MMBZ5241BW

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HTSEMI(金誉)
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MMBZ5241BW - SILICON PLANAR ZENER DIODES - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

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MMBZ5221BW~MMBZ5259BW SILICON PLANAR ZENER DIODES 3 1 2 1. Anode 3. Cathode Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Symbol PD T j ,T S Value 200 - 65 to + 150 Unit mW O C Characteristics ( Ta = 25 OC unless otherwise noted, VF < 0.9 V at IF = 10 mA) Type Zener Voltage Range Marking VZnom lZT for VZT Code V mA V HA HB HC HD HE HF HH HJ HK HM HN HP HR HX HY HZ JA JB JC JD JE JF JH JJ JK JM JN JP JR JX 2.4 2.7 3 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 9.5 8.5 7.8 7 6.2 5.6 5.2 5 4.2 3.8 3.4 3.2 1) Dynamic Resistance ZZT Max. (Ω) 30 30 30 28 24 23 22 19 17 11 7 5 6 8 10 17 22 30 13 16 17 21 25 29 33 41 49 58 70 80 ZZK Max. (Ω) 1200 1300 1600 1600 1700 1900 2000 1900 1600 1600 1000 750 500 500 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 700 700 800 at IZK mA 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 Reverse Leakage Current IR Max. (µA) 100 75 50 25 15 10 5 5 5 5 5 3 3 3 3 3 2 1 0.5 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 at VR V 1 1 1 1 1 1 1 2 2 3 4 5 6 6.5 7 8 8.4 9.1 9.9 11 12 14 15 17 18 21 23 25 27 30 MMBZ5221BW MMBZ5223BW MMBZ5225BW MMBZ5226BW MMBZ5227BW MMBZ5228BW MMBZ5229BW MMBZ5230BW MMBZ5231BW MMBZ5232BW MMBZ5234BW MMBZ5235BW MMBZ5236BW MMBZ5237BW MMBZ5239BW MMBZ5240BW MMBZ5241BW MMBZ5242BW MMBZ5243BW MMBZ5245BW MMBZ5246BW MMBZ5248BW MMBZ5250BW MMBZ5251BW MMBZ5252BW MMBZ5254BW MMBZ5256BW MMBZ5257BW MMBZ5258BW MMBZ5259BW 1) 2.28…2.52 2.57…2.84 2.85…3.15 3.14…3.47 3.42…3.78 3.71…4.1 4.09…4.52 4.47…4.94 4.85…5.36 5.32…5.88 5.89…6.51 6.46…7.14 7.13…7.88 7.79…8.61 8.65…9.56 9.5…10.5 10.45…11.55 11.4…12.6 12.35…13.65 14.25…15.75 15.2…16.8 17.1…18.9 19…21 20.9…23.1 22.8…25.2 25.65…28.35 28.5…31.5 31.35…34.65 34.2…37.8 37.05…40.95 Tested with pulses tp = 20 ms. １　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ MMBZ5221BW~MMBZ5259BW ２ JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５

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MMBZ5241BW

### 物料型号 - MMBZ5221BW至MMBZ5259BW

### 器件简介 - 这些是硅平面齐纳二极管（SILICON PLANAR ZENER DIODES）。

### 引脚分配 - SOT-323塑料封装，引脚1为阳极（Anode），引脚3为阴极（Cathode）。

### 参数特性 - 绝对最大额定值（在25°C下）： - 功率（P）：200mW - 齐纳电压（VZ）：根据型号不同，范围从2.4V至39V不等。

### 功能详解 - 特性（在25°C下，除非另有说明，VF<0.9V时IF=10mA）： - 包括齐纳电压范围、动态电阻、反向漏电流等参数。

### 应用信息 - 这些齐纳二极管通常用于电压稳定和过压保护。

### 封装信息 - 使用SOT-323塑料封装。

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