汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
649A 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:A117AJ-00 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:1170×1170µm 2 焊位尺寸:B 极 272×192µm 2;E 极 226×298µm 2 电极金属:铝 背面金属:金 典型封装:2SB649A,HS649A,H649A
█ 管芯示意图
█ 极限值(Ta=25℃) TO-126、TO-126ML) (
Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃ Tj——结温…………………………………………… 150 ℃ PC——集电极功率耗散(Tc=25℃)………………… 20W PC——集电极功率耗散(TA=25℃)……………………1W VCBO——集电极—基极电压…………………………-180V VCEO——集电极—发射极电压……………………… -160V V EBO ——发射极—基极电压…………………………… -5V IC——集电极电流………………………………………-1.5A
█ 电参数(Ta=25℃) TO-126、TO-126ML) (
参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO hFE VCE(sat) VBE fT Cob 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 -180 -160 -5 60 30 -10 300 -1 -1.5 140 27 单位 V V V µA 测 试 条 件
集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极电压 特征频率 共基极输出电容
IC=-1mA,IE=0 IC=-10mA,IB=0 IE=-1mA,IC=0 VCB=-160V,IE=0 VCE=-5V,IC=-150mA VCE=-5V,IC=-500mA V IC=-500mA,IB=-50mA V VCE=-5V,IC=-150mA MHz VCE=-5V,IC=-150mA pF VCB=-10V,IE=0,f=1MHz
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