C089BJ-01

汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR 2328S 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C089BJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：890×890µm 2 焊位尺寸：B 极 150×150µm 2；E 极 153×153µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：KSC2328A，H2328S █ 管芯示意图 █ 极限值（Ta=25℃） （封装形式：TO-92） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………0.75W VCBO——集电极—基极电压…………………………… 30V VCEO——集电极—发射极电压………………………… 30V VEBO——发射极—基极电压………………………………5V IC——集电极电流………………………………………… 2A （封装形式：TO-92） █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 30 30 5 100 100 320 2 1 120 30 单位 V V V nA nA 测 试 条 件 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 100 IC=100µA，IE=0 IC=10mA，IB=0 IE=1mA，IC=0 VCB=30V，IE=0 VEB=5V，IC=0 VCE=2V，IC=500mA V IC=1.5A，IB=30mA V VCE=2V，IC=500mA MHz VCE=2V，IC=500mA pF VCB=10V, IE=0， f=1MHz