汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
9012 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:A047BJ-00 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:470×470µm 2 焊位尺寸:B 极 103×103µm2,E 极 98×98µm2 电极金属:铝 背面金属:金 典型封装:SS9012,H9012,8550S
█ 管芯示意图
█ 极限值(Ta=25℃) (封装形式:TO-92)
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率………………………………625mW VCBO——集电极—基极电压……………………………-40V VCEO——集电极—发射极电压…………………………-20V VEBO——发射极—基极电压………………………………-5V I C ——集电极电流…………………………………… -700mA
█ 电参数(Ta=25℃) (封装形式:TO-92)
参数符号 ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) BVCBO BVCEO BVEBO 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 -0.1 -0.1 390 -0.6 -1.2 -0.73 单位 µA µA 测 试 条 件
集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压
80 40
-0.6 -40 -20 -5
V V V V V V
VCB=-25V,IE=0 VEB=-3V,IC=0 VCE=-1V,IC=-50mA VCE=-1V,IC=-500mA IC=-500mA,IB=-50mA IC=-500mA,IB=-50mA VCE=-1V,IC=-10mA IC=-100µA,IE=0 IC=-1mA,IB=0 IE=-100µA,IC=0
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