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创作活动
A075AJ-01

A075AJ-01

  • 厂商:

    HUASHAN

  • 封装:

  • 描述:

    A075AJ-01 - PNP SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

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  • 价格&库存
A075AJ-01 数据手册
汕头华汕电子器件有限公司 PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R 1300 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:A075AJ-01 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:750× 750µm 2 焊位尺寸:B 极 165× 170µm 2 ;E 极 150× 165µm 2 电极金属:铝 背面金属:金 典型封装:2SA1300 █ 管芯示意图           █ 极限值(Ta=25℃) TO-92) ( Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃ Tj——结温…………………………………………… 150℃   PC——集电极功率耗散( Ta=25℃)…………………750mW VCBO——集电极—基极电压……………………………-20V VCEO——集电极—发射极电压…………………………-10V VEBO ——发射极—基极电压……………………………-6V I C ——集电极电流………………………………………-2A I B ——基极电流………………………………………- 0.2A █ 电参数(Ta=25℃) TO-92) ( 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 - 20 -10 -6 -0.1 -0.1 600 -0.82 -1.5 140 50 单位 V V V µ A µ A 测 试 条 件 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 140 70 IC=-1mA,IE=0 IC=-10mA,IB=0 IE=-1mA, IC=0 VCB=-20V,IE=0 VEB=-6V,IC=0 VCE=-1V,IC=-500mA VCE=-1V,IC=-2A V IC=-2A,IB=-50mA V VCE=-1V,IC=-2A MHz VCE=-1V,IC=-500mA pF VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
A075AJ-01 价格&库存

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