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NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
BC848 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:C035BJ-01 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:350×350µm 2 焊位尺寸:B 极 12150µm 2 ,E 极 16180µm 2 电极金属:铝 背面金属:金 典型封装:BC848
█ 管芯示意图
█ 极限值(Ta=25℃) (封装形式:SOT-23)
Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率………………………………250mW VCBO ——集电极—基极电压……………………………30V VCEO——集电极—发射极电压…………………………30V VEBO——发射极—基极电压………………………………5V IC ——集电极电流…………………………………… 100mA
█ 电参数(Ta=25℃) (封装形式:SOT-23)
参数符号 ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO fT 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 0.1 0.1 1000 0.5 1.0 单位 µ A µ A V V V V V MHz 测 试 条 件 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极饱和电压 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 特征频率 VCB=30V, IE=0 VEB=5V,IC=0 VCE=5V,IC=2mA IC=100mA ,IB=5mA IC=100mA ,IB=5mA IC=100µA ,IE=0 IC=1mA , IB=0 IE=100µA ,IC=0 VCE=5V,IC=10mA
100
30 30 5 100
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