MM3Z3B9

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MM3Z3B9 - Silicon Planar Zener Diodes - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

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MM3Z2B4~MM3ZB75 Silicon Planar Zener Diodes PINNING Features • Power Dissipation: 300 mW • Zener Voltage Tolerance: ± 2% PIN 1 2 1 DESCRIPTION Cathode Anode 2 Top View Simplified outline SOD-323 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Total Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range Symbol Ptot Tj Tstg Value 300 150 - 55 to + 150 Unit mW O C C O Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Thermal Resistance Junction to Ambient Air Forward Voltage at IF = 10 mA Symbol RθJA VF Max. 417 0.9 Unit O C/W V １　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ MM3Z2B4~MM3ZB75 Type MM3Z2B4 MM3Z2B7 MM3Z3B0 MM3Z3B3 MM3Z3B6 MM3Z3B9 MM3Z4B3 MM3Z4B7 MM3Z5B1 MM3Z5B6 MM3Z6B2 MM3Z6B8 MM3Z7B5 MM3Z8B2 MM3Z9B1 MM3ZB10 MM3ZB11 MM3ZB12 MM3ZB13 MM3ZB15 MM3ZB16 MM3ZB18 MM3ZB20 MM3ZB22 MM3ZB24 MM3ZB27 MM3ZB30 MM3ZB33 MM3ZB36 MM3ZB39 MM3ZB43 MM3ZB47 MM3ZB51 MM3ZB56 MM3ZB62 MM3ZB68 MM3ZB75 1) Marking Code DN DP DR DX DY DZ Z0 EB EC ED EE EF EH EJ EK EM EN EP ER EX EY EZ FA FB FC FD FE FF FH FJ XJ XK XM XN XP XR XX Zener Voltage Range 1) Vznom V 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 lZT mA 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 for VZT V 2.352…2.448 2.646…2.754 2.94…3.06 3.234…3.366 3.528…3.672 3.822…3.978 4.214…4.386 4.606…4.794 4.998…5.202 5.488…5.712 6.076…6.324 6.664…6.936 7.35…7.65 8.036…8.364 8.918…9.282 9.8…10.2 10.78…11.22 11.76…12.24 12.74…13.26 14.7…15.3 15.68…16.32 17.64…18.36 19.6…20.4 21.56…22.44 23.52…24.48 26.46…27.54 29.4…30.6 32.34…33.66 35.28…36.72 38.22…39.78 42.14…43.86 46.06…47.94 49.98…52.02 54.88…57.12 60.76…63.24 66.64…69.36 73.5…76.5 Dynamic Impedance ZZT (Max.) Reverse Leakage Current IR (Max.) μA 120 120 50 20 10 5 5 2 2 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 2 2 2 1 1 0.2 0.2 0.2 at VR V 1 1 1 1 1 1 1 1 1.5 2.5 3 3.5 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 17 19 21 23 25 27 30 33 36 39 43 47 52 57 Ω 100 110 120 130 130 130 130 130 130 80 50 30 30 30 30 30 30 35 35 40 40 45 50 55 60 70 80 80 90 100 130 150 180 180 200 250 300 at IZT mA 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 VZ is tested with pulses (20 ms). 300 Power Dissipation: Ptot (mW) 200 100 0 0 25 100 Ambient Temperature: Ta ( C) O 150 Derating Curve ２ JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ MM3Z2B4~MM3ZB75 PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package; 2 leads SOD-323 A c HE D A E bp UNIT mm A 1.10 0.80 bp 0.40 0.25 C 0.15 0.10 D 1.80 1.60 E 1.35 1.15 HE 2.80 2.30 ３ JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５

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MM3Z3B9

1. 物料型号： - 型号包括MM3Z2B4至MM3ZB75，这些型号代表了一系列硅平面稳压二极管。

2. 器件简介： - 这些器件是硅平面稳压二极管，具有300mW的功率耗散能力。

3. 引脚分配： - 引脚1为阴极（Cathode），引脚2为阳极（Anode）。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括总功率耗散300mW，结温150℃，存储温度范围-55至+150℃。 - 特性在Ta=25℃时，热阻RBJA最大为417℃/W，正向电压VF在IF=10mA时为0.9V。

5. 功能详解： - 这些稳压二极管具有不同的稳压电压范围，从2.4V至75V不等，动态阻抗和反向漏电流也随型号不同而有所差异。

6. 应用信息： - 这些稳压二极管适用于需要稳定电压的各种电子电路中，如电源、信号处理等。

7. 封装信息： - 封装为塑料表面贴装封装，2引脚SOD-323型。

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