A126AG-00

汕头华汕电子器件有限公司 PNP SILICON TRANSISTOR 1357 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A126AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1260×1260µm 2 焊位尺寸：B 极 308×308µm 2；E 极 308×385µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：2SA1357，H1357 █ 管芯示意图 █ 极限值（Ta=25℃） （封装形式：TO-126） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ （ ……………………… 10W PC——集电极功率耗散 Tc=25℃） PC——集电极功率耗散 Ta=25℃） （ ………………………1.5W VCBO——集电极—基极电压……………………………-40V VCEO——集电极—发射极电压…………………………-20V VEBO——发射极—基极电压………………………………-8V IC——集电极电流 DC） （ ……………………………………-5A I C ——集电极电流( 脉冲 ) ………………………………… -8A IB——基极电流……………………………………………-1A █ 电参数（Ta=25℃） （封装形式：TO-126） 参数符号 V（BR)CEO ICBO 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 -20 -100 -100 600 1.0 -1.5 170 60 V nA nA 测 试 条 件 IEBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 集电极—发射极击穿电压 集电极—发射极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 140 70 V V MHz pF IC=-10mA，IB=0 VCE=-40V，IB=0 VEB=-8V，IC=0 VCE=-2V，IC=-500mA VCE=-2V，IC=-4A IC=-4A，IB=-100mA VCE=-2V，IC=-4A VCE=-2V，IE=-500mA VCB=-10V，IE=0， f=1MHz Pulse Test: PW=10mS(max),Duty Cycle=30%(min)