汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
8550 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:A060AJ-00 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:600×600µm 2 焊位尺寸:B 极 130×150µm 2;E 极 140×130µm 2 电极金属:铝 背面金属:金 典型封装:S8550,H8550
█ 管芯示意图
█ 极限值(Ta=25℃) (封装形式:TO-92)
Tstg——贮存温度…………………………………… -55~150℃ Tj——结温…………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率………………………………………1W VCBO——集电极—基极电压………………………………-40V VCEO——集电极—发射极电压……………………………-25V VEBO——发射极—基极电压…………………………………-6V IC——集电极电流…………………………………………-1.2A (封装形式:TO-92) █ 电参数(Ta=25℃) 参数符号 ICBO IEBO hFE VBE(on) VCE(sat) VBE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO fT 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 -0.1 -0.1 500 -1.0 -0.5 -1.2 40 25 6 100 单位 µA µA 测 试 条 件
集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 基极—发射极导通电压 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 特征频率
85 40
VCB=-35V,IE=0 VEB=-6V,IC=0 VCE=-1V,IC=-100mA
VCE=-1V,IC=-800mA V VCE=-1V,IC=-10mA V IC=-800mA,IB=-80mA V IC=-800mA,IB=-80mA V IC=-100µA,IE=0 V IC=-2mA,IB=0 V IE=-100µA,IC=0 MHz VCE=-10V,IC=-50mA
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