A126AG-01

汕头华汕电子器件有限公司 PNP SILICON TRANSISTOR B834 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A126AG-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1260×1260µm 2 焊位尺寸：B 极 308×308µm 2；E 极 308×385µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：2SB834，HB834 █ 管芯示意图 █ 极限值（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率………………………………… 30W VCBO——集电极—基极电压…………………………… -60V VCEO——集电极—发射极电压………………………… -60V VEBO——发射极—基极电压………………………………-7V IC——集电极电流………………………………………… -3A IB——基极电流………………………………………… -0.3A （封装形式：TO-220） █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 ICBO IEBO BVCEO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob tON tSTG tF 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 -100 -100 -60 60 20 -0.5 -0.7 -9 -150 0.4 1.7 0.5 300 -1 -1 V V MHz pF µs µs µs µA µA 测 试 条 件 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 集电极—发射极击穿电压 直流电流增益 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 导通时间 载流子贮存时间 下降时间 VCB=-60V，IE=0 VEB=-7V，IC=0 IC=-50mA，IB=0 VCE=-5V，IC=-0.5A VCE=-5V，IC=-3A IC=-3A，IB=-0.3A VCE=-5V，IC=-0.5A VCE=-5V，IC=-0.5A VCB=-10V，IE=0， f=1.0 MHz VCE=-30V，IC=-2A -IB1=IB2=0.2A