A035BJ-01

汕头华汕电子器件有限公司 PNP SILICON TRANSISTOR 1015 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A035BJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：350×350µm 2 焊位尺寸：B 极 12150µm 2，E 极 16180µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SA1015，H1015 （封装形式：TO-92） █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度……………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率……………………………………400mW VCBO——集电极—基极电压…………………………………-50V VCEO——集电极—发射极电压………………………………-50V VEBO——发射极—基极电压……………………………………-5V IC——集电极电流…………………………………………-150mA █ 管芯示意图 █ 电参数（Ta=25℃） （封装形式：TO-92） 参数符号 ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO fT 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 -0.1 -0.1 700 -0.3 -1.1 -50 -50 -5 80 µA µA 测 试 条 件 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 特征频率 VCB=-50V，IE=0 VEB=-5V，IC=0 VCE=-6V，IC=-2mA VCE=-6V，IC=-150mA IC=-100mA， B=-10mA I IC=-100mA， B=-10mA I IC=-100µA，IE=0 IC=-1mA，IB=0 IE=-10µA，IC=0 VCE=-10V，IC=-1mA 70 25 V V V V V MHz