汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
5401 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:A043BJ-01 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:430×430µm2 焊位尺寸:B 极 107×107µm2,E 极 101×101µm2 电极金属:铝 背面金属:金 典型封装:2N5401,H5401
█ 管芯示意图
█ 极限值(Ta=25℃) (封装形式:TO-92)
Tstg——贮存温度……………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率……………………………………625mW VCBO——集电极—基极电压…………………………………-160V VCEO——集电极—发射极电压………………………………-150V VEBO——发射极—基极电压……………………………………-5V IC——集电极电流…………………………………………-600mA
█ 电参数(Ta=25℃) (封装形式:TO-92)
参数符号 ICBO IEBO hFE 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 -0.05 -0.05 30 60 50 280 -0.2 -0.5 -1 -1 -160 -150 -5 100 V V V V V V V MHz 单位 µA µA 测 试 条 件
集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益
VCE(sat) VBE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO fT
集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 特征频率
400
VCB=-120V,IE=0 VEB=-3V,IC=0 VCE=-5V,IC=-1mA VCE=-5V,IC=-10mA VCE=-5V,IC=-50mA IC=-10mA,IB=-1mA IC=-50mA,IB=-5mA IC=-10mA,IB=-1mA IC=-50mA,IB=-5mA IC=-100µA,IE=0 IC=-1mA,IB=0 IE=-10µA,IC=0 VCE=-10V,IC=-10mA f=100MHz
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