MMBZ5232BW

MMBZ5232BW

  • 厂商:

    HTSEMI(金誉)

  • 封装:

  • 描述:

    MMBZ5232BW - SILICON PLANAR ZENER DIODES - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

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MMBZ5232BW 数据手册
MMBZ5221BW~MMBZ5259BW SILICON PLANAR ZENER DIODES 3 1 2 1. Anode 3. Cathode Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Symbol PD T j ,T S Value 200 - 65 to + 150 Unit mW O C Characteristics ( Ta = 25 OC unless otherwise noted, VF < 0.9 V at IF = 10 mA) Type Zener Voltage Range Marking VZnom lZT for VZT Code V mA V HA HB HC HD HE HF HH HJ HK HM HN HP HR HX HY HZ JA JB JC JD JE JF JH JJ JK JM JN JP JR JX 2.4 2.7 3 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 9.5 8.5 7.8 7 6.2 5.6 5.2 5 4.2 3.8 3.4 3.2 1) Dynamic Resistance ZZT Max. (Ω) 30 30 30 28 24 23 22 19 17 11 7 5 6 8 10 17 22 30 13 16 17 21 25 29 33 41 49 58 70 80 ZZK Max. (Ω) 1200 1300 1600 1600 1700 1900 2000 1900 1600 1600 1000 750 500 500 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 700 700 800 at IZK mA 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 Reverse Leakage Current IR Max. (µA) 100 75 50 25 15 10 5 5 5 5 5 3 3 3 3 3 2 1 0.5 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 at VR V 1 1 1 1 1 1 1 2 2 3 4 5 6 6.5 7 8 8.4 9.1 9.9 11 12 14 15 17 18 21 23 25 27 30 MMBZ5221BW MMBZ5223BW MMBZ5225BW MMBZ5226BW MMBZ5227BW MMBZ5228BW MMBZ5229BW MMBZ5230BW MMBZ5231BW MMBZ5232BW MMBZ5234BW MMBZ5235BW MMBZ5236BW MMBZ5237BW MMBZ5239BW MMBZ5240BW MMBZ5241BW MMBZ5242BW MMBZ5243BW MMBZ5245BW MMBZ5246BW MMBZ5248BW MMBZ5250BW MMBZ5251BW MMBZ5252BW MMBZ5254BW MMBZ5256BW MMBZ5257BW MMBZ5258BW MMBZ5259BW 1) 2.28…2.52 2.57…2.84 2.85…3.15 3.14…3.47 3.42…3.78 3.71…4.1 4.09…4.52 4.47…4.94 4.85…5.36 5.32…5.88 5.89…6.51 6.46…7.14 7.13…7.88 7.79…8.61 8.65…9.56 9.5…10.5 10.45…11.55 11.4…12.6 12.35…13.65 14.25…15.75 15.2…16.8 17.1…18.9 19…21 20.9…23.1 22.8…25.2 25.65…28.35 28.5…31.5 31.35…34.65 34.2…37.8 37.05…40.95 Tested with pulses tp = 20 ms. 1  JinYu semiconductor www.htsemi.com Date:2011/05 MMBZ5221BW~MMBZ5259BW 2 JinYu semiconductor www.htsemi.com Date:2011/05
MMBZ5232BW
1. 物料型号: - 型号包括MMBZ5221BW至MMBZ5259BW,覆盖了从2.4V到39V的齐纳电压范围。

2. 器件简介: - 这些是硅平面齐纳二极管,用于电压稳定和过压保护。

3. 引脚分配: - SOT-323塑封封装,1脚为阳极(Anode),3脚为阴极(Cathode)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值在25°C下,包括200mW的功率消耗和65+50的齐纳电压。 - 特性在25°C下,除非另有说明,当VF<0.9V时,IF=10mA。 - 包括齐纳电压范围、动态电阻、反向漏电流等参数。

5. 功能详解: - 这些二极管主要用于电路中的电压稳定和瞬态过电压保护。

6. 应用信息: - 适用于需要电压稳定和过压保护的电路,例如电源、电机驱动等。

7. 封装信息: - 使用SOT-323塑封封装,这是一种小型表面贴装封装。
MMBZ5232BW 价格&库存

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