C270AG-00

汕头华汕电子器件有限公司 NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R BU406 晶体管芯片说明书 █　芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C270AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：2700× 2700µm 2 焊位尺寸：B 极 550× 900µm 2 ；E 极 550× 1100µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：ＢＵ４０６，ＢＵ４０６Ｈ █　管芯示意图　 　 █ 极限值（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度…………………………………… －55~150℃ Tj——结温………………………………………………… 150℃ 　 PC——集电极功率耗散（ Tc=25 ℃）……………………… 60W VCBO ——集电极—基极电压……………………………… 400V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 200V VEBO——发射极—基极电压………………………………… 6 V 　 IC——集电极电流（ DC）…………………………………… 7 A 　ICP ——集电极电流（脉冲）………………………………… 10A IB——基极电流…………………………………………………4A 　 █ 电参数（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） 参数符号 BVCEO ICES IEBO hFE 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 200 5 1 12 5 30 8 1 1 1.2 1.2 10 0.75 V V V V MHz ?s 单位 V mA mA 测 试 条 件 集电极— 发射极击穿电压 集电极— 发射极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 IC=10mA ，IB=0 VCE=400V，VBE=0 VEB=6V，IC=0 VCE=1V，IC=1A VCE=1V，IC=5A VCE=5V，IC=2A VCE=5V，IC=5A IC=5A，IB =0.5A IC=5A，IB =0.8A IC=5A，IB =0.5A IC=5A，IB =0.8A VCE=10V，IC=0.5A IC=5A，IB =0.5A VCE(sat) VBE(sat) fT tOFF 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极饱和电压 特征频率 下降时间