C035BJ-00

汕头华汕电子器件有限公司 PNP SILICON TRANSISTOR 9015 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C035BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：350×350µm 2 焊位尺寸：B 极 12150µm 2，E 极 16180µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：SS9015，H9015 （封装形式：TO-92） █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度……………………………………-55~150℃ Tj——结温…………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………450mW VCBO——集电极—基极电压………………………………-50V VCEO——集电极—发射极电压……………………………-45V VEBO——发射极—基极电压………………………………-5V IC——集电极电流………………………………………-150mA █ 管芯示意图 █ 电参数（Ta=25℃） （封装形式：TO-92） 参数符号 ICBO IEBO hFE VCE(sat） VBE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO fT 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 -0.05 -0.05 800 -0.7 -1.0 µA µA V V V V V MHz 测 试 条 件 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 特征频率 VCB=-30V，IE=0 VEB=-5V，IC=0 VCE=-5V，IC=-1mA IC=-100mA，IB=-5mA IC=-100mA，IB=-5mA IC=-100µA，IE=0 IC=-1mA，IB=0 IE=-100µA，IC=0 VCE=-5V，IC=-10mA 60 -50 -45 -5 100