C080BJ-01

汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR 2383 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C080BJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：800×800µm 2 焊位尺寸：B 极 124×124µm 2；E 极 221×110µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SC2383 （ █ 极限值（Ta=25℃） TO-92L） Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散（Ta=25℃）…………………900mW VCBO——集电极—基极电压……………………………160V VCEO——集电极—发射极电压…………………………160V VEBO——发射极—基极电压………………………………6V IC——集电极电流…………………………………………1A IB——基极电流…………………………………………0.5A █ 管芯示意图 █ 电参数（Ta=25℃） TO-92L） （ 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 160 160 6 1 1 320 1.5 0.75 100 20 单位 V V V µA µA 测 试 条 件 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 IC=100µA，IE=0 IC=10mA，IB=0 IE=100µA，IC=0 VCB=150V，IE=0 VEB=6V，IC=0 60 0.45 20 VCE=5V，IC=200 mA V IC=500mA，IB=50mA V VCE=5V，IC=5mA MHz VCE=5V，IC=200mA pF VCB=10V，E=0， I f=1MHz