A150AG-02

汕头华汕电子器件有限公司 PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R 940L 晶体管芯片说明书 █　芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A150AG-02 芯片厚度：240±20µ m 管芯尺寸：1500×1500µ 2 m 焊位尺寸：B 极 290× 450µm 2 ；E 极 285× 450µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：HA940 　 █　管芯示意图 █ 极限值（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度………………………………… －55~150℃ Tj ——结温………………………………………………150℃ 　 PC——集电极功率耗散 Tc=25℃） （ ……………………… 25W PC——集电极功率耗散 Ta=25℃） （ ………………………1.5W VCBO ——集电极—基极电压…………………………- １５０ V VCEO——集电极—发射极电压…………………………-150V VEBO——发射极—基极电压………………………………-5V 　IC——集电极电流 DC） （ …………………………………-1.5A IB 电参数（Ta=25℃） █ ——基极电流…………………………………………-0.5A （封装形式：TO-220） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 - 150 -150 -5 -10 -10 40 -0.65 4 55 75 -0.75 140 -1 -0.85 V V MHz pF 单位 V V V µ A µ A 测 试 条 件 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 IC=-500µA ，IE=0 IC=-10mA，IB=0 IE=-500µA ，IC=0 VCB=-120V，IE=0 VEB=-5V，IC=0 VCE=-10V， C=-500mA I IC=-500mA， B=-50mA I VCE=-10V， C=-500mA I VCE=-10V， C=-500mA I VCB=-10V，IE=0, f=1.0MHz