汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
928S 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:A080BJ-03 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:800×800µm 2 焊位尺寸:B 极 124×124µm 2;E 极 221×110µm 2 电极金属:铝 背面金属:金 典型封装:KSA928A,H928S
█ 管芯示意图
█ 极限值(Ta=25℃) (封装形式:TO-92)
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………0.75W VCBO——集电极—基极电压……………………………-30V VCEO——集电极—发射极电压…………………………-30V VEBO——发射极—基极电压………………………………-5V IC——集电极电流………………………………………… -2A (封装形式:TO-92) █ 电参数(Ta=25℃) 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 -30 -30 -5 -100 -100 320 -2 -1 120 30 单位 V V V nA nA 测 试 条 件
集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容
100
IC=-100µA,IE=0 IC=-10mA,IB=0 IE=-1mA,IC=0 VCB=-30V,IE=0 VEB=-5V,IC=0 VCE=-2V,IC=-500mA V IC=-1.5A,IB=-30mA V VCE=-2V,IC=-500mA MHz VCE=-2V,IC=-500mA pF VCB=-10V,IE=0,f=1MHz
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