C080BJ-04

汕头华汕电子器件有限公司 NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R 667A 晶体管芯片说明书 █　芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C080BJ-04 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：800× 800µm 2 焊位尺寸：B 极 124× 124µm 2 ；E 极 221× 110µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：２ＳＤ６６７Ａ，Ｈ６６７Ａ █　管芯示意图 　 　 　 　 　 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92L） （ 　 Tstg——贮存温度…………………………………－55~150℃ 　 Tj——结温………………………………………………150℃ 　 　 PC——集电极功率耗散（ TA=25℃）……………………0.9W 　 VCBO——集电极—基极电压……………………………120V 　 VCEO——集电极—发射极电压…………………………100V 　 VEBO——发射极—基极电压………………………………5V 　 IC——集电极电流…………………………………………1A █ 电参数（Ta=25℃） TO-92L） （ 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 120 100 5 60 30 10 300 1 1.5 140 12 单位 V V V µ A 测 试 条 件 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 集电极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极电压 特征频率 共基极输出电容 IC=10µ ，IE=0 A IC=1mA， IB=0 IE=10µ ，IC=0 A VCB=100V， IE=0 VCE=5V，IC=150mA VCE=5V，IC=500mA V IC=500mA ，IB=50mA V VCE=5V，IC=150mA MHz VCE=5V，IC=150mA pF VCB=10V，E=0， I f=1MHz