MMBTA05

MMBTA05

  • 厂商:

    HTSEMI(金誉)

  • 封装:

  • 描述:

    MMBTA05 - TRANSISTOR(NPN) - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

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MMBTA05 数据手册
MMBTA05 TRANSISTOR(NPN) SOT-23 FEATURES Driver transistor MARKING :1H MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Value 60 60 4 0.5 300 150 -55-150 Units V V V A mW ℃ ℃ 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Collector cut-off current Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO hFE1 DC current gain hFE2 Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage VCE(sat) VBE fT VCE=1V, IC= 100mA IC=100mA, IB=10mA VCE=1V, IC= 100mA VCE= 2V, IC=10mA 100 100 0.25 1.2 V V MHz Test conditions MIN 60 60 4 0.1 0.1 0.1 100 400 TYP MAX UNIT V V V IC= 100μA, IE=0 IC= 1mA, IB=0 IE=100μA, IC=0 VCB=60V, IE=0 VCE=60V, IB=0 VEB=3V, IC=0 VCE=1V, IC= 10mA μA μA μA Transition frequency f=100MHz 1  JinYu semiconductor www.htsemi.com Date:2011/05 MMBTA05 2 JinYu semiconductor www.htsemi.com Date:2011/05
MMBTA05
1. 物料型号: - 型号为MMBTA05,这是一款NPN型晶体管。

2. 器件简介: - MMBTA05是一款驱动晶体管,采用SOT-23封装,标记为1H。

3. 引脚分配: - 1. 基极(BASE) - 2. 发射极(EMITTER) - 3. 集电极(COLLECTOR)

4. 参数特性: - 最大额定值(Ta=25°C,除非另有说明): - 集电极-基极电压(VcBO):60V - 集电极-发射极电压(VCEO):60V - 发射极-基极电压(VEBO):4V - 集电极电流-连续(Ic):0.5A - 集电极功率耗散(Pc):300mW - 结温(TJ):150°C - 存储温度(Tstg):-55至150°C

5. 功能详解: - 电气特性(环境温度25°C,除非另有说明): - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):60V - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):60V - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):4V - 集电极截止电流(ICBO):0.1μA - 集电极截止电流(IcEo):0.1μA - 发射极截止电流(IEBO):0.1μA - DC电流增益(hFE1):在VcE=1V,Ic=10mA时,100至400 - DC电流增益(hFE2):在VcE=1V,Ic=100mA时,100至400 - 集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)):在Ic=100mA,IB=10mA时,0.25V - 基极-发射极电压(VBE):在VcE=1V,Ic=100mA时,1.2V - 转换频率(fT):在VcE=2V,Ic=10mA,f=100MHz时,100MHz

6. 应用信息: - 该文档提供了一些图表,包括典型脉冲电流增益、增益带宽积与集电极电流的关系、基极-发射极饱和电压与集电极电流的关系、集电极电流与电压的关系、功耗与环境温度的关系、基极-发射极导通电压与集电极电流的关系等,这些图表有助于理解器件在不同条件下的性能。

7. 封装信息: - 封装类型为SOT-23。
MMBTA05 价格&库存

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