C080BJ-04

厂商：
HUASHAN
封装：
描述：
C080BJ-04 - NPN SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

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汕头华汕电子器件有限公司 NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R 667A 晶体管芯片说明书 █　芯片简介芯片尺寸：4 英寸（100mm）芯片代码：C080BJ-04 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：800× 800µm 2 焊位尺寸：B 极 124× 124µm 2 ；E 极 221× 110µm 2 电极金属：铝背面金属：金典型封装：２ＳＤ６６７Ａ，Ｈ６６７Ａ █　管芯示意图　　　　　 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92L）（　 Tstg——贮存温度…………………………………－55~150℃ 　 Tj——结温………………………………………………150℃ 　　 PC——集电极功率耗散（ TA=25℃）……………………0.9W 　 VCBO——集电极—基极电压……………………………120V 　 VCEO——集电极—发射极电压…………………………100V 　 VEBO——发射极—基极电压………………………………5V 　 IC——集电极电流…………………………………………1A █ 电参数（Ta=25℃） TO-92L）（参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 符号说明最小值典型值最大值 120 100 5 60 30 10 300 1 1.5 140 12 单位 V V V µ A 测试条件集电极— 基极击穿电压集电极— 发射极击穿电压发射极— 基极击穿电压集电极— 基极截止电流直流电流增益集电极— 发射极饱和电压基极— 发射极电压特征频率共基极输出电容 IC=10µ ，IE=0 A IC=1mA， IB=0 IE=10µ ，IC=0 A VCB=100V， IE=0 VCE=5V，IC=150mA VCE=5V，IC=500mA V IC=500mA ，IB=50mA V VCE=5V，IC=150mA MHz VCE=5V，IC=150mA pF VCB=10V，E=0， I f=1MHz

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C080BJ-04

1. 物料型号： - 型号：667A - 典型封装：2SD667A, H667A

2. 器件简介： - 芯片尺寸：4英寸（100mm） - 芯片代码：C080BJ-04 - 芯片厚度：240±20微米 - 管芯尺寸：800×800微米² - 焊位尺寸：B极124×124微米²；E极221×110微米² - 电极金属：铝 - 背面金属：金

3. 引脚分配： - B极：基极 - E极：发射极

4. 参数特性： - 极限值（Ta=25°C, TO-92L）： - Pc（集电功率耗散）：9W - VcBo（集电极-基极电压）：20V - Vco（集电极-发射极电压）：100V - VEBo（发射极-基极电压）：5V - Ic（集电极电流）：未提供具体数值 - 电参数（Ta=25°C, TO-92L）： - BVCBO（集电极-基极击穿电压）：120V - BVCEO（集电极-发射极击穿电压）：100V - BVEBO（发射极-基极击穿电压）：5V - ICBO（集电极-基极截止电流）：10uA - hFE（直流电流增益）： - 最小值：60 - 典型值：300 - VcE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：1V - VBE(on)（基极-发射极电压）：1.5V - fr（特征频率）：140MHz - Cob（共基极输出电容）：12pF

5. 功能详解： - 该晶体管为NPN型硅质晶体管，具有高功率耗散能力和高电压承受能力，适用于需要高电流和高电压的应用场景。

6. 应用信息： - 适用于一般晶体管应用，如放大器、开关等。

7. 封装信息： - 典型封装为2SD667A和H667A，这些封装适用于表面贴装和通孔安装。

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