MMBZ5257B

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MMBZ5257B - SILICON PLANAR ZENER DIODES - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

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MMBZ5221B~MMBZ5261B SILICON PLANAR ZENER DIODES 3 1 2 SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Power Dissipation Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction Temperature Storage Temperature Range Symbol PD RθJA Tj Tstg Value 350 357 150 - 55 to + 150 Unit mW O C/W O C C O １　 JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ MMBZ5221B~MMBZ5261B Characteristics Ta = 25 OC (VF = 0.9 V Maximum at IF = 10 mA) Type MMBZ5221B MMBZ5223B MMBZ5225B MMBZ5226B MMBZ5227B MMBZ5228B MMBZ5229B MMBZ5230B MMBZ5231B MMBZ5232B MMBZ5233B MMBZ5234B MMBZ5235B MMBZ5236B MMBZ5237B MMBZ5239B MMBZ5240B MMBZ5241B MMBZ5242B MMBZ5243B MMBZ5245B MMBZ5246B MMBZ5247B MMBZ5248B MMBZ5249B MMBZ5250B MMBZ5251B MMBZ5252B MMBZ5253B MMBZ5254B MMBZ5256B MMBZ5257B MMBZ5258B MMBZ5259B MMBZ5260B MMBZ5261B 1) Marking Code Y0 Z0 AA AB AC AD AE AF AH AJ AK AM AN AP AR AY AZ BA BB BC BE BF BH BJ BK BM BN BP BR BX BZ CA CB CC CD CE Zener Voltage Range 1) Vznom V 2.4 2.7 3 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 17 18 19 20 22 24 25 27 30 33 36 39 43 47 VZT V 2.28…2.52 2.57…2.84 2.85…3.15 3.14…3.47 3.42…3.78 3.71…4.1 4.09…4.52 4.47…4.94 4.85…5.36 5.32…5.88 5.7...6.3 5.89…6.51 6.46…7.14 7.13…7.88 7.79…8.61 8.65…9.56 9.5…10.5 10.45…11.55 11.4…12.6 12.35…13.65 14.25…15.75 15.2…16.8 16.15...17.85 17.1…18.9 18.05…19.95 19…21 20.9…23.1 22.8…25.2 23.75…26.25 25.65…28.35 28.5…31.5 31.35…34.65 34.2…37.8 37.05…40.95 40.85…45.15 44.65…49.35 at IZT mA 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 9.5 8.5 7.8 7.4 7 6.6 6.2 5.6 5.2 5 4.6 4.2 3.8 3.4 3.2 3 2.7 Max. Dynamic Resistance ZZT Ω 30 30 30 28 24 23 22 19 17 11 7 7 5 6 8 10 17 22 30 13 16 17 19 21 23 25 29 33 35 41 49 58 70 80 93 105 at IZT mA 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 9.5 8.5 7.8 7.4 7 6.6 6.2 5.6 5.2 5 4.6 4.2 3.8 3.4 3.2 3 2.7 ZZK Ω 1200 1300 1600 1600 1700 1900 2000 1900 1600 1600 1600 1000 750 500 500 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 700 700 800 800 1000 at IZK mA 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 Max. Reverse Current IR µA 100 75 50 25 15 10 5 5 5 5 5 5 3 3 3 3 3 2 1 0.5 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 at VR V 1 1 1 1 1 1 1 2 2 3 3.5 4 5 6 6.5 7 8 8.4 9.1 9.9 11 12 13 14 14 15 17 18 19 21 23 25 27 30 33 36 Tested with pulses tp = 20 ms. ２ JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５ MMBZ5221B~MMBZ5261B ３ JinYu semiconductor www.htsemi.com Ｄａｔｅ：２０１１／０５

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MMBZ5257B

1. 物料型号： - 型号范围从MMBZ5221B到MMBZ5261B。

2. 器件简介： - 这些是硅平面稳压二极管。

3. 引脚分配： - 1为阳极（ANODE），3为阴极（CATHODE），采用SOT-23塑料封装。

4. 参数特性： - 最大耗散功率（PD）：350mW。 - 热阻，结到环境（RaJA）：357°C/W。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度范围（Tstg）：-55至+150°C。

5. 功能详解： - 这些稳压二极管在25°C的环境温度下，以10mA的电流下具有最大0.9V的稳压值。不同型号具有不同的稳压值范围、最大动态电阻、最大反向电流等参数。

6. 应用信息： - 适用于需要稳定电压的各种电路中，如电源、信号处理等。

7. 封装信息： - 使用SOT-23塑料封装，这是一种小外形晶体管封装，适用于表面贴装技术。

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