 10.2 10.78 11.22 11.76 12.24 12.74 13.26 14.7 15.3 15.68 16.32 17.64 18.36 19.6 20.4 21.56 22.44 23.52 24.48 26.46 27.54 29.4 30.6 32.34 33.66 35.28 36.72 38.22 39.78 42.14 43.86 46.06 47.94 1) Symbol RθJA VF Max. 350 0.9 Unit O C/W V Type MM1Z5231C MM1Z5232C MM1Z5234C MM1Z5235C MM1Z5236C MM1Z5237C MM1Z5239C MM1Z5240C MM1Z5241C MM1Z5242C MM1Z5243C MM1Z5245C MM1Z5246C MM1Z5248C MM1Z5250C MM1Z5251C MM1Z5252C MM1Z5254C MM1Z5256C MM1Z5257C MM1Z5258C MM1Z5259C MM1Z5260C MM1Z5261C 1) Vznom V 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 at IZT mA 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 9.5 8.5 7.8 7 6.2 5.6 5.2 4.6 4.2 3.8 3.4 3.2 3 2.7 ZZT Max. (Ω) 17 11 7 5 6 8 10 17 22 30 13 16 17 21 25 29 33 41 49 58 70 80 93 105 Dynamic Impedance at IZT ZZK mA Max. (Ω) 20 1600 20 1600 20 1000 20 750 20 500 20 500 20 600 20 600 20 600 20 600 9.5 600 8.5 600 7.8 600 7 600 6.2 600 5.6 600 5.2 600 4.6 600 4.2 600 3.8 700 3.4 700 3.2 800 3 900 2.7 1000 at IZK mA 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 Reverse Current IR at V R Max. (µA) V 5 2 5 3 5 4 3 5 3 6 3 6.5 3 7 3 8 2 8.4 1 9.1 0.5 9.9 0.1 11 0.1 12 0.1 14 0.1 15 0.1 17 0.1 18 0.1 21 0.1 23 0.1 25 0.1 27 0.1 30 0.1 33 0.1 36 VZ is tested with pulses (20 ms) １　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ MM1Z5231C~MM1Z5261C ２ JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ MM1Z5231C~MM1Z5261C PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package; 2 leads SOD-123 ∠ ALL ROUND c HE D A E bp UNIT mm A 1.15 1.05 bp 0.6 0.5 c 0.135 0.100 A D 2.7 2.6 E 1.65 1.55 HE 3.9 3.7 v 0.2 ∠ 5 O ３ JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５

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MM1Z5250C

物料型号： - 型号范围为MM1Z5231C至MM1Z5261C。

器件简介： - 这些是硅平面稳压二极管，具有最大500毫瓦的总功率耗散，小尺寸塑料封装适合于表面贴装设计，以及2%的齐纳电压公差。

引脚分配： - 引脚1：阴极（Cathode） - 引脚2：阳极（Anode）

参数特性： - 总功率耗散（Ptot）：最大500毫瓦（mW） - 结温（Tj）：150摄氏度 - 存储温度范围（Tstg）：-55至+150摄氏度

功能详解： - 在环境温度25摄氏度下的特性，包括热阻（ROJA）最大350摄氏度/瓦，正向电压（VF）在10毫安电流下最大0.9伏特。

应用信息： - 该系列产品提供了多种齐纳电压范围，适用于不同的电压稳定需求。

封装信息： - 塑料表面贴装封装，2引脚SOD-123，整体尺寸为2.7mm×2.6mm×1.65mm，引脚间距为1.55mm，高度为3.9mm。

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